本發(fā)明涉及一種開關(guān)電源的控制方法及其電路方面的改良，屬于開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

開關(guān)電源具有體積小、效率高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，普遍應(yīng)用與手機(jī)充電器、適配器等場合。目前，開關(guān)電源實(shí)現(xiàn)變壓器原邊與副邊通信主要有兩種方式。圖1為一種實(shí)現(xiàn)方式，該系統(tǒng)主要包括：原邊控制器、變壓器、開關(guān)功率管、通信芯片、光耦、負(fù)載、與通信芯片CS連接的CS采樣回路、與變壓器副邊連接的DC輸出級(jí)、與變壓器輔助線圈連接的VDD供電回路和FB反饋回路，系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)變壓器副邊與原邊的通信原理為：當(dāng)通信芯片接受到負(fù)載的通信使能信號(hào)，則根據(jù)信號(hào)內(nèi)容驅(qū)動(dòng)光耦傳輸?shù)皆吙刂破鞯腄DC（Digital Date Communication）引腳，原邊控制器記錄DDC引腳信息，并根據(jù)信息，做出相關(guān)動(dòng)作，從而實(shí)現(xiàn)通信。這種方式雖然能夠?qū)崿F(xiàn)變壓器原邊與副邊的通信，但是需要額外增加光耦或其它器件用于通信，系統(tǒng)成本高，同時(shí)對(duì)于原邊反饋的原邊控制器需要增加額外的端口，用于接收通信信號(hào)；

圖2為另一種實(shí)現(xiàn)方式，該系統(tǒng)主要包括：原邊控制器、變壓器、開關(guān)功率管、次級(jí)控制器、負(fù)載、與芯片CS連接的CS采樣回路、與變壓器副邊連接的DC輸出級(jí)、與變壓器輔助線圈連接的VDD供電回路和FB反饋回路，系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)變壓器副邊與原邊的通信原理為：當(dāng)次級(jí)控制器檢測到負(fù)載輸出的通信信號(hào)，并根據(jù)通信內(nèi)容在死區(qū)區(qū)間內(nèi)編譯開關(guān)脈沖信號(hào)VG，開關(guān)脈沖信號(hào)引起系統(tǒng)振蕩經(jīng)過副邊繞組和輔助繞組反饋至原邊控制器FB腳，原邊控制器監(jiān)測FB腳的振蕩信號(hào)，并根據(jù)信號(hào)內(nèi)容，作出相關(guān)相應(yīng)，圖3即為死區(qū)通信的波形圖。這種方式雖然能夠?qū)崿F(xiàn)變壓器原邊與副邊的通信，且不需要增加額外的器件，但是這種方式利用死區(qū)通信，要求原邊控制器工作于DCM，同時(shí)在死區(qū)開關(guān)次級(jí)二極管，容易引起變壓器電感與原邊寄生電容之間振蕩，不利于原邊控制器識(shí)別通信信號(hào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種開關(guān)電源的控制方法，利用消磁區(qū)間實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源副邊與原邊的通信，開關(guān)次級(jí)MOS不會(huì)引起原邊振蕩，同時(shí)不增加額外的器件，解決原邊控制器工作模式受限的問題。

本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種開關(guān)電源的控制方法，所述開關(guān)電源具有原邊控制器、負(fù)載及變壓器，其特征在于：在所述負(fù)載與變壓器副邊繞組之間相連設(shè)置次級(jí)控制器及次級(jí)MOS M2，在變壓器副邊繞組的一端，所述次級(jí)控制器實(shí)時(shí)監(jiān)測次級(jí)工作狀態(tài)及負(fù)載傳遞的通信信號(hào)類型，并根據(jù)信號(hào)類型，在開關(guān)周期的消磁區(qū)間內(nèi)產(chǎn)生開關(guān)脈沖信號(hào)VG；所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG通過在消磁區(qū)間內(nèi)開關(guān)次級(jí)MOS M2，并使次級(jí)MOS M2的源端和漏端壓降突變；壓降突變信號(hào)通過變壓器的輔助繞組耦合到原邊控制器的FB端；在變壓器原邊繞組及輔助繞組的一端，所述原邊控制器在消磁區(qū)間內(nèi)檢測FB端的電位突變幅度，并在FB端電位突變幅度大于預(yù)設(shè)定值△Vref時(shí)，判斷為通信信號(hào)并記錄信號(hào)信息、做出與信號(hào)信息對(duì)應(yīng)的控制動(dòng)作。

