一種充電器防反接電路和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種充電器防反接電路，包括三極管Q1、可控硅Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第四電阻R4，其中，所述三極管Q1的發(fā)射極與電壓輸入端的正極相連，該三極管Q1的發(fā)射極與所述第三電阻R3的一端連接；所述三極管Q1的基極分別與所述第三電阻R3的另一端和所述第四電阻R4的一端連接；所述三極管Q1的集電極與所述第一電阻R1的一端連接。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種電子設(shè)備。采用本發(fā)明，能有效地降低電路的功耗。
【專利說明】 一種充電器防反接電路和電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電源領(lǐng)域，尤其涉及一種充電器防反接電路和電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]反接是指電源適配器正負(fù)極接反的情況，一般防止反接的辦法是在電路中加二極管，利用二極管的單向?qū)щ姷奶匦远种品聪螂娏鞯牧鬟^，但是采用這種方法時(shí)，二極管上會(huì)有壓降的損耗，該損耗會(huì)隨著電流的增加而增大，在電流較大的電路中，有可能會(huì)因?yàn)閴航堤蠖斐呻娐诽幱谇穳旱那闆r。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)，這種接法簡(jiǎn)單可靠，但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A，選取額定管壓降為0.7V 二極管，那么功耗至少也要達(dá)到2AX0.7V= 1.4W，這種反接電路效率低，功耗大。另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣?，這樣電路就永遠(yuǎn)有正確的極性。這些方案的缺點(diǎn)是，二極管上的壓降會(huì)消耗能量，在輸入電流額定值為2A和選取的二極管的管壓降為0.7V時(shí)，功耗為2X2AX0.7V = 2.8W，同樣存在著功耗過大的問題。
[0004]因此，現(xiàn)有的防反接電路存在壓降大、損耗大和電路的效率低的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種充電器防反接電路和電子設(shè)備。可解決現(xiàn)有技術(shù)中防反接電路存在壓降大、損耗大和電路的效率低的問題。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種充電器防反接電路，包括:
[0007]包括三極管Q1、可控硅Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第四電阻R4，其中，
[0008]所述三極管Ql的發(fā)射極與電壓輸入端的正極相連，該三極管Ql的發(fā)射極與所述第三電阻R3的一端連接；
[0009]所述三極管Ql的基極分別與所述第三電阻R3的另一端和所述第四電阻R4的一端連接；
[0010]所述三極管Ql的集電極與所述第一電阻Rl的一端連接；
[0011]所述可控硅Q2的控制極分別與所述第一電阻Rl的另一端和所述第二電阻R2的一端連接；
[0012]所述可控硅Q2的K極分別與所述第二電阻R2的另一端和電壓輸入端的負(fù)極連接；
[0013]所述可控硅Q2的A極分別與所述第四電阻R4的另一端和大地連接；
[0014]電壓輸出端的正極與電壓輸入端的正極連接，所述電壓輸出端的負(fù)極接地。
[0015]其中，還包括一個(gè)發(fā)光二極管Dl，所述發(fā)光二極管Dl的陰極與所述三極管Ql的發(fā)射極連接，該發(fā)光二極管Dl的陽(yáng)極與所述電壓輸入端的正極連接。
[0016]其中，所述可控硅Q2為雙向可控硅。
[0017]其中，所述三極管Ql為MOS金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。
[0018]其中，所述第一電阻Rl和第二電阻R2的阻值相等。
[0019]其中，所述可控硅Q2帶有一個(gè)金屬散熱片，該可控硅和金屬散熱片之間的間隙使用散熱骨填充。
[0020]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，包括上述的防反接電路。
[0021]其中，所述防反接電路的元器件被單獨(dú)固定在一塊線路板上。
[0022]其中，所述防反接電路的元器件的表面被噴涂有一層三防漆。
[0023]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有如下有益效果:
[0024]實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例，利用三級(jí)管的截止和導(dǎo)通功能，使得電壓輸出端的電池在反接時(shí)無電壓輸出，從而保護(hù)了電池的損壞，提高了電池的使用壽命，同時(shí)，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的一種充電器防反接電路的電路圖；
[0027]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的一種充電器防反接電路的裝配示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0029]參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例的一種充電器防反接電路的電路圖(以下簡(jiǎn)稱防反接電路)，該防反接電路包括:
[0030]三極管Ql、可控硅Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第四電阻R4，上述元器件的連接關(guān)系為:三極管Ql的發(fā)射極分別與電壓輸入端的正極和第三電阻R3的一端連接，優(yōu)選的，三極管 Ql 為 MOS(Metal-Oxide_Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱M0S)管，由于MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻極低，損耗極小，極大提高了電路的效率。三極管Ql的基極分別與第三電阻R3的另一端和第四電阻R4的一端連接，三極管Ql的集電極與第一電阻Rl的一端連接；可控娃Q2的控制極分別與第一電阻Rl的另一端和第二電阻R2的一端連接，可控硅Q2的A極分別與第四電阻R4的另一端和大地連接，可控硅Q2的K極分別與第二電阻R2的另一端和電壓輸入端的負(fù)極連接，電壓輸出端的正極與電壓輸入端的正極連接，電壓輸出端的負(fù)極與大地連接。在本發(fā)明實(shí)施例中，電壓輸入端輸入的電壓為直流電壓，電壓輸出端連接有電池，電壓輸入端輸入的直流電壓通過該防反接電路將電壓加載到該電池兩端，以防止電池的正負(fù)極反接而造成電池的損壞。
[0031]進(jìn)一步的，該防反接電路還包括一個(gè)發(fā)光二極管D1，用于指示負(fù)載的正負(fù)極是否連接錯(cuò)誤，該發(fā)光二極管Dl的陰極與三極管Ql的發(fā)射極連接，其陽(yáng)極與電壓輸入端的正極連接。
[0032]該防反接電路的工作原理為:當(dāng)電路的電壓輸出端空載時(shí)，三極管Ql的基極偏置電阻(圖中的偏置電阻第三電阻R3和第四電阻R4)因沒有回路而使三極管Ql出于截至狀態(tài)，可控硅Q2也因其控制極沒有電流觸發(fā)而出于截止?fàn)顟B(tài)，該電路的電壓輸出端斷開而無電壓輸出，發(fā)光二極管Dl不發(fā)光。
[0033]當(dāng)電池反接時(shí)，三極管Ql的發(fā)射極反向偏壓使其出于截止?fàn)顟B(tài)，同樣可控硅也出于截止?fàn)顟B(tài)，電壓輸出端輸出無電壓輸出，發(fā)光二極管Dl不發(fā)光。
[0034]當(dāng)電壓輸出端連接正確時(shí)，三極管Ql的發(fā)射極正向偏置使其導(dǎo)通狀態(tài)，電壓經(jīng)三極管Ql的集電極、第一電阻Rl和第二電阻R2至地，第一電阻Rl和第二電阻R2的分壓使可控硅導(dǎo)通，優(yōu)選的，第一電阻Rl和第二電阻R2的阻值相等。這樣，電壓輸入端和電壓輸出端的負(fù)極就通過可控硅Q2的A極和K極連通，使電壓正常輸出，同時(shí)發(fā)光二極管Dl發(fā)光，從而實(shí)現(xiàn)防反接功能。其中，優(yōu)選的，該可控硅Q2為雙向可控硅。
[0035]參見圖2，為本發(fā)明的一種充電器防反接電路的裝配示意圖，圖2中包括防反接電路I和線路板2，防反接電路I的元器件單獨(dú)的固定在線路板2上，同時(shí)在線路板2的兩端引出4個(gè)引腳，左邊的為2個(gè)電壓輸入引腳，右邊的位電壓輸出引腳。防反接電路I的可控硅Q2帶有一個(gè)金屬散熱片，二者之間的間隙使用散熱膏填充，這樣可以有效的將可控硅多余的熱量散發(fā)出去，防止元器件溫度過高而失效，提高了電路的可靠性，同時(shí)該防反接電路的元器件表明噴涂有一層三防漆，保護(hù)線路板及其相關(guān)設(shè)備免受環(huán)境的侵蝕，從而提高并延長(zhǎng)它們的使用壽命，確保使用的安全性和可靠性。
[0036]實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例，利用三級(jí)管的截止和導(dǎo)通功能，使得電壓輸出端的電池在反接時(shí)無電壓輸出，從而保護(hù)了電池的損壞，提高了電池的使用壽命，同時(shí)，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
[0037]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種充電器防反接電路，其特征在于，包括三極管Q1、可控硅Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第四電阻R4，其中， 所述三極管Ql的發(fā)射極與電壓輸入端的正極相連，該三極管Ql的發(fā)射極與所述第三電阻R3的一端連接； 所述三極管Ql基極分別與所述第三電阻R3的另一端和所述第四電阻R4的一端連接； 所述三極管Ql的集電極與所述第一電阻Rl的一端連接； 所述可控硅Q2的控制極分別與所述第一電阻Rl的另一端和所述第二電阻R2的一端連接； 所述可控硅Q2的K極分別與所述第二電阻R2的另一端和電壓輸入端的負(fù)極連接； 所述可控硅Q2的A極分別與所述第四電阻R4的另一端和地線連接； 電壓輸出端的正極與電壓輸入端的正極連接，所述電壓輸出端的負(fù)極接地。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，還包括一個(gè)發(fā)光二極管Dl，所述發(fā)光二極管Dl的陰極與所述三極管Ql的發(fā)射極連接，該發(fā)光二極管Dl的陽(yáng)極與所述電壓輸入端的正極連接。
3.如權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述可控硅Q2為雙向可控硅。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的電路，其特征在于，所述三極管Ql為MOS金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。
5.如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述第一電阻Rl和第二電阻R2的阻值相坐寸ο
6.如權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述可控硅Q2帶有一個(gè)金屬散熱片，該可控硅和金屬散熱片之間的間隙使用散熱膏填充。
7.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的防反接電路。
8.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述防反接電路的元器件被單獨(dú)固定在一塊線路板上。
9.如權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述防反接電路的元器件的表面被噴涂有一層三防漆。
【文檔編號(hào)】H02H7/18GK104052029SQ201310082787
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】周明杰, 管偉芳 申請(qǐng)人:深圳市海洋王照明工程有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司