專利名稱：電源保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電源保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
電路板有時(shí)會(huì)發(fā)生負(fù)載故障，當(dāng)負(fù)載發(fā)生故障時(shí)，輸出電流往往會(huì)增大，甚至短路。由于未設(shè)置報(bào)警和保護(hù)裝置，當(dāng)發(fā)生故障時(shí)，一方面可能導(dǎo)致觸電或其他事故，不安全； 另一方面不能知道發(fā)生故障的元件或線路，為了檢查和排除出現(xiàn)的故障，往往需要切斷主機(jī)器的整個(gè)供電系統(tǒng)并檢查整個(gè)電路板，因而耗時(shí)耗力。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種當(dāng)負(fù)載發(fā)生異常，可發(fā)出報(bào)警保護(hù)信號(hào)的電源保護(hù)電路。一種電源保護(hù)電路，其包括一電源供應(yīng)單元、一第一電壓轉(zhuǎn)換器、一第二電壓轉(zhuǎn)換器、一第一開關(guān)電路、一第二開關(guān)電路。所述第一開關(guān)電路連接在所述電源供應(yīng)單元及所述第一電壓轉(zhuǎn)換器之間。所述第二開關(guān)電路連接在所述電源供應(yīng)單元及所述第二電壓轉(zhuǎn)換器之間。所述電源供應(yīng)單元用于為所述第一、第二電壓轉(zhuǎn)換器提供電壓源。所述電源保護(hù)電路進(jìn)一步包括一第一電壓偵測(cè)電路、一第二電壓偵測(cè)電路及一第一報(bào)警電路及一第二報(bào)警電路。所述第一電壓偵測(cè)電路連接至所述第一電壓轉(zhuǎn)換器。所述第二電壓偵測(cè)電路連接至所述第二電壓轉(zhuǎn)換器。所述第一報(bào)警電路連接至所述第一電壓偵測(cè)電路。所述第二報(bào)警電路連接至所述第二電壓偵測(cè)電路。當(dāng)所述第一電壓偵測(cè)電路的輸入電壓降低時(shí)，所述第一開關(guān)電路切斷所述第一電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)所述電源供應(yīng)單元驅(qū)動(dòng)第一報(bào)警電路發(fā)出報(bào)警信號(hào)。當(dāng)所述第二電壓偵測(cè)電路的輸入電壓降低時(shí)，所述第二開關(guān)電路切斷所述第二電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)所述電源供應(yīng)單元驅(qū)動(dòng)第二報(bào)警電路發(fā)出報(bào)警信號(hào)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，當(dāng)所述第一電壓偵測(cè)電路偵測(cè)到第一電壓轉(zhuǎn)換器有故障發(fā)生時(shí)，所述第一開關(guān)電路切斷所述第一電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)驅(qū)動(dòng)第一報(bào)警電路發(fā)出相應(yīng)的報(bào)警信號(hào)，提醒人員注意第一電壓轉(zhuǎn)換器有故障。當(dāng)所述第二電壓偵測(cè)電路偵測(cè)到第二電壓轉(zhuǎn)換器有故障發(fā)生時(shí)，所述第二開關(guān)電路切斷所述第二電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)驅(qū)動(dòng)第二報(bào)警電路發(fā)出相應(yīng)的報(bào)警信號(hào)，提醒人員注意第二電壓轉(zhuǎn)換器有故障。如此可以及時(shí)有效地查出故障的原因且避免了可能出現(xiàn)的各種事故。


