專利名稱：Slic芯片保護電路及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到SLIC(Subscriber Line Interface Circuit，用戶線接口電路芯片)保護技術(shù)，特別涉及到一種SLIC芯片保護電路及裝置。
背景技術(shù)：
SLIC芯片可提供支持話機的模擬接口，通常為RJ11，可以直接連接電話機等設(shè)備。SLIC芯片以其高度集成化及靈活的可配置性，同時伴隨價格的不斷下降，在市場上得到廣泛應(yīng)用。但是，SLIC芯片的模擬接口是通常的兩線電話線，而且線路基本都會出現(xiàn)在室外，可能由于雷擊或交流電的感應(yīng)等可使得電話線上容易出現(xiàn)浪涌，并且由于SLIC芯片本身的一些特性，對外界的干擾比較敏感，因此對SLIC芯片進行相應(yīng)的保護是必不可少的。參照圖1和圖2所述，現(xiàn)有技術(shù)中通常是使用Bourns公司提供的保護芯片對SLIC 芯片進行可編程電壓保護。該保護芯片保護兩種，一種為保護長線型SLIC芯片的TISP9110 系列，另一種為保護短線型SLIC芯片的TISP61089系列。該TISP9110系列可在有正向過電壓時，由TIP和RING引入過電壓，當(dāng)過電壓高于 +VBAT時，將過電壓能量轉(zhuǎn)換為過電流，經(jīng)TISP9110系列內(nèi)部將過電流導(dǎo)入大地；還可在有負向過電壓時，由大地引入過電壓，當(dāng)過電壓低于-VBAT時，將過電壓能量轉(zhuǎn)換為過電流， 經(jīng)TISP9110系列內(nèi)部將過電流導(dǎo)入大地。該TISP61089系列可在有正向過電壓時，由TIP和RING引入過電壓，將過電壓能量轉(zhuǎn)換為過電流，經(jīng)TISP61089系列內(nèi)部將過電流導(dǎo)入大地；還可在有負向過電壓時，由大地引入過電壓，當(dāng)過電壓低于-VBAT時，將過電壓能量轉(zhuǎn)換為過電流，經(jīng)TISP61089內(nèi)部將過電流導(dǎo)入大地。上述兩種保護芯片的通流量以及耐壓能力有限，而且成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的為提供一種SLIC芯片保護電路及裝置，降低了生產(chǎn)成本以及提供更低殘壓和更高可靠性。本發(fā)明提出一種SLIC芯片保護電路，其特征在于，連接于信號線與SLIC芯片之間，包括全橋整流器、退耦元器件以及過壓防護器件；所述過壓防護器件與信號線并聯(lián)對地，且兩端分別通過退耦元器件連接至全橋整流器的交流輸入端；所述全橋整流器的直流輸出端連接SLIC芯片的供電電壓；所述全橋整流器交流輸入端還與SLIC芯片連接。優(yōu)選地，所述SLIC芯片保護電路還包括前端固有的防護電路，與所述過壓防護器件連接。優(yōu)選地，所述過壓防護器件包括半導(dǎo)體放電管、瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、陶瓷氣體放電管以及放電間隙中的其中之一。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體放電管為非對稱性的半導(dǎo)體放電管。
優(yōu)選地，所述的退耦元器件包括電阻和/或PTC。本發(fā)明還提出一種SLIC芯片保護裝置，連接于信號線與SLIC芯片之間，包括用于將裝置接地的地線、接口端、全橋整流器、退耦元器件以及過壓防護器件；所述過壓防護器件通過所述接口端與信號線并聯(lián)對地，且兩端分別通過退耦元器件連接至全橋整流器的交流輸入端；所述全橋整流器的直流輸出端通過所述接口端連接SLIC芯片的供電電壓；所述全橋整流器交流輸入端通過所述接口端還與SLIC芯片連接。優(yōu)選地，所述SLIC芯片保護裝置還包括過前端固有的防護電路，與所述過壓防護器件連接。優(yōu)選地，所述過壓防護器件包括半導(dǎo)體放電管、瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、陶瓷氣體放電管以及放電間隙中的其中之一。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體放電管為非對稱性的半導(dǎo)體放電管。優(yōu)選地，所述的退耦元器件包括電阻和/或PTC。本發(fā)明的SLIC芯片保護電路及裝置，通過簡單的結(jié)構(gòu)，為SLIC芯片提供可編程式的浪涌保護，降低了生產(chǎn)成本；而且，可提供更低殘壓和更高可靠性。