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一種有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路的制作方法

文檔序號(hào):9416108閱讀:788來源:國(guó)知局
一種有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,人們對(duì)無線通信類產(chǎn)品的小型化及便攜化提出了越來越高的要求。傳統(tǒng)的無線天線尺寸較大,產(chǎn)品的小型化難以實(shí)現(xiàn),而有源天線由于內(nèi)部集成了接收天線模塊、低噪聲放大模塊、電源供給模塊等,更易于實(shí)現(xiàn)天線小型化,并且能夠很好的解決無源小天線所存在的頻帶窄、低效率等問題,因此,有源天線的研發(fā)與應(yīng)用就越來越受到人們的廣泛關(guān)注,但現(xiàn)有技術(shù)中難以對(duì)有源天線的狀態(tài)進(jìn)行有效檢測(cè)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的主要目的在于提出一種有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路,通過硬件電路實(shí)現(xiàn)對(duì)有源天線開路、短路、正常工作狀態(tài)的檢測(cè),電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,檢測(cè)方便。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供的一種有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路,包括:無線通訊模塊、有源天線模組和天線檢測(cè)電路,所述無線通訊模塊與有源天線模組連接,并通過所述有源天線模組與外界進(jìn)行通訊,所述有源天線模組與天線檢測(cè)電路連接,并給所述天線檢測(cè)電路提供待檢測(cè)信號(hào),所述天線檢測(cè)電路包括第一電平檢測(cè)電路和第二電平檢測(cè)電路。
[0006]優(yōu)選地,所述第一電平檢測(cè)電路包括:三極管VTUMOS管VT2、電阻R59、電阻R60、電阻R61、電阻R62、電阻R63、電容C155、電容C156及電容C186,其中,電阻R59的一端連接所述待檢測(cè)信號(hào)¥_4階1,電阻R59的另一端與電容C186的一端、電阻R60的一端及電阻R61的一端連接在一起,電容C186的另一端連接電阻R60的另一端,電阻R61的另一端連接三極管VTl的基極,三極管VTl的發(fā)射極接地,三極管VTl的集電極與電阻R62的一端、電阻R63的一端、MOS管VT2的柵極、電容C155的一端及第一電平GP10_0連接在一起,電阻R62的另一端連接電源端VCC_3.3V,電阻R63的另一端與MOS管VT2的源極一起連接至電源端VCC_3.3V,電容C155的另一端接地,MOS管VT2的漏極與電容C156的一端及節(jié)點(diǎn)V_ANT連接在一起,電容C156的另一端接地。
[0007]優(yōu)選地,所述三極管VTl為NPN型開關(guān)三極管,所述MOS管VT2為P溝道MOS管。
[0008]優(yōu)選地,所述第二電平檢測(cè)電路包括:三極管VT3、三極管VT4、電阻R51、電阻R52、電阻R64、電阻R66及電阻R68,氣質(zhì),電阻R64的一端與電阻R66的一端及節(jié)點(diǎn)V_ANT連接在一起,電阻R64的另一端與三極管VT3的發(fā)射極連接,三極管VT3的集電極與電阻R51的一端、三極管VT3的基極及三極管VT4的基極連接在一起,電阻R51的另一端接地,電阻R66的另一端與電阻R68的一端及三極管VT4的發(fā)射極連接在一起,電阻R68的另一端連接待檢測(cè)信號(hào)V_ANT1,三極管VT4的集電極與電阻R52的一端及第二電平GP10_1連接在一起,電阻R52的另一端接地。
[0009]優(yōu)選地,所述三極管VT3及三極管VT4皆為PNP型開關(guān)三極管。
[0010]優(yōu)選地,所述有源天線的工作狀態(tài)包括:開路狀態(tài)、短路狀態(tài)和正常狀態(tài)。
[0011 ] 優(yōu)選地,當(dāng)所述第一電平GP10_0為低電平且所述第二電平GP10_1為高電平時(shí),所述待檢測(cè)信號(hào)V_ANT1對(duì)應(yīng)的有源天線模組內(nèi)的有源天線的工作狀態(tài)為開路狀態(tài);當(dāng)所述第一電平GP10_0為高電平且所述第二電平GP10_1為低電平時(shí),所述待檢測(cè)信號(hào)V_ANT1對(duì)應(yīng)的有源天線模組內(nèi)的有源天線的工作狀態(tài)為短路狀態(tài);當(dāng)所述第一電平GP10_0為低電平且所述第二電平GP10_1為低電平時(shí),所述待檢測(cè)信號(hào)V_ANT1對(duì)應(yīng)的有源天線模組內(nèi)的有源天線的工作狀態(tài)為正常狀態(tài)。
