1.異物檢測(cè)裝置,裝載在從供電單元向受電單元以非接觸方式進(jìn)行供電的非接觸供電系統(tǒng)中,包括:
磁場(chǎng)傳感器,檢測(cè)因在所述供電單元和所述受電單元之間存在的異物而變化的磁通量;以及
磁場(chǎng)產(chǎn)生單元,與所述供電單元和所述受電單元分開(kāi)設(shè)置,具有磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元,并產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)傳感器的磁場(chǎng)。
2.如權(quán)利要求1所述的異物檢測(cè)裝置,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元具有多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元,
所述多個(gè)磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元之中的至少2個(gè)被電串聯(lián)并連續(xù)地形成。
3.如權(quán)利要求1所述的異物檢測(cè)裝置,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元具有:
多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元;
多個(gè)端子,用于對(duì)所述多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè)供給電流;以及
多個(gè)第1開(kāi)關(guān)元件,被設(shè)置在所述多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè)和對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)端子的每一個(gè)之間,選擇對(duì)所述多個(gè)磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè)供給和不供給電流。
4.如權(quán)利要求1所述的異物檢測(cè)裝置,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元具有:
多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元;
多個(gè)端子,用于對(duì)所述多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè)供給電流;以及
多個(gè)第2開(kāi)關(guān)元件,被設(shè)置在所述多個(gè)磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè)和對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)端子的每一個(gè)之間,使在所述多個(gè)磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè)中流動(dòng)的電流的方向變化。
5.如權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的異物檢測(cè)裝置,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元具有多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元,
所述多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè),沿矩形或圓形的輪廓配置導(dǎo)電線而形成,
所述矩形的短邊的長(zhǎng)度或所述圓環(huán)的寬度即所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的寬度為,包含所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的平面和所述異物之間的距離的1.5倍以上、2.5倍以下。
6.如權(quán)利要求1至5的任意一項(xiàng)所述的異物檢測(cè)裝置,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元包括多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元,
所述多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè)以固定的間隔配置在平面上,
所述異物檢測(cè)裝置還包括:具有將因所述異物存在而變化的磁通量作為電壓信號(hào)檢測(cè)的多個(gè)傳感器線圈單元的所述磁場(chǎng)傳感器,
所述多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的每一個(gè)的第1方向中的寬度與所述多個(gè)傳感器線圈單元的每一個(gè)的所述第1方向中的寬度相同。
7.如權(quán)利要求1至6的任意一項(xiàng)所述的異物檢測(cè)裝置,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元包括多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元,
所述多個(gè)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元包含沿長(zhǎng)方形的輪廓配置了導(dǎo)電線的第1磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元和第2磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元,
所述第1磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元和所述第2磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元,以使包含所述第1磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的第1平面和包含所述第2磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的第2平面平行而在所述第1平面、第2平面的法線方向上重疊配置,
所述第1磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的長(zhǎng)邊和所述第2磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的長(zhǎng)邊,從所述法線方向觀察為正交。
8.如權(quán)利要求1至7的任意一項(xiàng)所述的異物檢測(cè)裝置,
所述非接觸供電系統(tǒng)包括:
具有供電線圈的所述供電單元;以及
具有受電線圈的所述受電單元,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元被配置在由所述供電線圈和所述受電線圈形成的磁場(chǎng)之中的、包含所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的平面的法線方向的磁場(chǎng)分量相對(duì)地較小、或者為0的場(chǎng)所。
9.如權(quán)利要求1至8的任意一項(xiàng)所述的異物檢測(cè)裝置,還包括:
具有供電線圈的所述供電單元;以及
具有受電線圈的所述受電單元,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元和所述供電線圈之間的磁耦合的系數(shù)、以及所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元和所述受電線圈之間的磁耦合的系數(shù)都為10%以下。
10.如權(quán)利要求1至9的任意一項(xiàng)所述的異物檢測(cè)裝置,還包括:
驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元。
11.如權(quán)利要求10所述的異物檢測(cè)裝置,
所述驅(qū)動(dòng)電路以使所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元中流動(dòng)的電流的時(shí)間微分值為1A/50ns以上來(lái)驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元。
12.如權(quán)利要求10或11所述的異物檢測(cè)裝置,
所述驅(qū)動(dòng)電路使向所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元供給的電流、電壓、功率和頻率的至少一個(gè)的絕對(duì)值及時(shí)間性的變化量的至少一方變化來(lái)驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元。
13.如權(quán)利要求1至12的任意一項(xiàng)所述的異物檢測(cè)裝置,
所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元還具有發(fā)電線圈,
所述發(fā)電線圈利用所述供電單元和所述受電單元產(chǎn)生的磁場(chǎng)而生成電動(dòng)勢(shì),并將生成的所述電動(dòng)勢(shì)供給到磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元。
14.如權(quán)利要求13所述的異物檢測(cè)裝置,還包括:
驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元的驅(qū)動(dòng)電路,
由所述發(fā)電線圈生成的所述電動(dòng)勢(shì)被供給到包含所述驅(qū)動(dòng)電路的所述異物檢測(cè)裝置的電路。
15.如權(quán)利要求13所述的異物檢測(cè)裝置,
在由所述供電單元和所述受電單元形成的磁場(chǎng)之中的、包含所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的平面的法線方向的磁場(chǎng)分量為0的場(chǎng)所,配置形成所述磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈單元的一部分導(dǎo)電線。
16.如權(quán)利要求10所述的異物檢測(cè)裝置,
所述驅(qū)動(dòng)電路在進(jìn)行有無(wú)所述異物的判定的定時(shí),驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元。
17.如權(quán)利要求10所述的異物檢測(cè)裝置,
所述驅(qū)動(dòng)電路在由所述供電單元和所述受電單元形成的磁場(chǎng)的變化的絕對(duì)值為最小的定時(shí),驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元。
18.如權(quán)利要求10所述的異物檢測(cè)裝置,
所述驅(qū)動(dòng)電路在所述供電單元或所述受電單元的電流為0的定時(shí),驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元。
19.如權(quán)利要求10所述的異物檢測(cè)裝置,
所述驅(qū)動(dòng)電路避開(kāi)從所述供電單元或所述受電單元產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)的時(shí)間,驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元。
20.如權(quán)利要求10所述的異物檢測(cè)裝置,
所述驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)使所述供電單元和所述受電單元的電流、電壓、功率和頻率的至少一個(gè)變化,驅(qū)動(dòng)所述磁場(chǎng)產(chǎn)生單元。