專利名稱：用于補(bǔ)償裝置的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及的是一種可控硅模塊技術(shù)領(lǐng)域的裝置,具體是一種用于補(bǔ)償 裝置的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊。
背景技術(shù)：
無(wú)功補(bǔ)償裝置對(duì)電力系統(tǒng)非常重要，應(yīng)用范圍非常廣泛，但是老式靜態(tài)補(bǔ)償 裝置以交流接觸器作為開(kāi)關(guān)器件，交流接觸器響應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)，不能快itm負(fù)載 變化，投切時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)致不能頻繁投切，而且接觸器有觸點(diǎn)，另外由于電容器投 入時(shí)的涌流和切除時(shí)的過(guò)電壓,更加速了交流接觸器的損壞皿，減少使用壽命， 致使對(duì)電力系統(tǒng)很重要的補(bǔ)償裝置不能起到應(yīng)有的作用。
經(jīng)過(guò)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的檢索發(fā)現(xiàn)，中國(guó)專利號(hào)ZL01208276.7,授權(quán)公告號(hào) CN2479672Y的實(shí)用新型專利，記載了一種"補(bǔ)償裝置無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)"，由風(fēng)扇、散 熱片、可控硅模塊、熔斷器組成，在散熱片的一側(cè)面設(shè)有風(fēng)扇，另一倒面設(shè)有縱 向排列的可控硅模塊及熔斷器。但該現(xiàn)有技術(shù)沒(méi)有釆用溫度保護(hù)開(kāi)關(guān)，對(duì)可控硅 模塊的保護(hù)不充分，易導(dǎo)致可控硅模塊因過(guò)熱而損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種用于補(bǔ)償裝置的無(wú)觸點(diǎn) 可控硅模塊，該模塊投切無(wú)觸點(diǎn)，無(wú)涌流且投切速度快，采用實(shí)時(shí)溫度保護(hù)技術(shù)， 避免可控硅因過(guò)熱而損壞，解決補(bǔ)償設(shè)備易損的問(wèn)題，使補(bǔ)償設(shè)備能有繊到補(bǔ) 償電力系統(tǒng)的作用。
本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，本實(shí)用新型包括三對(duì)結(jié)構(gòu)相同的 可控硅模塊和觸發(fā)模塊、第一溫度開(kāi)關(guān)、第二溫度開(kāi)關(guān)、散熱片和散熱風(fēng)機(jī)，其 中:散熱片的正面設(shè)有散熱風(fēng)機(jī)，散熱片另一面設(shè)有，可控硅模塊和觸發(fā)模塊、 第一溫度控制開(kāi)關(guān)和第二溫度控制開(kāi)關(guān)，觸發(fā)模塊的輸出端分別連接于可控硅模 塊的觸發(fā)端，第一溫度開(kāi)關(guān)與散熱風(fēng)機(jī)串聯(lián)連接至電源，三個(gè)觸發(fā)模塊的輸入端 并聯(lián)后經(jīng)第二溫度開(kāi)關(guān)連接至補(bǔ)償裝置的控制器,三個(gè)可控硅模塊的兩端均設(shè)有
3接線端子并分別連接至補(bǔ)償裝置。
所述的散熱片的正面設(shè)有若干散熱槽，散熱風(fēng)機(jī)固定于散熱槽上并將冷空氣 吹至散熱槽內(nèi)進(jìn)行降溫。
所述的第一溫度開(kāi)關(guān)為常開(kāi)式溫度開(kāi)關(guān),當(dāng)檢測(cè)溫度大于風(fēng)扇啟動(dòng)溫度時(shí)閉 合以啟動(dòng)散熱風(fēng)機(jī)。
所述的第二溫度開(kāi)關(guān)為常閉式,開(kāi)關(guān),當(dāng)檢測(cè)溫度大于斷電保護(hù)溫度時(shí)斷 開(kāi)以保護(hù)可控硅模塊安全工作。
本實(shí)用新型補(bǔ)償裝置可控硅模塊，克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，達(dá)到了上述動(dòng)態(tài)
補(bǔ)償?shù)哪康?，可控硅模塊在接到投切指令后，可以在小于10ms內(nèi)完成零電流投 入，投切無(wú)涌流，并且可以快速頻繁投切，不易損壞，徹底解決了老式交流接觸 器的易損問(wèn)題。

圖1為本實(shí)用新型正面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本實(shí)用新型倒面結(jié)構(gòu)示意圖 圖3為本實(shí)用新型可控硅結(jié)構(gòu)示意圖，具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例在以本實(shí)用新型 技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本實(shí) 用新型的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。