圖1為本發(fā)明實(shí)施方式提供的電源保護(hù)電路的功能模塊圖；圖2為圖1的電源保護(hù)電路的電路圖。主要元件符號(hào)說明電源保護(hù)電路 100第一電壓轉(zhuǎn)換器 21
第二電壓轉(zhuǎn)換器22輸入端211、221輸出端212、222第一晶體管Ql第二晶體管Q2漏極D源極S柵極G延時(shí)電容C1、C2第一電壓偵測(cè)電路41第二電壓偵測(cè)電路42第三晶體管Q3第四晶體管Q4電阻R1-R24基極B集電極C發(fā)射極E第五晶體管Q5第六晶體管Q6第一報(bào)警電路51第二報(bào)警電路52第七晶體管Q7第八晶體管Q8第九晶體管Q9第一發(fā)光二極管Dl第十晶體管QlO第—^一晶體管Qll第十二晶體管Q12第二發(fā)光二極管D具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供的電源保護(hù)電路100，其包括一電源供應(yīng)單元10、一第一電壓轉(zhuǎn)換器21、一第二電壓轉(zhuǎn)換器22、一第一開關(guān)電路31、一第二開關(guān)電路32、一第一電壓偵測(cè)電路41、一第二電壓偵測(cè)電路42、一第一報(bào)警電路51及一第二報(bào)警電路52。所述電源供應(yīng)單元10用于為所述第一電壓轉(zhuǎn)換器21及第二電壓轉(zhuǎn)換器22提供電壓源。所述第一開關(guān)電路31連接在所述電源供應(yīng)單元10及第一電壓轉(zhuǎn)換器21之間。所述第二開關(guān)電路 32連接在所述電源供應(yīng)單元10及第二電壓轉(zhuǎn)換器22之間。所述第一電壓偵測(cè)電路41連接至第一電壓轉(zhuǎn)換器21，用于偵測(cè)所述第一電壓轉(zhuǎn)換器21是否有故障發(fā)生。所述第二電壓偵測(cè)電路42連接至第二電壓轉(zhuǎn)換器22，用于偵測(cè)所述第二電壓轉(zhuǎn)換器22是否有故障發(fā)生。所述第一報(bào)警電路51連接至所述第一電壓偵測(cè)電路41。所述第二報(bào)警電路52連接至所述第二電壓偵測(cè)電路42。當(dāng)所述第一電壓偵測(cè)電路41偵測(cè)到第一電壓轉(zhuǎn)換器21有故障發(fā)生時(shí)，所述第一開關(guān)電路31切斷所述第一電壓轉(zhuǎn)換器21，同時(shí)所述電源供應(yīng)單元10 驅(qū)動(dòng)所述第一報(bào)警電路51發(fā)出相應(yīng)的報(bào)警信號(hào)。當(dāng)所述第二電壓偵測(cè)電路42偵測(cè)到第二電壓轉(zhuǎn)換器22有故障發(fā)生時(shí)，所述第二開關(guān)電路32切斷所述第二電壓轉(zhuǎn)換器22，同時(shí)所述電源供應(yīng)單元10驅(qū)動(dòng)所述第二報(bào)警電路52發(fā)出相應(yīng)的報(bào)警信號(hào)。可以理解的是，除本實(shí)施方式外，根據(jù)上述原理還可分別設(shè)置三個(gè)或三個(gè)以上的電壓轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電路、電壓偵測(cè)電路及報(bào)警電路，并不限于本實(shí)施方式。請(qǐng)一并參閱圖2，本實(shí)施方式中，所述電源供應(yīng)單元10用于輸出12V電壓，所述第一電壓轉(zhuǎn)換器21用于將所述電源供應(yīng)單元10輸出的12V電壓轉(zhuǎn)換為5V，所述第二電壓轉(zhuǎn)換器22用于將所述電源供應(yīng)單元10輸出的12V電壓轉(zhuǎn)換為3. 3V。所述第一電壓轉(zhuǎn)換器 21的輸出端212連接至一負(fù)載(圖未示)。所述第二電壓轉(zhuǎn)換器22的輸出端222連接至另一負(fù)載(圖未示)。所述第一開關(guān)電路31為一第一晶體管Q1，所述第二開關(guān)電路32為一第二晶體管 Q2。