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中對長線型SLIC芯片的保護結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中對短線型SLIC芯片的保護結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明SLIC芯片保護電路一實施例中的框架結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明SLIC芯片保護電路一實施例中的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明SLIC芯片保護電路一實施例中的另一電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明SLIC芯片保護裝置一實施例中的框架結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。
具體實施例方式應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。參照圖3，提出本發(fā)明一種SLIC芯片保護電路30的一實施例。該電路連接于信號線10與SLIC芯片20之間，包括全橋整流器31、退耦元器件32以及過壓防護器件33 ；所述過壓防護器件33與信號線10并聯(lián)對地，且兩端分別通過退耦元器件32連接至全橋整流器31的交流輸入端；所述全橋整流器31的直流輸出端連接SLIC芯片20的供電電壓；所述全橋整流器31交流輸入端還與SLIC芯片20連接。本實施例中上述上述信號線10為電話線，其包括Tip端以及Ring端；該退耦元件以及過壓防護器件33分別至少為兩個，此處都以兩個為例，則該兩個過壓防護器件33串接對地，且余下兩端分別通過一退耦元器件32連接至全橋整流器31的交流輸入端，同時，該余下兩端還分別與Tip端以及Ring端連接；所述全橋整流器31的直流輸出端連接SLIC芯片20的供電電壓；所述全橋整流器31交流輸入端還與SLIC芯片20連接。該全橋整流器31的具體組成并不局限，可實現(xiàn)全橋整流即可。上述SLIC芯片保護電路30，還包括前端固有的防護電路34，其為前端固有的保護器件，與所述過壓防護器件33連接，防過流。該前端固有的防護電路34設(shè)置有PTC (熱敏元件)。上述過壓防護器件33可包括但不限于半導(dǎo)體放電管(TSS)、瞬態(tài)抑制二極管 (TVS)、壓敏電阻(MOV)、陶瓷氣體放電管(GDT)以及放電間隙等的其中之一。該半導(dǎo)體放電管可為非對稱性的半導(dǎo)體放電管。上述的退耦元器件32可包括但不限于電阻和/或PTC (熱敏元件)。參照圖4，針對長線型SLIC芯片20的保護，以下舉出具體實例進行詳細說明。上述過壓防護器件33可為非對稱性的半導(dǎo)體放電管，該非對稱性的半導(dǎo)體放電管設(shè)置為兩個，可使用BS0709M，且該SLIC芯片20的供電電壓分別可接+Vbat (比如+75V)以及-Vbat (比如-48V)；上述退耦元器件32電阻R，該電阻R設(shè)置為兩個，阻值各為20 Ω ；該信號線10可為電話線，包括Tip端以及Ring端，分別通過固有的前端固有的防護電路34連接至過壓防護器件33的兩端。在出現(xiàn)正向過電壓時，該過電壓由TIP和RING引入；當(dāng)正向過電壓大于+Vbat時， 兩電阻R上會有過電流流過，當(dāng)電阻R上積累的電壓加上+Vbat的總電壓達到放電管的開啟電壓后，放電管開始導(dǎo)通放電；此時，過電流就從放電管內(nèi)部導(dǎo)入大地。由此釋放掉浪涌電流，保護SLIC芯片20不被損壞。在出現(xiàn)負向過電壓時，該過電壓由大地引入；當(dāng)負向過電壓低于-Vbat時，兩電阻R 上會有過電流流過，當(dāng)電阻R上積累的電壓加上-Vbat的總電壓達到放電管的開啟電壓后， 放電管開始導(dǎo)通放電；此時，過電流就可從放電管內(nèi)部導(dǎo)向TIP和RING。由此釋放掉浪涌電流，保護SLIC芯片20不被損壞。參照圖5，針對短線型SLIC芯片20的保護，以下舉出具體實例進行詳細說明。上述過壓防護器件33可為非對稱性的半導(dǎo)體放電管，該非對稱性的半導(dǎo)體放電管設(shè)置為兩個， 可使用BSl 100N-A1，且該SLIC芯片20的供電電壓分別為0 (接地)以及-Vbat (比如-48V)； 上述退耦元器件32電阻R，該電阻R設(shè)置為兩個，阻值各位20 Ω ；該信號線10可為電話線， 包括Tip端以及Ring端，分別通過前端固有的防護電路34連接至過壓防護器件33的兩端。在出現(xiàn)正向過電壓時，該過電壓由TIP和RING引入；當(dāng)正向過電壓到來時，兩放電管直接導(dǎo)通放電，將過電壓能量轉(zhuǎn)換為過電流，經(jīng)兩放電管內(nèi)部將過電流導(dǎo)入大地。由此釋放掉浪涌電流，保護SLIC芯片20不被損壞。