本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，且特別涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸控顯示裝置已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。在觸控顯示的發(fā)展初始階段，觸控顯示面板是將觸控面板與顯示面板貼合而成，以實(shí)現(xiàn)觸控顯示，需要單獨(dú)制備觸控面板與顯示面板，成本高，厚度較人，且生產(chǎn)效率低。隨著觸控顯示技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了內(nèi)嵌式觸控顯示面板，內(nèi)嵌式觸控顯示面板將觸控電極內(nèi)嵌在顯示面板內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸控顯示裝置的制作成本，使其受到各大面板廠家青睞。
目前，觸控顯示面板中的觸控信號(hào)線與觸控電極一般設(shè)置在其陣列基板上，具體的，該陣列基板包括：多條相互平行的掃描線以及多條相互平行的數(shù)據(jù)線，所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線相互絕緣并交叉設(shè)置限定出多個(gè)像素，每個(gè)像素內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管以及像素電極，像素電極通過(guò)設(shè)置在該像素區(qū)的薄膜晶體管與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接。進(jìn)一步的，為了實(shí)現(xiàn)觸控功能，該陣列基板還包括與上述像素電極分層設(shè)置的公共電極層以及多條觸控信號(hào)線。所述公共電極層分割為多個(gè)公共電極塊，所述公共電極塊復(fù)用作觸控電極，所述觸控信號(hào)線與對(duì)應(yīng)的觸控電極連接。
在觸控顯示面板中，數(shù)據(jù)線與像素電極之間的耦合電容較大，尤其在搭載負(fù)性液晶觸控顯示面板中，數(shù)據(jù)線上驅(qū)動(dòng)電壓高，電壓波動(dòng)大，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極的影響大，導(dǎo)致顯示裝置的串?dāng)_現(xiàn)象嚴(yán)重；通常情況下，由于像素電極與漏電極之間的間隔層(比如鈍化層和/或平坦化層等)較厚，從而使得連接像素電極與漏電極之間的過(guò)孔的深度較深。因此，如果通過(guò)直接減小漏電極的寬度的方式來(lái)增大數(shù)據(jù)線與像素電極之間的間距，當(dāng)像素電極通過(guò)過(guò)孔與漏電極相連時(shí)，容易造成像素電極的斷線、脫落，進(jìn)而出現(xiàn)暗點(diǎn)等顯示不良，從而導(dǎo)致顯示裝置的良率下降。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有顯示裝置存在的因數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極的影響大，導(dǎo)致顯示裝置的串?dāng)_現(xiàn)象嚴(yán)重的問(wèn)題。
本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：襯底基板；多條掃描線與多條數(shù)據(jù)，叉設(shè)置；多個(gè)呈矩陣排列的薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管包括柵極、有源層和漏電極，平坦化層，覆蓋所述柵極、有源層和漏電極，所述平坦化層的對(duì)應(yīng)于所述漏電極的位置設(shè)置有貫穿所述平坦化層的過(guò)孔，所述漏電極的寬度小于所述過(guò)孔的底部的寬度，填充電極，位于所述過(guò)孔內(nèi)，與所述漏電極連接并覆蓋所述漏電極，像素電極，通過(guò)所述過(guò)孔與所述填充電極連接。
本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括上述陣列基板，與上述陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，以及，位于該陣列基板與該彩膜基板之間的液晶層。
