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一種脈沖變壓器原邊波形改善電路的制作方法

文檔序號:12409274閱讀:842來源:國知局
一種脈沖變壓器原邊波形改善電路的制作方法與工藝

本實(shí)用新型涉及脈沖變壓器保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種脈沖變壓器原邊波形改善電路。



背景技術(shù):

脈沖變壓器采用若干個(gè)次級繞組,以便得到幾個(gè)不同幅值的脈沖,使電子管的板極回路和柵極回路,或晶體管的集電極與基極間形成正反饋,以便產(chǎn)生自激振蕩,脈沖變壓器原邊上下兩端的互補(bǔ)輸出波形在穩(wěn)定輸出后,如果受到干擾或者有高頻信號走線過長等情況時(shí),脈沖變壓器上端波形上有較大尖峰,波形不平整,會影響副邊的IGBT驅(qū)動(dòng)電壓。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的就是為了消除脈沖變壓器上端波形上有較大尖峰對副邊的IGBT驅(qū)動(dòng)電壓的影響,提供一種脈沖變壓器原邊波形改善電路。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:

一種脈沖變壓器原邊波形改善電路,包括脈沖變壓器T104、電阻R1、電容C0以及設(shè)置有次級線圈的若干IGBT管,所述IGBT管分別連接脈沖變壓器T104的副邊兩端,所述電阻R1連接在脈沖變壓器T104的原邊一端,所述電阻R1與電容C0并聯(lián),所述脈沖變壓器T104原邊的兩端分別連接PWM Drive1和PWM Drive2。

優(yōu)選地,所述電容C0的容量為2.2UF。

優(yōu)選地,所述電容C0串聯(lián)一電阻R2。

優(yōu)選地,所述IGBT管包括兩個(gè),分別為IGBT1與IGBT2。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型有以下有益效果:

本實(shí)用新型的脈沖變壓器原邊波形改善電路,在脈沖變壓器原邊一端設(shè)置了限流電阻,并在限流電阻兩端并聯(lián)上一個(gè)濾波電容,可以將脈沖變壓器原邊上端的波形上的尖峰去掉,保證了副邊的IGBT驅(qū)動(dòng)電壓可以正常輸出,從而提高了輸出脈沖的質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型脈沖變壓器原邊波形改善電路的電路圖;

圖2為增加電容C0前后的脈沖變壓器原邊波形對比圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型進(jìn)行清楚、完整地描述。

如圖1所示,一種脈沖變壓器原邊波形改善電路,包括脈沖變壓器T104、電阻R1、電阻R2,電容C0以及設(shè)置有次級線圈的若干IGBT管,所述IGBT管分別連接脈沖變壓器T104的副邊兩端,所述電阻R1連接在脈沖變壓器T104的原邊一端,所述電阻R1與電容C0并聯(lián),所述脈沖變壓器T104原邊的兩端分別連接PWM Drive1和PWM Drive2。所述電容C0的容量為2.2UF。所述電容C0串聯(lián)一分壓電阻R2,可避免波形中的尖峰擊穿電容C0。本實(shí)施例中,所述IGBT管包括兩個(gè),分別為IGBT1與IGBT2。

如圖2所示,為增加電容C0前后的脈沖變壓器原邊波形對比。在加入2.2UF的電容C0前,脈沖變壓器原邊上端靠近電阻R1一端的波形有尖峰,這樣會導(dǎo)致感應(yīng)到副邊的驅(qū)動(dòng)電壓不穩(wěn)定,影響IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓;在脈沖變壓器T104一端的電阻R1兩端并聯(lián)上一個(gè)2.2UF的電容C0將尖峰去除掉,消除了對IGBT驅(qū)動(dòng)電壓的影響。

綜上本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)可知,本實(shí)用新型的脈沖變壓器原邊波形改善電路,在脈沖變壓器原邊一端設(shè)置了限流電阻,并在限流電阻兩端并聯(lián)上一個(gè)濾波電容,可以將脈沖變壓器原邊上端的波形上的尖峰去掉,保證了副邊的IGBT驅(qū)動(dòng)電壓可以正常輸出,從而提高了輸出脈沖的質(zhì)量。

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