本發(fā)明描述了一種負電壓保護系統(tǒng)，尤其涉及一種依據(jù)負電壓比較電路輸出的比較結(jié)果將負電壓強度降低的保護系統(tǒng)。

背景技術：

隨著科技日新月異，各種高性能的電子產(chǎn)品也被廣泛應用?，F(xiàn)今的電子產(chǎn)品除了要求高處理速度、低反應時間、以及高規(guī)格的處理器之外，更要求具備可攜性及微型化的體積，以讓使用者能隨時隨地以高效率的方式使用產(chǎn)品。例如蘋果手機(i-phone)的iphone5s規(guī)格使用了a7處理器，而iphone6plus規(guī)格使用了更高階的a8處理器，或是家用型計算機的中央處理器也從core^tmi5演化至core^tmi7等級。隨著電子產(chǎn)品內(nèi)處理器的時鐘頻率增加，其所消耗的功率及所產(chǎn)生的溫度也隨之上升。因此，許多散熱風扇、水冷系統(tǒng)、散熱膠及散熱片的散熱質(zhì)量也被使用者日益重視。在這些散熱機制中，水冷系統(tǒng)的散熱效果最佳，但存在體積大、價格而貴、且高噪聲的缺點。散熱膠及散熱片的體積最小，但僅使用了熱導較佳的介質(zhì)將熱量傳出至空氣，故散熱效果有限。因此，目前大多數(shù)的電子產(chǎn)品，其散熱方式仍以散熱風扇為主流。

然而，在馬達控制驅(qū)動的半橋式(half-bridge)電路中，馬達因楞次定律(或稱為，冷次定律，lenz'slaw)的特性，在馬達極性換相時，會導致瞬態(tài)負電壓(negativetransientvoltage)的現(xiàn)象。而過大的瞬態(tài)負電壓的現(xiàn)象會導致推動控制信號產(chǎn)生閂鎖效應(latch-up)，進而影響馬達驅(qū)動電路所有元件以及時鐘的運作。并且，當馬達在短路、過載關機或瞬間電流較平常操作環(huán)境高的情況，這種負電壓的情況會更嚴重。

為了避免負電壓影響馬達驅(qū)動的效能，一般在馬達的驅(qū)動前級電路(levelshiftdrivingcircuit)會設計一個限流電阻。利用此限流電阻，可使過大的負電壓或靜電放電(esd)涌浪被限制。然而，此方式在實際應用時具有一定的極限，例如當驅(qū)動馬達控制器與風扇馬達之間距離很長，且馬達電感很大時，馬達所產(chǎn)生的瞬態(tài)負電壓可能會超過-100v以上。此時，傳統(tǒng)馬達中的限流電阻將失去保護功能。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明一實施例說明了一種負電壓保護系統(tǒng)，包含負電壓比較電路、信號處理電路、驅(qū)動電路、驅(qū)動輸出電路、功率裝置以及線圈模塊。負電壓比較電路用以檢測負電壓，并輸出比較信號。信號處理電路耦接于負電壓比較電路，用以依據(jù)比較信號產(chǎn)生控制信號。驅(qū)動電路耦接于信號處理電路，用以根據(jù)控制信號產(chǎn)生至少一個驅(qū)動信號。驅(qū)動輸出電路耦接于驅(qū)動電路，用以依據(jù)至少一個驅(qū)動信號產(chǎn)生至少一個功率信號。功率裝置耦接于驅(qū)動輸出電路，用以根據(jù)至少一個功率信號產(chǎn)生驅(qū)動電壓。線圈模塊耦接于功率裝置，用以根據(jù)驅(qū)動電壓進行運轉(zhuǎn)。其中當線圈模塊產(chǎn)生反電動勢時，線圈模塊輸出負電壓，若負電壓比較電路檢測到負電壓的強度超過預定值，信號處理電路產(chǎn)生控制信號至驅(qū)動電路，及驅(qū)動電路依據(jù)控制信號，控制驅(qū)動輸出電路及功率裝置以使負電壓的強度降低。