另外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包含本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明提供的陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，包括：襯底基板；多條掃描線與多條數(shù)據(jù)，叉設(shè)置；多個(gè)呈矩陣排列的薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管包括柵極、有源層和漏電極，平坦化層，覆蓋上述柵極、有源層和漏電極，且在平坦化層的對(duì)應(yīng)于漏電極的位置設(shè)置有貫穿該平坦化層的過(guò)孔，且漏電極的寬度小于過(guò)孔的底部的寬度；以及填充電極，位于上述過(guò)孔內(nèi)，與漏電極連接并覆蓋該漏電極；像素電極，通過(guò)該過(guò)孔與填充電極連接，并通過(guò)該填充電極間接連接至漏電極。也就是說(shuō)，本發(fā)明通過(guò)減小漏電極的寬度增大了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的距離，減小了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的耦合電容，進(jìn)而減小了數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極的影響，改善了顯示裝置的串?dāng)_現(xiàn)象；而且，本發(fā)明在漏電極上增加了填充電極，且該填充電極具有一定的厚度，從而可以通過(guò)該填充電極補(bǔ)償漏電極與過(guò)孔的側(cè)壁之間的段差，改善了像素電極的斷線問(wèn)題，提升了顯示裝置的良率。
附圖說(shuō)明
通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：
圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的示意圖；
圖2是圖1所示陣列基板上其中一個(gè)像素單元的示意圖；
圖3是圖1所示陣列基板的截面圖；
圖4是本發(fā)明實(shí)施方式提供的另一種陣列基板的俯視圖；
圖5是圖4所示陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6是圖4所示陣列基板的截面圖；
圖7是本發(fā)明實(shí)施方式提供的又一種陣列基板的示意圖；
圖8是圖7所示陣列基板的截面圖；
圖9是本發(fā)明實(shí)施方式提供的再一種陣列基板的截面圖；
圖10是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種液晶顯示面板的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明實(shí)施方式首先提供一種陣列基板，如圖1和圖2所示，圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的示意圖，圖2是圖1所示的陣列基板中單個(gè)像素單元的示意圖。該陣列基板10包括多條數(shù)據(jù)線20與多條掃描線30，該多條數(shù)據(jù)線20與多條掃描線30交叉設(shè)置界定多個(gè)像素單元40，多個(gè)像素單元40包括延第一方向排列的多列像素單元與延第二方向排列的多行像素單元，同時(shí)，在掃描線30和數(shù)據(jù)線20的交叉位置設(shè)置有薄膜晶體管t，多個(gè)薄膜晶體管t呈矩陣排列。
進(jìn)一步的，每個(gè)像素單元40內(nèi)設(shè)置有像素電極18，像素電極18通過(guò)薄膜晶體管t與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線20連接。具體的，在本實(shí)施例中，薄膜晶體管t為低溫多晶硅薄膜晶體管，包括u型的有源層101，該u型的有源層101是通過(guò)對(duì)低溫多晶硅進(jìn)行離子摻雜制備而成，包括源極區(qū)域、重?fù)诫s區(qū)域與漏極區(qū)域，數(shù)據(jù)線20連接至對(duì)應(yīng)薄膜晶體管t的有源層的源極區(qū)域；柵極31，對(duì)應(yīng)于掃描線30與u型的有源層101重疊的區(qū)域，也即本實(shí)施例不需要另外設(shè)置柵極，采用掃描線30的與有源層101重疊的部分復(fù)用為柵極31；漏電極21，與數(shù)據(jù)線20同層形成，該漏電極21的一端連接至有源層的漏極區(qū)域，另一端通過(guò)過(guò)孔h1與像素電極18連接；以及，填充電極22，位于像素電極18與漏電極21之間，并部分填充在漏電極21與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間的空隙內(nèi)。
