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一種手機(jī)充電過壓保護(hù)電路的制作方法

文檔序號:12844574閱讀:2783來源:國知局

本實(shí)用新型涉及保護(hù)電路,尤其涉及一種用于手機(jī)充電的過壓保護(hù)電路。



背景技術(shù):

隨著智能手機(jī)快充的普及以及電池容量的增大,大大滿足了人們對電子產(chǎn)品電池充電速度及電池電量的需求。而電子產(chǎn)品充電環(huán)境非常復(fù)雜,且電網(wǎng)波動也會造成充電回路過壓,從而導(dǎo)致充電IC或電源管理模塊等被燒壞的情況時有發(fā)生,所以對電子產(chǎn)品充電電路的過壓保護(hù)十分關(guān)鍵。

目前常用的過壓保護(hù)方案主要是在主板充電路徑增加過壓保護(hù) IC,如Fairchild FPF2280,但這種IC成本較高。因此,如何設(shè)計一種低成本的過壓保護(hù)方案已成為業(yè)內(nèi)亟待解決的技術(shù)問題。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本實(shí)用新型提出一種手機(jī)充電過壓保護(hù)電路。

本實(shí)用新型提供的手機(jī)充電過壓保護(hù)電路包括三極管Q1、MOS管Q2、穩(wěn)壓管D1、電阻R1、R2、R3;三極管Q1的發(fā)射極與MOS管Q2的源極連接后與USB電源輸入端VBUS連接,穩(wěn)壓管D1的負(fù)極通過一限流電阻R1與USB電源輸入端VBUS連接,穩(wěn)壓管D1的正極接地,三極管Q1的基極通過一偏置電阻R2與穩(wěn)壓管D1的負(fù)極連接,三極管Q1的集電極與MOS管Q2的柵極連接后通過一電阻R3接地,MOS管Q2的漏極與手機(jī)充電IC輸入端V_Charge連接。

在一實(shí)施例中,三極管Q1為PNP形三極管,MOS管Q2為PMOS管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型采用一三極管、一MOS管以及一穩(wěn)壓管即設(shè)計實(shí)現(xiàn)了一中簡單過壓保護(hù)電路,電路設(shè)計巧妙,無需采用專用過壓保護(hù)IC,成本低,實(shí)用性強(qiáng)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明。

如圖1所示,本實(shí)用新型提供的手機(jī)充電過壓保護(hù)電路包括三極管Q1、MOS管Q2、穩(wěn)壓管D1、電阻R1、R2、R3;三極管Q1的發(fā)射極與MOS管Q2的源極連接后與USB電源輸入端VBUS連接,穩(wěn)壓管D1的負(fù)極通過一限流電阻R1與USB電源輸入端VBUS連接,穩(wěn)壓管D1的正極接地,三極管Q1的基極通過一偏置電阻R2與穩(wěn)壓管D1的負(fù)極連接,三極管Q1的集電極與MOS管Q2的柵極連接后通過一電阻R3接地,MOS管Q2的漏極與手機(jī)充電IC輸入端V_Charge連接。

在一實(shí)施例中,三極管Q1為PNP形三極管,MOS管Q2為PMOS管。

電路的工作原理具體如下:

過壓保護(hù)點(diǎn)電壓為穩(wěn)壓管D1反向擊穿電壓和三極管Q1的基極-發(fā)射極正偏電壓之和。一般為0.7V,與穩(wěn)壓管型號相關(guān)。故保護(hù)點(diǎn)電壓主要由穩(wěn)壓管決定。

正常工作時,PNP三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài),PMOS管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài),USB電源VBUS經(jīng)過PMOS管Q2給手機(jī)充電。

當(dāng)電網(wǎng)波動或充電適配器異常導(dǎo)致VBUS電壓超過時,穩(wěn)壓管D1被擊穿,三極管Q1基極電壓被拉低,Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R3將PMOS管Q2柵極電壓拉高,Q2處于截止?fàn)顟B(tài),VBUS電壓將不能通過Q2到達(dá)充電IC,從而避免VBUS的異常電壓造成主板充電IC損壞。

本電路主要電子元器件的選型要求具體如下:

穩(wěn)壓管D1反向擊穿電壓決定了過壓保護(hù)點(diǎn)電壓,當(dāng)用5V充電器充電時,可以選=5V的穩(wěn)壓管,此時=5.7V(+),即VBUS電壓超過5.7V時,充電回路關(guān)閉。當(dāng)用9V充電器充電時,可以選=12V的穩(wěn)壓管,此時=12.7V(+),即VBUS電壓超過12.7V時,充電回路關(guān)閉。

PMOS管 Q2導(dǎo)通電阻過大時會導(dǎo)致充電回路阻抗增加,影響充電效率,一般要求≦50mΩ。漏-源電壓≧20V可滿足5-12V適配器。

本實(shí)用新型采用一三極管、一MOS管以及一穩(wěn)壓管即設(shè)計實(shí)現(xiàn)了一簡單過壓保護(hù)電路,電路設(shè)計巧妙,無需采用專用過壓保護(hù)IC,成本低,實(shí)用性強(qiáng)。

上述實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)指出的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和變化,這些變形和變化都應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

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