進(jìn)一步地，所述次級(jí)控制器包括電壓/電流檢測模塊、控制單元&PWM模塊、通信模塊、DRIVER；所述電壓/電流檢測模塊分別與輸入端口IDET、控制單元&PWM模塊、通信模塊相連；所述控制單元&PWM模塊與通信模塊相連；所述通信模塊與輸入端口DCI、DRIVER模塊相連；所述DRIVER與輸出端口VG相連；所述通信模塊檢測通信信號(hào)DCI和次級(jí)狀態(tài)信號(hào)DATE，兩種輸入中有且只有一種有效時(shí)，通信模塊根據(jù)輸入內(nèi)容編碼產(chǎn)生對(duì)應(yīng)串碼，在消磁區(qū)間內(nèi)編譯開關(guān)脈沖信號(hào)VG，所述串碼通過1個(gè)/多個(gè)周期完成向原邊控制器的FB端傳輸。

更進(jìn)一步地，所述通信模塊包括2選1模塊、編碼電路以及將編碼電路輸出與PWM信號(hào)邏輯與的與門AND4；所述2選1模塊分別與輸入信號(hào)DCI、輸入信號(hào)DATE、編碼電路相連；所述編碼電路分別與與門AND4、輸入信號(hào)PWM相連；所述與門AND4分別與輸入信號(hào)PWM、輸出信號(hào)VG相連；編譯的所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG在每個(gè)消磁區(qū)間內(nèi)只有低電平或者高電平中的一個(gè)狀態(tài)：所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG為低電平時(shí)關(guān)閉次級(jí)MOS M2，次級(jí)消磁時(shí)次級(jí)MOS M2的體二級(jí)管正偏導(dǎo)通；所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG為高電平時(shí)開啟次級(jí)MOS M2，次級(jí)消磁時(shí)次級(jí)MOS M2溝道導(dǎo)通；在消磁區(qū)間通過開關(guān)次級(jí)MOS M2，使次級(jí)MOS M2的源端和漏端壓降突變。

更進(jìn)一步地，所述通信模塊包括2選1模塊，編碼電路，延時(shí)單元DELAY2，將編碼電路輸出與PWM信號(hào)邏輯與的與門AND5以及將延時(shí)單元DELAY2的輸出與PWM信號(hào)邏輯與的與門AND6；所述2選1模塊分別與輸入信號(hào)DCI、輸入信號(hào)DATE、編碼電路相連；所述編碼電路分別與與門AND5、與門AND6相連；所述與門AND5與輸出信號(hào)VG、輸入信號(hào)PWM相連；所述延時(shí)單元DELAY2分別與輸入信號(hào)CTRL、與門AND6相連；所述與門AND6與輸入信號(hào)PWM相連；編譯的所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG在每個(gè)消磁區(qū)間內(nèi)有包含低電平或者高電平的多個(gè)狀態(tài)：所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG為低電平時(shí)關(guān)閉次級(jí)MOS M2，次級(jí)消磁時(shí)次級(jí)MOS M2的體二級(jí)管正偏導(dǎo)通；所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG為高電平時(shí)開啟次級(jí)MOS M2，次級(jí)消磁時(shí)次級(jí)MOS M2溝道導(dǎo)通；在消磁區(qū)間通過開關(guān)次級(jí)MOS M2，使次級(jí)MOS M2的源端和漏端壓降突變。

