專(zhuān)利名稱(chēng)：用于電子裝置的保護(hù)電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及具有輸入端子和/或輸出端子的電子裝置，并且尤其涉及用于保護(hù)所述電子裝置免受由施加到所述輸入端子和/或輸出端子的過(guò)量電壓導(dǎo)致的損壞。
背景技術(shù)：
電子裝置通常具有接收各種類(lèi)型信號(hào)的輸入端子或者從其提供各種類(lèi)型輸出信號(hào)的輸出端子。實(shí)際上，許多電子裝置具有這樣的輸入端子和輸出端子二者。這樣的電子裝置包括在向輸入端子或者輸出端子施加具有大幅值的電壓時(shí)會(huì)被損壞的內(nèi)部電路或者元件。例如，電子測(cè)試設(shè)備會(huì)具有從其提供精確輸出電壓或者電流的輸出端子。這些輸出電壓或者電流的幅值相對(duì)較低，并且如果向該輸出端子施加諸如AC電源電壓的相對(duì)較大的電壓或者電流則會(huì)損壞提供這些輸出電壓或者電流的電路或者元件。例如使用低電流保險(xiǎn)絲(fuse)來(lái)保護(hù)這些電路或者元件看起來(lái)是相對(duì)簡(jiǎn)單的事情。然而，耦合到端子的電路或者元件可能在保險(xiǎn)絲達(dá)到熔化溫度之前即被損壞。而且，端子之間的阻抗會(huì)太高而不允許響應(yīng)于高電壓的足夠電流流經(jīng)保險(xiǎn)絲，以使得保險(xiǎn)絲無(wú)法斷開(kāi)來(lái)保護(hù)內(nèi)部電路或者元件。也可以與端子并行放置快動(dòng)(fast-acting)電流感測(cè)元件。 然而，使由內(nèi)部電路或者元件提供的全部電流從輸出端子流出是重要的，因而排除了與輸出端子并行的電流感測(cè)元件的使用，該電流感測(cè)元件會(huì)從內(nèi)部電路或者元件吸入將從輸出端子流出的電流。例如，可以通過(guò)在端子之間耦合特定電流來(lái)測(cè)量連接在端子之間的電路元件的電阻并且隨后測(cè)量端子之間的電壓。如果將來(lái)自向端子供應(yīng)電流的電路的電流轉(zhuǎn)移到耦合在端子之間的電流感測(cè)元件，則電阻測(cè)量會(huì)出現(xiàn)誤差。因此，重要的是能夠以不從輸入或者輸出端子吸入電流或者不改變輸入或者輸出端子之間的電壓的方式，快速地去耦合電子裝置的外部輸入或者輸出端子。

發(fā)明內(nèi)容
一種用于電子裝置的保護(hù)系統(tǒng)，包括串聯(lián)耦合在輸入或者輸出端子和所述電子裝置之間的限流裝置和固態(tài)繼電器。所述固態(tài)繼電器可以包括與所述限流裝置串聯(lián)耦合在所述端子和所述電子裝置之間的光晶體管，以及光學(xué)耦合到所述光晶體管的發(fā)光二極管?？梢岳靡粋€(gè)或者多個(gè)增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)所述限流裝置。電壓檢測(cè)電路檢測(cè)施加到所述端子的具有大于特定值的幅值的電壓。所述檢測(cè)電路然后使所述固態(tài)繼電器閉合。例如， 所述電壓檢測(cè)電路可以向固態(tài)繼電器中使用的發(fā)光二極管施加電壓，從而使電流流經(jīng)所述第一發(fā)光二極管。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的電子裝置保護(hù)電路的實(shí)施例的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子裝置保護(hù)電路的示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電子裝置保護(hù)電路的示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1示出了用于電子裝置的現(xiàn)有技術(shù)的保護(hù)電路10的實(shí)施例。該保護(hù)電路10包括一對(duì)輸出端子14，16，所述端子中的一個(gè)經(jīng)由繼電器20的觸點(diǎn)20a耦合到第一 η-溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(“FET”)18的漏極。下面將描述控制觸點(diǎn)20a的可導(dǎo)(conductive) 狀態(tài)的線圈。FET 18的源極耦合到第二 η-溝道耗盡型FET M的源極。