技術(shù)特征：
1.一種DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其包括輸出電路、PWM控制器、誤差放大器、參考電壓產(chǎn)生電路、第一開關(guān)器件和測試模式電路，所述輸出電路包括功率開關(guān)，其用于在功率開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷控制下將一輸入電壓轉(zhuǎn)換為輸出電壓，并輸出該輸出電壓；所述參考電壓產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生并輸出可修調(diào)的參考電壓；所述誤差放大器的第一輸入端與所述參考電壓產(chǎn)生電路的輸出端相連，其第二輸入端與所述輸出電路的輸出端相連，所述誤差放大器的第二輸入端與所述輸出電路的輸出端之間的連接節(jié)點(diǎn)為反饋節(jié)點(diǎn)，所述誤差放大器用于將參考電壓與反饋節(jié)點(diǎn)的電壓的差值進(jìn)行放大，以生成并輸出誤差放大電壓；所述PWM控制器用于將所述誤差放大電壓與三角波信號進(jìn)行比較以生成并輸出脈寬調(diào)制信號，該脈寬調(diào)制信號用于控制所述輸出電路中的功率開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷；所述測試模式電路包括電源端、接地端、控制端和輸出端，其電源端與所述輸入電壓相連，其接地端與地節(jié)點(diǎn)相連，其控制端與所述誤差放大器的輸出端相連，其輸出端經(jīng)由所述第一開關(guān)器件與所述反饋節(jié)點(diǎn)相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第一開關(guān)器件在所述DC/DC轉(zhuǎn)換器處于測試模式下導(dǎo)通，在所述DC/DC轉(zhuǎn)換器處于非測試模式下關(guān)斷，當(dāng)所述DC/DC轉(zhuǎn)換器處于測試模式時(shí)，通過測量反饋節(jié)點(diǎn)FB的電壓得到修調(diào)測試電壓，基于修調(diào)測試電壓修調(diào)所述參考電壓產(chǎn)生電路輸出的參考電壓的大小，從而將修調(diào)測試電壓調(diào)整至目標(biāo)電壓，在所述DC/DC轉(zhuǎn)換器處于測試模式下時(shí)，所述參考電壓產(chǎn)生電路、所述誤差放大器、所述第一開關(guān)器件和所述測試模式電路構(gòu)成負(fù)反饋環(huán)路，該負(fù)反饋環(huán)路在反饋節(jié)點(diǎn)的電壓等于所述參考電壓產(chǎn)生電路輸出的參考電壓時(shí)穩(wěn)定。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述測試模式電路包括NMOS晶體管MN21和第一電流源I21，NMOS晶體管MN21的漏極與所述輸入電壓相連，其柵極與所述誤差放大器的輸出端相連，其源極與所述第一電流源I21的正極相連，所述第一電流源I21的負(fù)極與地節(jié)點(diǎn)相連，所述NMOS晶體管MN21和第一電流源I21之間的連接節(jié)點(diǎn)與所述第一開關(guān)器件的一個(gè)連接端相連，所述第一開關(guān)器件的另一個(gè)連接端與所述反饋節(jié)點(diǎn)相連。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述測試模式電路包括NMOS晶體管MN31、PMOS晶體管MP1、第一電流源I31和第二電流源I32，所述第二電流源I32的正極與所述輸入電壓連接，其負(fù)極與所述PMOS晶體管MP1的源極相連；PMOS晶體管MP1的柵極與所述誤差放大器的輸出端相連，其漏極與地節(jié)點(diǎn)相連，所述NMOS晶體管MN31的漏極與所述輸入電壓相連，其源極與所述第一電流源I31的正極相連，其柵極與PMOS晶體管MP1的源極相連；所述第一電流源I31的負(fù)極與地節(jié)點(diǎn)相連；所述NMOS晶體管MN31和第一電流源I31之間的連接節(jié)點(diǎn)與所述第一開關(guān)器件的一個(gè)連接端相連，所述第一開關(guān)器件的另一個(gè)連接端與所述反饋節(jié)點(diǎn)相連。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，PMOS晶體管MP1的閾值電壓的絕對值與NMOS晶體管MN31的閾值電壓接近或者相等。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述測試模式電路包括NMOS晶體管MN41、NMOS晶體管MN2、第一電流源I41和第二電流源I42，所述第二電流源I42的正極與所述輸入電壓連接，其負(fù)極與所述NMOS晶體管MN2的漏極相連；NMOS晶體管MN2的柵極與其漏極相連，NMOS晶體管MN2的源極與所述誤差放大器的輸出端相連；所述NMOS晶體管MN41的漏極與所述輸入電壓相連，其源極與所述第一電流源I41的正極相連，其柵極與NMOS晶體管MN2的柵極相連；所述第一電流源I41的負(fù)極與地節(jié)點(diǎn)相連；所述NMOS晶體管MN41和第一電流源I41之間的連接節(jié)點(diǎn)與所述第一開關(guān)器件的一個(gè)連接端相連，所述第一開關(guān)器件的另一個(gè)連接端與所述反饋節(jié)點(diǎn)相連。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，NMOS晶體管MN41的閾值電壓與NMOS晶體管MN2的閾值電壓接近或者相等。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其還包括有采樣電路，其輸入端連接于所述輸出電路的輸出端，其輸出端連接所述誤差放大器的第二輸入端，所述采樣電路的輸出端為所述反饋節(jié)點(diǎn)，其采樣所述輸出電路的輸出端的電壓得到反饋電壓，并輸出給所述誤差放大器的第二輸入端，所述輸出電路為升壓輸出電路或者降壓輸出電路，所述誤差放大器的第一輸入端為正相輸入端，其第二輸入端為負(fù)相輸入端。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述輸出電路為降壓輸出電路，其包括一個(gè)功率開關(guān)K1、二極管D1、電感L1和電容C1，所述功率開關(guān)K1、電感L1和電容C1依次串聯(lián)于所述輸入電壓和地節(jié)點(diǎn)之間，所述功率開關(guān)K1的控制端與所述PWM控制器的輸出端相連；二極管D1的正極與地節(jié)點(diǎn)相連，其負(fù)極與功率開關(guān)K1和電感L1之間的連接節(jié)點(diǎn)相連。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其還包括連接于反饋節(jié)點(diǎn)與地節(jié)點(diǎn)之間的電容C2，所述電容C2的電容值為0～20pF，所述二極管D1替換為另一個(gè)功率開關(guān)，該另一個(gè)功率開關(guān)的控制端也與所述PWM控制器的輸出端相連。