1.一種電壓調(diào)節(jié)器，包括：
占空比組件，其被配置為確定電壓調(diào)節(jié)器的占空比是否大于閾值占空比；
第一感測(cè)組件，其被配置為確定電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓是否小于第一閾值電壓；及
調(diào)節(jié)組件，其耦接至占空比組件及第一感測(cè)組件，調(diào)節(jié)組件被配置為基于占空比大于閾值占空比的第一確定及電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓小于第一閾值電壓的第二確定而將輸入電壓傳送至電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
2.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中調(diào)節(jié)組件進(jìn)一步被配置為基于占空比小于或等于閾值占空比的第三確定或電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓大于或等于第一閾值電壓的第四確定而調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
3.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，進(jìn)一步包括耦接至調(diào)節(jié)組件的第二感測(cè)組件，第二感測(cè)組件被配置為確定電壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓是否大于第二閾值電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中調(diào)節(jié)組件進(jìn)一步被配置為基于電壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓大于第二閾值電壓的第五確定而調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
5.如權(quán)利要求4所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中第二閾值電壓大于第一閾值電壓。
6.如權(quán)利要求4所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中第一感測(cè)組件包括第一比較器。
7.如權(quán)利要求6所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中第二感測(cè)組件包括第二比較器。
8.如權(quán)利要求7所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中第一比較器耦接至電壓調(diào)節(jié)器的輸出及參考組件。
9.如權(quán)利要求8所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中第二比較器耦接至電壓調(diào)節(jié)器的輸出及參考組件。
10.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中調(diào)節(jié)組件包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
11.如權(quán)利要求10所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中該MOSFET被配置為將輸入電壓傳送至電壓調(diào)節(jié)器的輸出或調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
12.一種電子設(shè)備，包括：
電壓源，其被配置為提供輸入電壓；及
電壓調(diào)節(jié)器，其耦接至電壓源，電壓調(diào)節(jié)器包括：占空比組件，其被配置為確定電壓調(diào)節(jié)器的占空比是否大于閾值占空比；第一感測(cè)組件，其被配置為確定電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓是否小于第一閾值電壓；以及調(diào)節(jié)組件，其耦接至占空比組件及第一感測(cè)組件，調(diào)節(jié)組件被配置為基于占空比大于閾值占空比的第一確定及電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓小于第一閾值電壓的第二確定而將輸入電壓傳送至電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
13.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中調(diào)節(jié)組件進(jìn)一步被配置為基于占空比小于或等于閾值占空比的第三確定或電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓大于或等于第一閾值電壓的第四確定而調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
14.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中電壓調(diào)節(jié)器進(jìn)一步包括耦接至調(diào)節(jié)組件的第二感測(cè)組件，第二感測(cè)組件被配置為確定電壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓是否大于第二閾值電壓。
15.如權(quán)利要求14所述的電子設(shè)備，其中調(diào)節(jié)組件進(jìn)一步被配置為基于電壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓大于第二閾值電壓的第五確定而調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
16.如權(quán)利要求15所述的電子設(shè)備，其中第二閾值電壓大于第一閾值電壓。
17.如權(quán)利要求15所述的電子設(shè)備，其中第一感測(cè)組件包括第一比較器。
18.如權(quán)利要求17所述的電子設(shè)備，其中第二感測(cè)組件包括第二比較器。
19.如權(quán)利要求18所述的電子設(shè)備，其中第一比較器耦接至電壓調(diào)節(jié)器的輸出及參考組件。
20.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，其中第二比較器耦接至電壓調(diào)節(jié)器的輸出及參考組件。
21.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中調(diào)節(jié)組件包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
22.如權(quán)利要求21所述的電子設(shè)備，其中該MOSFET被配置為將輸入電壓傳送至電壓調(diào)節(jié)器的輸出或調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
23.一種用于操作電壓調(diào)節(jié)器的方法，該方法包括：
確定電壓調(diào)節(jié)器的占空比是否大于閾值占空比；
確定電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓是否小于第一閾值電壓；及
基于占空比大于閾值占空比的第一確定及電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓小于第一閾值電壓的第二確定而將輸入電壓傳送至電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，進(jìn)一步包括基于占空比小于或等于閾值占空比的第三確定或電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓大于或等于第一閾值電壓的第四確定而調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)器的輸出。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，進(jìn)一步包括確定電壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓是否大于第二閾值電壓。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，進(jìn)一步包括基于電壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓大于第二閾值電壓的第五確定而調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)器的輸出。