本實用新型涉及供電電路，尤其涉及一種IGBT驅(qū)動供電電路。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有驅(qū)動供電電壓一般從高壓取電，通過主變壓器隔離分出幾路繞組，分出正負(fù)電壓給IGBT(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)供電，由于空間布局較大，在某些場所12-24V低壓供電、整體方案尺寸布局限制下不是很理想方案。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本實用新型提供了一種空間小布局的IGBT驅(qū)動供電電路。

本實用新型提供了一種IGBT驅(qū)動供電電路，包括驅(qū)動電路、變壓器電壓轉(zhuǎn)換模塊和倍壓整流濾波模塊，所述驅(qū)動電路的輸出端與所述變壓器電壓轉(zhuǎn)換模塊連接，所述變壓器電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸出端與所述倍壓整流濾波模塊連接。

作為本實用新型的進一步改進，所述驅(qū)動電路包括供電電路VCC、MOS管Q1，其中，供電電路VCC與所述MOS管Q1連接，給MOS管Q1提供直流轉(zhuǎn)換電壓。

作為本實用新型的進一步改進，所述驅(qū)動電路還包括電容C10、半橋驅(qū)動變壓器U1，供電電路VCC與所述半橋驅(qū)動變壓器U1連接，所述電容C10的一端與所述半橋驅(qū)動變壓器U1的VCC引腳連接，所述電容C10的另一端與所述半橋驅(qū)動變壓器U1的CS引腳連接，供電電路VCC經(jīng)電容C10濾高頻給半橋驅(qū)動變壓器U1驅(qū)動IC提供工作電壓。

作為本實用新型的進一步改進，所述驅(qū)動電路還包括電阻R1、電容C7，供電電路VCC與電阻R1、電容C7依次串聯(lián)，所述半橋驅(qū)動變壓器U1的OSC引腳連接于所述電阻R1、電容C7之間，供電電路VCC通過電阻R1給電容C7充電，給所述半橋驅(qū)動變壓器U1的OSC引腳提供振蕩基準(zhǔn)頻率。

作為本實用新型的進一步改進：所述半橋驅(qū)動變壓器U1的VB、VS引腳之間連接有自舉電源供電電路。

作為本實用新型的進一步改進，所述自舉電源供電電路包括串聯(lián)的電容C9和二極管D2。

本實用新型的有益效果是：結(jié)構(gòu)簡單，電源效率高，實用，可靠，成本低廉，布局布線方便，空間布局較小。

附圖說明

圖1是本實用新型一種IGBT驅(qū)動供電電路的示意圖。

圖2是本實用新型一種IGBT驅(qū)動供電電路的驅(qū)動電路的示意圖。

圖3是本實用新型一種IGBT驅(qū)動供電電路的倍壓整流濾波模塊的示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖說明及具體實施方式對本實用新型進一步說明。

如圖1至圖3所示，一種IGBT驅(qū)動供電電路，包括驅(qū)動電路101、變壓器電壓轉(zhuǎn)換模塊102和倍壓整流濾波模塊103，所述驅(qū)動電路101的輸出端與所述變壓器電壓轉(zhuǎn)換模塊102連接，所述變壓器電壓轉(zhuǎn)換模塊102的輸出端與所述倍壓整流濾波模塊103連接。

如圖1至圖3所示，所述驅(qū)動電路101包括供電電路VCC、MOS管Q1，其中，供電電路VCC與所述MOS管Q1連接，給MOS管Q1提供直流轉(zhuǎn)換電壓。

如圖1至圖3所示，所述驅(qū)動電路101還包括電容C10、半橋驅(qū)動變壓器U1，供電電路VCC與所述半橋驅(qū)動變壓器U1連接，所述電容C10的一端與所述半橋驅(qū)動變壓器U1的VCC引腳連接，所述電容C10的另一端與所述半橋驅(qū)動變壓器U1的CS引腳連接，供電電路VCC經(jīng)電容C10濾高頻給半橋驅(qū)動變壓器U1驅(qū)動IC提供工作電壓。