進(jìn)一步的，圖3是圖1所示的陣列基板的截面圖，具體的，如圖1、2和3所示，該陣列基板依次包括：以玻璃等透明材料做成的襯底基板11；在襯底基板11上設(shè)置的緩沖層(圖中未示出)，在緩沖層上呈大致u字形狀設(shè)置的有源層101；以覆蓋有源層101的方式設(shè)置的柵極絕緣層12；在柵極絕緣層12上以相互平行地延伸的方式設(shè)置的多條掃描線30以及柵極31，其中柵極31與掃描線30連接，或者也可以設(shè)置部分掃描線30與有源層101重疊設(shè)置，由與有源層101重疊設(shè)置的該部分掃描線30復(fù)用為柵極31，以及以覆蓋各掃描線30的方式設(shè)置的層間絕緣膜13；數(shù)據(jù)線20，位于層間絕緣膜13上，其延伸方向與各掃描線30的延伸方向正交；以及在層間絕緣膜13上、在各數(shù)據(jù)線20之間呈島狀地設(shè)置的多個(gè)漏電極21；平坦化層14，以覆蓋各數(shù)據(jù)線20和各漏電極21的方式設(shè)置的平坦化層14，平坦化層14覆蓋薄膜晶體管t的柵極31、有源層101和漏電極21，且在平坦化層14的對(duì)應(yīng)于漏電極21的位置設(shè)置有貫穿該平坦化層14的過(guò)孔h1。
漏電極21完全位于過(guò)孔h1的內(nèi)部，漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間存在間隙，即漏電極21的兩端之間的寬度l2小于過(guò)孔h1的底部的寬度l1，增大了數(shù)據(jù)線20與漏電極21之間的間距l(xiāng)3，因?yàn)橄袼仉姌O18是與漏電極21連接，且漏電極21與數(shù)據(jù)線20同層形成，進(jìn)而增大了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的距離，減小了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的耦合電容，改善了顯示裝置的串?dāng)_現(xiàn)象。
進(jìn)一步的，陣列基板10還包括填充電極22，位于過(guò)孔h1內(nèi)部，與漏電極21直接接觸并覆蓋漏電極21，且部分填充電極22填充在漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間的間隙內(nèi)，像素電極18直接與填充電極22接觸，并通過(guò)填充電極22間接連接至漏電極21，填充電極具有一定的厚度，可以補(bǔ)償漏電極與過(guò)孔的側(cè)壁之間的段差，改善了像素電極的斷線問(wèn)題，提升了顯示裝置的良率。在本實(shí)施例中，該填充電極的材料可以是導(dǎo)電金屬材料，也可以是透明導(dǎo)電氧化物材料，本發(fā)明對(duì)此并不做特別限定。
在本實(shí)施例中，陣列基板10還包括設(shè)置在平坦化層14上的公共電極16，在該公共電極16與平坦化層14之間設(shè)置有第一絕緣層15；以及，呈矩陣狀地設(shè)置的多個(gè)像素電極18，位于公共電極16的遠(yuǎn)離襯底基板11的一側(cè)，在公共電極16與像素電極18之間設(shè)置有第二絕緣層17，以使得公共電極16與像素電極18絕緣間隔。在本實(shí)施例中，過(guò)孔h1依次貫穿第二絕緣層、公共電極、第一絕緣層與平坦化層，漏出填充電極，像素電極直接與填充電極接觸，并通過(guò)填充電極間接連接至漏電極。
進(jìn)一步的，在由該陣列基板形成的液晶顯示面板中，還該陣列基板還可以設(shè)置有覆蓋各像素電極的取向?qū)?圖中未示出)，用于該陣列基板所在的液晶顯示面板中的液晶層一個(gè)初始方向。
圖4是本發(fā)明實(shí)施方式提供的另一種陣列基板的俯視圖，圖5是圖4所示陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖6是圖4所示陣列基板的截面圖，如圖4-圖6所示，該實(shí)施例提供的陣列基板設(shè)置有觸控感應(yīng)結(jié)構(gòu)，該觸控感應(yīng)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)相互絕緣的觸控電極161，每個(gè)觸控電極161分時(shí)復(fù)用為公共電極，每個(gè)觸控電極161與至少位于陣列基板一端的驅(qū)動(dòng)單元連接。在觸控檢測(cè)階段，驅(qū)動(dòng)單元控制該陣列基板所在的顯示裝置實(shí)現(xiàn)觸控感測(cè)，在顯示階段，驅(qū)動(dòng)單元控制由該該陣列基板所在的顯示裝置顯示圖像。
