本實(shí)用新型涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種超聲波電源電路以及應(yīng)用該超聲波電源電路的超聲波清洗設(shè)備。

背景技術(shù)：

超聲波能夠通過“空化”作用高效地清潔物件的表面，從而使得超聲波清洗技術(shù)在工業(yè)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。所謂“空化”，即指存在于液體中的微小氣泡(空化核)在超聲場(chǎng)的作用下振動(dòng)、生長(zhǎng)并不斷聚集聲場(chǎng)能量，當(dāng)能量達(dá)到某個(gè)閾值時(shí)，空化氣泡急劇崩潰閉合的過程?？栈瘹馀莸膲勖s0.1μs，它在急劇崩潰時(shí)可釋放出巨大的能量，并產(chǎn)生速度約為110m/s、有強(qiáng)大沖擊力的微射流。近年來，超聲波清洗技術(shù)逐漸進(jìn)入了民用市場(chǎng)，例如超聲波美容儀、超聲波洗菜機(jī)、超聲波洗碗機(jī)等等。

目前，在超聲波清洗產(chǎn)品中，如果需要清洗比較大的物件表面，超聲波清洗通常需要比較大的功率輸出，從幾十瓦到幾千瓦不等。傳統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方法是將市電交流220V整流之后通過自激或他激振蕩的方式升壓成高壓交流電源，驅(qū)動(dòng)一個(gè)或多個(gè)壓電陶瓷片或壓電陶瓷振子，通過壓電陶瓷的機(jī)電換能轉(zhuǎn)化成超聲波輸出，然后傳遞到水體，通過“空化”作用清洗物件表面。然而，傳統(tǒng)的采用自激或他激振蕩的方式的超聲波電源的設(shè)備往往穩(wěn)定性差，使用壽命短。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對(duì)如何提高設(shè)備的穩(wěn)定性、如何提高使用壽命等技術(shù)問題，提供一種超聲波電源電路以及應(yīng)用該超聲波電源電路的超聲波清洗設(shè)備。

一種超聲波電源電路，包括：輸入端、整流模塊、變壓模塊、超聲波換能模塊、容性消除模塊、所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊、兩圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊、濾波模塊以及兩開關(guān)管電路模塊；

所述輸入端與整流模塊連接，所述變壓模塊分別與所述整流模塊、兩開關(guān) 管電路模塊以及超聲波換能模塊連接，每一所述圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊分別與一開關(guān)管電路模塊一一對(duì)應(yīng)連接，兩所述圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊分別與所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊連接，所述容性消除模塊與所述超聲波換能模塊連接，所述變壓模塊還通過所述濾波模塊接地。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述變壓模塊包括推挽式變壓器，所述整流模塊以及所述開關(guān)管電路模塊分別連接于所述推挽式變壓器的原邊，所述超聲波換能模塊連接于所述推挽式變壓器的副邊。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述開關(guān)管電路模塊包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極連接至所述推挽式變壓器的原邊，柵極連接至一所述圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊，源極連接至所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述開關(guān)管電路模塊包括絕緣柵雙極型晶體管，所述絕緣柵雙極型晶體管的漏極連接至所述推挽式變壓器的原邊，柵極連接至一所述圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊，源極連接至所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述容性消除模塊包括耦合電感，所述耦合電感連接至所述推挽式變壓器的副邊，且與所述超聲波換能模塊并聯(lián)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述耦合電感為自感系數(shù)可調(diào)型耦合電感。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述超聲波換能模塊包括壓電陶瓷片，所述壓電陶瓷片兩端連接至所述推挽式變壓器的副邊。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊包括PNP型晶體管和NPN型晶體管，所述PNP型晶體管的集電極用于連接供電電壓，基極連接至所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊，發(fā)射極連接至所述開關(guān)管電路模塊，所述NPN型晶體管的集電極連接至所述開關(guān)管電路模塊，基極連接至所述PNP型晶體管的基極，發(fā)射極接地。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊包括固定頻率脈寬調(diào)制電路。

