技術(shù)編號(hào)：11839096
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種基于SiCMOSFET的固態(tài)直流斷路器及其控制方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于SiCMOSFET的固態(tài)直流斷路器及其控制方法。背景技術(shù)在高壓直流輸電中，高壓直流斷路器(HVDCbreaker)起到切斷過載或短路電流的作用，對(duì)高壓直流輸電系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行起著重要作用。目前，直流斷路器分為機(jī)械式直流斷路器、全固態(tài)直流斷路器以及機(jī)械-固態(tài)混合式直流斷路器。近年來，第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)以其相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅(Si)3倍的禁帶寬度，3倍的熱導(dǎo)率，10倍的臨界...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。