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變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置制造方法

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變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,能正確檢測(cè)系統(tǒng)事故中過(guò)渡產(chǎn)生的高頻分量,并能正確測(cè)算中心導(dǎo)體的電壓波形的反饋。變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置在變電設(shè)備的中心導(dǎo)體(1)和箱體(3)之間設(shè)置中間電極(2)來(lái)構(gòu)成分壓部,基于分壓部的電壓(E2)檢測(cè)中心導(dǎo)體(1)的電壓(E1),該變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置包括:具有與由中心導(dǎo)體(1)和中間電極(2)之間的懸浮靜電電容(11)、中間電極(2)和箱體(3)之間的對(duì)地靜電電容(12)、以及與所述對(duì)地靜電電容(12)并聯(lián)連接的分壓電阻(13)形成的高通濾波器(100的輸入輸出電壓振幅比-頻率的特性相反的特性的不完全積分電路(20);以及將基于不完全積分電路(20)的輸出電壓(E3)的值作為中心導(dǎo)體(1)的電壓(E1)輸出的信號(hào)處理電路(4)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,該電壓檢測(cè)裝置在如氣體絕緣開(kāi)關(guān)裝置(GIS)等變電裝置的中心導(dǎo)體和箱體之間,設(shè)置中間電極構(gòu)成分壓部,通過(guò)該分壓部的電壓測(cè)定中心導(dǎo)體的電壓。

【背景技術(shù)】
[0002]以往,GIS等變電設(shè)備中,在中心導(dǎo)體和箱體之間設(shè)置中間電極構(gòu)成分壓部,通過(guò)該分壓部的電壓檢測(cè)中心導(dǎo)體的電壓。在這樣的變電設(shè)備用的電壓檢測(cè)器中,中心導(dǎo)體和中間電極之間的懸浮靜電電容以及中心導(dǎo)體和箱體之間的對(duì)地靜電電容,和對(duì)地靜電電容并聯(lián)連接的二次電阻形成高通濾波器,由于分壓部的輸出波形為中心導(dǎo)體電壓波形的時(shí)間微分波形,與主導(dǎo)體上發(fā)生的一次電壓的時(shí)間微分成比例的電壓信號(hào)從輸出端子獲得,通過(guò)將該信號(hào)積分處理得到與一次電壓成比例的電壓信號(hào),通過(guò)對(duì)該電壓信號(hào)進(jìn)行模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換,得到與一次電壓成比例的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(例如,專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0003]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利特開(kāi)2004-347397號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0004]在采用上述現(xiàn)有技術(shù)檢測(cè)變電設(shè)備的中心導(dǎo)體的電壓的情況下,一般由于構(gòu)成分壓部的中間電極的電壓值達(dá)到數(shù)kV,因此需要像前述那樣設(shè)置二次電阻,將中間電極的電壓值降低到可輸入電壓檢測(cè)器的水平。另外,為了抑制由中心導(dǎo)體上發(fā)生浪涌產(chǎn)生的異常電壓,一般安裝有與上述二次電阻并聯(lián)的浪涌保護(hù)用電容。
[0005]然而,在采用上述現(xiàn)有技術(shù)的情況下,由于附加浪涌保護(hù)用電容,因而對(duì)地靜電電容增加,高通濾波器的截止頻率降低,后段的積分處理會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)事故等中過(guò)渡發(fā)生的高頻分量衰減,可能會(huì)出現(xiàn)無(wú)法正確測(cè)算中心導(dǎo)體的電壓波形反饋的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的,其目的在于提供一種變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,能正確檢測(cè)系統(tǒng)事故中過(guò)渡發(fā)生的高頻分量,并能正確測(cè)算中心導(dǎo)體的電壓波形的反饋。