一種超聲波清洗設(shè)備，具有如上所述的超聲波電源電路。

上述超聲波電源電路及超聲波清洗設(shè)備，通過脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊 產(chǎn)生兩路反相的脈沖寬度調(diào)制信號(hào)，每一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)經(jīng)由圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊及開關(guān)管電路模塊后，輸出至變壓模塊，由變壓模塊驅(qū)動(dòng)超聲波換能模塊工作產(chǎn)生超聲波，實(shí)現(xiàn)了零電壓開關(guān)技術(shù)，大幅度減小超聲波電源中發(fā)熱量，延長(zhǎng)電路的壽命，同時(shí)減少噪聲和電磁干擾。

附圖說明

圖1為一個(gè)實(shí)施例中超聲波電源電路的電路模塊示意圖；

圖2為一個(gè)實(shí)施例中超聲波電源電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為一個(gè)實(shí)施例中開關(guān)管的零電壓開關(guān)實(shí)測(cè)曲線示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

值得一提的是，PWM是指Pulse Width Modulation，即脈沖寬度調(diào)制信號(hào)。DSP是指Digital Signal Processing，即數(shù)字信號(hào)處理。MOS是指Metal Oxide Semiconductor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。IGBT是指Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管。

請(qǐng)參閱圖1，其為一個(gè)實(shí)施例中超聲波電源電路10的電路模塊示意圖，超聲波電源電路10包括輸入端101、整流模塊102、變壓模塊103、超聲波換能模塊104、容性消除模塊105、脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊106、兩圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊107、兩開關(guān)管電路模塊108以及濾波模塊109。

輸入端101與整流模塊102連接，變壓模塊103分別與整流模塊102、兩開關(guān)管電路模塊以及超聲波換能模塊104連接，每一圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊107分別與一開關(guān)管電路模塊連接，兩圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊107分別與脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊106連接，容性消除模塊105與超聲波換能模塊104連接，變壓模塊103 還通過濾波模塊109接地。

輸入端101用于輸入交流電，整流模塊102用于整流由輸入端101輸入的交流電并輸出至變壓模塊103，脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊106用于產(chǎn)生兩反相的脈沖寬度調(diào)制信號(hào)，每一圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊107用于接收一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)并驅(qū)動(dòng)輸出至一開關(guān)管電路模塊108，兩開關(guān)管電路模塊108用于分別連接至變壓模塊103，變壓模塊103將脈沖寬度調(diào)制信號(hào)升壓后驅(qū)動(dòng)超聲波換能模塊104，容性消除模塊105用于消除超聲波換能模塊104的容性電流。

進(jìn)一步的，圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊107包括第一圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊1071和第二圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊1072。開關(guān)管電路模塊108包括第一開關(guān)管電路模塊1081以及第二開關(guān)管電路模塊1082。

輸入端101與整流模塊102連接，輸入端101用于輸入交流電并經(jīng)整流模塊102整流輸出。變壓模塊103分別與整流模塊102、第一開關(guān)管電路模塊1081、第二開關(guān)管電路模塊1082以及超聲波換能模塊104連接。脈沖寬度調(diào)制信號(hào)106發(fā)生模塊通過第一圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊1071與第一開關(guān)管電路模塊1081連接，通過第二圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊1072與第二開關(guān)管電路模塊1082連接，容性消除模塊105與超聲波換能模塊104連接。

脈沖寬度調(diào)制信號(hào)106發(fā)生模塊用于產(chǎn)生兩反相的第一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)106和第二脈沖寬度調(diào)制信號(hào)106。第一圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊1071用于放大第一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)106并驅(qū)動(dòng)第一開關(guān)管電路模塊1081，且由第一開關(guān)管電路模塊1081輸出至變壓模塊103。第二圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊1072用于放大第二脈沖寬度調(diào)制信號(hào)106并驅(qū)動(dòng)第二開關(guān)管電路模塊1082，且由第二開關(guān)管電路模塊1082輸出至變壓模塊103。

變壓模塊103用于將由整流模塊102、第一開關(guān)管電路模塊1081以及第二開關(guān)管電路模塊1082的輸入升壓后驅(qū)動(dòng)超聲波換能模塊104。容性消除模塊105用于消除超聲波換能模塊104的容性電流。

