1.醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，包括依次連接的市電輸入線路與EMI電路、一次側(cè)整流濾波電路、開關(guān)變換電路和二次側(cè)整流濾波電路，其特征在于，所述開關(guān)變換電路包括變壓器T1，變壓器T1的初級繞組包括相位相同的N1繞組和N5繞組，次級繞組包括與初級繞組相位相反的N3繞組，所述N1、N3繞組之間，N5、N3繞組之間分別繞制有屏蔽層繞組N2、N4。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，其特征在于，所述屏蔽層繞組N2、N4有相同的匝數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，其特征在于，所述N3繞組與所述屏蔽層繞組N2、N4之間分別繞制有4TS膠帶，所述屏蔽層繞組N2與N1繞組之間、屏蔽層繞組N4與N5繞組之間以及N5繞組外側(cè)都繞制有2TS膠帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，其特征在于，所述N1繞組一次性繞制完成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，其特征在于，所述市電輸入線路與EMI電路包括共模電感LF1和并聯(lián)在共模電感LF1輸入側(cè)的電容CX1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，其特征在于，所述一次側(cè)整流濾波電路是由型號為IN4007的二極管D1、D2、D3、D4組成的全橋整流電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，其特征在于，所述開關(guān)變換電路包括緩沖吸收電路，由電阻R5、R6與電容C3并聯(lián)后串接電阻R4和二極管D5組成，所述二極管D5是1N4007型號的二極管，陽極接變壓器T1的初級繞組首端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，其特征在于，包括PWM脈沖控制電路，所述PWM脈沖控制電路包括內(nèi)置有高壓開關(guān)管MOS的控制芯片U1，所述變壓器T1根據(jù)所述控制芯片U1的高壓開關(guān)管MOS導(dǎo)通/截止而存儲能量/釋放能量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的醫(yī)用超低泄露電流開關(guān)電源電路，其特征在于，所述二次側(cè)整流濾波電路包括輸出穩(wěn)壓控制電路，所述輸出穩(wěn)壓控制電路包括發(fā)光二極管U2-A，所述PWM脈沖控制電路包括光敏晶體管U2-B，所述PWM脈沖控制電路根據(jù)發(fā)光二極管U2-A和光敏晶體管U2-B組成的光耦U2檢測二次側(cè)整流濾波電路的輸出電壓電流變化。