解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案
[0007]為了解決上述課題,達(dá)到目的,本發(fā)明涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置在變電設(shè)備的中心導(dǎo)體和箱體之間設(shè)置中間電極來(lái)構(gòu)成分壓部,基于所述分壓部的電壓檢測(cè)所述中心導(dǎo)體的電壓,該變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置的特征在于,包括:具有與由所述中心導(dǎo)體和所述中間電極之間的懸浮靜電電容、所述中間電極和所述箱體之間的對(duì)地靜電電容、以及與所述對(duì)地靜電電容并聯(lián)連接的分壓電阻形成的高通濾波器的輸入輸出電壓振幅比-頻率特性相反的特性的不完全積分電路;以及將基于所述不完全積分電路的輸出電壓的值作為所述中心導(dǎo)體的電壓來(lái)輸出的信號(hào)處理電路。
發(fā)明效果
[0008]根據(jù)本發(fā)明,具有能正確檢測(cè)系統(tǒng)事故中過(guò)渡發(fā)生的高頻分量、并能正確測(cè)算中心導(dǎo)體的電壓波形的反饋的效果。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是示出以往的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置的一個(gè)構(gòu)成例的圖。
圖2是示出圖1中示出的現(xiàn)有例涉及的各部特性例的圖。
圖3是示出實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置的一個(gè)構(gòu)成例的圖。
圖4是示出實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置中的各部特性例的圖。
圖5是示出實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置中的不完全積分電路的輸出特性的一例的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010]參照以下附圖,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓信號(hào)檢測(cè)裝置進(jìn)行說(shuō)明。另外,本發(fā)明不限定于以下的實(shí)施方式。
[0011]實(shí)施方式
圖1是示出以往的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置的一個(gè)構(gòu)成例的圖。圖1中示出的一例中,在GIS的中心導(dǎo)體I和箱體3之間設(shè)置中間電極21來(lái)構(gòu)成分壓部,基于分壓部的電壓(以下稱(chēng)為分壓部電壓)E2檢測(cè)中心導(dǎo)體I的電壓(以下稱(chēng)為“中心導(dǎo)體電壓”)E1。
[0012]由中心導(dǎo)體I和中間電極2之間的懸浮靜電電容11、中間電極2和箱體3之間的對(duì)地靜電電容12、以及與對(duì)地靜電電容12并聯(lián)連接的分壓電阻13形成高通濾波器100。
[0013]分壓部電壓E2被模擬電路5捕捉到,由A/D轉(zhuǎn)換器6轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)后,在微機(jī)7內(nèi)部通過(guò)數(shù)字化處理被完全積分,轉(zhuǎn)換為與中心導(dǎo)體電壓El成比例的數(shù)據(jù),向上位裝置10傳送。信號(hào)處理電路4包括上述模擬電路5、A/D轉(zhuǎn)換器6、以及微機(jī)7。
[0014]圖2是示出圖1中示出的現(xiàn)有例涉及的各部特性例的圖。圖2(a)是示出了以頻率的對(duì)數(shù)為橫軸、以高通濾波器100的輸入輸出電壓振幅比為縱軸的圖。另外,圖2(b)是示出了以頻率的對(duì)數(shù)為橫軸、以完全積分處理前后的電壓振幅比為縱軸的圖。另外,圖2 (C)是示出了以頻率的對(duì)數(shù)為橫軸、以信號(hào)處理電路4的輸入輸出電壓振幅為縱軸的圖。