進(jìn)一步地，所述原邊控制器，包括電壓檢測模塊、控制器、PWM模塊、電流檢測模塊、通信檢測模塊；所述通信檢測模塊分別與輸入端口FB、電壓檢測模塊、控制器相連；所述電壓檢測模塊分別與控制器、輸入端口FB相連；所述電流檢測模塊分別與控制器、輸入端口CS相連；所述PWM模塊分別與控制器、輸出端口GATE相連；通信檢測模塊在消磁區(qū)間內(nèi)檢測相鄰兩個(gè)周期FB值的突變幅度，當(dāng)突變幅度大于或等于預(yù)設(shè)定值△Vref時(shí)，通信檢測模塊將輸出信號(hào)CODING置為高電平，當(dāng)突變幅度小于預(yù)設(shè)定值△Vref時(shí)，通信檢測模塊將輸出信號(hào)CODING置為低電平，輸出信號(hào)CODING與所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG相對(duì)應(yīng)，實(shí)現(xiàn)副邊與原邊的通信。

更進(jìn)一步地，所用的通信檢測模塊包括采樣保持模塊S/H、加法器ADD1、比較器、觸發(fā)器DFF1、觸發(fā)器DFF2、延遲單元DELAY1、將SAMPLE信號(hào)和DELAY1單元輸出信號(hào)相與的與門AND1；所述采樣保持模塊S/H分別與加法器ADD1和與門AND1、輸入端口FB相連；所述加法器ADD1分別與比較器、閾值基準(zhǔn)ΔVref相連；所述比較器分別與輸入端口FB、觸發(fā)器DFF1、觸發(fā)器DFF2相連；所述觸發(fā)器DFF1分別與輸入信號(hào)FB_CHECK、延遲單元DEALY1相連；所述觸發(fā)器DFF2分別與輸入信號(hào)FB_CHECK、輸出信號(hào)CODING相連。

更進(jìn)一步地，所用的通信檢測模塊包括采樣保持模塊S/H、加法器ADD2、比較器、將比較器輸出信號(hào)與FB_CHECK信號(hào)邏輯與的與門AND2、計(jì)數(shù)器、將比較器輸出信號(hào)與計(jì)數(shù)器輸出信號(hào)邏輯與的與門AND3；所述采樣保持模塊S/H分別與加法器ADD2、輸入信號(hào)SAMPLE、輸入端口FB相連；所述加法器ADD1分別與比較器、閾值基準(zhǔn)ΔVref相連；所述比較器分別與輸入端口FB、與門AND2的輸入、與門AND3的輸入相連；所述與門AND2與輸入信號(hào)FB_CHECK相連；所述比較器分別與與門AND2、與門AND3相連；所述與門AND3與輸出信號(hào)CODING相連。

本發(fā)明技術(shù)方案突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步主要體現(xiàn)在：

（1）采用這種控制方式的電源系統(tǒng)，可以有效地實(shí)現(xiàn)變壓器副邊與原邊的通信，而不需要額外的器件，系統(tǒng)簡單；

（2）采用這種控制方式的原邊電源芯片，不需要增加引腳用于通信；

（3）采用這種控制方式的電源系統(tǒng)，不受原邊控制器工作模式影響，支持原邊控制器工作于CCM模式。

（4）采用這種控制方式的電源系統(tǒng)，利用消磁區(qū)間通信，不會(huì)引起原邊電感和寄生電容之間的振蕩，易于原邊控制器檢測通信信號(hào)。

（5）采用這種控制方式的電源系統(tǒng)，利用次級(jí)MOS的體二極管和溝道導(dǎo)通實(shí)現(xiàn)通信，系統(tǒng)簡單。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種開關(guān)電源結(jié)構(gòu)圖。

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的另一種開關(guān)電源結(jié)構(gòu)圖。

