技術(shù)編號:12409266
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及半橋拓撲結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)半橋拓撲結(jié)構(gòu)中,IGBT1開通時,瞬間變化的dv/dt由于下面IGBT2寄生米勒電容Ccg的關(guān)系會在IGBT2的C極——Ccg——門極驅(qū)動電阻Ron之間產(chǎn)生一個電流,并在Ron上產(chǎn)生一個電壓,有令I(lǐng)GBT2導(dǎo)通的風險;同理,在IGBT2導(dǎo)通瞬間,由于IGBT1的寄生米勒電容Cge也會在IGBT1的E極——Cge——Ron之間產(chǎn)生電流,并在Ron上產(chǎn)生電壓,有令I(lǐng)GBT1導(dǎo)通的風險。實用新型內(nèi)容本實用新...
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