本發(fā)明另一實施例說明了一種負電壓保護系統(tǒng)，包含負電壓比較電路、信號處理電路、驅(qū)動電路、驅(qū)動輸出電路、功率裝置以及線圈模塊。負電壓比較電路，用以檢測第一負電壓或第二負電壓，并輸出多個比較信號。信號處理電路耦接于負電壓比較電路，用以依據(jù)這些比較信號產(chǎn)生多個控制信號。驅(qū)動電路耦接于信號處理電路，用以根據(jù)這些控制信號產(chǎn)生多個驅(qū)動信號。驅(qū)動輸出電路耦接于驅(qū)動電路，用以依據(jù)這些驅(qū)動信號產(chǎn)生多個功率信號。功率裝置耦接于驅(qū)動輸出電路，用以根據(jù)這些功率信號產(chǎn)生多個驅(qū)動電壓。線圈模塊耦接于功率裝置，用以根據(jù)這些驅(qū)動電壓進行運轉(zhuǎn)。其中當線圈模塊產(chǎn)生反電動勢時，線圈模塊輸出第一負電壓或第二負電壓。若負電壓比較電路檢測到第一負電壓或第二負電壓的強度超過預定值，信號處理電路產(chǎn)生這些控制信號至驅(qū)動電路，及驅(qū)動電路依據(jù)這些控制信號，控制驅(qū)動輸出電路及功率裝置以使第一負電壓或第二負電壓的強度降低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施例的負電壓保護系統(tǒng)的電路圖。

圖2為本發(fā)明第二實施例的負電壓保護系統(tǒng)的電路圖。

【符號說明】

100及200負電壓保護系統(tǒng)

10負電壓比較電路

11信號處理電路

12驅(qū)動電路

13驅(qū)動輸出電路

14功率裝置

15線圈模塊

r1至r10電阻

cmp1及cmp2比較器

dr1及dr2驅(qū)動單元

t1至t8晶體管

sw1及sw2開關

pd1至pd4寄生二極管

d二極管

c電容

vref參考電壓

vcc及vbus高電壓

ss1及ss2比較信號

hs及l(fā)s功率信號

gq、nq、o1、o1、a、b、c及d節(jié)點

gnd接地端

il電流

具體實施方式

圖1為本發(fā)明第一實施例的負電壓保護系統(tǒng)100的電路圖。負電壓保護系統(tǒng)100包含負電壓比較電路10、信號處理電路11、驅(qū)動電路12、驅(qū)動輸出電路13、功率裝置14以及線圈模塊15。負電壓比較電路10包含第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第四電阻r4以及比較器cmp1。第一電阻r1包含用以接收參考電壓vref的第一端，及第二端。第二電阻r2包含用以接收負電壓的第一端，及耦接于第一電阻r1的第二端的第二端。第三電阻r3包含耦接于第一電阻r1的第一端的第一端，及第二端。第四電阻r4包含耦接于第三電阻r3的第二端的第一端，及耦接于接地端gnd的第二端。比較器cmp1包含耦接于第二電阻r2的第二端的第一輸入端，耦接于第四電阻r4的第一端的第二輸入端，及耦接于信號處理電路11，用以輸出比較信號ss1至信號處理電路11的輸出端。負電壓比較電路10的運作模式描述于下。第二電阻r2的第一端會接收負電壓(負電壓的產(chǎn)生方式于后文詳述)。因此，節(jié)點nq的電壓可視為負電壓與參考電壓vref的電壓差的分壓。同理，節(jié)點gq的電壓可視為接地端gnd的電壓與參考電壓的電壓差的分壓。在本實施例中，當負電壓的強度大于一個預定值時，比較器cmp1輸出具有第一電壓電平的比較信號ss1。相反的，當負電壓的強度小于一個預定值時，比較器cmp1輸出具有第二電壓電平的比較信號ss1。在本實施例中，負電壓的強度可定義為負電壓的絕對值的數(shù)值。例如，負電壓在-7伏特的強度大于負電壓在-1伏特的強度。而具有第一電壓電平或第二電壓電平的比較信號ss1會被傳送至信號處理電路11中。在負電壓保護系統(tǒng)100中，信號處理電路11可將比較信號ss1進行調(diào)制，例如將比較信號ss1依其電壓電平調(diào)制為開關信號(on-offsignal)，或?qū)⒈容^信號ss1調(diào)制為任何具有雙極性(bipolar)的信號。而通過信號處理電路11調(diào)制后的比較信號在此視為控制信號?？刂菩盘枙粋魉椭硫?qū)動電路12之中。