圖3是圖2圖示的現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)現(xiàn)通信方式波形圖。

圖4是本發(fā)明的一種圖例示意圖。

圖5是本發(fā)明圖4對(duì)應(yīng)的實(shí)施例的次級(jí)控制器的模塊示意圖。

圖6是本發(fā)明圖5對(duì)應(yīng)的次級(jí)控制器的通信模塊一種示意圖。

圖7是本發(fā)明圖5對(duì)應(yīng)的次級(jí)控制器的通信模塊另一種示意圖。

圖8是本發(fā)明圖4對(duì)應(yīng)的實(shí)施例的原邊控制器的模塊示意圖。

圖9是本發(fā)明圖8對(duì)應(yīng)的原邊控制器的通信檢測模塊一種示意圖。

圖10是本發(fā)明圖8對(duì)應(yīng)的原邊控制器的通信檢測模塊另一種示意圖。

圖11是本發(fā)明圖6和圖9對(duì)應(yīng)實(shí)施例的一種通信工作波形示意圖。

圖12是本發(fā)明圖7和圖10對(duì)應(yīng)實(shí)施例的一種通信工作波形示意圖。

圖13是本發(fā)明圖7和圖10對(duì)應(yīng)實(shí)施例的另一種通信工作波形示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明開關(guān)電源的控制方法更易于理解其創(chuàng)新核心及技術(shù)效果，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的多個(gè)具體實(shí)施例作進(jìn)一步說明。

如圖4所示，開關(guān)電源的控制電路與方法包括在變壓器副邊繞組和負(fù)載之間設(shè)置次級(jí)控制器及次級(jí)MOS M2，用于檢測次級(jí)工作狀態(tài)/負(fù)載傳遞的通信信號(hào)類型，并根據(jù)信號(hào)類型，在開關(guān)周期的消磁區(qū)間內(nèi)產(chǎn)生開關(guān)脈沖信號(hào)VG；開關(guān)脈沖信號(hào)VG，在消磁時(shí)間內(nèi)關(guān)閉次級(jí)MOS M2，體二級(jí)管正偏導(dǎo)通或開啟次級(jí)MOS M2，溝道導(dǎo)通。次級(jí)MOS M2體二極管導(dǎo)通和溝道導(dǎo)通閾值不同，通過開關(guān)次級(jí)MOS M2，使次級(jí)MOS M2源端和漏端壓降突變，壓降突變信號(hào)通過變壓器耦合到輔助繞組原邊控制器的FB端；原邊控制器，在消磁區(qū)間內(nèi)檢測FB突變幅度大于設(shè)定值△VREF時(shí)，判斷為通信信號(hào)并記錄信號(hào)信息。傳輸?shù)耐ㄐ判盘?hào)可以為參數(shù)信息或者數(shù)字信號(hào)。這種傳輸方式利用消磁區(qū)間實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源副邊與原邊的通信，開關(guān)次級(jí)MOS不會(huì)引起原邊振蕩，同時(shí)不增加額外的器件，不限定原邊控制器的工作模式。

圖5為次級(jí)控制器的模塊示意圖，包括電壓/電流檢測模塊、控制單元&PWM模塊、通信模塊、DRIVER；電壓/電流檢測模塊分別與輸入端口IDET、控制單元&PWM模塊、通信模塊相連；控制單元&PWM模塊與通信模塊相連；通信模塊與輸入端口DCI、DRIVER模塊相連；DRIVER與輸出端口VG相連，用于驅(qū)動(dòng)次級(jí)MOS M2。