本實(shí)施方式中，所述第一晶體管Ql與第二晶體管Q2均為P-MOS管，該第一晶體管Ql的漏極D連接至第一電壓轉(zhuǎn)換器21的輸入端211，所述第一晶體管Ql的柵極G連接至所述電壓偵測(cè)電路40且經(jīng)過一延時(shí)電容Cl連接至地。所述第一晶體管Ql的源極S連接至所述電源供應(yīng)單元10。所述第二晶體管Q2的漏極D連接至第二電壓轉(zhuǎn)換器22的輸入端221， 所述第二晶體管Q2的柵極G連接至所述電壓偵測(cè)電路40且經(jīng)過一延時(shí)電容C2連接至地。 所述第二晶體管Q2的源極S連接至所述電源供應(yīng)單元10。同時(shí)，所述第二晶體管Q2的柵極G連接至所述電壓偵測(cè)電路40。所述第一電壓偵測(cè)電路41包括一第三晶體管Q3及一第四晶體管Q4。本實(shí)施方式中，所述第三晶體管Q3及第四晶體管Q4均為NPN型三極管。所述第三晶體管Q3的集電極 C通過一電阻R2連接至所述第一晶體管Ql的柵極G。所述第三晶體管Q3的發(fā)射極E通過一電阻Rl連接至地。所述第三晶體管Q3的基極B通過一電阻R3連接至所述第一電壓轉(zhuǎn)換器21的輸出端212。所述第四晶體管Q4的集電極C通過一電阻R4連接至所述電源供應(yīng)單元10。所述第四晶體管Q4的發(fā)射極E通過一電阻R5接地。所述第四晶體管Q4的基極 B通過兩個(gè)電阻R6、R7連接至所述電源供應(yīng)單元10。所述第三晶體管Q3的集電極C與第四晶體管Q4的集電極C之間串聯(lián)有一電阻R8。所述電阻R6與地之間串聯(lián)有一電阻R9。所述第二電壓偵測(cè)電路42包括一第五晶體管Q5及一第六晶體管Q6。本實(shí)施方式中，所述第五晶體管Q5及第六晶體管Q6均為NPN型三極管。所述第五晶體管Q5的集電極C通過一電阻RlO連接至所述第二晶體管Q2的柵極G。所述第五晶體管Q5的發(fā)射極E 通過一分壓電阻Rll連接至地。所述第五晶體管Q5的基極B通過一電阻R12連接至所述第二電壓轉(zhuǎn)換器22的輸出端222。所述第六晶體管Q6的集電極C通過一電阻R13連接至所述電源供應(yīng)單元10。所述第六晶體管Q6的發(fā)射極E通過一電阻R 14接地。所述第六晶體管Q6的基極B通過兩個(gè)電阻R15、R16連接至所述電源供應(yīng)單元10。所述第五晶體管 Q5的集電極C與第六晶體管Q6的集電極C之間串聯(lián)有一電阻R17。所述電阻R15與地之間串聯(lián)有一電阻R18。所述第一報(bào)警電路51包括一第七晶體管Q7、一第八晶體管Q8、一第九晶體管Q9及一第一發(fā)光二極管D1。本實(shí)施方式中，所述第七晶體管Q7為一 NPN型三極管。第八晶體管Q8與第九晶體管Q9均為N-MOS管。該第七晶體管Q7的基極B連接至第三晶體管Q3的集電極C，第七晶體管Q7的集電極C通過一電阻R19連接至所述電源供應(yīng)單元10，第七晶體管Q7的發(fā)射極E通過一電阻R20連接至所述第四晶體管Q4的集電極C。所述第八晶體管Q8與第九晶體管Q9的柵極G均連接至第四晶體管Q4的集電極C。所述第八晶體管Q8 的源極S連接至所述第九晶體管Q9的漏極D。所述第九晶體管Q9的源極S接地。所述第八晶體管Q8的漏極D連接第一發(fā)光二極管Dl的陰極。所述第一發(fā)光二極管Dl的陽極通過一電阻R21連接至所述電源供應(yīng)單元10。所述第二報(bào)警電路52包括一第十晶體管Q10、一第十一晶體管Q11、一第十二晶體管Q12及一第二發(fā)光二極管D2。本實(shí)施方式中，所述第十晶體管QlO為一 NPN型三極管。 第十一晶體管Qll與第十二晶體管Q12均為N-MOS管。該第十晶體管QlO的基極B連接至第五晶體管Q5的集電極C，第十晶體管QlO的集電極C通過一電阻R22連接至所述電源供應(yīng)單元10，第十晶體管QlO的發(fā)射極E通過一電阻R23連接至所述第六晶體管Q6的集電極 C。