FET 18J4的各自柵極均耦合到FET18，22的源極。FET M的漏極同時(shí)耦合到端子觀以及電壓檢測(cè)電路30， 端子觀可耦合到電子裝置(未示出)的輸出端子。電壓檢測(cè)電路30檢測(cè)大于特定電壓的電壓，并且然后向繼電器20的線圈20b施加信號(hào)，然后復(fù)位繼電器以斷開(kāi)繼電器觸點(diǎn)20a。 從而，保護(hù)耦合到端子觀的電子裝置免受施加在端子14，16之間的大于特定電壓的電壓。在操作中，作為耗盡型FET的FET 18, 24是一直可導(dǎo)的，直到源極到柵極電壓達(dá)到 FET的閾值電壓。然而，由于FET 18，M的各自源極和柵極彼此耦合，因此FET 18，M絕不變?yōu)榉强蓪?dǎo)。反而，在增加所施加的電壓時(shí)，F(xiàn)ET 18，M初始用作電阻器，以使得經(jīng)過(guò)FET 18，24的電流相應(yīng)地增加。然而，在FET達(dá)到飽和時(shí)，經(jīng)過(guò)FET 18J4的電流保持恒定。FET 18，對(duì)因而用作限流器，直到電壓檢測(cè)電路30復(fù)位繼電器20以斷開(kāi)繼電器觸點(diǎn)20a。理論上，F(xiàn)ET 18,24的限流效應(yīng)保護(hù)連接到端子28的內(nèi)部電路或者元件，直到繼電器觸點(diǎn)20a 被斷開(kāi)。然而，實(shí)際上，由于FET 18，對(duì)耗散的功率隨著所施加的電壓繼續(xù)增加，因此在繼電器觸點(diǎn)20a能夠被斷開(kāi)之前FET 18，M可能被損壞或者破壞。例如，盡管電壓檢測(cè)器30 能夠非?？焖俚貦z測(cè)施加到端子14，16的顯著電壓，但是在現(xiàn)有技術(shù)的保護(hù)電路10中使用的一個(gè)繼電器20對(duì)于斷開(kāi)觸點(diǎn)20a需要大約7ms。然而如果在這7ms內(nèi)施加的電壓充分增加，則會(huì)損壞或者破壞FET 18，24。因而，在許多情況下，現(xiàn)有技術(shù)的保護(hù)電路10是不夠用的。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例的保護(hù)電路100。保護(hù)電路100使用許多與在圖 1的保護(hù)電路10中所使用的相同的元件。因此，出于簡(jiǎn)化和清晰起見(jiàn)，將使用相同的附圖標(biāo)記，并且將不再重復(fù)這些元件的功能和操作。保護(hù)電路100與保護(hù)電路10的不同之處在于包括固態(tài)繼電器120，用以在FET 18，對(duì)被損壞之前中斷經(jīng)過(guò)輸出端子14的電流流動(dòng)。固態(tài)繼電器120可以包括耦合在一對(duì)控制端子1 之間的發(fā)光二極管(“LED”)124，其中一對(duì)控制端子1 中的一個(gè)經(jīng)過(guò)電阻器1 耦合到電壓檢測(cè)電路30的輸出。固態(tài)繼電器120 也可以包括由來(lái)自LED 1 的光控制的耗盡型η-溝道光學(xué)FET 130。光學(xué)FET 130耦合在一對(duì)開(kāi)關(guān)端子132之間，所述一對(duì)開(kāi)關(guān)端子132耦合到FET 18J4各自一個(gè)的源極。固態(tài)繼電器120所具有的響應(yīng)時(shí)間明顯快于繼電器20的響應(yīng)時(shí)間，并且足夠快到在FET 18,24 損壞之前終止經(jīng)過(guò)該FET的電流流動(dòng)。然而，固態(tài)繼電器120能夠處理的電壓幅值會(huì)小于 FET 18，M能夠處理的電壓幅值。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，F(xiàn)ET 18，M可以具有大約650伏特的最大操作電壓，而光學(xué)FET 130可以具有僅大約60伏特的操作電壓。在操作中，如果在端子14，16之間施加相對(duì)較高的電壓，則電流初始會(huì)流經(jīng)FET 18，24以及固態(tài)繼電器120。然而，F(xiàn)ET 18，24隨后將該電流流動(dòng)限制到防止固態(tài)繼電器120 兩端的電壓降超出其最大操作電壓的水平。電壓檢測(cè)器30將快速感測(cè)該相對(duì)較高的電壓， 并且隨后將向LED 124施加信號(hào)。固態(tài)繼電器120中的LED 124隨后將光耦合到光學(xué)FET 130，這導(dǎo)致其關(guān)斷。顯然，由于固態(tài)繼電器120比繼電器20響應(yīng)得更快，因此該固態(tài)繼電器120可以在FET18，24被損壞之前終止經(jīng)過(guò)FET的電流流動(dòng)。此外，繼電器20將在固態(tài)