具體的，該陣列基板還包括多條觸控信號(hào)線s，該多條觸控信號(hào)線s與該多個(gè)觸控電極161對(duì)應(yīng)設(shè)置，并與該多個(gè)觸控電極161通過(guò)連接孔h2對(duì)應(yīng)連接。在觸控檢測(cè)階段，每個(gè)觸控電極161通過(guò)觸控信號(hào)線s與驅(qū)動(dòng)單元連接，由驅(qū)動(dòng)單元內(nèi)的觸控用集成電路產(chǎn)生觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，經(jīng)觸控信號(hào)線s提供給觸控電極161，使觸控電極161帶有一定電荷量；驅(qū)動(dòng)單元內(nèi)的觸控用集成電路經(jīng)觸控信號(hào)線s對(duì)觸控電極161中的帶電狀態(tài)的變化情況進(jìn)行讀取，通過(guò)帶電狀態(tài)的變化，可以判斷出哪個(gè)或者哪些觸控電極161被觸控，從而可以進(jìn)一步確定出觸控點(diǎn)的位置。觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)和帶電狀態(tài)的變化情況都可以理解為一個(gè)脈沖信號(hào)。
進(jìn)一步的，該陣列基板還包括多條平行的數(shù)據(jù)線20與多條平行的掃描線30，該多條數(shù)據(jù)線20與多條掃描線30交叉設(shè)置界定多個(gè)像素單元40。每個(gè)像素單元40內(nèi)的像素電極18通過(guò)開(kāi)關(guān)元件t與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線20連接；觸控信號(hào)線s的延伸方向與數(shù)據(jù)線20的延伸方向大致相同，并與數(shù)據(jù)線20交疊設(shè)置。在具體實(shí)施方式中，相鄰觸控信號(hào)線之間間隔的像素單元的列數(shù)可以根據(jù)需要調(diào)節(jié)。
在本實(shí)施方式中，關(guān)于該陣列基板10的結(jié)構(gòu)，具體的，如圖5與6所示，該陣列基板10依次包括襯底基板11、開(kāi)關(guān)元件t、平坦化層14、第一絕緣層15、觸控電極161、第二絕緣層17，以及像素電極18。開(kāi)關(guān)元件t例如為薄膜晶體管，包括柵極、有源層、漏電極，進(jìn)一步的，該陣列基板還包括形成有掃描線30的第一金屬層m1、和形成有數(shù)據(jù)線20的第二金屬層m2，第一金屬層m1位于第二金屬層m2與襯底基板11之間，例如，可以設(shè)置為，第二金屬層m2與第一金屬層m1之間通過(guò)一柵極絕緣層12絕緣間隔，其中第一金屬層m1包括該陣列基板的柵極與掃描線30，用于給該陣列基板的像素單元提供掃描信號(hào)，第二金屬層m2包括該陣列基板的漏電極21與數(shù)據(jù)線20，用于給該陣列基板的像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)。在平坦化層14的對(duì)應(yīng)于漏電極21的位置設(shè)置有貫穿該平坦化層14的過(guò)孔h1，漏電極21完全位于過(guò)孔h1的內(nèi)部，漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁不接觸，漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間存在間隙，即漏電極21的兩端之間的寬度l1小于過(guò)孔h1的底部的寬度l2，增大了數(shù)據(jù)線20與漏電極21之間的間距，因?yàn)橄袼仉姌O18是與漏電極21連接，且漏電極21與數(shù)據(jù)線20同層形成，增大了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的距離，減小了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的耦合電容，進(jìn)而減小了數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極的影響，改善了顯示裝置的串?dāng)_現(xiàn)象。
進(jìn)一步的，在本實(shí)施方式中，該陣列基板還包括形成有觸控信號(hào)線s與填充電極22的第三金屬層m3。填充電極22位于過(guò)孔h1內(nèi)部，與漏電極21直接接觸并覆蓋漏電極21，且部分填充電極22填充在漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間的間隙內(nèi)，像素電極18直接與填充電極22接觸，并通過(guò)填充電極22間接連接至漏電極21，填充電極具有一定的厚度，可以補(bǔ)償漏電極與過(guò)孔的側(cè)壁之間的段差，改善了像素電極的斷線問(wèn)題，提升了顯示裝置的良率。而且，在本實(shí)施例中，填充電極與觸控信號(hào)線同層形成，這樣就不用再另外設(shè)置專(zhuān)門(mén)用于形成填充電極的金屬層，在制作過(guò)程中只需一次刻蝕工藝，無(wú)需對(duì)觸控信號(hào)線與填充電極分別制作掩膜板，在改善像素電極斷線問(wèn)題的同時(shí)，并不會(huì)增加制程數(shù)量，也不會(huì)增加生產(chǎn)成本。