所述第十一晶體管Qll與第十二晶體管Q12的柵極G均連接至所述第八晶體管Q8的源極S與第九晶體管Q9的漏極D之間。所述第十一晶體管Qll的源極S連接至所述第十二晶體管Q12的漏極D。所述第十二晶體管Q12的源極S接地。所述第十一晶體管Qll的漏極 D連接至所述第二發(fā)光二極管D2的陰極。所述第二發(fā)光二極管D2的陽極通過一電阻RM 連接至所述電源供應(yīng)單元10。使用時(shí)，當(dāng)負(fù)載發(fā)生故障致使所述第一電壓轉(zhuǎn)換器21有異常輸出時(shí)，此時(shí)所述第一電壓偵測(cè)電路41的所述第三晶體管Q3的基極B電壓降低。也即，所述第一電壓偵測(cè)電路41的輸入電壓降低。所述第三晶體管Q3截止，第一晶體管Ql的柵極G電壓升高，第一晶體管Ql截止，所述第一電壓轉(zhuǎn)換器21的輸入端211停止輸入，所述第一電壓轉(zhuǎn)換器21 停止工作。同時(shí)，第七晶體管Q7、第八晶體管Q8及第九晶體管Q9均導(dǎo)通，所述第一發(fā)光二極管Dl發(fā)光，從而發(fā)出警報(bào)。而由于所述第十一晶體管Qll與第十二晶體管Q12的柵極G 均連接至所述第八晶體管Q8的源極S與第九晶體管Q9的漏極D之間，所述第九晶體管Q9 的源極S接地，因此，所述第十一晶體管Qll的柵極G與第十二晶體管Q12的柵極G得到一低電平，所述第十一晶體管Qll與第十二晶體管Q12均截止，所述第二發(fā)光二極管D2不發(fā)光。當(dāng)負(fù)載發(fā)生故障致使所述第二電壓轉(zhuǎn)換器22有異常輸出時(shí)，此時(shí)所述第二電壓偵測(cè)電路42的所述第五晶體管Q5的基極B電壓降低，也即，所述第二電壓偵測(cè)電路42的輸入電壓降低。所述第五晶體管Q5截止，第二晶體管Q2的柵極G電壓升高，第二晶體管Q2 截止。同時(shí)，第六晶體管Q6、第十晶體管Q10、第十一晶體管Qll及第十二晶體管Q12均導(dǎo)通，所述第二發(fā)光二極管D2發(fā)光，從而發(fā)出警報(bào)。而由于所述第八晶體管Q8與第九晶體管 Q9的柵極G均連接至所述第十一晶體管Qll的源極S與第十二晶體管Q12的漏極D之間， 所述第十二晶體管Q12的源極S接地，因此，所述第八晶體管Q8的柵極G與第九晶體管Q9 的柵極G得到一低電平，所述第八晶體管Q8與第九晶體管Q9均截止，所述第一發(fā)光二極管 Dl不發(fā)光。當(dāng)所述第一電壓偵測(cè)電路偵測(cè)到第一電壓轉(zhuǎn)換器有故障發(fā)生時(shí)，所述第一開關(guān)電路切斷所述第一電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)驅(qū)動(dòng)第一報(bào)警電路發(fā)出相應(yīng)的報(bào)警信號(hào)，提醒人員注意第一電壓轉(zhuǎn)換器有故障。當(dāng)所述第二電壓偵測(cè)電路偵測(cè)到第二電壓轉(zhuǎn)換器有故障發(fā)生時(shí)， 所述第二開關(guān)電路切斷所述第二電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)驅(qū)動(dòng)第二報(bào)警電路發(fā)出相應(yīng)的報(bào)警信號(hào)，提醒人員注意第二電壓轉(zhuǎn)換器有故障。如此可以及時(shí)有效地查出故障的原因且避免了可能出現(xiàn)的各種事故。 