如圖1至圖3所示，所述驅(qū)動電路101還包括電阻R1、電容C7，供電電路VCC與電阻R1、電容C7依次串聯(lián)，所述半橋驅(qū)動變壓器U1的OSC引腳連接于所述電阻R1、電容C7之間，供電電路VCC通過電阻R1給電容C7充電，給所述半橋驅(qū)動變壓器U1的OSC引腳提供振蕩基準(zhǔn)頻率。

如圖1至圖3所示，所述半橋驅(qū)動變壓器U1的VB、VS引腳之間連接有自舉電源供電電路。

如圖1至圖3所示，所述自舉電源供電電路包括串聯(lián)的電容C9和二極管D2。

本實用新型提供的一種IGBT驅(qū)動供電電路的工作原理如下：

1、VCC電壓分三路：a、給MOS管Q1提供直流轉(zhuǎn)換電壓；b、電壓經(jīng)電容C10濾高頻給半橋驅(qū)動變壓器U1驅(qū)動IC提供工作電壓；c、電壓通過電容R1給電容C7充電，送OSC腳提供振蕩基準(zhǔn)頻率。

2、半橋驅(qū)動變壓器U1引腳VB、VS端之間的電容C9與二極管D2構(gòu)成自舉電源供電電路，當(dāng)Q1下管MOS管導(dǎo)通時，VCC電壓通過電阻R7、二極管D2給電容C9充電，下管MOS管截止時，電容C9停止充電，懸浮為Q1上管提供穩(wěn)定的驅(qū)動電壓(因占空比最大固定大于45％，MOS管為電壓型器件，只需提供一些電荷給柵極而導(dǎo)通)。

3、Q1上下兩MOS管與電容C5、C6變壓器組成半橋電路。UO＝1/2Uin*Ns/Np*d,變壓器利用率高，一個周期內(nèi)有2個方波輸出。

4、電阻R4、R5為電流檢測，流過MOS管的電流同時經(jīng)過電阻R4、R5回到地，在電阻上形成電壓，當(dāng)輸出負(fù)載大于設(shè)定的0.3V時，經(jīng)電阻R6、電容C8濾波除干擾送CS電流檢測腳保護MOS管Q1因負(fù)載過流。

5、高頻變壓器T1通過改變原副邊匝比完成能量傳遞，電壓轉(zhuǎn)換，輸入輸出阻抗電氣隔離；Vce＝Vin Ic max＝(Io+1/2ΔiL_f)N_S/N_PΔiL_f＝1/2L_f(N_S/2N_P*Vin-Vo)DT_S D＝T_ON/T_S/2

6、當(dāng)高頻變壓器T1副邊為負(fù)半周時，1路二極管D6往電容C4充電，另1路電容C3通過二極管D8構(gòu)成充電回路，電容C4、C3端電壓Vin。當(dāng)高頻變壓器T1副邊為正半周時，電壓經(jīng)過電容C4經(jīng)二極管D5至電容C2充電構(gòu)成回路，電容C2由于電容C4的電壓疊加為2Vin，電容C2又與電容C3串聯(lián)關(guān)系，U_CC與U_EE電壓為3Vin！即以U_E為參考點U_CC＝2Vin、U_EE＝-Vin。

本實用新型提供的一種IGBT驅(qū)動供電電路，在低壓供電情況下，采用IR2085S自激半橋驅(qū)動IC，配合兩個MOS管組成半橋電路驅(qū)動六路變壓器，電路可靠穩(wěn)定性好，效率高，空間小布局方便。

本實用新型提供的一種IGBT驅(qū)動供電電路，結(jié)構(gòu)簡單電源效率高，實用可靠成本低廉，PCB布局布線方便；利用IC自激產(chǎn)生振蕩頻率驅(qū)動MOS管與變壓器構(gòu)成半橋電路，輸出電壓穩(wěn)定波動小，電路帶有負(fù)載過流保護電路。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所作的進一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實用新型的具體實施只局限于這些說明。對于本實用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實用新型的保護范圍。