上述超聲波電源電路，通過脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊產(chǎn)生兩路反相的脈沖寬度調(diào)制信號(hào)，每一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)經(jīng)由圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊及開關(guān)管電路模塊后，輸出至變壓模塊，由變壓模塊驅(qū)動(dòng)超聲波換能模塊工作產(chǎn)生超聲波，實(shí) 現(xiàn)了零電壓開關(guān)技術(shù)，大幅度減小超聲波電源中發(fā)熱量，延長(zhǎng)電路的壽命，同時(shí)減少噪聲和電磁干擾。

進(jìn)一步的，濾波模塊109用于過濾整流后的電路中存在的高頻電流。在一實(shí)施例中，濾波模塊109為濾波電容。

進(jìn)一步的，變壓模塊包括推挽式變壓器，整流模塊以及兩開關(guān)管電路模塊分別連接于推挽式變壓器的原邊，超聲波換能模塊連接于推挽式變壓器的副邊。推挽式變壓器將脈沖寬度調(diào)制信號(hào)升壓后驅(qū)動(dòng)超聲波換能模塊。

進(jìn)一步的，開關(guān)管電路模塊包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極連接至推挽式變壓器的原邊，柵極連接至一圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊，源極連接至脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊。

進(jìn)一步的，開關(guān)管電路模塊包括絕緣柵雙極型晶體管，絕緣柵雙極型晶體管的漏極連接至推挽式變壓器的原邊，柵極連接至一圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊，源極連接至脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊。

進(jìn)一步的，容性消除模塊包括耦合電感，耦合電感連接至推挽式變壓器的副邊，且與超聲波換能模塊并聯(lián)。由于壓電陶瓷片屬于容性器件，需要串聯(lián)或并聯(lián)一個(gè)耦合電感消除容性。但串聯(lián)電感會(huì)使得壓電陶瓷片的串聯(lián)諧振頻率發(fā)生比較大的變動(dòng)，故此處采用并聯(lián)電感。

進(jìn)一步的，耦合電感為自感系數(shù)可調(diào)型耦合電感。由于壓電陶瓷片的參數(shù)有一定的誤差范圍，所以并聯(lián)的耦合電感為可調(diào)式的耦合電感，本實(shí)施例中的耦合電感帶14個(gè)抽頭，可滿足實(shí)際調(diào)整需要。

進(jìn)一步的，超聲波換能模塊包括壓電陶瓷片，壓電陶瓷片兩端連接至推挽式變壓器的副邊?？梢岳斫?，采用推挽結(jié)構(gòu)，免去了全橋/半橋結(jié)構(gòu)中的MOS/IGBT的自舉驅(qū)動(dòng)器，由兩路反相PWM1，PWM2信號(hào)透過圖騰柱直接驅(qū)動(dòng)MOS/IGBT。MOS/IGBT輸出到推挽升壓變壓器，隔離驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷片。

進(jìn)一步的，圖騰柱驅(qū)動(dòng)模塊包括PNP型晶體管和NPN型晶體管，PNP型晶體管的集電極用于連接供電電壓，基極連接至脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊，發(fā)射極連接至開關(guān)管電路模塊，NPN型晶體管的集電極連接至開關(guān)管電路模塊，基極連接至PNP型晶體管的基極，發(fā)射極接地。

進(jìn)一步的，脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊包括固定頻率脈寬調(diào)制電路。進(jìn)一步的，脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生模塊包括數(shù)字信號(hào)處理器。固定頻率脈寬調(diào)制電路或者數(shù)字信號(hào)處理器均用于產(chǎn)生兩路反相的PWM信號(hào)?？梢岳斫?，兩路反相的PWM信號(hào)可由硬件電路產(chǎn)生，或由DSP處理器輸出產(chǎn)生。PWM信號(hào)的頻率設(shè)置為40KHz，可由一個(gè)可調(diào)電阻器進(jìn)行頻率微調(diào)，其占空比可由阻容設(shè)置或軟件設(shè)定。

請(qǐng)參閱圖2，其為一個(gè)實(shí)施例中超聲波電源電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例中，以頻率微調(diào)實(shí)現(xiàn)ZVS(Zero Voltage Switch，零電壓開關(guān))開關(guān)的120瓦超聲波電源電路為例，采用TL494芯片輸出兩路PWM1和PWM2，頻率由一個(gè)2kohm的可調(diào)電阻器進(jìn)行調(diào)整。同時(shí)，根據(jù)本實(shí)施例的功率需要，采用了MOS管作為開關(guān)管。