可以理解的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電源保護(hù)電路，其包括一電源供應(yīng)單元、一第一電壓轉(zhuǎn)換器、一第二電壓轉(zhuǎn)換器、一第一開關(guān)電路、一第二開關(guān)電路，所述第一開關(guān)電路連接在所述電源供應(yīng)單元及所述第一電壓轉(zhuǎn)換器之間，所述第二開關(guān)電路連接在所述電源供應(yīng)單元及所述第二電壓轉(zhuǎn)換器之間，所述電源供應(yīng)單元用于為所述第一、第二電壓轉(zhuǎn)換器提供電壓源，其特征在于所述電源保護(hù)電路進(jìn)一步包括一第一電壓偵測(cè)電路、一第二電壓偵測(cè)電路及一第一報(bào)警電路及一第二報(bào)警電路，所述第一電壓偵測(cè)電路連接至所述第一電壓轉(zhuǎn)換器，所述第二電壓偵測(cè)電路連接至所述第二電壓轉(zhuǎn)換器，所述第一報(bào)警電路連接至所述第一電壓偵測(cè)電路，所述第二報(bào)警電路連接至所述第二電壓偵測(cè)電路，當(dāng)所述第一電壓偵測(cè)電路的輸入電壓降低時(shí)，所述第一開關(guān)電路切斷所述第一電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)所述電源供應(yīng)單元驅(qū)動(dòng)第一報(bào)警電路發(fā)出報(bào)警信號(hào)，當(dāng)所述第二電壓偵測(cè)電路的輸入電壓降低時(shí)，所述第二開關(guān)電路切斷所述第二電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)所述電源供應(yīng)單元驅(qū)動(dòng)第二報(bào)警電路發(fā)出報(bào)警信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的電源保護(hù)電路，其特征在于所述第一開關(guān)電路包括一第一晶體管，所述第二開關(guān)電路包括一第二晶體管，當(dāng)所述第一電壓偵測(cè)電路的輸入電壓降低時(shí)， 所述第一晶體管切斷所述第一電壓轉(zhuǎn)換器，當(dāng)所述第二電壓偵測(cè)電路的輸入電壓降低時(shí)， 所述第二晶體管切斷所述第二電壓轉(zhuǎn)換器。
3.如權(quán)利要求2所述的電源保護(hù)電路，其特征在于所述第一電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端連接至一負(fù)載，所述第二電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端連接至另一負(fù)載，所述第一晶體管與第二晶體管均為P-MOS管，該第一晶體管的漏極連接至第一電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端，所述第一晶體管的柵極連接所述第一電壓偵測(cè)電路，所述第一晶體管的源極連接至所述電源供應(yīng)單元，所述第二晶體管的源極連接至所述電源供應(yīng)單元，所述第二晶體管的漏極連接至所述第二電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端，所述第二晶體管的柵極連接至所述第二電壓偵測(cè)電路。
4.如權(quán)利要求3所述的電源保護(hù)電路，其特征在于所述第一電壓偵測(cè)電路包括一第三晶體管及一第四晶體管，所述第三晶體管及第四晶體管均為NPN型三極管，所述第三晶體管的集電極連接至所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的發(fā)射極連接至地，所述第三晶體管的基極連接至所述第一電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端，所述第四晶體管的集電極連接至所述電源供應(yīng)單元，所述第四晶體管的發(fā)射極接地，所述第四晶體管的基極連接至所述電源供應(yīng)單元，所述第三晶體管的集電極與第四晶體管的集電極之間相互連接。