次級(jí)控制器的通信模塊一種示意圖如圖6所示，檢測通信信號(hào)DCI/次級(jí)狀態(tài)信號(hào)DATE，其中DATE為次級(jí)控制器工作狀態(tài)，例如過溫、輸出短路等狀態(tài)。兩種輸入中有一種且只有一種有效時(shí)，通信模塊根據(jù)輸入內(nèi)容，編碼電路產(chǎn)生對(duì)應(yīng)串碼，在消磁區(qū)間內(nèi)編譯開關(guān)脈沖信號(hào)VG，開關(guān)脈沖信號(hào)VG每個(gè)消磁區(qū)間內(nèi)只有一個(gè)狀態(tài)：低電平或者高電平。開關(guān)脈沖信號(hào)VG為低電平時(shí)關(guān)閉次級(jí)MOS M2，次級(jí)消磁時(shí)，次級(jí)MOS M2體二級(jí)管正偏導(dǎo)通。所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG為高電平時(shí)開啟次級(jí)MOS M2，次級(jí)消磁時(shí)，次級(jí)MOS M2溝道導(dǎo)通。次級(jí)消磁時(shí)，通過開關(guān)次級(jí)MOS M2，使次級(jí)MOS M2源端和漏端壓降突變，壓降突變信號(hào)通過變壓器耦合到輔助繞組原邊控制器的FB端；所述串碼通過1個(gè)/多個(gè)周期完成向原邊控制器FB端傳輸。

通信模塊包括2選1模塊、編碼電路、將編碼電路輸出與PWM信號(hào)邏輯與的與門AND4；2選1模塊分別與輸入信號(hào)DCI、輸入信號(hào)DATE、編碼電路相連；編碼電路分別與與門AND4、輸入信號(hào)PWM相連；與門AND4分別與輸入信號(hào)PWM、輸出信號(hào)VG相連。

次級(jí)控制器的通信模塊另一種示意圖如圖7，通信模塊檢測通信信號(hào)DCI/次級(jí)狀態(tài)信號(hào)DATE，兩種輸入中有一種且只有一種有效時(shí)，通信模塊根據(jù)輸入內(nèi)容，編碼電路產(chǎn)生對(duì)應(yīng)串碼，在原邊控制器采樣信號(hào)前/后編譯開關(guān)脈沖信號(hào)VG。開關(guān)脈沖信號(hào)VG每個(gè)消磁區(qū)間內(nèi)可有多個(gè)狀態(tài)：低電平或者高電平。開關(guān)脈沖信號(hào)VG為低電平時(shí)關(guān)閉次級(jí)MOS M2，次級(jí)消磁時(shí)，次級(jí)MOS M2體二級(jí)管正偏導(dǎo)通；開關(guān)脈沖信號(hào)VG為高電平時(shí)開啟次級(jí)MOS M2，次級(jí)消磁時(shí)，次級(jí)MOS M2溝道導(dǎo)通，通過開關(guān)次級(jí)MOS M2，使次級(jí)MOS M2源端和漏端壓降突變，壓降突變信號(hào)通過變壓器耦合到輔助繞組原邊控制器的FB端；串碼通過1個(gè)或者多個(gè)周期完成向原邊控制器FB端傳輸。

通信模塊包括2選1模塊、編碼電路、延時(shí)單元DELAY2、將編碼電路輸出與PWM信號(hào)邏輯與的與門AND5；將延時(shí)單元DELAY2的輸出與PWM信號(hào)邏輯與的與門AND6。2選1模塊分別與輸入信號(hào)DCI、輸入信號(hào)DATE、編碼電路相連；編碼電路分別與與門AND5、與門AND6相連；與門AND5與輸出信號(hào)VG、輸入信號(hào)PWM相連；延時(shí)單元DELAY2分別與輸入信號(hào)CTRL、與門AND6相連；與門AND6與輸入信號(hào)PWM相連。

圖8為原邊控制器的模塊示意圖，包括電壓檢測模塊、控制器、PWM模塊、電流檢測模塊、通信檢測模塊；通信檢測模塊分別與輸入端口FB、電壓檢測模塊、控制器相連；電壓檢測模塊分別與控制器、輸入端口FB相連；電流檢測模塊分別與控制器、輸入端口CS相連；PWM模塊分別與控制器、輸出端口GATE相連。

原邊控制器的通信檢測模塊一種示意圖如圖9，在消磁區(qū)間內(nèi)檢測相鄰兩個(gè)周期FB值突變幅度，當(dāng)FB值突變幅度大于或等于設(shè)定值△VREF時(shí)，通信檢測模塊將輸出信號(hào)CODING置為高電平，當(dāng)FB值突變幅度小于設(shè)定值△VREF時(shí)，通信檢測模塊將輸出信號(hào)CODING置為低電平。輸出信號(hào)CODING即為次級(jí)控制器產(chǎn)生的所述開關(guān)脈沖信號(hào)VG，實(shí)現(xiàn)副邊與原邊的通信。