在負電壓保護系統(tǒng)100，驅(qū)動電路12包含第一驅(qū)動單元dr1及第二驅(qū)動單元dr2。第一驅(qū)動單元dr1包含第一端，第二端，及耦接于第二電阻r2的第一端的第三端。第二驅(qū)動單元dr2包含第一端，第二端，耦接于接地端gnd的第三端，及耦接于信號處理電路11，用以接收控制信號的第四端。驅(qū)動電路12會產(chǎn)生至少一個驅(qū)動信號至驅(qū)動輸出電路13中。例如驅(qū)動電路12中的第一驅(qū)動單元dr1的第一端、第一驅(qū)動單元dr1的第二端、第二驅(qū)動單元dr2的第一端及第二驅(qū)動單元dr2的第二端會產(chǎn)生四個驅(qū)動信號至驅(qū)動輸出電路13中。驅(qū)動輸出電路13包含第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3以及第四晶體管t4。第一晶體管t1包含用以接收高電壓的第一端，第二端，及耦接于第一驅(qū)動單元dr1的第一端的控制端。于此，第一晶體管t1的第一端為接收高電壓vcc經(jīng)過二極管d之后的電壓，若二極管d操作于順向電流時，第一晶體管t1的第一端接收的電壓會約莫等于高電壓端vcc的電壓。第二晶體管t2包含耦接于第一晶體管t1的第二端的第一端，耦接于第二電阻r2的第一端的第二端，及耦接于第一驅(qū)動單元dr1的第二端的控制端。第三晶體管t3包含用以接收高電壓vcc的第一端，第二端，及耦接于第二驅(qū)動單元dr2的第一端的控制端。第四晶體管t4包含耦接于第三晶體管t3的第二端的第一端，耦接于第二驅(qū)動單元dr2的第三端的第二端，以及耦接于第二驅(qū)動單元dr2的第二端的控制端。在驅(qū)動輸出電路13中，第二晶體管t2的第一端及第四晶體管t4的第一端用以輸出至少一個功率信號至功率裝置14。舉例而言，第二晶體管t2的第一端輸出功率信號hs至功率裝置14，第四晶體管t4的第一端輸出功率信號ls至功率裝置14。功率裝置14包含第五電阻r5、第六電阻r6、第一開關sw1及第二開關sw2。第五電阻r5包含耦接于第二晶體管t2的第一端的第一端，及第二端。第六電阻r6包含耦接于第四晶體管t4的第一端的第一端，及第二端。第一開關sw1包含用以接收高電壓vbus的第一端，耦接于第二電阻r2的第一端并用以輸出驅(qū)動電壓至線圈模塊15的第二端，及耦接于第五電阻r5的第二端的控制端。第二開關sw2包含耦接于第一開關sw1的第二端的第一端，耦接于第二驅(qū)動單元dr2的第三端的第二端，及耦接于第六電阻r6的第二端的控制端。線圈模塊15可為任何形式的線圈模塊，例如無刷馬達的線圈模塊。而第一開關sw1及第二開關sw2可為兩n型金屬氧化物半導體場效晶體管，而第一開關sw1及第二開關sw2的寄生二極管分別以寄生二極管pd1及寄生二極管pd2表示。以下將說明負電壓保護系統(tǒng)100如何將負電壓強度降低的方法。

為了描述更為清楚，在此將描述線圈模塊15在不同的時間點的驅(qū)動模式以及降低負電壓影響的操作方法。首先，第一開關sw1為導通狀態(tài)，第二開關sw2為截止狀態(tài)。之后，第一開關sw1變?yōu)榻刂範顟B(tài)，第二開關sw2也為截止狀態(tài)。此時，線圈模塊15會產(chǎn)生反電動勢(backelectromotiveforce)，這會導致電流il由接地端gnd通過寄生二極管pd2回流至線圈模塊15。由于電流il由高電位流向低電位，因此節(jié)點o1會產(chǎn)生一個負電壓。這個負電壓的強度若過高，會導致所有的驅(qū)動信號發(fā)生錯亂，產(chǎn)生大電流短路問題，嚴重的時候甚至會將電路燒毀。因此，在負電壓保護系統(tǒng)100中，負電壓比較電路10中的比較器cmp1會比較節(jié)點nq電壓與節(jié)點gq的電壓。而節(jié)點nq電壓可視為負電壓(節(jié)點o1的電壓)與參考電壓vref的電壓差的分壓。節(jié)點gq的電壓可視為接地端gnd的電壓與參考電壓vref的電壓差的分壓。因此，當負電壓(例如-7伏特)的強度大于一個預定值時(例如-3伏特)，比較器cmp1將輸出具有第一電壓電平的比較信號ss1。相反地，當負電壓(例如-0.5伏特)的強度小于一個預定值(例如-3伏特)時，比較器cmp1輸出具有第二電壓電平的比較信號ss1。而比較信號ss1通過信號處理電路11調(diào)制后，變?yōu)榭刂菩盘枺靡钥刂乞?qū)動電路12。舉例而言，當負電壓的強度太大時，對應第一電壓電平的比較信號ss1的控制信號會控制驅(qū)動電路12及驅(qū)動輸出電路13，使功率裝置14內(nèi)的第二開關sw2導通。當?shù)诙_關sw2被導通后，節(jié)點o1將與接地端gnd共點，因此負電壓的強度會變小，甚至歸零。相反地，當負電壓的強度不大時，對應第二電壓電平的比較信號ss1會使第二開關sw2維持截止狀態(tài)。