6繼電器120兩端放置過(guò)量電壓之前響應(yīng)。盡管在一些實(shí)施例中可以固定電壓檢測(cè)器30向繼電器線圈20b施加信號(hào)時(shí)的檢測(cè)電壓，但是在其它實(shí)施例中，該檢測(cè)電壓可以是動(dòng)態(tài)的。更具體地說(shuō)，可以利用隨著在正常操作期間施加于端子14，16之間的電壓的變化而改變的檢測(cè)電壓對(duì)電壓檢測(cè)器進(jìn)行編程，以使得該檢測(cè)電壓總是大于正常操作電壓。圖3中示出了另一實(shí)施例的保護(hù)電路150。保護(hù)電路150可以使用許多與在圖2所示的保護(hù)電路100的實(shí)施例中所使用的相同的元件。因此，出于簡(jiǎn)化和清晰起見(jiàn)，將再次使用相同的附圖標(biāo)記，并且將不再重復(fù)這些元件的功能和操作。保護(hù)電路150與保護(hù)電路100的不同之處在于避免使用任何會(huì)轉(zhuǎn)移來(lái)自位于待保護(hù)的電子裝置160和端子14之間的電流路徑的電流的電路元件。電子裝置160可以例如是向端子14提供具有特定幅值的電流的電子測(cè)試裝置。保護(hù)電路150包括電壓檢測(cè)器電路170，該電壓檢測(cè)器電路170包括將端子14耦合到第二固態(tài)繼電器176和第三固態(tài)繼電器180的控制端子173的電阻器172。第二固態(tài)繼電器176的控制端子173連接到LED 口4的陽(yáng)極，并且第三固態(tài)繼電器180的控制端子173連接到LED 178 的陰極。每一個(gè)固態(tài)繼電器176，180可以包括光學(xué)耦合到各個(gè)LED 176，178的例如分別為光學(xué) NPN晶體管184，186的光晶體管。LED 174的陰極和LED 178的陽(yáng)極分別連接到第一和第二固態(tài)繼電器176，178的各自控制端子173，它們順次連接回到在端子14和電子裝置160之間延伸的傳導(dǎo)路徑。晶體管184，186的各自集電極可以經(jīng)由開(kāi)關(guān)端子188耦合到諸如5伏特的電源電壓，并且晶體管184，186的各自發(fā)射極經(jīng)由另一開(kāi)關(guān)端子188耦合到比較器190的輸入以及電阻器192，該電阻器192耦合到地。比較器190的輸出端耦合到鎖存器194的設(shè)定(“S’)輸入端，所述鎖存器194的輸出端耦合到第一反相器196的輸入端和第二反相器198的輸入端。第一反相器196的輸出端耦合到繼電器線圈20b，并且第二反相器198的輸出端耦合到固態(tài)繼電器 120 的 LED 124。在操作中，如果在端子14，16之間施加相對(duì)較高的電壓，則電流初始流經(jīng)FET 18,24 以及固態(tài)繼電器120。然而，F(xiàn)ET 18，24隨后將該電流流動(dòng)限制到防止固態(tài)繼電器120兩端的電壓降超出其最大操作電壓的水平。取決于所施加電壓的極性，固態(tài)繼電器176，180中的LED 174，178的其中之一將在經(jīng)過(guò)LED的電流達(dá)到特定電平時(shí)分別可導(dǎo)以導(dǎo)通其各自晶體管184， 186?？梢酝ㄟ^(guò)選擇電阻器172的值來(lái)設(shè)定導(dǎo)通晶體管184，186時(shí)施加到端子14，16的電壓的幅值。因而，在所施加電壓達(dá)到特定電平時(shí)，將由比較器190設(shè)定鎖存器194以將反相器196的輸出端驅(qū)動(dòng)為低并且使電流流經(jīng)固態(tài)繼電器120中的LED 124。同時(shí)，反相器198的輸出端處的低可以復(fù)位繼電器20以在繼電器20的延遲之后斷開(kāi)繼電器觸點(diǎn)20a。流經(jīng)LED 124的電流隨后將點(diǎn)亮LED，從而關(guān)斷固態(tài)繼電器120中的LED 124。顯然，由于固態(tài)繼電器120能夠比繼電器20響應(yīng)得更快，因此固態(tài)繼電器120可以在FET 18，24被損壞之前終止經(jīng)過(guò)該FET的電流流動(dòng)。