如圖l、圖2和圖3所示，本實(shí)施例包括第一可控硅模塊l、第一觸發(fā)模 塊2、第二可控硅模塊3、第二觸發(fā)模塊4、第三可控硅模塊5、第三觸發(fā)模塊6、 第一驢開(kāi)關(guān)7、第二溫度開(kāi)關(guān)8、散熱片9和散熱風(fēng)機(jī)W,其中散熱片9的 正面設(shè)有散熱風(fēng)機(jī)10,散熱片9的背面設(shè)有第一可控硅模塊1、第一觸發(fā)模塊2、 第二可控硅模塊3、第二觸發(fā)模塊4、第三可控硅模塊5、第三觸發(fā)模塊6、第 —溫度控制開(kāi)關(guān)和第二溫度控制開(kāi)關(guān)，第一觸發(fā)模塊2、第二觸發(fā)模塊4和第三 觸發(fā)模塊6的輸出端分別連接第一可控硅模塊1、第二可控硅模塊3和第三可控 硅模塊5的觸發(fā)端，第一溫度開(kāi)關(guān)7與散熱風(fēng)機(jī)10串聯(lián)連接至電源，第一觸發(fā) 模塊2、第二觸發(fā)模塊4和第三觸發(fā)模塊6的輸入端并聯(lián)后經(jīng)由第二溫度開(kāi)關(guān)8 連接至補(bǔ)償裝置的控制器。所述的散熱片9的正面設(shè)有若干散熱槽11，散熱風(fēng)機(jī)10固定于散熱槽11 上并將冷空氣吹至散熱槽11內(nèi)進(jìn)行降溫。
所述的若千散熱槽11與散熱片9相互垂直，散熱槽11為矩形結(jié)構(gòu)的金屬制 成，該散熱槽11的厚度為3mrn，每?jī)善岵?1之間間隔為7mm。
所述的第一溫度開(kāi)關(guān)7為KSD302F55型常開(kāi)式溫度開(kāi)關(guān)，當(dāng)溫度大于55^ 時(shí)閉合以啟動(dòng)散熱風(fēng)機(jī)10。
所述的第二溫度開(kāi)關(guān)8為KSD302F75型常閉式溫度開(kāi)關(guān)，當(dāng)溫度大于75t 時(shí)斷開(kāi)以保護(hù)可控硅模塊安全工作。
如圖3所示，第一可控硅模塊1、第二可控硅模塊3和第三可控硅模塊5呈 縱向排列在散熱片9上，第一可控硅模塊l、第二可控硅模塊3和第三可控硅模 塊5的兩端分別設(shè)有接線端子A/B/C以及AyByd分別連接至補(bǔ)償裝置的電容器 和電抗器。
權(quán)利要求1、一種用于補(bǔ)償裝置的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊，其特征在于，包括三對(duì)結(jié)構(gòu)相同的可控硅模塊和觸發(fā)模塊、第一溫度開(kāi)關(guān)、第二溫度開(kāi)關(guān)、散熱片和散熱風(fēng)機(jī)，其中散熱片的正面設(shè)有散熱風(fēng)機(jī)，散熱片另一面設(shè)有三對(duì)可控硅模塊和觸發(fā)模塊、第一溫度控制開(kāi)關(guān)和第二溫度控制開(kāi)關(guān)，觸發(fā)模塊的輸出端分別連接于可控硅模塊的觸發(fā)端，第一溫度開(kāi)關(guān)與散熱風(fēng)機(jī)串聯(lián)連接至電源，三個(gè)觸發(fā)模塊的輸入端并聯(lián)后經(jīng)第二溫度開(kāi)關(guān)連接至補(bǔ)償裝置的控制器，三個(gè)可控硅模塊的兩端均設(shè)有接線端子并分別連接至補(bǔ)償裝置。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于補(bǔ)償裝置的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊，其特征是， 所述的散熱片的正面設(shè)有若千散熱槽，散熱風(fēng)機(jī)固定于散熱槽上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于補(bǔ)償裝置的魏點(diǎn)可控硅模塊，其特征是， 所述的第一溫度開(kāi)關(guān)為常開(kāi)式溫度開(kāi)關(guān)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于補(bǔ)償裝置的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊，其特征是， 所述的第二溫度開(kāi)關(guān)為常閉式溫度開(kāi)關(guān)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于補(bǔ)償裝置的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊，其特征是， 所述的若干散熱槽與散熱片相互垂直設(shè)置，散熱槽為矩形結(jié)構(gòu)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于補(bǔ)償裝置的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊，其特征是， 所述的散熱槽的厚度為3tran。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5或者6所述的用于補(bǔ)償裝置的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊，其特 征是，所述的散熱槽，每?jī)善岵壑g的間隔為7m。
專利摘要一種可控硅模塊技術(shù)領(lǐng)域的無(wú)觸點(diǎn)可控硅模塊，其特征在于，包括三對(duì)結(jié)構(gòu)相同的可控硅模塊和觸發(fā)模塊、第一溫度開(kāi)關(guān)、第二溫度開(kāi)關(guān)、散熱片和散熱風(fēng)機(jī)。本實(shí)用新型投切無(wú)觸點(diǎn)，無(wú)涌流且投切速度快，采用實(shí)時(shí)溫度保護(hù)技術(shù)，避免可控硅因過(guò)熱而損壞，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)補(bǔ)償，解決補(bǔ)償設(shè)備易損的問(wèn)題，使補(bǔ)償設(shè)備能有效起到補(bǔ)償電力系統(tǒng)的作用。
文檔編號(hào)H02J3/18GK201282341SQ20082015438
公開(kāi)日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2008年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月23日
發(fā)明者吳海峰, 波 楊, 胡德平 申請(qǐng)人:上海久創(chuàng)電氣自動(dòng)化設(shè)備有限公司