通信檢測模塊，包括采樣保持模塊S/H、加法器ADD1、比較器、觸發(fā)器DFF1、觸發(fā)器DFF2、延遲單元DELAY1、將SAMPLE信號(hào)和DELAY1單元輸出信號(hào)相與的與門；采樣保持模塊S/H分別與加法器ADD1、將SAMPLE信號(hào)和DELAY1單元輸出信號(hào)相與的與門、輸入端口FB相連；加法器ADD1分別與比較器、閾值基準(zhǔn)ΔVref相連；比較器分別與輸入端口FB、觸發(fā)器DFF1、觸發(fā)器DFF2相連；觸發(fā)器DFF1分別與輸入信號(hào)FB_CHECK、延遲單元DEALY1相連；觸發(fā)器DFF2分別與輸入信號(hào)FB_CHECK、輸出信號(hào)CODING相連；延遲單元DELAY1與與門AND1相連；與門AND1與輸入信號(hào)SAMPLE相連。

原邊控制器的通信檢測模塊另一種示意圖如圖10，在消磁區(qū)間內(nèi)采樣信號(hào)前/后檢測FB端口電壓突變幅度，當(dāng)FB值突變幅度大于或等于設(shè)定值△VREF時(shí)，通信檢測模塊將輸出信號(hào)CODING置為高電平，當(dāng)FB值突變幅度小于設(shè)定值△VREF時(shí)，通信檢測模塊將輸出信號(hào)CODING置為低電平。輸出信號(hào)CODING即為次級(jí)控制器產(chǎn)生的開關(guān)脈沖信號(hào)VG，實(shí)現(xiàn)副邊與原邊的通信。

通信檢測模塊，包括采樣保持模塊S/H、加法器ADD2、比較器、將比較器輸出信號(hào)與FB_CHECK信號(hào)邏輯與的與門AND2、計(jì)數(shù)器、將比較器輸出信號(hào)與計(jì)數(shù)器輸出信號(hào)邏輯與的與門AND3；采樣保持模塊S/H分別與加法器ADD2、輸入信號(hào)SAMPLE、輸入端口FB相連；加法器ADD1分別與比較器、閾值基準(zhǔn)ΔVref相連；比較器分別與輸入端口FB、與門AND2的輸入、與門AND3的輸入相連；與門AND2與輸入信號(hào)FB_CHECK相連；比較器分別與與門AND2、與門AND3相連；與門AND3與輸出信號(hào)CODING相連。

圖11為本發(fā)明圖6和圖9對(duì)應(yīng)實(shí)施例的一種通信工作波形示意圖，每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)只通信一次。開關(guān)電源開關(guān)周期一共分為三個(gè)階段：1.導(dǎo)通時(shí)間（On Time），變壓器原邊儲(chǔ)能；2.消磁時(shí)間（Reset Time），變壓器副邊向輸出傳輸能量，次級(jí)MOS M2溝道導(dǎo)通或者體二極管正偏導(dǎo)通；3.死區(qū)時(shí)間（Dead Time），原邊振蕩。本發(fā)明的通信方式利用的是消磁時(shí)間。正常工作模式，次級(jí)控制器在消磁時(shí)間內(nèi)將脈沖信號(hào)VG置為高電平，次級(jí)MOS M2溝道導(dǎo)通，次級(jí)MOS的漏極與源極壓降約等于0V，此時(shí)原邊控制器FB端檢測的值VFB為：

