專(zhuān)利名稱(chēng)：一種浪涌保護(hù)電路及反激式功率因數(shù)校正裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種浪涌保護(hù)電路及反激式功率因數(shù)校正裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，LED作為一種綠色照明光源得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB17625. 1-2003對(duì)電子產(chǎn)品諧波電流發(fā)射限值的要求，相比其它產(chǎn)品，標(biāo)準(zhǔn)對(duì)包括LED在 內(nèi)的燈具類(lèi)產(chǎn)品作了更加嚴(yán)格的規(guī)定。另外，LED因?yàn)橐话憔褂煤懔骺刂齐娐愤M(jìn)行驅(qū)動(dòng)， 對(duì)于前級(jí)輸出電壓紋波沒(méi)有嚴(yán)格限制。根據(jù)LED的上述特點(diǎn)，可以通過(guò)一種反激式功率因數(shù)校正裝置，直接輸出恒定的 安全電壓到恒流控制電路驅(qū)動(dòng)LED，這種電路裝置因其具有較高的性?xún)r(jià)比，在業(yè)界得到了廣 泛的應(yīng)用。然而，因?yàn)樵谝淮蝹?cè)不能同其它開(kāi)關(guān)電源裝置一樣使用高壓大容量電解電容對(duì) 整流后的電壓進(jìn)行濾波，否則將導(dǎo)致交越失真而大大影響功率因數(shù)校正效果甚至無(wú)法達(dá)到 有關(guān)諧波電流限值的強(qiáng)制性要求，因此在該校正裝置的交流輸入端的抗浪涌性能比較差。為了達(dá)到相關(guān)要求，現(xiàn)有的做法是在反激式功率因數(shù)校正裝置上外加浪涌保護(hù) 器，即避雷器，但效果并不理想，難于達(dá)到GB/T 17626. 5-2008標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)要求。另外這種做 法不僅增加了產(chǎn)品成本，也增大了產(chǎn)品體積，難于滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)產(chǎn)品高性?xún)r(jià)比的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種浪涌保護(hù)電路，旨在解決現(xiàn)有的反激式功率因數(shù)校正 裝置存在抗浪涌性能比較差的問(wèn)題。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種浪涌保護(hù)電路，所述浪涌保護(hù)電路包括對(duì)浪涌電壓進(jìn)行吸收的吸收模塊；以及與所述吸收模塊連接，將所述吸收模塊吸收的電能進(jìn)行釋放的放電模塊。上述結(jié)構(gòu)中，所述吸收模塊包括第一二極管和第一電容，所述第一二極管的陽(yáng)極 為所述浪涌保護(hù)電路的輸入端，所述第一二極管的陰極接第一電容的正極，所述第一電容 的負(fù)極接地。上述結(jié)構(gòu)中，所述放電模塊包括第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的第一端接 所述第一電容的正極，所述第一電阻的第二端接所述第二電阻的第一端，所述第二電阻的
第二端接地。本發(fā)明的另一目的在于提供一種反激式功率因數(shù)校正裝置，所述反激式功率因數(shù) 校正裝置包括反激式功率因數(shù)校正裝置本體，所述反激式功率因數(shù)校正裝置本體包括整流 橋，所述反激式功率因數(shù)校正裝置還包括浪涌保護(hù)電路，所述浪涌保護(hù)電路的輸入端接所 述整流橋的正極輸出端，所述浪涌保護(hù)電路包括與所述整流橋的正極輸出端連接，對(duì)浪涌電壓進(jìn)行吸收的吸收模塊；以及與所述吸收模塊連接，將所述吸收模塊吸收的電能進(jìn)行釋放的放電模塊。
上述結(jié)構(gòu)中，所述吸收模塊包括第一二極管和第一電容，所述第一二極管的陽(yáng)極 接所述整流橋的正極輸出端，所述第一二極管的陰極接第一電容的正極，所述第一電容的 負(fù)極接地。上述結(jié)構(gòu)中，所述放電模塊包括第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的第一端接 所述第一電容的正極，所述第一電阻的第二端接所述第二電阻的第一端，所述第二電阻的