在本實(shí)施方式中，觸控電極復(fù)用為公共電極，第二絕緣層17位于公共電極與像素電極之間，用于將公共電極與像素電極絕緣間隔開(kāi)。
圖7是本發(fā)明實(shí)施方式提供的又一種陣列基板的示意圖，圖8是圖7所示陣列基板的截面圖，如圖7圖8示，該實(shí)施例提供的陣列基板10包括多條數(shù)據(jù)線20與多條掃描線30，該多條數(shù)據(jù)線20與多條掃描線30交叉設(shè)置界定多個(gè)像素單元40，多個(gè)像素單元40包括延第一方向排列的多列像素單元與延第二方向排列的多行像素單元，同時(shí)，在每條掃描線30和數(shù)據(jù)線20的交叉位置設(shè)置有薄膜晶體管t，多個(gè)薄膜晶體管t呈矩陣排列。
如圖7和圖8所示，圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的示意圖，圖2是圖1所示的陣列基板中單個(gè)像素單元的示意圖。該實(shí)施例提供的陣列基板與圖1-圖3提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)相似，包括多條數(shù)據(jù)線與多條掃描線，該多條數(shù)據(jù)線與多條掃描線交叉設(shè)置界定多個(gè)像素單元，多個(gè)像素單元包括延第一方向排列的多列像素單元與延第二方向排列的多行像素單元，同時(shí)，在每條掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉位置設(shè)置有薄膜晶體管t，多個(gè)薄膜晶體管t呈矩陣排列。
薄膜晶體管t包括有源層101、柵極31與漏電極21，平坦化層14覆蓋薄膜晶體管t的柵極31、有源層101和漏電極21，且在平坦化層14的對(duì)應(yīng)于漏電極21的位置設(shè)置有貫穿該平坦化層14的過(guò)孔h1，漏電極21完全位于過(guò)孔h1的內(nèi)部，漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁不接觸，漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間存在間隙，即漏電極21的兩端之間的寬度l2小于過(guò)孔h1的底部的寬度l1，增大了數(shù)據(jù)線20與漏電極21之間的間距l(xiāng)3，因?yàn)橄袼仉姌O18是與漏電極21連接，且漏電極21與數(shù)據(jù)線20同層形成，進(jìn)而增大了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的距離，減小了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的耦合電容，進(jìn)而減小了數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極的影響，改善了顯示裝置的串?dāng)_現(xiàn)象。
陣列基板10還包括在平坦化層14上設(shè)置的公共電極16，該公共電極16與平坦化層14之間設(shè)置有第一絕緣層15，在本實(shí)施例中，填充電極22與公共電極16同層形成，并位于過(guò)孔h1內(nèi)部，與漏電極21直接接觸并覆蓋漏電極21，且部分填充電極22填充在漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間的間隙內(nèi)，像素電極18直接與填充電極22接觸，并通過(guò)填充電極22間接連接至漏電極21，由于填充電極具有一定的厚度，可以補(bǔ)償漏電極與過(guò)孔的側(cè)壁之間的段差，改善了像素電極的斷線問(wèn)題，提升了顯示裝置的良率；而且，填充電極與公共電極利用透明導(dǎo)電材料同層形成，在制作過(guò)程中只需一次刻蝕工藝，無(wú)需對(duì)公共電極與填充電極分別制作掩膜板，在改善像素電極斷線問(wèn)題的同時(shí)，并不會(huì)增加制程數(shù)量，也不會(huì)增加生產(chǎn)成本。
進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間還填充有輔助填充件151，用于與填充電極共同補(bǔ)償漏電極與過(guò)孔的側(cè)壁之間的段差，進(jìn)一步改善了像素電極的斷線問(wèn)題，提升了顯示裝置的良率，其中，輔助填充件151與第一絕緣層同層形成，無(wú)需額外單獨(dú)制作，并不會(huì)增加產(chǎn)品制程與生產(chǎn)成本。
