本發(fā)明涉及一種預(yù)充電的汽車電動空調(diào)驅(qū)動器，屬于汽車電控領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

隨著新能源產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，電動汽車已經(jīng)越來越普及了。而電動汽車由于沒有傳統(tǒng)的燃油發(fā)動機，因此其空調(diào)壓縮機是靠電機來驅(qū)動的，目前以無刷直流電機驅(qū)動壓縮機最為流行。由于一般電動空調(diào)壓縮機驅(qū)動器功率都在一個千瓦以上，因此系統(tǒng)給壓縮機驅(qū)動器上電時需要配置預(yù)充電模塊?，F(xiàn)在大部分應(yīng)用場景，該預(yù)充電模塊都是外置；原因是該模塊比較大，集成后使得驅(qū)動器體積變大，客戶難以接受。不過目前也有趨勢是整車廠要求空調(diào)廠家集成到驅(qū)動器內(nèi)部。

預(yù)充電模塊集成到內(nèi)部的好處比較明顯，空調(diào)驅(qū)動器可以監(jiān)控電壓的上升情況，到了切換點電壓后，驅(qū)動器可以自行切入到正常工作模式，相比較外置預(yù)充電模塊而言，基本不需要標(biāo)定。

傳統(tǒng)的內(nèi)置預(yù)充電電路如圖1所示。上電瞬間，由于PTC（或者一個功率電阻）的存在，電解CE1和CE2的電壓并不會馬上就建立起來達(dá)到DC+的電壓值，而是慢慢地升高，等到單片機上電復(fù)位后，其ADC開始采集BusVoltage的電壓值，一旦達(dá)到了預(yù)定值，單片機就會輸出一個高電平的Relay信號；該信號會驅(qū)動NPN三極管Q1，從而打開了繼電器Relay1使得繼電器的2腳和5腳聯(lián)通，PTC1被旁路，從而進入正常工作模式。

由上面的描述可以知道傳統(tǒng)的預(yù)充電電路包含了一個繼電器，該繼電器成本較高且體積較大，搭配功率電阻或者PTC后很難放到一體化壓縮機驅(qū)動器內(nèi)部。因此目前該電路還是以外置為主。本發(fā)明就是針對這個難題，引入一個新型電路結(jié)構(gòu)，可以解決繼電器尺寸過大的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：為克服上述問題，提供一種整體體積更小的預(yù)充電的汽車電動空調(diào)驅(qū)動器。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種預(yù)充電的汽車電動空調(diào)驅(qū)動器，包括預(yù)充電電路，所述預(yù)充電電路連接輸入，所述預(yù)充電電路還分別連接MOSFET功率電路、過流保護電路和低邊MOSFET驅(qū)動器，所述低邊MOSFET驅(qū)動器連接控制器，所述控制器還檢測所述預(yù)充電電路的電壓。

優(yōu)選地，所述預(yù)充電電路包括兩個并聯(lián)的電解電容，所述兩個電解電容的一個并聯(lián)點連接輸入，另外一個并聯(lián)點通過功率電阻接地，所述功率電阻上并聯(lián)有第一MOSFET管，所述低邊MOSFET驅(qū)動器驅(qū)動所述第一MOSFET管開關(guān)。

優(yōu)選地，所述過流保護電路包括比較器。

優(yōu)選地，所述電解電容的額定電壓為450V。

優(yōu)選地，所述MOSFET功率電路包括MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、MOSFET管Q5、MOSFET管Q6和 MOSFET管Q7，所述MOSFET管Q5、MOSFET管Q6和 MOSFET管Q7的一側(cè)還分別連接有電阻R4、電阻R5和電阻R6。

優(yōu)選地，所述功率電阻的阻值為500歐姆。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明優(yōu)點其一是大電流的MOSFET比起繼電器要便宜，特別是汽車級的；其二是同等功率的預(yù)充電電路，MOSFET體積更小；其三MOSFET壽命更長，開關(guān)次數(shù)不受限制；既降低了系統(tǒng)成本，又減小了體積，同時還提高了可靠性，具有較好的應(yīng)用前景。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一個實施例的電路圖；

圖2是本發(fā)明一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明一個實施例的電路圖。

具體實施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。

實施例1

如圖2所示的本發(fā)明所述一種預(yù)充電的汽車電動空調(diào)驅(qū)動器，包括預(yù)充電電路，所述預(yù)充電電路連接輸入，所述預(yù)充電電路還分別連接MOSFET功率電路、過流保護電路和低邊MOSFET驅(qū)動器，所述低邊MOSFET驅(qū)動器連接控制器，所述控制器還檢測所述預(yù)充電電路的電壓，當(dāng)所述預(yù)充電電路的電壓值達(dá)到相應(yīng)值時，所述控制器發(fā)送信號給低邊MOSFET驅(qū)動器，驅(qū)動所述預(yù)充電電路接通，大電流就可以從所述預(yù)充電電路流過了，從而實現(xiàn)了預(yù)充電功能，進入正常工作模式，并且其采用MOSFET功率管來實現(xiàn)預(yù)充電電路內(nèi)置和過流保護功能，既降低了系統(tǒng)成本，又減小了體積，同時還提高了可靠性，具有較好的應(yīng)用前景。

在優(yōu)選的實施方式中，所述預(yù)充電電路優(yōu)選的包括兩個并聯(lián)的電解電容，所述兩個電解電容的一個并聯(lián)點連接輸入，所述控制器檢測兩個所述電解電容上的電壓，另外一個并聯(lián)點通過功率電阻接地，所述功率電阻上并聯(lián)有第一MOSFET管，當(dāng)電解電容上的電壓值達(dá)到相應(yīng)值時，則發(fā)送信號給所述低邊MOSFET驅(qū)動器驅(qū)動所述第一MOSFET管開關(guān)。

在優(yōu)選的實施方式中，所述過流保護電路包括比較器，所述比較器用于檢測對比所述第一MOSFET管開關(guān)上電流來實現(xiàn)過流保護功能。

在優(yōu)選的實施方式中，所述電解電容最優(yōu)選的額定電壓為450V，但不限定于此，還可采用其他數(shù)值。

在優(yōu)選的實施方式中，所述MOSFET功率電路包括MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、MOSFET管Q5、MOSFET管Q6和 MOSFET管Q7，所述MOSFET管Q5、MOSFET管Q6和 MOSFET管Q7的一側(cè)還分別連接有電阻R4、電阻R5和電阻R6，具體連接方式如圖3所示。

在優(yōu)選的實施方式中，所述功率電阻的阻值為500歐姆，但不限定于此，還可采用其他數(shù)值。

以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。