第二端接地。在本發(fā)明中，浪涌保護(hù)電路對(duì)反激式功率因數(shù)校正裝置的交流輸入端在遭到雷擊 或其它干擾時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓進(jìn)行吸收，并且進(jìn)行能量釋放，從而避免了反激式功率因數(shù) 校正裝置受到損壞，該浪涌保護(hù)電路效果好，并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，滿(mǎn)足了用戶(hù)對(duì)產(chǎn)品 高性?xún)r(jià)比的要求。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的反激式功率因數(shù)校正裝置的結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的反激式功率因數(shù)校正裝置的示例電路圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì) 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的反激式功率因數(shù)校正裝置的結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō) 明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。反激式功率因數(shù)校正裝置包括反激式功率因數(shù)校正裝置本體100，反激式功率因 數(shù)校正裝置本體100的電路結(jié)構(gòu)為現(xiàn)有技術(shù)，這里不再贅述，其具體電路結(jié)構(gòu)如圖1所示， 反激式功率因數(shù)校正裝置本體100包括整流橋BD1，反激式功率因數(shù)校正裝置還包括浪涌 保護(hù)電路200，浪涌保護(hù)電路200的輸入端接整流橋BDl的正極輸出端，浪涌保護(hù)電路200 的一端接地，其中，浪涌保護(hù)電路200包括與整流橋BDl的正極輸出端連接，對(duì)浪涌電壓進(jìn) 行吸收的吸收模塊201，以及與吸收模塊201連接的放電模塊202，將吸收模塊201吸收的 電能進(jìn)行釋放。圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的反激式功率因數(shù)校正裝置的示例電路結(jié)構(gòu)，為了 便于說(shuō)明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。作為本發(fā)明一實(shí)施例，吸收模塊201包括第一二極管Dl和第一電容Cl，第一二極 管Dl的陽(yáng)極接整流橋BDl的正極輸出端，第一二極管Dl的陰極接第一電容Cl的正極，第 一電容Cl的負(fù)極接地。放電模塊202包括第一電阻Rl和第二電阻R2，第一電阻Rl的第一端接第一電容 Cl的正極，第一電阻Rl的第二端接第二電阻R2的第一端，第二電阻R2的第二端接地。該浪涌保護(hù)電路的工作原理為1、正常工作時(shí)的原理為了防止影響反激式功率因數(shù)校正裝置的正常工作，第二 電容C2必須使用小容量的電容，僅起高頻濾波作用，第一電容Cl的容值遠(yuǎn)大于第二電容 C2，因而在開(kāi)機(jī)瞬間，交流電通過(guò)整流橋BDl整流后先經(jīng)過(guò)第一二極管Dl對(duì)第一電容Cl進(jìn)行充電，當(dāng)?shù)谝浑娙軨l上的充電電壓迅速爬升到輸入交流電壓峰值時(shí)，第一二極管Dl截 止，浪涌保護(hù)電路200不會(huì)影響反激式功率因數(shù)校正裝置正常工作。另外，第一電阻Rl和 第二電阻R2只是泄放電阻，由于阻值可以取得較大，由此造成對(duì)功率因數(shù)校正效果的影響 可以忽略不計(jì)。2、浪涌保護(hù)功能的實(shí)現(xiàn)當(dāng)反激式功率因數(shù)校正裝置的交流輸入端遭到雷擊或其 它干擾產(chǎn)生浪涌電壓時(shí)，浪涌電壓將通過(guò)第一二極管Dl瞬時(shí)被第一電容Cl吸收，由于此類(lèi) 浪涌電壓持續(xù)時(shí)間極短，第一電容Cl電容量較大，因此能有效地被吸收，并以電能的形式 存貯在第一電容Cl中，防止浪涌電壓注入后級(jí)電路以避免電路損壞。