換句話說，負電壓保護系統(tǒng)100保護電路的方法為，當負電壓的強度超過一個預定值時，將第二開關sw2導通。因此，由接地端gnd回流至線圈模塊15的電流il的路徑將消失，造成負電壓的強度將變小甚至歸零的結(jié)果。由于過大的負電壓均能利用負電壓保護系統(tǒng)100消除，因此負電壓保護系統(tǒng)100具有電路保護的功能。

圖2為本發(fā)明第二實施例的負電壓保護系統(tǒng)200的電路圖。負電壓保護系統(tǒng)200包含負電壓比較電路10、信號處理電路11、驅(qū)動電路12、驅(qū)動輸出電路13、功率裝置14以及線圈模塊15。負電壓比較電路10用以檢測第一負電壓(節(jié)點o1的負電壓)或第二負電壓(節(jié)點o2的負電壓)，并輸出多個比較信號。信號處理電路11耦接于負電壓比較電路10，用以依據(jù)這些比較信號產(chǎn)生多個控制信號。驅(qū)動電路12耦接于信號處理電路11，用以根據(jù)這些控制信號產(chǎn)生多個驅(qū)動信號。驅(qū)動輸出電路13耦接于驅(qū)動電路12，用以依據(jù)這些驅(qū)動信號產(chǎn)生多個功率信號。功率裝置14耦接于驅(qū)動輸出電路13，用以根據(jù)這些功率信號產(chǎn)生多個驅(qū)動電壓。線圈模塊15耦接于功率裝置14，用以根據(jù)這些驅(qū)動電壓進行運轉(zhuǎn)。在負電壓保護系統(tǒng)200中，負電壓比較電路10包含第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第四電阻r4、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第十電阻r10、第一比較器cmp1以及第二比較器cmp2。其中第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第四電阻r4及第一比較器cmp1的電路架構和操作模式類似于負電壓保護系統(tǒng)100的負電壓比較電路10的結(jié)構。差異之處在于第二電阻r2的第一端耦接于線圈模塊15的第一端，用以接收對應節(jié)點o1的第一負電壓。而第一比較器cmp1的輸出端用以輸出第一比較信號ss1至信號處理電路11的第一輸入端。而第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第十電阻r10及第二比較器cmp2的電路結(jié)構相似于第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第四電阻r4及第一比較器cmp1的電路架構。差異之處在于第八電阻r8的第一端耦接于線圈模塊15的第二端，用以接收對應節(jié)點o2的第二負電壓。而第二比較器cmp2的輸出端用以輸出第二比較信號ss2至信號處理電路11的第二輸入端。類似負電壓保護系統(tǒng)100的運作模式，在負電壓保護系統(tǒng)200的負電壓比較電路10之中，當?shù)谝回撾妷旱膹姸却笥谝粋€預定值時，第一比較器cmp1會輸出具有第一電壓電平的第一比較信號ss1。當?shù)谝回撾妷旱膹姸刃∮谝粋€預定值時，第一比較器cmp1會輸出具有第二電壓電平的第一比較信號ss1。當?shù)诙撾妷旱膹姸却笥谝粋€預定值時，第二比較器cmp2會輸出具有第一電壓電平的第二比較信號ss2。當?shù)诙撾妷旱膹姸刃∮谝粋€預定值時，第二比較器cmp2會輸出具有第二電壓電平的第二比較信號ss2。在本實施例中，負電壓的強度可定義為負電壓的絕對值的數(shù)值。例如，負電壓在-7伏特的強度大于負電壓在-1伏特的強度。而具有第一電壓電平或第二電壓電平的第一比較信號ss1及第二比較信號ss2會被傳送至信號處理電路11中。在負電壓保護系統(tǒng)200中，信號處理電路11可將第一比較信號ss1及第二比較信號ss2進行調(diào)制，例如將第一比較信號ss1及第二比較信號ss2依其電壓電平調(diào)制為兩開關信號(on-offsignals)，或?qū)⒌谝槐容^信號ss1及第二比較信號ss2調(diào)制為任兩具有雙極性(bipolar)的信號。而通過信號處理電路11調(diào)制后的第一比較信號ss1及第二比較信號ss2在此視為控制信號?？刂菩盘枙粋魉椭硫?qū)動電路12之中。