VFB=VOUT/n，其中n為輔助繞組線圈數(shù)除以副邊繞組線圈數(shù)。

原邊控制器將VFB值保持住，供下一個(gè)周期檢測FB值突變情況，原邊控制器根據(jù)當(dāng)前周期的VFB值產(chǎn)生PWM波形。

當(dāng)次級(jí)控制器在消磁時(shí)間內(nèi)將脈沖信號(hào)VG置為低電平，次級(jí)MOS M2體二極管導(dǎo)通，次級(jí)MOS的漏極與源極的壓降為二極管正向?qū)ǖ拈撝惦妷海?.7V，此時(shí)原邊控制器FB端檢測的值VFB為：

VFB=（VOUT+0.7）/n，其中n為輔助繞組線圈數(shù)除以副邊繞組線圈數(shù)。

當(dāng)次級(jí)控制器上一個(gè)周期為溝道導(dǎo)通，當(dāng)前周期為體二極管導(dǎo)通，原邊控制器FB端檢測的VFB值將突變0.7/n，其中0.7/n大于△VREF，當(dāng)原邊控制器FB檢測到突變值大于△VREF，則將輸出信號(hào)CODING置為高電平，次級(jí)VG的高低信號(hào)被CODING記錄，實(shí)現(xiàn)通信。其他情況則將CODINF置為低電平。當(dāng)檢測到突變時(shí)，原邊控制器將采樣與保持模塊的控制信號(hào)VFB_SAMPLE屏蔽，原邊控制器繼續(xù)使用前一周期狀態(tài)工作，從而避免因通信引起的VFB變化，影響到芯片的正常工作。

圖12是本發(fā)明圖7和圖10對(duì)應(yīng)實(shí)施例的一種通信工作波形示意圖，這種通信方式利用消磁區(qū)間的一段時(shí)間通信，而不是整個(gè)消磁區(qū)間。通信區(qū)間如圖所示為FB_SAMPLE信號(hào)下降沿到消磁結(jié)束。由于次級(jí)控制器的CTRL信號(hào)與原邊控制器FB_SAMPLE信號(hào)產(chǎn)生機(jī)理一致，都是為上一個(gè)周期的消磁區(qū)間的1/2處或其他固定處，所以FB_SAMPLE信號(hào)和CTRL信號(hào)波形一致。為確保在FB_SAMPLE信號(hào)下降沿之后傳輸通信信號(hào)，次級(jí)控制器CTRL信號(hào)為高電平延遲Tdelay2之后允許編譯VG。由于原邊控制器生成的PWM信號(hào)占空比不同，通信區(qū)間長短不一，所以通信信號(hào)可通過一個(gè)周期，或者多個(gè)周期傳輸?shù)皆?，原邊控制器將檢測到的通信信號(hào)級(jí)聯(lián)，以生產(chǎn)完整的通信信號(hào)，從而根據(jù)內(nèi)容作出相應(yīng)的動(dòng)作。

圖13是本發(fā)明圖7和圖10對(duì)應(yīng)實(shí)施例的另一種通信工作波形示意圖；這種通信方式利用消磁區(qū)間的一段時(shí)間通信。通信區(qū)間如圖所示為消磁開始延遲Tdelay3之后到FB_CHECK下降沿。由于次級(jí)控制器的CTRL信號(hào)與原邊控制器FB_SAMPLE信號(hào)產(chǎn)生機(jī)理一致，都為上一個(gè)周期的消磁區(qū)間的1/2處或其他固定處，所以FB_SAMPLE信號(hào)和CTRL信號(hào)波形一致。為確保在通信信號(hào)結(jié)束之后原邊控制器正常采樣,原邊控制器FB_SAMPLE下降沿延時(shí)Tdealy4之后允許正常采樣VFB值。由于原邊控制器生成的PWM信號(hào)占空比不同，通信區(qū)間長短不一，所以通信信號(hào)可通過一個(gè)周期，或者多個(gè)周期傳輸?shù)皆叄吙刂破鲗z測到的通信信號(hào)級(jí)聯(lián)，以生產(chǎn)正確的通信信號(hào)，從而根據(jù)內(nèi)容作出相應(yīng)的動(dòng)作。

需要理解到的是：以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。