[0015]設(shè)懸浮靜電電容11的電容值為Cl,對(duì)地靜電電容12的電容值為C2,則變成一般Cl:C2 = 1:10程度的比例。在這里,如果假定沒(méi)有分壓電阻13,分壓部電壓E2通過(guò)下述
(I)式表示。
[0016]E2 = (C1/(C1+C2)) XEl…(I)
[0017]在上述(I)式中,例如,設(shè)Cl = l[pF]、C2= 10[pF]、El = 132/ V 3 [kVrms],貝丨JE2 = (1/11) X (132/ V 3) N 7 [kVrms]。通常電子電路可處理的電壓值為幾V?幾十V左右,因此,為了使分壓部電壓E2達(dá)到一般的電子電路能處理的電壓值,需要將分壓電阻13與對(duì)地靜電電容12并聯(lián)連接來(lái)調(diào)整分壓比。
[0018]在設(shè)置分壓電阻13的情況下,如所述那樣由懸浮靜電電容11、對(duì)地靜電電容12、以及分壓電阻13形成高通濾波器100。這時(shí),分壓部電壓E2表示為下述(2)式(其中,ω=2X Ji Xf),高通濾波器100的截止頻率fI表示為下述(3)式。
[0019]E2 = ω XClXRl/ V (1+(ω X (C1+C2) XRl)2) X |El 卜.(2) fl = 1/(2X 3i XRlX (C1+C2))…(3)
[0020]由此,高通濾波器100的輸入輸出電壓振幅比-頻率特性如圖2(a)所示,形成了截止頻率f I以上的高頻帶寬成為通頻帶、在截止頻率f I以下、輸入輸出電壓振幅比相對(duì)于頻率的對(duì)數(shù)增加呈單調(diào)增加的特性。另一方面,完全積分處理前后的電壓振幅比-頻率特性如圖2(b)所述,形成輸入輸出電壓振幅比相對(duì)于頻率的對(duì)數(shù)增加呈單調(diào)減少的特性(這里,在比抽樣頻率+2高的頻帶上反復(fù)出現(xiàn)極大.極小)。因此,由微機(jī)7完全積分處理輸出的信號(hào)處理電路4的輸出電壓振幅-頻率特性如圖2(c)所示,高通濾波器100的截止頻率fl以上的高頻帶呈現(xiàn)衰減特性。
[0021]在這里,例如,中心導(dǎo)體電壓El的額定頻率為50 [Hz],用于使該額定頻率(在這里為50 [Hz])下的分壓部電壓E2約為l[Vrms]的分壓電阻13的電阻值Rl通過(guò)上述⑵式得到約為42 [k Ω ]。這時(shí),高通濾波器100的截止頻率f I通過(guò)上述(3)式得到約為345 [kHz]。由于系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡發(fā)生的高頻分量為數(shù)[kHz]?10[kHz]的程度,因此在這種情況下,能正確檢測(cè)系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡發(fā)生的高頻分量,而不受高通濾波器100的截止頻率Π影響。
[0022]另一方面,在GIS內(nèi)的未圖示的斷路器等的開(kāi)關(guān)設(shè)備操作時(shí),會(huì)產(chǎn)生具有數(shù)[MHz]?100[MHz]程度的頻率分量的浪涌。為了抑制由該中心導(dǎo)體I上發(fā)生浪涌產(chǎn)生的異常電壓,一般安裝有與分壓電阻13并聯(lián)的浪涌保護(hù)用電容(圖中未示出)。該浪涌保護(hù)用電容的電容值為例如3900[pF]的程度,在將該浪涌保護(hù)用電容的電容值(在這里,例如有3900[pF])疊加到對(duì)地靜電電容12的電容值C2的情況下,高通濾波器100的截止頻率fl由上述(3)式得到約為I [kHz]。在這種情況,受到高通濾波器100的截止頻率fI的影響,系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡發(fā)生的高頻分量(數(shù)[kHz]?10 [kHz]的程度)衰減而無(wú)法被正確檢測(cè)。即,根據(jù)浪涌保護(hù)用電容的電容值的不同,可能會(huì)出現(xiàn)中心導(dǎo)體I的電壓波形的反饋無(wú)法被正確地檢測(cè)的情況。
[0023]并且,分壓部電壓E2的電壓振幅由于高通濾波器100的特性而增大到高頻程度,因此,電壓信號(hào)的高頻分量可能會(huì)在模擬電路5的電源電壓下飽和。
[0024]接下來(lái),參照?qǐng)D3和圖4對(duì)實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖3是示出實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置的一個(gè)構(gòu)成例的圖。另外,圖4是示出實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置中的各部特性例的圖。
