1.一種同步整流開關，應用于同步整流電路，其特征在于，所述開關包括第一電壓采樣電路、第二電壓采樣電路、比較器、驅(qū)動器以及功率器件，所述功率器件為MOS管或IGBT，其中：
所述第一電壓采樣電路的輸入端作為所述同步整流開關的第一采樣端，其輸出端與所述比較器的第一輸入端連接；所述第二電壓采樣電路的輸入端作為所述同步整流開關的第二采樣端，其輸出端與所述比較器的第二輸入端連接；所述比較器的輸出端與所述驅(qū)動器的輸入端連接，所述驅(qū)動器的輸出端與所述功率器件的控制端連接，所述功率器件的第一端作為所述同步整流開關的第一端，所述功率器件的第二端作為所述同步整流開關的第二端；當所述比較器的第一輸入端電壓大于所述比較器的第二輸入端電壓時，所述功率器件導通，否則，所述功率器件斷開。
2.根據(jù)權利要求1所述的同步整流開關，其特征在于，當所述功率器件為MOS管時，所述MOS管為NMOS，所述NMOS的柵極作為所述MOS管的控制端，其漏極作為所述MOS管的第一端，其源極作為所述MOS管的第二端；所述比較器的正相輸入端作為所述比較器的第一輸入端；所述比較器的反相輸入端作為所述比較器的第二輸入端。
3.根據(jù)權利要求1所述的同步整流開關，其特征在于，當所述功率器件為MOS管時，所述MOS管為PMOS，所述PMOS的柵極作為所述MOS管的控制端，其源極作為所述MOS管的第一端，其漏極作為所述MOS管的第二端；所述比較器的正相輸入端作為所述比較器的第二輸入端；所述比較器的反相輸入端作為所述比較器的第一輸入端。
4.根據(jù)權利要求1所述的同步整流開關，其特征在于，當所述功率器件為IGBT時，所述IGBT為一個IGBT，所述一個IGBT的柵極作為所述IGBT的控制端，其集電極作為所述IGBT的第一端，其發(fā)射極作為所述IGBT的第二端。
5.根據(jù)權利要求1所述的同步整流開關，其特征在于，當所述功率器件為IGBT時，所述IGBT為IGBT模塊，所述IGBT模塊的柵極作為所述IGBT的控制端，其集電極作為所述IGBT的第一端，其發(fā)射極作為所述IGBT的第二端。
6.根據(jù)權利要求1-5任一項所述的同步整流開關，其特征在于，所述第一電壓采樣電路包括第一電阻和第二電阻，所述第二電壓采樣電路包括第三電阻和第四電阻，其中：
所述第一電阻的第一端作為所述第一電壓采樣電路的輸入端，其第二端與所述第二電阻的第一端連接，其公共端作為所述第一電壓采用電路的輸出端；所述第二電阻的第二端接地；
所述第三電阻的第一端作為所述第二電壓采樣電路的輸入端，其第二端與所述第四電阻的第一端連接，其公共端作為所述第二電壓采樣電路的輸出端；所述第四電阻的第二端接地。
7.根據(jù)權利要求1-5任一項所述的同步整流開關，其特征在于，所述驅(qū)動器包括NPN型三極管、PNP型三極管、第五電阻以及第六電阻，其中：所述NPN型三極管的基極與所述PNP型三極管的基極連接，其公共端作為所述驅(qū)動器的輸入端；所述NPN型三極管的集電極接電源，所述NPN型三極管的發(fā)射極與所述PNP型三極管的發(fā)射極連接，其公共端接所述第五電阻的第一端，所述第五電阻的第二端與所述第六電阻的第一端連接，其公共端作為所述驅(qū)動器的輸出端，所述PNP型三極管的集電極和所述第六電阻的第二端均接地。
8.一種同步整流電路，其特征在于，包括信號電源、電感和電容，所述同步整流電路還包括如權利要求1-7任一項所述的同步整流開關，其中：
所述同步整流開關的第一采樣端分別與所述信號電源的第一輸出端和所述電感的第一端連接；所述同步整流開關的第二采樣端分別與所述電感的第二端和所述電容的第一端連接，其公共端作為所述同步整流電路的輸出端；所述同步整流開關的第一端與所述信號電源的第二輸出端連接；所述同步整流開關的第二端與所述電容的第二端連接，其公共端接地；當所述同步整流開關的第一采樣端電壓大于所述同步整流開關的第二采樣端電壓時，所述同步整流開關導通。
9.根據(jù)權利要求8所述的同步整流電路，其特征在于，所述信號電源為交流電源、方波電源或電磁諧振接收電源中的任一種。
10.根據(jù)權利要求9所述的同步整流電路，其特征在于，所述同步整流電路還包括DC/DC轉換器，所述DC/DC轉換器的輸入端與所述同步整流電路的輸出端連接，其輸出端與所述同步整流開關的電源端連接。
11.一種同步整流芯片，其特征在于，包括如權利要求1-7任一項所述的同步整流開關。