該電路結(jié)構(gòu)包括：零線輸入端N、火線輸入端L，全橋整流器D1，電容C4、電容C5、開關(guān)管MOS1、開關(guān)管MOS2、變壓器T1、耦合電感L1、壓電陶瓷片CE，電阻R2、電阻R3、滑動(dòng)變阻器R4、晶體管Q1～Q4、芯片U1。

芯片U1具有16個(gè)引腳，其中引腳13與14相連接，引腳12、8以及11連接至供電電壓VCC。引腳9和10分別為PWM信號(hào)輸出引腳。引腳7接地。引腳6通過電阻R3和滑動(dòng)變阻器R4接地。引腳6通過電容C5接地。

火線輸入端L連接至全橋整流器D1的交流輸入端1，零線輸入端N連接至全橋整流器D1的交流輸入端2。全橋整流器D1的直流輸出端2與變壓器T1連接，全橋整流器D1的直流輸出端4接地。

變壓器T1的原邊的兩端分別與開關(guān)管MOS1和開關(guān)管MOS2的漏極連接。變壓器T1的原邊還通過電容C4接地。變壓器T1的副邊與壓電陶瓷片CE連接，耦合電感L1與壓電陶瓷片CE并聯(lián)。

開關(guān)管MOS1的柵極與晶體管Q1的發(fā)射極連接，源極連接至芯片U1的引腳4。開關(guān)管MOS2的柵極與晶體管Q3的發(fā)射極連接，源極連接至芯片U1的引腳4且通過電阻R2接地。

晶體管Q1的基極與芯片U1的引腳10連接，集電極連接至供電電壓VCC。晶體管Q2的基極與晶體管Q1的基極連接，發(fā)射極與晶體管Q1的發(fā)射極連接， 集電極接地。晶體管Q3的基極與芯片U1的引腳9連接，集電極連接至供電電壓VCC。晶體管Q4的基極與晶體管Q3的基極連接，發(fā)射極與晶體管Q3的發(fā)射極連接，集電極接地。本實(shí)施例中，晶體管Q1和Q3為PNP型晶體管，晶體管Q2和Q4為NPN型晶體管。

例如，一種超聲波清洗設(shè)備，其具有上述任一實(shí)施例所述超聲波電源電路；又如，一種超聲波洗菜機(jī)，其具有上述任一實(shí)施例所述超聲波電源電路；上述實(shí)施例是針對(duì)120瓦的超聲波洗菜機(jī)。該設(shè)備由AC220V的50Hz的市電供電，輸出峰峰值為600V的40KHz的交流高壓，驅(qū)動(dòng)六個(gè)并聯(lián)的壓電陶瓷片工作。本實(shí)施例中，壓電陶瓷片通過膠粘在一個(gè)不銹鋼的盆子底下，工作時(shí)發(fā)出超聲波到盆里的水體中，利用“空化”作用洗滌盆里放置的蔬菜或其它物件。

本實(shí)施例中采用推挽結(jié)構(gòu)，免去了全橋/半橋結(jié)構(gòu)中的MOS/IGBT的自舉驅(qū)動(dòng)器，由兩路反相PWM1，PWM2信號(hào)透過圖騰柱直接驅(qū)動(dòng)MOS/IGBT。MOS/IGBT輸出到推挽升壓變壓器，隔離驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷片，根據(jù)本實(shí)施方式的功率需要，采用了MOS管作為開關(guān)管。

由于壓電陶瓷片屬于容性器件，需要串聯(lián)或并聯(lián)一個(gè)耦合電感消除容性。但串聯(lián)電感會(huì)使得壓電陶瓷片的串聯(lián)諧振頻率發(fā)生比較大的變動(dòng)，故此處采用并聯(lián)電感。由于壓電陶瓷片的參數(shù)有一定的誤差范圍，所以并聯(lián)電感為可調(diào)式的，本實(shí)施例中的耦合電感帶14個(gè)抽頭，可滿足實(shí)際調(diào)整需要。

