過(guò)零檢測(cè)電路及功率因數(shù)校正電路的制作方法
【專利摘要】提供了一種過(guò)零檢測(cè)電路及功率因數(shù)校正電路。所述過(guò)零檢測(cè)電路包括：變壓器，其包括初級(jí)繞組和次級(jí)繞組，次級(jí)繞組的第二端接地；限流電阻，其第一端與次級(jí)繞組的第一端連接；電壓轉(zhuǎn)換模塊，其輸入端與限流電阻的第二端連接；以及偏置電阻，其第一端與限流電阻的第二端連接，其第二端連接偏置電壓源。所述功率因數(shù)校正電路包括：所述過(guò)零檢測(cè)電路；以及控制開關(guān)，其第一端與電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸出端連接，其第二端與初級(jí)繞組的第二端連接，其第三端接地；其中，限流電阻的第二端的電壓低于第一電壓閾值時(shí)，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊輸出第一電壓以導(dǎo)通控制開關(guān)；在限流電阻的第二端的電壓高于第一電壓閾值時(shí)，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊輸出第二電壓以斷開控制開關(guān)。
【專利說(shuō)明】過(guò)零檢測(cè)電路及功率因數(shù)校正電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及功率因數(shù)校正【技術(shù)領(lǐng)域】，并且更具體地涉及一種過(guò)零檢測(cè)電路及功率因數(shù)校正電路。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，對(duì)電網(wǎng)的品質(zhì)要求越來(lái)越高，這相應(yīng)地對(duì)電氣產(chǎn)品的功率因數(shù)提出了更高的要求。功率因數(shù)校正通常可以分為有源功率因數(shù)校正(APFC)和無(wú)源功率因數(shù)校正(PPFC)。有源功率因數(shù)校正通?？梢圆捎门R界導(dǎo)通模式(CRM)和連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)，并且有源功率因數(shù)校正的控制方式通?？梢园ǚ逯惦娏骺刂品绞?、固定導(dǎo)通時(shí)間方式、以及固定頻率控制方式。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于小功率場(chǎng)合，諸如電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用中，經(jīng)常采用臨界導(dǎo)通模式。如在圖1中所示，示出了現(xiàn)有技術(shù)中一種升壓型有源功率因數(shù)校正電路的示意圖，其中，DBl為全波整流橋，Cl為第一電容，LI為升壓電感，Ql為控制開關(guān)，Dl為二極管，C2為儲(chǔ)能電容，Ui為有源功率因數(shù)校正控制芯片，其操作于臨界導(dǎo)通模式下并且采用峰值電流控制方式。為了簡(jiǎn)化描述，在圖1中沒(méi)有示出Ui的周邊元件。
[0004]如圖2所示，示出了圖1所示的升壓型有源功率因數(shù)校正電路在控制開關(guān)Ql導(dǎo)通時(shí)的示意圖，其中，用箭頭示出了電流方向，具體地，流過(guò)升壓電感LI的電流流過(guò)控制開關(guān)Q1，沒(méi)有電流流過(guò)二極管D1，在此階段中，升壓電感LI進(jìn)行儲(chǔ)能(即充電)，并且流過(guò)升壓電感LI的電流滿足以下公式:

【權(quán)利要求】
1.一種過(guò)零檢測(cè)電路，包括: 變壓器，其包括初級(jí)繞組和次級(jí)繞組，所述次級(jí)繞組的第二端接地； 限流電阻，其第一端與所述次級(jí)繞組的第一端連接； 電壓轉(zhuǎn)換模塊，其輸入端與所述限流電阻的第二端連接；以及 偏置電阻，其第一端與所述限流電阻的第二端連接，其第二端連接偏置電壓源； 其中，在所述限流電阻的第二端的電壓低于第一電壓閾值時(shí)，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊輸出第一電壓；在所述限流電阻的第二端的電壓高于所述第一電壓閾值時(shí)，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊輸出第二電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的過(guò)零檢測(cè)電路，其特征在于:所述初級(jí)繞組具有第一端和第二端，所述初級(jí)繞組的第一端與所述次級(jí)繞組的第二端為同名端。
3.如權(quán)利要求1所述的過(guò)零檢測(cè)電路，其中，所述初級(jí)繞組在充電時(shí)其第一端的電壓高于其第二端的電壓，并且在放電時(shí)其第一端的電壓低于其第二端的電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的過(guò)零檢測(cè)電路，其特征在于:所述第一電壓指示所述初級(jí)繞組的第一端的電壓高于所述初級(jí)繞組的第二端的電壓，所述第二電壓指示所述初級(jí)繞組的第一端的電壓低于所述初級(jí)繞組的第二端的電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的過(guò)零檢測(cè)電路，其特征在于:所述限流電阻的第二端的電壓VC滿足:
其中，VCC為所述偏置電壓源提供的偏置電壓，Rl為所述偏置電阻的電阻值，R2為所述限流電阻的電阻值，VA為所述次級(jí)繞組的第一端的電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的過(guò)零檢測(cè)電路，其特征在于:所述第一電壓閾值為小于或等于
贓極釀。
7.如權(quán)利要求1所述的過(guò)零檢測(cè)電路，其特征在于:所述電壓轉(zhuǎn)換模塊包括電壓比較器， 所述電壓比較器的同向輸入端連接所述限流電阻的第二端，所述電壓比較器的非同向輸入端接收所述第一電壓閾值，所述第一電壓為低電平，所述第二電壓為高電平；或者所述電壓比較器的非同向輸入端連接所述限流電阻的第二端，所述電壓比較器的同向輸入端接收所述第一電壓閾值，所述第一電壓為高電平，所述第二電壓為低電平。
8.一種功率因數(shù)校正電路，包括: 變壓器，其包括初級(jí)繞組和次級(jí)繞組，所述次級(jí)繞組的第二端接地； 限流電阻，其第一端與所述次級(jí)繞組的第一端連接； 電壓轉(zhuǎn)換模塊，其輸入端與所述限流電阻的第二端連接； 控制開關(guān)，其第一端與所述電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸出端連接，其第二端與所述初級(jí)繞組的第二端連接，其第三端接地；以及 偏置電阻，其第一端與所述限流電阻的第二端連接，其第二端連接偏置電壓源； 其中，在所述限流電阻的第二端的電壓低于第一電壓閾值時(shí)，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸出端輸出第一電壓，以導(dǎo)通所述控制開關(guān)；在所述限流電阻的第二端的電壓高于所述第一電壓閾值時(shí)，所述電壓轉(zhuǎn)換模塊的輸出端輸出第二電壓，以斷開所述控制開關(guān)。
9.如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其特征在于:所述初級(jí)繞組具有第一端和第二端，所述初級(jí)繞組的第一端與所述次級(jí)繞組的第二端為同名端。
10.如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其特征在于:所述初級(jí)繞組在充電時(shí)其第一端的電壓高于其第二端的電壓，并且在放電時(shí)其第一端的電壓低于其第二端的電壓。
11.如權(quán)利要求10所述的功率因數(shù)校正電路，其特征在于:所述第一電壓指示所述初級(jí)繞組的第一端的電壓高于所述初級(jí)繞組的第二端的電壓，所述第二電壓指示所述初級(jí)繞組的第一端的電壓低于所述初級(jí)繞組的第二端的電壓。
12.如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其特征在于:所述限流電阻的第二端的電壓VC滿足:
其中，VCC為所述偏置電壓源提供的偏置電壓，Rl為所述偏置電阻的電阻值，R2為所述限流電阻的電阻值，VA為所述次級(jí)繞組的第一端的電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的功率因數(shù)校正電路，其特征在于:所述第一電壓閾值為小于
14.如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其特征在于:所述電壓轉(zhuǎn)換模塊包括電壓比較器， 所述電壓比較器的同向輸入端連接所述限流電阻的第二端，所述電壓比較器的非同向輸入端接收所述第一電壓閾值，所述第一電壓為低電平，所述第二電壓為高電平，所述控制開關(guān)為PMOS管；或者 所述電壓比較器的非同向輸入端連接所述限流電阻的第二端，所述電壓比較器的同向輸入端接收所述第一電壓閾值，所述第一電壓為高電平，所述第二電壓為低電平，所述控制開關(guān)為NMOS管。
15.如權(quán)利要求8所述的功率因數(shù)校正電路，其特征在于:所述電壓轉(zhuǎn)換模塊為操作于臨界導(dǎo)通模式的并且使用峰值電流控制方式的有源功率因數(shù)校正集成芯片。
16.如權(quán)利要求15所述的功率因數(shù)校正電路，其特征在于:所述有源功率因數(shù)校正集成芯片為以下至少之一:美國(guó)摩托羅拉公司的MC33262專用集成控制芯片，美國(guó)意法ST半導(dǎo)體公司的L6561/L6562/6562A專用集成控制芯片，美國(guó)仙童公司的FAN7527/FAN7528專用集成控制芯片，西門子公司的TDA4817/TDA4862專用集成控制芯片，以及昂寶電子公司的SN03A專用集成控制芯片。
【文檔編號(hào)】H02M1/42GK203858288SQ201320869463
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】李志峰, 余世偉 申請(qǐng)人:歐普照明股份有限公司