此外，繼電器20將在固態(tài)繼電器120兩端放置過(guò)量電壓之前響應(yīng)。應(yīng)該注意，流經(jīng)電阻器172和LED 174，176其中之一的任何電流被返回到端子14和電子裝置160之間的電流路徑， 從而使得檢測(cè)電路170不轉(zhuǎn)移從電子裝置160向端子14流動(dòng)的電流或者反之亦然。盡管參照所公開(kāi)的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到， 可以在不偏離本發(fā)明的情況下在形式和細(xì)節(jié)方面進(jìn)行改變。例如，盡管在各處將端子14描述為輸出端子，但是可選地在其它實(shí)施例中，其可以是輸入端子或者輸入/輸出端子。這樣的修改將在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的技能范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種保護(hù)電路，包括第一端子；弟一端子；耦合到所述第一端子的限流裝置；固態(tài)繼電器，具有與所述限流裝置串聯(lián)耦合在所述第一端子和所述第二端子之間的開(kāi)關(guān)端子，所述固態(tài)繼電器具有控制端子并且所述固態(tài)繼電器被配置為響應(yīng)于施加到所述控制端子的控制信號(hào)來(lái)選擇性地使第一和第二開(kāi)關(guān)端子彼此去耦合；以及檢測(cè)電路，耦合到所述固態(tài)繼電器和所述第一端子，并且所述檢測(cè)電路被配置為檢測(cè)施加到所述第一端子的具有大于特定值的幅值的電壓，所述檢測(cè)電路被配置為響應(yīng)于檢測(cè)具有大于該特定值的幅值的所述電壓來(lái)向所述固態(tài)繼電器施加所述控制信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，還包括繼電器，該繼電器具有與所述固態(tài)繼電器串聯(lián)耦合在所述第一端子和所述第二端子之間的繼電器觸點(diǎn)，所述繼電器還具有繼電器線圈，該繼電器線圈耦合到所述檢測(cè)電路，用以響應(yīng)于檢測(cè)具有大于所述特定值的幅值的所述電壓來(lái)接收來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)以斷開(kāi)所述繼電器觸點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其中，所述限流裝置包括至少一個(gè)耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的保護(hù)電路，其中，所述限流裝置包括第一耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有柵極、耦合到所述第一端子的漏極、和耦合到所述固態(tài)繼電器的源極；以及第二耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有耦合到所述第二端子的漏極、耦合到所述固態(tài)繼電器以及所述第一耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的源極、和耦合到所述第一耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極的柵極。
5.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其中，所述固態(tài)繼電器包括耦合到所述固態(tài)繼電器的所述控制端子的發(fā)光二極管；以及光學(xué)耦合到所述發(fā)光二極管的光晶體管，所述光晶體管耦合在所述固態(tài)繼電器的所述開(kāi)關(guān)端子之間。
6.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其中，所述檢測(cè)電路包括電壓檢測(cè)器，所述電壓檢測(cè)器耦合到所述第二端子并且所述電壓檢測(cè)器被配置為檢測(cè)大于特定電平的電壓，所述電壓檢測(cè)器被配置為響應(yīng)于檢測(cè)大于所述特定電平的電壓，來(lái)向所述固態(tài)繼電器施加所述控制信號(hào)以使所述第一和第二開(kāi)關(guān)端子彼此去耦合。