在出現(xiàn)負向過電壓時，該過電壓由大地引入；當(dāng)負向過電壓低于-Vbat時，兩電阻R 上會有過電流流過，當(dāng)電阻R上積累的電壓加上-Vbat的總電壓達到放電管的開啟電壓后， 該放電管開始導(dǎo)通放電；此時，過電流就從放電管內(nèi)部導(dǎo)向TIP和RING。由此釋放掉浪涌電流，保護SLIC芯片20不被損壞。上述放電管與全橋整流器31之間的電阻R的個數(shù)可靈活設(shè)置，只需保證阻值為預(yù)設(shè)值即可，比如20 Ω ；則該20 Ω的阻值可由一個電阻的阻值，也可是多個電阻的阻值疊加。上述SLIC芯片保護電路，通過簡單的結(jié)構(gòu)，為SLIC芯片20提供可編程式的浪涌保護，降低了生產(chǎn)成本；而且，可提供更低殘壓和更高可靠性。參照圖6，提出本發(fā)明一種SLIC芯片保護裝置40的一實施例。該裝置連接于信號線10與SLIC芯片20之間，包括用于將裝置接地的地線46、接口端45、全橋整流器41、退耦元器件42以及過壓防護器件43 ；所述過壓防護器件43通過所述接口端45與信號線10 并聯(lián)對地，且兩端分別通過退耦元器件42連接至全橋整流器41的交流輸入端；所述全橋整流器41的直流輸出端通過所述接口端45連接SLIC芯片20的供電電壓；所述全橋整流器 41交流輸入端通過所述接口端45還與SLIC芯片20連接。本實施例中上述上述信號線10為電話線，其包括Tip端以及Ring端；該退耦元件以及過壓防護器件43分別至少為兩個，此處都以兩個為例，則該兩個過壓防護器件43串接對地，且余下兩端分別通過一退耦元器件42連接至全橋整流器41的交流輸入端，同時，該余下兩端還分別通過接口端45與Tip端以及Ring端連接；所述全橋整流器41的直流輸出端通過接口端45連接SLIC芯片20的供電電壓；所述全橋整流器41交流輸入端通過接口端45還與SLIC芯片20連接。該全橋整流器41的具體組成并不局限，可實現(xiàn)全橋整流即可。上述SLIC芯片保護裝置40，還包括前端固有的防護電路44，其為前端固有的電路保護器件，與所述過壓防護器件43連接，防過流。該前端固有的防護電路44設(shè)置有PTC (熱敏元件)。上述過壓防護器件43可包括但不限于半導(dǎo)體放電管(TSS)、瞬態(tài)抑制二極管 (TVS)、壓敏電阻(MOV)、陶瓷氣體放電管(GDT)以及放電間隙等的其中之一。該半導(dǎo)體放電管可為非對稱性的半導(dǎo)體放電管。上述的退耦元器件42可包括但不限于電阻和/或PTC (熱敏元件)。參照圖4，針對長線型SLIC芯片20的保護，以下舉出具體實例進行詳細說明。上述過壓防護器件43可為非對稱性的半導(dǎo)體放電管，該非對稱性的半導(dǎo)體放電管設(shè)置為兩個，可使用BS0709M，且該SLIC芯片20的供電電壓分別可接+Vbat (比如+75V)以及-Vbat (比如-48V)；上述退耦元器件42電阻R，該電阻R設(shè)置為兩個，阻值各為20 Ω ；該信號線10可為電話線，包括Tip端以及Ring端，分別通過固有的前端固有的防護電路44連接至過壓防護器件43的兩端。在出現(xiàn)正向過電壓時，該過電壓由TIP和RING引入；當(dāng)正向過電壓大于+Vbat時， 兩電阻R上會有過電流流過，當(dāng)電阻R上積累的電壓加上+Vbat的總電壓達到放電管的開啟電壓后，放電管開始導(dǎo)通放電；此時，過電流就從放電管內(nèi)部導(dǎo)入大地。由此釋放掉浪涌電流，保護SLIC芯片20不被損壞。在出現(xiàn)負向過電壓時，該過電壓由大地引入；當(dāng)負向過電壓低于-Vbat時，兩電阻R 上會有過電流流過，當(dāng)電阻R上積累的電壓加上-Vbat的總電壓達到放電管的開啟電壓后， 放電管開始導(dǎo)通放電；此時，過電流就可從放電管內(nèi)部導(dǎo)向TIP和RING。由此釋放掉浪涌電流，保護SLIC芯片20不被損壞。參照圖5，針對短線型SLIC芯片20的保護，以下舉出具體實例進行詳細說明。上述過壓防護器件43可為非對稱性的半導(dǎo)體放電管，該非對稱性的半導(dǎo)體放電管設(shè)置為兩個， 可使用BSl 100N-A1，且該SLIC芯片20的供電電壓分別為0 (接地)以及-Vbat (比如-48V)； 上述退耦元器件42電阻R，該電阻R設(shè)置為兩個，阻值各位20 Ω ；該信號線10可為電話線， 包括Tip端以及Ring端，分別通過固有的前端固有的防護電路44連接至過壓防護器件43 的兩端。