兩路反相的PWM信號(hào)可由硬件電路產(chǎn)生，或由DSP輸出產(chǎn)生。PWM信號(hào)的頻率設(shè)置為40KHz，可由一個(gè)可調(diào)電阻器進(jìn)行頻率微調(diào)，其占空比可由阻容設(shè)置或軟件設(shè)定。本實(shí)施例中采用TL494芯片輸出兩路PWM1和PWM2，頻率由一個(gè)2kohm的可調(diào)電阻器進(jìn)行調(diào)整。

推挽式結(jié)構(gòu)工作時(shí)始終保持兩個(gè)變壓器輸入端反相，當(dāng)一端輸入脈沖導(dǎo)通時(shí)，該端對(duì)應(yīng)的MOS管的漏極或IGBT的集電極變?yōu)榈碗娖剑儔浩骼@組開始充電并經(jīng)過次級(jí)輸出繞組給耦合電感和壓電陶瓷的靜態(tài)電容充電；脈沖關(guān)閉時(shí)兩個(gè)輸入繞組處于自由振蕩方式，此時(shí)耦合電感和壓電陶瓷片的靜態(tài)電容產(chǎn)生諧振，使得輸入繞組兩端電壓開始變化；同時(shí)壓電陶瓷片的換能器開始諧振工作。

如果耦合電感和壓電陶瓷片剛好諧振在PWM的頻率點(diǎn)上，則在變壓器輸入端形成一個(gè)ZVS開關(guān)狀態(tài)：輸入端電壓曲線爬升到最高點(diǎn)之后，另一個(gè)變壓器輸入端導(dǎo)通后關(guān)閉，此時(shí)前一個(gè)輸入端的電壓將曲線下降到零點(diǎn)電壓，然后進(jìn)入下一個(gè)周期循環(huán)。

然而實(shí)際上由于壓電陶瓷片和耦合電感的制作工藝總是存在一定誤差范圍，所以耦合電感和壓電陶瓷片的諧振頻率總是偏離PWM的頻率點(diǎn)。由此導(dǎo)致變壓器輸入端的電壓在PWM導(dǎo)通時(shí)，并不位于零點(diǎn)，此時(shí)會(huì)導(dǎo)致MOS/IGBT產(chǎn)生大量的開關(guān)損耗，溫升加大，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀MOS管。因此需要調(diào)整PWM的輸出頻率，使之靠近耦合電感和壓電陶瓷片的諧振頻率。調(diào)整PWM頻率，以保證零電壓時(shí)間足夠充分為準(zhǔn)。

還需注意的是，當(dāng)調(diào)整PWM的輸出頻率滿足零電壓開關(guān)時(shí)，如果此時(shí)的PWM的頻率超出了壓電陶瓷片的允許工作頻率范圍，超聲波換能器極容易被燒毀，所以應(yīng)微調(diào)耦合電感，使諧振頻率回到正常頻率范圍：如果PWM頻率偏低，則調(diào)小耦合電感；如果PWM頻率偏高，則調(diào)大耦合電感。每次調(diào)整完耦合電感，需要重新校對(duì)PWM輸出頻率是否滿足零電壓開關(guān)，使之盡量貼近耦合電感和壓電陶瓷片的諧振頻率。

本實(shí)施例中經(jīng)過頻率調(diào)整和耦合電感調(diào)整之后，MOS管的溫升實(shí)測(cè)為15度左右，輸出超聲波頻率在40.6KHz，滿足了正常運(yùn)行需要。如圖3所示，其為一個(gè)MOS管的零電壓開關(guān)實(shí)測(cè)曲線，其中1+對(duì)應(yīng)的曲線表示一路PWM信號(hào)，2+對(duì)應(yīng)的曲線表示MOS管的漏極電壓的變化。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：通過零電壓開關(guān)技術(shù)，大幅度減小超聲波電源中MOS/IGBT的發(fā)熱，延長(zhǎng)其壽命，同時(shí)減少噪聲和電磁干擾。微調(diào)PWM頻率和壓電陶瓷的耦合電感，保證壓電陶瓷的工作頻率和壽命；微調(diào)PWM頻率，使得超聲波電源與壓電陶瓷配合更緊密，減小不必要的能量浪費(fèi)；采用推挽結(jié)構(gòu)，可減少高壓自舉電路，只需要兩個(gè)MOS/IGBT，成本更優(yōu)。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。