[0025]圖4 (a)是示出了以頻率的對(duì)數(shù)為橫軸、以高通濾波器100的輸入輸出電壓振幅比為縱軸的圖。另外,圖4(b)是示出了以頻率的對(duì)數(shù)為橫軸、以不完全積分電路20的輸入輸出電壓振幅比為縱軸的圖。另外,圖4(c)是示出了以頻率的對(duì)數(shù)為橫軸、以向信號(hào)處理電路4的輸出電壓振幅為縱軸的圖。
[0026]如圖3所示,實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置中,在信號(hào)處理電路4的前段上包括具有與高通濾波器100的輸入輸出電壓振幅比-頻率特性相反的特性的模擬不完全積分電路(以下,簡(jiǎn)稱(chēng)為“不完全積分電路”)20,向信號(hào)處理電路4的輸出電壓振幅-頻率特性(參照?qǐng)D4(c))在高通濾波器100的截止頻率Π的前后呈平坦性。另外,本實(shí)施方式中,不實(shí)施通過(guò)微機(jī)7的完全積分處理。
[0027]不完全積分電路20包括:正側(cè)輸入端子與箱體3連接的運(yùn)算放大器21、與運(yùn)算放大器21的負(fù)側(cè)輸入端子連接的輸入電阻22、與運(yùn)算放大器21的負(fù)側(cè)輸入端子和輸出端子之間連接的反饋電容23、與輸入電阻22并聯(lián)連接的輸入電容24。另外,與圖3示出的不完全積分電路20的反饋電容23并聯(lián)連接的飽和防止電阻25用于防止不完全積分電路的輸出電壓達(dá)到電路電源電壓的上限,該飽和防止電阻25的有無(wú)在本發(fā)明中不作限定。
[0028]不完全積分電路20在沒(méi)有輸入電容24的狀態(tài)下成為完全積分電路,如圖4(b)中的虛線所示,和圖2(b)中示出的完全積分處理前后的電壓振幅比-頻率特性相同,呈現(xiàn)輸入輸出電壓振幅比相對(duì)于頻率的對(duì)數(shù)增加而單調(diào)減少的特性。通過(guò)在該完全積分電路上附加輸入電容24,形成不完全積分電路20,該不完全積分電路20的輸入輸出電壓振幅比-頻率特性如圖4(b)中的實(shí)線所示,呈現(xiàn)在頻率f2以上的高頻帶平坦的特性。這時(shí),設(shè)輸入電阻22的電阻值為R2,輸入電容24的電容值為C3,反饋電容23的電容值為C4,不完全積分電路20的輸出電壓E3如下述⑷式所表示(其中,ω = 2X π父0,頻率€2如下述(5)式所表示。
[0029]Ε3 = (( V (1+(ω XC3XR2)2))/ω XC4XR2)) X |Ε2| — (4) f2 = I/(2 X π XR2XC3)…(5)
[0030]在這里,如圖4(c)所示,為使向信號(hào)處理電路4的輸出電壓振幅-頻率特性呈平坦性,使fl = f2即可。由上述(3)式和上述(5)式,得到下述(6)式。
[0031]RlX (C1+C2) = R2XC3…(6)
[0032]通過(guò)把上述(2)式和上述(6)式帶入上述(4)式,不完全積分電路20的輸出電壓E3表示為下述(7)式。
[0033]IE3 I = ((Cl/(C1+C2)) X (C3/C4)) X | El |...(7)
[0034]如上述(J)式所示,向信號(hào)處理電路4的輸出電壓振幅-頻率特性呈現(xiàn)不依賴(lài)頻率的平坦特性。而且,輸出到信號(hào)處理電路4的不完全積分電路20的輸出電壓E3在模擬電路5中被轉(zhuǎn)換為與中心導(dǎo)體電壓El成比例的模擬值,并由A/D轉(zhuǎn)換器6轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù),通過(guò)微機(jī)7向上位裝置10輸出。由此,能正確檢測(cè)系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡發(fā)生的高頻分量而不受高通濾波器100的截止頻率fl的影響,能正確檢測(cè)中心導(dǎo)體I的電壓波形的反饋。
[0035]另外,向信號(hào)處理電路4的輸出電壓振幅-頻率特性呈平坦性的頻帶至少包括中心導(dǎo)體電壓El的額定頻率(例如,50Hz)和高通濾波器100的截止頻率fl,是能正確檢測(cè)系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡發(fā)生的高頻分量的規(guī)定頻帶即可。
