本實(shí)用新型涉及半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種解決半橋拓?fù)銲GBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，IGBT1開(kāi)通時(shí)，瞬間變化的dv/dt由于下面IGBT2寄生米勒電容Ccg的關(guān)系會(huì)在IGBT2的C極——Ccg——門極驅(qū)動(dòng)電阻Ron之間產(chǎn)生一個(gè)電流，并在Ron上產(chǎn)生一個(gè)電壓，有令I(lǐng)GBT2導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)；

同理，在IGBT2導(dǎo)通瞬間，由于IGBT1的寄生米勒電容Cge也會(huì)在IGBT1的E極——Cge——Ron之間產(chǎn)生電流，并在Ron上產(chǎn)生電壓，有令I(lǐng)GBT1導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的就是為了解決上述問(wèn)題，提供一種解決半橋拓?fù)銲GBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種解決半橋拓?fù)銲GBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，包括脈沖變壓器以及設(shè)置在脈沖變壓器副邊的二極管D1、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電阻RON1、電阻RON2、IGBT1、IGBT2，所述二極管D1和所述二極管D2是肖特基二極管，所述二極管D1與電阻R1串聯(lián)后反并聯(lián)在所述電阻RON1兩端，并聯(lián)后連接IGBT1的門極；所述二極管D2與所述電阻R2串聯(lián)后反并聯(lián)在所述電阻RON2兩端，并聯(lián)后連接IGBT2的門極，所述IGBT2的發(fā)射極接地，IGBT2的集電極連接IGBT1的發(fā)射極。

優(yōu)選地，所述IGBT1的發(fā)射極與門極之間連接有電容C1，所述IGBT2的發(fā)射極與門極之間連接有電容C2。

優(yōu)選地，所述電容C1與電容C2的容量分別為10nF。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型有以下有益效果：本實(shí)用新型的解決半橋拓?fù)銲GBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，可有效地減少米勒效應(yīng)，消除了電路中一個(gè)IGBT管導(dǎo)通瞬間通過(guò)寄生的米勒電容而對(duì)另一個(gè)管子的柵極電壓的影響，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可實(shí)施性強(qiáng)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電路圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行清楚、完整地描述。

如圖1所示，實(shí)施例一，一種解決半橋拓?fù)銲GBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，包括脈沖變壓器以及設(shè)置在脈沖變壓器副邊的二極管D1、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電阻RON1、電阻RON2、IGBT1、IGBT2，所述二極管D1和所述二極管D2是肖特基二極管，所述電阻RON1和所述電阻RON2為門極驅(qū)動(dòng)電阻，所述二極管D1與電阻R1串聯(lián)后反并聯(lián)在所述電阻RON1兩端，所述電阻R1與所述電阻RON1并聯(lián)形成等效門極驅(qū)動(dòng)電阻，并聯(lián)后連接IGBT1的門極；所述二極管D2與所述電阻R2串聯(lián)后反并聯(lián)在所述電阻RON2兩端，所述電阻R2與所述電阻RON2并聯(lián)形成等效門極驅(qū)動(dòng)電阻，并聯(lián)后連接IGBT2的門極，所述IGBT2的發(fā)射極接地，IGBT2的集電極連接IGBT1的發(fā)射極。如圖2所示，實(shí)施例二，所述IGBT1的發(fā)射極與門極之間連接有電容C1，所述IGBT2的發(fā)射極與門極之間連接有電容C2，所述電容C1與電容C2同樣能發(fā)揮減小米勒效應(yīng)的作用。所述電容C1與電容C2的容量分別為10nF。

電路原理：將肖特基二極管與小電阻串聯(lián)之后反向并聯(lián)在Ron的兩端，使IGBT關(guān)斷時(shí)的等效門極驅(qū)動(dòng)電阻Roff大幅度減小，這樣通過(guò)米勒電容流過(guò)來(lái)的電流在Roff上的電壓就會(huì)大幅減小，不至于使另一個(gè)IGBT導(dǎo)通。其中，電阻大小排列是R/Ron<<Ron。而且并且在G-E端并聯(lián)的10nF的電容還可以分掉一部 分流過(guò)Roff的電流，這樣就不至于使IGBT導(dǎo)通。

綜上本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)與原理可知，本實(shí)用新型的解決半橋拓?fù)銲GBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，可有效地減少米勒效應(yīng)，消除了電路中一個(gè)IGBT管導(dǎo)通瞬間通過(guò)寄生的米勒電容而對(duì)另一個(gè)管子的柵極電壓的影響，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可實(shí)施性強(qiáng)。