7.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其中，所述檢測(cè)電路包括在至所述第一端子的第一連接和至所述第一端子的第二連接之間延伸的電路，所述第二連接由所述限流裝置與所述第一連接分隔開(kāi)。
8.如權(quán)利要求7所述的保護(hù)電路，其中，所述固態(tài)繼電器包括第一固態(tài)繼電器，并且其中所述檢測(cè)電路包括第二固態(tài)繼電器，該第二固態(tài)繼電器具有耦合在所述第一連接和所述第二連接之間的一對(duì)控制端子，所述第二固態(tài)繼電器還具有耦合到所述第一固態(tài)繼電器的開(kāi)關(guān)端子并且所述第二固態(tài)繼電器被配置為響應(yīng)于在所述第一連接和所述第二連接之間流動(dòng)的電流來(lái)向所述固態(tài)繼電器施加所述控制信號(hào)。
9.如權(quán)利要求8所述的保護(hù)電路，其中，所述第二固態(tài)繼電器包括耦合在所述第二固態(tài)繼電器的所述控制端子之間的發(fā)光二極管；以及光晶體管，光學(xué)耦合到所述第二固態(tài)繼電器的所述發(fā)光二極管并且電耦合到所述第一固態(tài)繼電器的所述控制端子。
10.如權(quán)利要求7所述的保護(hù)電路，其中，所述檢測(cè)電路包括第一發(fā)光二極管，具有耦合到所述第一連接的陰極以及耦合到所述第二連接的陽(yáng)極； 第二發(fā)光二極管，具有耦合到所述第一連接的陽(yáng)極以及耦合到所述第二連接的陰極； 光學(xué)耦合到所述第一發(fā)光二極管的第一光晶體管，所述第一光晶體管耦合到所述第一固態(tài)繼電器的所述控制輸入端；以及光學(xué)耦合到所述第二發(fā)光二極管的第二光晶體管，所述第二光晶體管耦合到所述第一固態(tài)繼電器的所述控制輸入端。
11.如權(quán)利要求10所述的保護(hù)電路，其中，所述第一和第二光晶體管經(jīng)由電路耦合到所述固態(tài)繼電器的所述控制輸入端，所述電路包括比較器，具有輸出端和耦合到所述第一和第二光晶體管的輸入端；以及鎖存器，具有耦合到所述比較器的所述輸出端的鎖存器輸入端以及耦合到所述固態(tài)繼電器的所述控制輸入端的鎖存器輸出端。
12.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其中，通過(guò)以不同的電壓檢測(cè)電平對(duì)所述檢測(cè)電路進(jìn)行編程，可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)所述檢測(cè)電路被配置用以檢測(cè)的所述特定電壓。
13.一種系統(tǒng)，包括 電子裝置，具有裝置端子； 系統(tǒng)端子；限流裝置，將所述系統(tǒng)端子耦合到所述裝置端子；第一光晶體管，與所述限流裝置串聯(lián)耦合在所述系統(tǒng)端子和所述裝置端子之間； 第一發(fā)光二極管，光學(xué)耦合到所述第一光晶體管；以及檢測(cè)電路，配置為檢測(cè)施加到所述系統(tǒng)端子的具有大于特定值的幅值的電壓，耦合所述檢測(cè)電路以響應(yīng)于檢測(cè)施加到所述系統(tǒng)端子的具有大于特定值的幅值的電壓，來(lái)向所述第一發(fā)光二極管施加電壓以使電流流經(jīng)所述第一發(fā)光二極管。
14.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述限流裝置包括第一耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有柵極、耦合到所述系統(tǒng)端子的漏極、和耦合到所述光晶體管的第一端子的源極；以及第二耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有耦合到所述裝置端子的漏極、耦合到所述第一耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極以及所述光晶體管的第二端子的源極、和耦合到所述第一耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極的柵極，所述光晶體管的所述第二端子不同于所述光晶體管的所述第一端子。