[0036]圖5是示出實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置中的不完全積分電路的輸出特性的一例的圖。圖5所示例中,示出了以頻率的對(duì)數(shù)為橫軸、以輸出電壓振幅和相位為縱軸。圖5中,實(shí)線示出的是具有輸入電容24的情況下的輸出電壓振幅-頻率特性,虛線示出的是具有輸入電容24的情況下的相位-頻率特性,單點(diǎn)劃線表示的是不具有輸入電容24的情況下的輸出電壓振幅-頻率特性,雙點(diǎn)劃線表示的是不具有輸入電容24的情況下的相位-頻率特性。
[0037]如圖5所示,不具有輸入電容24的情況下,S卩,圖1中示出的如現(xiàn)有例那樣的構(gòu)成完全積分電路的情況下,輸出電壓振幅-頻率特性呈平坦性的頻帶較窄,包含系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡發(fā)生的高頻分量的頻帶(數(shù)[kHz]?10[kHz]的程度)衰減。
[0038]另一方面,具有輸入電容24的情況下,S卩,本實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用的電壓檢測(cè)裝置中,在到包含系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡發(fā)生的高頻分量的頻帶為止,輸出電壓振幅-頻率特性呈平坦性。
[0039]另外,和輸出電壓振幅-頻率特性相同,在具有輸入電容24的情況下,即,本實(shí)施形態(tài)涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置與不具有輸入電容24的情況、即圖1示出的現(xiàn)有例那樣構(gòu)成完全積分電路的情況相比,相位-頻率特性呈平坦性的頻帶向高頻側(cè)擴(kuò)大。
[0040]通過(guò)如上述那樣具有和完全積分電路的輸入電阻(圖1中示出的輸入電阻22)并聯(lián)的輸入電容24,且包括具有與高通濾波器100的輸入輸出電壓振幅比-頻率特性相反的特性的不完全積分電路20,能使輸出電壓振幅-頻率特性和相位-頻率特性呈平坦性的頻帶向高頻側(cè)擴(kuò)大。
[0041]而且,由于不完全積分電路20設(shè)置在信號(hào)處理電路4的前段,因此高頻分量的電壓信號(hào)也不會(huì)在模擬電路5的電源電壓下飽和。
[0042]另外,對(duì)于分壓電阻13和與分壓電阻13并聯(lián)安裝的浪涌保護(hù)用電容(圖中未示出),其可以作為實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置的構(gòu)成要素,也可以將該分壓電阻13和浪涌保護(hù)用電容安裝在實(shí)施方式涉及的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置的外部。另外,也可以不具有浪涌保護(hù)用電容。
[0043]如以上說(shuō)明的那樣,實(shí)施形態(tài)的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置中,在信號(hào)處理電路的前段具備不完全積分電路,該不完全積分電路具有與由中心導(dǎo)體和中間電極之間的懸浮靜電電容、中間電極和箱體之間的對(duì)地靜電電容、以及與對(duì)地靜電電容并聯(lián)連接的分壓電阻形成的高通濾波器的輸入輸出電壓振幅比-頻率的特性相反的特性,對(duì)信號(hào)處理電路的輸出電壓振幅-頻率特性在高通濾波器的截止頻率的前后呈平坦性,因此,能正確地檢測(cè)出系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡發(fā)生的高頻分量,而與高通濾波器的截止頻率無(wú)關(guān),能正確地測(cè)算中心導(dǎo)體的電壓波形的反饋。
[0044]另外,由于不完全積分電路設(shè)置在信號(hào)處理電路的前段,因此高頻分量的電壓信號(hào)不會(huì)在模擬電路的電源電壓下飽和。
[0045]另外,上述實(shí)施方式說(shuō)明了在信號(hào)處理電路中將不完全積分電路的輸出電壓E3轉(zhuǎn)換為與中心導(dǎo)體電壓El成比例的模擬值、且將該模擬值轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)輸出的例子,但也可以將不完全積分電路的輸出電壓E3輸出到上位裝置,還可以將不完全積分電路的輸出電壓E3轉(zhuǎn)換為與中心導(dǎo)體電壓El成比例的模擬值,將該模擬值輸出到上位裝置。