圖9是本發(fā)明實(shí)施方式提供的再一種陣列基板的截面圖，如圖9所示，該實(shí)施例提供的陣列基板與圖4-圖6提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)相似，包括多條數(shù)據(jù)線與多條掃描線，該多條數(shù)據(jù)線與多條掃描線交叉設(shè)置界定多個(gè)像素單元，多個(gè)像素單元包括延第一方向排列的多列像素單元與延第二方向排列的多行像素單元，同時(shí)，在每條掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉位置設(shè)置有薄膜晶體管，多個(gè)薄膜晶體管呈矩陣排列。
薄膜晶體管包括有源層、柵極與漏電極，平坦化層14覆蓋薄膜晶體管的柵極、有源層和漏電極，且在平坦化層14的對(duì)應(yīng)于漏電極21的位置設(shè)置有貫穿該平坦化層14的過(guò)孔h1，漏電極21完全位于過(guò)孔h1的內(nèi)部，漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁不接觸，漏電極21的兩端與過(guò)孔h1的側(cè)壁之間存在間隙，即漏電極21的兩端之間的寬度小于過(guò)孔h1的底部的寬度，增大了數(shù)據(jù)線20與漏電極21之間的間距，因?yàn)橄袼仉姌O18是與漏電極21連接，且漏電極21與數(shù)據(jù)線同層形成，相當(dāng)于增大了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的距離，減小了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的耦合電容，改善了顯示裝置的串?dāng)_現(xiàn)象。
在本實(shí)施例中，該陣列基板還包括可以復(fù)用為觸控電極161的公共電極16，以及通過(guò)第三金屬層m3形成的觸控信號(hào)線s，觸控信號(hào)線s分別連接至對(duì)應(yīng)的觸控電極161。位于過(guò)孔h1內(nèi)部、用于覆蓋漏電極21的填充電極22，包括第一電極221與第二電極222，第一電極221與第二電極222重疊設(shè)置且直接接觸，像素電極18直接與填充電極22接觸，并通過(guò)填充電極間接連接至漏電極21。第一電極221與第二電極222重疊設(shè)置，進(jìn)一步增加了填充電極的填充厚度，可以更好的補(bǔ)償漏電極的段差，改善了像素電極的斷線問(wèn)題，提升了顯示裝置的良率。進(jìn)一步的，第一電極221與觸控信號(hào)線s經(jīng)由第三金屬層m3同層形成，第二電極222與公共電極16利用透明導(dǎo)電材料同層形成，在制作過(guò)程中無(wú)需對(duì)第一電極221與第二電極222另外制作掩膜板，在改善像素電極斷線問(wèn)題的同時(shí)，并不會(huì)增加制程數(shù)量，也不會(huì)增加生產(chǎn)成本。
本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板，通過(guò)減小漏電極的寬度增大了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的距離，減小了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的耦合電容，減小了數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極的影響，改善了顯示裝置的串?dāng)_現(xiàn)象；并通過(guò)在過(guò)孔內(nèi)設(shè)置覆蓋漏電極的填充電極，補(bǔ)償因減小漏電極的的寬度產(chǎn)生的段差，改善了像素電極的斷線問(wèn)題，提升了顯示裝置的良率。
進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種液晶顯示面板，圖10是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種液晶顯示面板的示意圖，如圖10所示，該液晶顯示面板包括包括對(duì)向設(shè)置的陣列基板10與彩膜基板50，及密封于該陣列基板10和彩膜基板50之間的液晶層60。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，該液晶層60的液晶可以為負(fù)性液晶，在工作時(shí)，液晶層60內(nèi)的負(fù)性液晶分子在陣列基板上像素電極與公共電極之間的電場(chǎng)作用下，發(fā)生旋轉(zhuǎn)或扭曲變化，允許或者阻止光線通過(guò)，并通過(guò)彩膜基板上的濾光層，顯示不同的顏色，最終顯示設(shè)定的圖像。
進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種顯示裝置，包括上述液晶顯示面板。其中，該顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯小器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。