15.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述檢測(cè)電路包括第二發(fā)光二極管，具有耦合到至所述系統(tǒng)端子的第一連接的陰極并且具有耦合到至所述系統(tǒng)端子的第二連接的陽(yáng)極，所述第二連接由所述限流裝置與所述第一連接分隔開(kāi)； 第三發(fā)光二極管，具有耦合到所述第一連接的陽(yáng)極以及耦合到所述第二連接的陰極； 光學(xué)耦合到所述第二發(fā)光二極管的第二光晶體管，所述第二光晶體管耦合到所述第一發(fā)光二極管；以及光學(xué)耦合到所述第三發(fā)光二極管的第三光晶體管，所述第三光晶體管耦合到所述第一發(fā)光二極管。
16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中，所述第二和第三光晶體管經(jīng)由電路耦合到所述第一發(fā)光二極管，所述電路包括比較器，具有輸出端和耦合到所述第二和第三光晶體管的輸入端；以及鎖存器，具有耦合到所述比較器的所述輸出端的鎖存器輸入端和耦合到所述第一發(fā)光二極管的鎖存器輸出端。
17.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述電子裝置包括電子測(cè)試裝置，該電子測(cè)試裝置被配置為將具有多個(gè)不同幅值的電流或者電壓選擇性地耦合到所述裝置端子，并且其中所述檢測(cè)電路被配置為可編程地隨著所述電子裝置耦合到所述裝置端子的所述電流或者電壓的變化來(lái)調(diào)節(jié)所述檢測(cè)電路被配置用以檢測(cè)的所述特定電壓。
18.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，還包括繼電器，該繼電器具有耦合在所述系統(tǒng)端子和所述裝置端子之間的繼電器觸點(diǎn)，所述繼電器還具有繼電器線圈，該繼電器線圈耦合到所述檢測(cè)電路，用以響應(yīng)于檢測(cè)具有大于所述特定值的幅值的所述電壓來(lái)接收來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)以斷開(kāi)所述繼電器觸點(diǎn)。
19.一種保護(hù)電子裝置免受施加到端子的電壓損壞的方法，包括將所述端子經(jīng)由光晶體管耦合到所述電子裝置；將所述光晶體管光學(xué)耦合到發(fā)光二極管；檢測(cè)施加到所述端子的具有大于特定值的幅值的電壓；限制來(lái)自所述端子和所述電子裝置的電流的流動(dòng)；以及響應(yīng)于檢測(cè)具有大于特定值的幅值的所述電壓，通過(guò)使電流流經(jīng)所述發(fā)光二極管來(lái)中斷所述端子和所述電子裝置之間的電連接。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，檢測(cè)具有大于特定值的幅值的所述電壓的動(dòng)作包括檢測(cè)在所述端子經(jīng)由其耦合到所述電子裝置的路徑中的電壓差。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，限制來(lái)自所述端子和所述電子裝置的電流的流動(dòng)的動(dòng)作包括將所述端子通過(guò)至少一個(gè)耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管耦合到所述電子裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種用于保護(hù)電子裝置免受施加到輸入或者輸出端子的過(guò)量電壓損壞的電路，所述電路包括將所述電子裝置耦合到所述端子的固態(tài)繼電器。所述固態(tài)繼電器可以包括耦合在所述電子裝置和所述端子之間的光晶體管以及光學(xué)耦合到所述光晶體管的發(fā)光二極管。所述固態(tài)繼電器與諸如一個(gè)或者多個(gè)增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的限流裝置串聯(lián)耦合。耦合到所述端子的電壓檢測(cè)器檢測(cè)大于特定值的電壓并且使電流流經(jīng)所述發(fā)光二極管，從而中斷所述端子和所述電子裝置之間的耦合。所述電壓檢測(cè)器可以耦合在至端子之間的耦合路徑以及至所述電子裝置的兩個(gè)分隔開(kāi)的連接之間以使得所述電壓檢測(cè)器避免轉(zhuǎn)移來(lái)自所述耦合路徑的電流。
文檔編號(hào)H02H3/20GK102263397SQ20111014793
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
發(fā)明者W·J·布里茨 申請(qǐng)人:弗盧克公司