[0012]優(yōu)選地,當(dāng)有源天線開路時(shí),電源端VCC_3.3V上電瞬間,電容C155對(duì)地短路,第一電平GP10_0為低電平,隨后電容C155處于電容充電狀態(tài),第一電平GP10_0將向高電平轉(zhuǎn)換,此間,MOS管VT2導(dǎo)通,節(jié)點(diǎn)V_ANT處的電平為高電平,待檢測(cè)信號(hào)V_ANT1經(jīng)V_ANT分壓后也為高電平,此時(shí),三極管VTl的基級(jí)與發(fā)射級(jí)之間電壓大于0.7V,處于導(dǎo)通狀態(tài),因此第一電平GP10_0將被鉗制在低電平狀態(tài),而第二電平GP10_1則由于三極管VT3及三極管VT4導(dǎo)通處于高電平狀態(tài)。
[0013]優(yōu)選地,當(dāng)有源天線短路時(shí),由于待檢測(cè)信號(hào)VANT_1對(duì)地短路,三極管VTl不滿足導(dǎo)通條件,因此第一電平GP10_0為高電平,同時(shí),MOS管VT2不滿足導(dǎo)通條件,節(jié)點(diǎn)V_ANT出的電平為低電平,因此待檢測(cè)信號(hào)V_ANT1也為低電平,三極管VT3及三極管VT4無法導(dǎo)通,因此第二電平GP10_1為低電平。
[0014]優(yōu)選地,當(dāng)有源天線正常工作時(shí),待檢測(cè)信號(hào)VANT_1因有源天線接入,為高電平,三極管VTl滿足導(dǎo)通條件,第一電平GP10_0為低電平,同時(shí),MOS管VT2導(dǎo)通,節(jié)點(diǎn)V_ANT處的電平為高電平,且節(jié)點(diǎn)V_ANT的電平低于待檢測(cè)信號(hào)V_ANT1的電平,三極管VT3及三極管VT4不滿足導(dǎo)通條件,第二電平GPT0_1為低電平。
[0015]本發(fā)明提供了一種有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路,包括:無線通訊模塊、有源天線模組和天線檢測(cè)電路,所述無線通訊模塊與有源天線模組連接,并通過所述有源天線模組與外界進(jìn)行通訊,所述有源天線模組與天線檢測(cè)電路連接,并給所述天線檢測(cè)電路提供待檢測(cè)信號(hào),所述天線檢測(cè)電路包括第一電平檢測(cè)電路和第二電平檢測(cè)電路,通過硬件電路實(shí)現(xiàn)對(duì)有源天線開路、短路、正常工作狀態(tài)的檢測(cè),電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,檢測(cè)方便。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路功能結(jié)構(gòu)圖;
[0017]圖2為如圖1所示的第一電平檢測(cè)電路的電路圖;
[0018]圖3為如圖1所示的第二電平檢測(cè)電路的電路圖。
[0019]本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例,參照附圖做進(jìn)一步說明。
【具體實(shí)施方式】
[0020]應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路功能結(jié)構(gòu)圖。
[0022]一種有源天線狀態(tài)檢測(cè)電路,包括:無線通訊模塊、有源天線模組和天線檢測(cè)電路,所述無線通訊模塊與有源天線模組連接,并通過所述有源天線模組與外界進(jìn)行通訊,所述有源天線模組與天線檢測(cè)電路連接,并給所述天線檢測(cè)電路提供待檢測(cè)信號(hào),所述天線檢測(cè)電路包括第一電平檢測(cè)電路和第二電平檢測(cè)電路。
[0023]在本實(shí)施例中,通過硬件電路實(shí)現(xiàn)對(duì)有源天線開路、短路、正常工作狀態(tài)的檢測(cè),電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,檢測(cè)方便。
[0024]如圖2所示,在本實(shí)施例中,所述第一電平檢測(cè)電路包括:三極管VTUMOS管VT2、電阻R59、電阻R60、電阻R61、電阻R62、電阻R63、電容C155、電容C156及電容C186,其中,電阻R59的一端連接所述待檢測(cè)信號(hào)V_ANT1,電阻R59的另一端與電容C186的一端、電阻R60的一端及電阻R61的一端連接在一起,電容C186的另一端連接電阻R60的另一端,電阻R61的另一端連接三極管VTl的基極,三極管VTl的發(fā)射極接地,三極管VTl的集電極與電阻R62的一端、電阻R63的一端、MOS管VT2的柵極、電容C155的一端及第一電平GP10_0連接在一起,電阻R62的另一端連接電源端VCC_3.3V,電阻R63的另一端與MOS管VT2的源極一起連接至電源端VCC_3.3V,電容C155的另一端接地,MOS管VT2的漏極與電容C156的一端及節(jié)點(diǎn)V_ANT連接在一起,電容C156的另一端接地。
[0025]在本實(shí)施例中,所述三極管VTl為NPN型開關(guān)三極管,所述MOS管VT2為P溝道MOS 管。
[0026]如圖3所示,在本實(shí)施例中,所述第二電平檢測(cè)電路包括:三極管VT3、三極管VT4、電阻R51、電阻R52、電阻R64、電阻R66及電阻R68,氣質(zhì),電阻R64的一端與電阻R66的一端及節(jié)點(diǎn)V_ANT連接在一起,電阻R64的另一端與三極管VT3的發(fā)射極連接,三極管
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