在負電壓保護系統(tǒng)200中，驅(qū)動電路12會產(chǎn)生多個驅(qū)動信號至驅(qū)動輸出電路13。而驅(qū)動輸出電路13會依據(jù)這些驅(qū)動信號產(chǎn)生多個功率信號至功率裝置14中。舉例而言，驅(qū)動輸出電路13會產(chǎn)生四個功率信號至節(jié)點a至d。換句話說，驅(qū)動輸出電路13的第一輸出端耦接于節(jié)點a。驅(qū)動輸出電路13的第二輸出端耦接于節(jié)點b。驅(qū)動輸出電路13的第三輸出端耦接于節(jié)點c。驅(qū)動輸出電路14的第四輸出端耦接于節(jié)點d。功率裝置14包含第五晶體管t5、第六晶體管t6、第七晶體管t7及第八晶體管t8。第五晶體管t5包含用以接收高電壓vcc的第一端，耦接于第二電阻r2的第一端的第二端(位于節(jié)點o1)，以及耦接于驅(qū)動輸出電路13的第一輸出端(位于節(jié)點a)的控制端。第六晶體管t6包含耦接于第五晶體管t5的第二端的第一端，耦接于接地端gnd的第二端，及耦接于驅(qū)動輸出電路13的第二輸出端(位于節(jié)點b)的控制端。第七晶體管t7包含用以接收高電壓vcc的第一端，耦接于第八電阻r8的第一端的第二端(位于節(jié)點o2)，及耦接于驅(qū)動輸出電路13的第三輸出端(位于節(jié)點c)的控制端。第八晶體管t8包含耦接于第七晶體管t7的第二端的第一端，耦接于第六晶體管t6的第二端的第二端，及耦接于驅(qū)動輸出電路13的第四輸出端(位于節(jié)點d)的控制端。而第六晶體管t6的第一端及第八晶體管t8的第一端用以輸出驅(qū)動電壓至線圈模塊15以使線圈模塊15運轉(zhuǎn)。線圈模塊15可為任何形式的線圈模塊，例如無刷馬達的線圈模塊。而功率裝置14可為橋式功率裝置。第六晶體管t6及第八晶體管t8的寄生二極管分別以寄生二極管pd3及寄生二極管pd4表示。以下將說明負電壓保護系統(tǒng)200如何將負電壓強度降低的方法。