5.如權(quán)利要求3所述的電源保護(hù)電路，其特征在于所述第二電壓偵測(cè)電路包括一第五晶體管及一第六晶體管，所述第五晶體管及第六晶體管均為NPN型三極管，所述第五晶體管的集電極通過一電阻連接至所述第二晶體管的柵極，所述第五晶體管的發(fā)射極連接至地，所述第五晶體管的基極連接至所述第二電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端，所述第六晶體管的集電極連接至所述電源供應(yīng)單元，所述第六晶體管的發(fā)射極接地，所述第六晶體管的基極連接至所述電源供應(yīng)單元，所述第五晶體管的集電極與第六晶體管的集電極之間相互連接。
6.如權(quán)利要求4所述的電源保護(hù)電路，其特征在于所述第一報(bào)警電路包括一第七晶體管、一第八晶體管管、一第九晶體管及一第一發(fā)光二極管，所述第七晶體管為一 NPN型三極管，第八晶體管與第九晶體管均為N-MOS管，該第七晶體管的基極連接至第三晶體管的集電極，第七晶體管的集電極至所述電源供應(yīng)單元，第七晶體管的發(fā)射極連接至所述第四晶體管的集電極，所述第八晶體管與第九晶體管的柵極均連接至第四晶體管的集電極，所述第八晶體管的源極連接至所述第九晶體管的漏極，所述第九晶體管的源極接地，所述第八晶體管的漏極連接第一發(fā)光二極管的陰極，所述第一發(fā)光二極管的陽極通過一電阻連接至所述電源供應(yīng)單元。
7.如權(quán)利要求5所述的電源保護(hù)電路，其特征在于所述第二報(bào)警電路包括一第十晶體管、一第十一晶體管、一第十二晶體管及一第二發(fā)光二極管，所述第十晶體管為一 NPN型三極管，第十一晶體管與第十二晶體管均為N-MOS管，該第十晶體管的基極連接至第五晶體管的集電極，第十晶體管的集電極至所述電源供應(yīng)單元，第十晶體管的發(fā)射極連接至所述第六晶體管的集電極，所述第十一晶體管與第十二晶體管的柵極均連接至所述第八晶體管的源極與第九晶體管的漏極之間，所述第十一晶體管的源極連接至所述第十二晶體管的漏極，所述第十二晶體管的源極接地，所述第十一晶體管的漏極連接至所述第二發(fā)光二極管的陰極，所述第二發(fā)光二極管的陽極通過一電阻連接至所述電源供應(yīng)單元。
8.如權(quán)利要求3所述的電源保護(hù)電路，其特征在于所述第一晶體管通過一延時(shí)電容接地。
9.如權(quán)利要求3所述的電源保護(hù)電路，其特征在于所述第二晶體管通過一延時(shí)電容接地。
全文摘要
一種電源保護(hù)電路，其包括一電源供應(yīng)單元、一第一電壓轉(zhuǎn)換器、一第二電壓轉(zhuǎn)換器、一第一開關(guān)電路、一第二開關(guān)電路。第一、第二開關(guān)電路分別連接在電源供應(yīng)單元及第一、第二電壓轉(zhuǎn)換器之間。電源保護(hù)電路進(jìn)一步包括一第一電壓偵測(cè)電路、一第二電壓偵測(cè)電路及一第一報(bào)警電路及一第二報(bào)警電路。第一、第二電壓偵測(cè)電路分別連接至第一、第二電壓轉(zhuǎn)換器。第一、第二報(bào)警電路分別連接至第一、第二壓偵測(cè)電路。當(dāng)?shù)谝换虻诙妷簜蓽y(cè)電路的輸入電壓降低時(shí)，第一開關(guān)電路切斷第一電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)驅(qū)動(dòng)第一報(bào)警電路發(fā)出報(bào)警信號(hào)，或第二開關(guān)電路切斷第二電壓轉(zhuǎn)換器，同時(shí)驅(qū)動(dòng)第二報(bào)警電路發(fā)出報(bào)警信號(hào)。本發(fā)明的電源保護(hù)電路可當(dāng)負(fù)載發(fā)生異常時(shí)發(fā)出報(bào)警。
文檔編號(hào)H02H7/10GK102347601SQ20101024512
公開日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2010年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月4日
發(fā)明者蔡孝仁 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司