[0046]另外,以上的實(shí)施方式示出的結(jié)構(gòu)為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的一例,當(dāng)然也可以與其它現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行組合,也可以在不偏離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)部分省略等來(lái)進(jìn)行變更。
[標(biāo)號(hào)說(shuō)明]
[0047]I 中心導(dǎo)體 2中間電極
3箱體
4信號(hào)處理電路 5模擬電路 6 A/D轉(zhuǎn)換器 7微機(jī) 10上位裝置 11懸浮靜電電容12對(duì)地靜電電容13分壓電阻20模擬不完全積分電路21運(yùn)算放大器22輸入電阻23反饋電容24輸入電容25飽和防止電阻100高通濾波器
【權(quán)利要求】
1.一種變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,在變電設(shè)備的中心導(dǎo)體和箱體之間設(shè)置中間電極構(gòu)成分壓部,基于所述分壓部的電壓檢測(cè)所述中心導(dǎo)體的電壓,該變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置的特征在于,包括: 由與所述中心導(dǎo)體和所述中間電極之間的懸浮靜電電容、所述中間電極和所述箱體之間的對(duì)地靜電電容、以及與所述對(duì)地靜電電容并聯(lián)連接的分壓電阻形成的高通濾波器的輸入輸出電壓振幅比-頻率特性相反的特性的不完全積分電路;以及 將基于所述不完全積分電路的輸出電壓的值作為所述中心導(dǎo)體的電壓輸出的信號(hào)處理電路。
2.如權(quán)利要求1所述的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述信號(hào)處理電路將所述不完全積分電路的輸出電壓轉(zhuǎn)換為與所述中心導(dǎo)體的電壓成比例的模擬值來(lái)輸出。
3.如權(quán)利要求1所述的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述信號(hào)處理電路將所述不完全積分電路的輸出電壓轉(zhuǎn)換為與所述中心導(dǎo)體的電壓成比例的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)輸出。
4.如權(quán)利要求1所述的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述不完全積分電路在至少包括所述中心導(dǎo)體的電壓的額定頻率和所述高通濾波器的截止頻率、且能正確檢測(cè)出系統(tǒng)事故時(shí)過(guò)渡產(chǎn)生的高頻分量的規(guī)定頻帶中,具有與所述高通濾波器的輸入輸出電壓振幅比-頻率的特性相反的特性。
5.如權(quán)利要求1所述的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述不完全積分電路,包括: 正側(cè)輸入端子與所述箱體連接的運(yùn)算放大器; 與所述運(yùn)算放大器的負(fù)側(cè)輸入端子連接的輸入電阻; 連接在所述運(yùn)算放大器的負(fù)側(cè)輸入端子和輸出端子之間連接的反饋電容;以及 與所述輸入電阻并聯(lián)連接的輸入電容。
6.如權(quán)利要求5所述的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,其特征在于,若設(shè)所述懸浮靜電電容的電容值為Cl,所述對(duì)地靜電電容的電容值為C2,所述分壓電阻的電阻值為Rl,所述輸入電阻的電阻值為R2,所述輸入電容的電容值為C3,則滿足RlX (C1+C2) = R2XC3。
7.如權(quán)利要求1所述的變電設(shè)備用電壓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述對(duì)地靜電電容包括浪涌保護(hù)用電容,該浪涌保護(hù)用電容抑制由所述中心導(dǎo)體產(chǎn)生的浪涌所引起的異常電壓。
【文檔編號(hào)】H02B13/02GK104380121SQ201280073652
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月1日
【發(fā)明者】松元大悟, 藤井茂雄 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社
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