在出現(xiàn)正向過電壓時，該過電壓由TIP和RING引入；當(dāng)正向過電壓到來時，兩放電管直接導(dǎo)通放電，將過電壓能量轉(zhuǎn)換為過電流，經(jīng)兩放電管內(nèi)部將過電流導(dǎo)入大地。由此釋放掉浪涌電流，保護SLIC芯片20不被損壞。在出現(xiàn)負向過電壓時，該過電壓由大地引入；當(dāng)負向過電壓低于-Vbat時，兩電阻R 上會有過電流流過，當(dāng)電阻R上積累的電壓加上-Vbat的總電壓達到放電管的開啟電壓后， 該放電管開始導(dǎo)通放電；此時，過電流就從放電管內(nèi)部導(dǎo)向TIP和RING。由此釋放掉浪涌電流，保護SLIC芯片20不被損壞。上述放電管與全橋整流器41之間的電阻R的個數(shù)可靈活設(shè)置，只需保證阻值為預(yù)設(shè)值即可，比如20 Ω ；則該20 Ω的阻值可由一個電阻的阻值，也可是多個電阻的阻值疊加。上述SLIC芯片保護裝置40，通過簡單的結(jié)構(gòu)，為SLIC芯片20提供可編程式的浪涌保護，降低了生產(chǎn)成本；而且，可提供更低殘壓和更高可靠性。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種SLIC芯片保護電路，其特征在于，連接于信號線與SLIC芯片之間，包括全橋整流器、退耦元器件以及過壓防護器件；所述過壓防護器件與信號線并聯(lián)對地，且兩端分別通過退耦元器件連接至全橋整流器的交流輸入端；所述全橋整流器的直流輸出端連接 SLIC芯片的供電電壓；所述全橋整流器交流輸入端還與SLIC芯片連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SLIC芯片保護電路，其特征在于，還包括前端固有的防護電路，與所述過壓防護器件連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SLIC芯片保護電路，其特征在于，所述過壓防護器件包括半導(dǎo)體放電管、瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、陶瓷氣體放電管以及放電間隙中的其中之ο
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SLIC芯片保護電路，其特征在于，所述半導(dǎo)體放電管為非對稱性的半導(dǎo)體放電管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的SLIC芯片保護電路，其特征在于，所述的退耦元器件包括電阻和/或PTC。
6.一種SLIC芯片保護裝置，其特征在于，連接于信號線與SLIC芯片之間，包括用于將裝置接地的地線、接口端、全橋整流器、退耦元器件以及過壓防護器件；所述過壓防護器件通過所述接口端與信號線并聯(lián)對地，且兩端分別通過退耦元器件連接至全橋整流器的交流輸入端；所述全橋整流器的直流輸出端通過所述接口端連接SLIC芯片的供電電壓；所述全橋整流器交流輸入端通過所述接口端還與SLIC芯片連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SLIC芯片保護裝置，其特征在于，還包括前端固有的防護電路，與所述過壓防護器件連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SLIC芯片保護裝置，其特征在于，所述過壓防護器件包括半導(dǎo)體放電管、瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、陶瓷氣體放電管以及放電間隙中的其中之ο
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的SLIC芯片保護裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體放電管為非對稱性的半導(dǎo)體放電管。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項所述的SLIC芯片保護裝置，其特征在于，所述的退耦元器件包括電阻和/或PTC。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種SLIC芯片保護電路及裝置。該電路連接于信號線與SLIC芯片之間，包括全橋整流器、退耦元器件以及過壓防護器件；所述過壓防護器件與信號線并聯(lián)對地，且兩端分別通過退耦元器件連接至全橋整流器的交流輸入端；所述全橋整流器的直流輸出端連接SLIC芯片的供電電壓；所述全橋整流器交流輸入端還與SLIC芯片連接。本發(fā)明的SLIC芯片保護裝置，為SLIC芯片提供可編程式的浪涌保護，降低了生產(chǎn)成本；而且，可提供更低殘壓和更高可靠性。
文檔編號H02H9/04GK102255303SQ201110184039
公開日2011年11月23日 申請日期2011年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月1日
發(fā)明者葉毓明, 張以警, 雷斌 申請人:深圳市檳城電子有限公司