本發(fā)明涉及一種一種IGBT滅磁方法。

背景技術(shù)：

以往的發(fā)電機(jī)滅磁方法主要采用電阻滅磁、滅磁斷路器進(jìn)行滅磁，這兩種滅磁裝置體積大、滅磁時(shí)間長(zhǎng)，為減小體積縮短滅磁時(shí)間，目前一般采用晶閘管滅磁，晶閘管滅磁是將勵(lì)磁繞組上儲(chǔ)存的電能通過(guò)逆變釋放至勵(lì)磁交流電源側(cè)，從而達(dá)到滅磁的目的，這種滅磁方法電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜且由于晶閘管的開關(guān)頻率小，對(duì)晶閘管的導(dǎo)通無(wú)特殊控制方法，導(dǎo)致滅磁時(shí)間長(zhǎng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的在于克服以上缺陷，提供一種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、滅磁時(shí)間短且對(duì)IGBT導(dǎo)通采用PWM波進(jìn)行控制的IGBT滅磁方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種IGBT滅磁方法，其包括逆變控制器、電流傳感器、IGBT橋式逆變器，所述電流傳感器用于采集勵(lì)磁繞組直流電流并實(shí)時(shí)將電流反饋至逆變控制器，所述逆變控制器根據(jù)勵(lì)磁繞組上直流電流的實(shí)時(shí)變化實(shí)時(shí)發(fā)出IGBT的導(dǎo)通時(shí)間和導(dǎo)通角大小的控制信號(hào)，且將此信號(hào)傳給IGBT橋式逆變器，所述IGBT橋式逆變器根據(jù)逆變控制器發(fā)出的控制信號(hào)實(shí)時(shí)將勵(lì)磁繞組上的直流電流釋放給勵(lì)磁交流電源，直至勵(lì)磁繞組直流電流釋放完畢。

優(yōu)選的，所述逆變控制器根據(jù)勵(lì)磁繞組上直流電流的實(shí)時(shí)變化實(shí)時(shí)發(fā)出IGBT的導(dǎo)通時(shí)間和導(dǎo)通角大小的控制信號(hào)，且將此信號(hào)是以PWM波形式傳給IGBT橋式逆變器的。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果是：由于利用IGBT橋式逆變器作為逆變器，IGBT橋式逆變器能實(shí)時(shí)的執(zhí)行逆變控制器根據(jù)勵(lì)磁繞組直流電流的實(shí)時(shí)變化實(shí)時(shí)發(fā)出IGBT橋式逆變器導(dǎo)通時(shí)間和導(dǎo)通角大小的控制信號(hào)，并且采用PWM波形式控制IGBT橋式逆變器，反應(yīng)迅速，且由于IGBT橋式逆變器的主電路及驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，從而這種滅磁方法結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、滅磁時(shí)間短。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。

參照附圖，一種IGBT滅磁方法包括逆變控制器2、電流傳感器3、IGBT橋式逆變器1。所述電流傳感器3用于采集勵(lì)磁繞組直流電流并實(shí)時(shí)將電流反饋至逆變控制器2，所述逆變控制器2根據(jù)勵(lì)磁繞組上直流電流的實(shí)時(shí)變化實(shí)時(shí)發(fā)出IGBT的導(dǎo)通時(shí)間和導(dǎo)通角大小的控制信號(hào)，且將此信號(hào)傳給IGBT橋式逆變器1，所述IGBT橋式逆變器1根據(jù)逆變控制器2發(fā)出的控制信號(hào)實(shí)時(shí)將勵(lì)磁繞組上的直流電流釋放給勵(lì)磁交流電源，直至勵(lì)磁繞組直流電流釋放完畢。

所述逆變控制器2根據(jù)勵(lì)磁繞組上直流電流的實(shí)時(shí)變化實(shí)時(shí)發(fā)出IGBT的導(dǎo)通時(shí)間和導(dǎo)通角大小的控制信號(hào)，且將此信號(hào)以PWM波形式傳給IGBT橋式逆變器1的，使得勵(lì)磁繞組上儲(chǔ)存的電能釋放到勵(lì)磁交流電源，

以上只是本發(fā)明的一種實(shí)施方式，一個(gè)優(yōu)選示范例。本發(fā)明申請(qǐng)請(qǐng)求保護(hù)的范圍并不只限于所述實(shí)施方式。凡與本實(shí)施例等效的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。