1.一種基于SiC MOSFET的固態(tài)直流斷路器，其特征在于，包括SiC直流固態(tài)斷路器、第一功率端子(A)、第二功率端子(B)、混合開關(guān)(5)及控制系統(tǒng)(6)，SiC直流固態(tài)斷路器包括阻尼支路(1)、換流支路(4)及高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)，第一功率端子(A)依次經(jīng)阻尼支路(1)、高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)及換流支路(4)與第二功率端子(B)相連接，混合開關(guān)(5)的兩端分別與第一功率端子(A)及第二功率端子(B)相連接，控制系統(tǒng)(6)的輸出端與換流支路(4)的控制端及混合開關(guān)(5)的控制端相連接；
所述高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)包括門極驅(qū)動器、n個電阻、n個電容及n個第一MOS管；
門極驅(qū)動器的控制端與控制系統(tǒng)(6)相連接，門極驅(qū)動器輸出端的負(fù)極與第一個電容、換流支路(4)、第一個第一MOS管的源極及第一個電阻相連接，各電阻依次串聯(lián)連接，各電容依次串聯(lián)連接，阻尼支路(1)與第n個電容、第n個電阻及第n個第一MOS管的漏極相連接，前一個第一MOS管的漏極與后一個第一MOS管的源極相連接，第i個電容與第i-1個電容之間的線路與第i個第一MOS管的柵極相連接，第一個第一MOS管的柵極與門極驅(qū)動器輸出端的正極相連接，其中，2≤i≤n，n為大于等于2的正整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SiC MOSFET的固態(tài)直流斷路器，其特征在于，SiC直流固態(tài)斷路器還包括能量吸收系統(tǒng)(3)，其中，能量吸收系統(tǒng)(3)的兩端分別與高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)的兩端相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SiC MOSFET的固態(tài)直流斷路器，其特征在于，混合開關(guān)(5)包括機(jī)械開關(guān)(K)及第二MOS管(M)，其中，機(jī)械開關(guān)(K)的一端與第一功率端子(A)相連接，機(jī)械開關(guān)(K)的另一端與第二MOS管(M)的漏極相連接，第二MOS管(M)的源極與第二功率端子(B)相連接，第二MOS管(M)的柵極與控制系統(tǒng)(6)的輸出端相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SiC MOSFET的固態(tài)直流斷路器，其特征在于，能量吸收系統(tǒng)(3)為避雷器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SiC MOSFET的固態(tài)直流斷路器，其特征在于，阻尼支路(1)為阻尼電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于SiC MOSFET的固態(tài)直流斷路器，其特征在于，換流支路(4)為第三MOS管，其中，第三MOS管的漏極與高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)相連接，第三MOS管的源極與第二功率端子B相連接，第三MOS管的柵極與控制系統(tǒng)(6)相連接。
7.一種如權(quán)利要求2所述的基于SiC MOSFET的固態(tài)直流斷路器的控制方法，其特征在于，將第一功率端子(A)與第二功率端子(B)與線路或者設(shè)備相連接，包括以下步驟：
當(dāng)線路或設(shè)備處于正常工作狀態(tài)時，控制系統(tǒng)(6)控制換流支路(4)斷開，并控制混合開關(guān)(5)導(dǎo)通，電流流過混合開關(guān)(5)；當(dāng)線路或設(shè)備發(fā)生短路故障時，控制系統(tǒng)(6)控制換流支路(4)導(dǎo)通，再控制混合開關(guān)(5)斷開，電流依次流經(jīng)阻尼支路(1)、高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)及換流支路(4)，待電流完全轉(zhuǎn)移完成后，關(guān)斷混合開關(guān)(5)承受SiC直流固態(tài)斷路器導(dǎo)通壓降的直流電壓，然后控制系統(tǒng)(6)控制高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)關(guān)斷，短路能量被能量吸收系統(tǒng)(3)吸收，通過阻尼支路(1)防止高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)關(guān)斷過程中的電壓震蕩，當(dāng)高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)完全關(guān)斷后，短路故障被切除，高壓SiC MOSFET開關(guān)(2)承受直流母線電壓。