3、當(dāng)浪涌電壓消失時(shí)，第一二極管Dl截止，第一電容Cl對(duì)第一電阻Rl和第二電 阻R2進(jìn)行放電，防止在浪涌電壓多次吸收后第一電容Cl電壓過(guò)高導(dǎo)致?lián)p壞，同時(shí)也可以提 高下一次浪涌保護(hù)的效果。在本發(fā)明實(shí)施例中，浪涌保護(hù)電路對(duì)反激式功率因數(shù)校正裝置的交流輸入端在遭 到雷擊或其它干擾時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓進(jìn)行吸收，并且進(jìn)行能量釋放，從而避免了反激式功 率因數(shù)校正裝置受到損壞，該浪涌保護(hù)電路效果好，并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，滿(mǎn)足了用戶(hù) 對(duì)產(chǎn)品高性?xún)r(jià)比的要求。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種浪涌保護(hù)電路，其特征在于，所述浪涌保護(hù)電路包括對(duì)浪涌電壓進(jìn)行吸收的吸收模塊；以及與所述吸收模塊連接，將所述吸收模塊吸收的電能進(jìn)行釋放的放電模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的浪涌保護(hù)電路，其特征在于，所述吸收模塊包括第一二極管和 第一電容，所述第一二極管的陽(yáng)極為所述浪涌保護(hù)電路的輸入端，所述第一二極管的陰極 接第一電容的正極，所述第一電容的負(fù)極接地。
3.如權(quán)利要求2所述的浪涌保護(hù)電路，其特征在于，所述放電模塊包括第一電阻和第 二電阻，所述第一電阻的第一端接所述第一電容的正極，所述第一電阻的第二端接所述第 二電阻的第一端，所述第二電阻的第二端接地。
4.一種反激式功率因數(shù)校正裝置，所述反激式功率因數(shù)校正裝置包括反激式功率因數(shù) 校正裝置本體，所述反激式功率因數(shù)校正裝置本體包括整流橋，其特征在于，所述反激式功 率因數(shù)校正裝置還包括浪涌保護(hù)電路，所述浪涌保護(hù)電路的輸入端接所述整流橋的正極輸 出端，所述浪涌保護(hù)電路包括與所述整流橋的正極輸出端連接，對(duì)浪涌電壓進(jìn)行吸收的吸收模塊；以及與所述吸收模塊連接，將所述吸收模塊吸收的電能進(jìn)行釋放的放電模塊。
5.如權(quán)利要求4所述的反激式功率因數(shù)校正裝置，其特征在于，所述吸收模塊包括第 一二極管和第一電容，所述第一二極管的陽(yáng)極接所述整流橋的正極輸出端，所述第一二極 管的陰極接第一電容的正極，所述第一電容的負(fù)極接地。
6.如權(quán)利要求5所述的反激式功率因數(shù)校正裝置，其特征在于，所述放電模塊包括第 一電阻和第二電阻，所述第一電阻的第一端接所述第一電容的正極，所述第一電阻的第二 端接所述第二電阻的第一端，所述第二電阻的第二端接地。
全文摘要
本發(fā)明適用于電子技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種浪涌保護(hù)電路及反激式功率因數(shù)校正裝置，所述浪涌保護(hù)電路包括對(duì)浪涌電壓進(jìn)行吸收的吸收模塊；與所述吸收模塊連接，將所述吸收模塊吸收的電能進(jìn)行釋放的放電模塊。在本發(fā)明中，浪涌保護(hù)電路對(duì)反激式功率因數(shù)校正裝置的交流輸入端在遭到雷擊或其它干擾時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓進(jìn)行吸收，并且進(jìn)行能量釋放，從而避免了反激式功率因數(shù)校正裝置受到損壞，該浪涌保護(hù)電路效果好，并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，滿(mǎn)足了用戶(hù)對(duì)產(chǎn)品高性?xún)r(jià)比的要求。
文檔編號(hào)H02H9/04GK101997310SQ200910189708
公開(kāi)日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2009年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月24日
發(fā)明者岳丹金, 巨祥生, 陳薪 申請(qǐng)人:深圳桑達(dá)國(guó)際電子器件有限公司