為了描述更為清楚，在此將描述線圈模塊15在不同的時間點的驅(qū)動模式以及降低負電壓影響的操作方法。首先，第五晶體管t5以及第八晶體管t8為導通狀態(tài)，且第六晶體管t6以及第七晶體管t7為截止狀態(tài)。在此時間點，電流會由左上的第五晶體管t5流向右下的第八晶體管t8。接下來，第五晶體管t5、第六晶體管t6、第七晶體管t7以及第八晶體管t8均變?yōu)榻刂範顟B(tài)。此時，線圈模塊15會產(chǎn)生反電動勢(backelectromotiveforce)，這會導致電流il由接地端gnd通過寄生二極管pd3回流至線圈模塊15對應的節(jié)點o1。由于電流il由高電位流向低電位，因此節(jié)點o1會產(chǎn)生一個第一負電壓。這個第一負電壓的強度若過高，會導致所有的驅(qū)動信號發(fā)生錯亂，產(chǎn)生大電流短路問題，嚴重的時候甚至會將電路燒毀。因此，類似于負電壓保護系統(tǒng)100的運作模式，在負電壓保護系統(tǒng)200中，負電壓比較電路10中的第一比較器cmp1會比較第一負電壓(節(jié)點o1的電壓)與參考電壓的壓差的分壓，與接地端gnd電壓與參考電壓的壓差的分壓的關系。因此，當?shù)谝回撾妷?例如-7伏特)的強度大于一個預定值時(例如-3伏特)，第一比較器cmp1將輸出具有第一電壓電平的第一比較信號ss1。此時，節(jié)點o2若無負電壓的現(xiàn)象，第二比較器cmp2將輸出具有第二電壓電平的第二比較信號ss2。而第一比較信號ss1及第二比較信號ss2通過信號處理電路11調(diào)制后，變?yōu)榭刂菩盘?，用以控制?qū)動電路12。舉例而言，當?shù)谝回撾妷旱膹姸忍髸r，對應第一電壓電平的第一比較信號ss1的控制信號會控制驅(qū)動電路12及驅(qū)動輸出電路13，使功率裝置14中的第六晶體管t6導通。當?shù)诹w管t6被導通后，節(jié)點o1將與接地端gnd共點，因此第一負電壓的強度會變小，甚至歸零。相反的，當?shù)谝回撾妷旱膹姸炔淮髸r，對應第二電壓電平的第一比較信號ss1會使第六晶體管t6維持截止狀態(tài)。

同樣地，在下一個時間點，第六晶體管t6以及第七晶體管t7為導通狀態(tài)，且第五晶體管t5以及第八晶體管t8為截止狀態(tài)。在此時間點，電流會由右上的第七晶體管t7流向左下的第六晶體管t6。接下來，第五晶體管t5、第六晶體管t6、第七晶體管t7以及第八晶體管t8均變?yōu)榻刂範顟B(tài)。此時，線圈模塊15會產(chǎn)生反電動勢(backelectromotiveforce)，這會導致電流il由接地端gnd通過寄生二極管pd4回流至線圈模塊15對應的節(jié)點o2，因此節(jié)點o2會產(chǎn)生一個第二負電壓。當?shù)诙撾妷?例如-7伏特)的強度大于一個預定值時(例如-3伏特)，第二比較器cmp2將輸出具有第一電壓電平的第二比較信號ss2。此時，節(jié)點o1若無負電壓的現(xiàn)象，第一比較器cmp1將輸出具有第二電壓電平的第一比較信號ss1。而第一比較信號ss1及第二比較信號ss2通過信號處理電路11調(diào)制后，變?yōu)榭刂菩盘?，用以控制?qū)動電路12。舉例而言，當?shù)诙撾妷旱膹姸忍髸r，對應第一電壓電平的第二比較信號ss2的控制信號會控制驅(qū)動電路12及驅(qū)動輸出電路13，使第八晶體管t8導通。當?shù)诎司w管t8被導通后，節(jié)點o2將與接地端gnd共點。因此，第二負電壓的強度會變小，甚至歸零。相反地，當?shù)诙撾妷旱膹姸炔淮髸r，對應第二電壓電平的第二比較信號ss2會使第八晶體管t8維持截止狀態(tài)。

換句話說，負電壓保護系統(tǒng)200保護電路的方法為，當?shù)谝回撾妷夯虻诙撾妷旱膹姸瘸^一個預定值時，將對應的晶體管導通。因此，由接地端gnd回流至線圈模塊15的電流il的路徑將消失，造成負電壓的強度會變小甚至歸零的結(jié)果。由于過大的負電壓均能利用負電壓保護系統(tǒng)200消除，因此負電壓保護系統(tǒng)200具有電路保護的功能。

綜上所述，本發(fā)明描述了一種負電壓保護系統(tǒng)。而負電壓保護系統(tǒng)保護電路的方法為利用負電壓比較電路，判斷因通過寄生二極管由接地端的回流電流所造成的負電壓是否大于預定值。若負電壓的強度太大，則負電壓保護系統(tǒng)將會導通對應的晶體管，使負電壓的強度降低，甚至歸零。因此，本發(fā)明的負電壓保護系統(tǒng)具有避免讓過大的負電壓損害電路元件的功效。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權利要求書所做的均等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。