專利名稱：半導體激光器保護電路、光拾取裝置、及信息記錄重放裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種保護半導體激光器免于靜電破壞的半導體激光 器保護電路、光拾取裝置、及信息記錄重放裝置，具體而言涉及到一 種使對光盤或光磁盤等盤狀光記錄介質(zhì)進行的信息記錄重放所使用的 半導體激光器免于受到靜電破壞的半導體激光器保護電路、光拾取裝 置、及信息記錄重放裝置。
背景技術(shù)：
在向致密光碟(Compact Disk:簡稱CD)或數(shù)字多用盤(Digital Versatile Disk:簡稱DVD)等光記錄介質(zhì)進行信息記錄重放的信息記 錄重放裝置中，使用搭載了半導體激光器的光拾取裝置。
保護光拾取裝置中安裝的半導體激光器不受靜電千擾的靜電對策 例如如下進行半導體激光器安裝在軟性基板或硬質(zhì)基板等基板上時，
在基板上通過錫焊直接連接半導體激光器的兩個端子，使其為短路狀 態(tài)。靜電產(chǎn)生的電流即使流入到半導體激光器中，由于半導體激光器 的端子之間為短路狀態(tài)，因此可保護半導體激光器免受靜電干擾。例
如存在以下技術(shù)在光拾取裝置中形成二個短路圖案，使這二個短路 圖案與半導體激光器的各端子連接，通過錫焊使這二個短路圖案連接，
從而使半導體激光器的兩個端子之間為短路狀態(tài)。
在該技術(shù)中，需要進行以下作業(yè)光拾取裝置單體下的短路圖案 的錫焊作業(yè)；將光拾取裝置組裝到光記錄介質(zhì)的記錄重放裝置時的短 路圖案的焊錫去除作業(yè)。錫焊作業(yè)及焊錫去除作業(yè)使用焊烙鐵時，存
在因焊烙鐵的接地不良導致泄漏電流可能流入到半導體激光器的問 題。在JP特開2006-49549號公報公開的技術(shù)中，半導體激光器保護 電路將芯片電阻器或由導電性材料構(gòu)成的電阻器與半導體激光器并 聯(lián)，使半導體激光器為短路狀態(tài)。通過與半導體激光器并聯(lián)的電阻器， 保護半導體激光器不受靜電干擾。拾取調(diào)整結(jié)束后，在芯片電阻器的 情況下，將連接芯片電阻器的圖案斷開，在導電性材料的情況下，通 過拂拭或剝離去除導電性材料，解除半導體激光器的短路狀態(tài)。
在JP特開2006-49549號公報公開的技術(shù)中，通過電阻器保護半 導體激光器不受靜電干擾，不使用焊烙鐵便可解除電阻器的短路狀態(tài)， 因此可避免泄漏電流流入，但在拾取調(diào)整結(jié)束后，存在需要解除電阻 器短路狀態(tài)的作業(yè)的問題。
在JP實開平6-5201S號公報公開的技術(shù)中，光信息記錄重放裝置 使激光二極管保護電路連接到激光二極管的陽極。激光二極管保護電 路包括與激光二極管并聯(lián)的晶體管，施加到光信息記錄重放裝置的電 源電壓，直到激光二極管保護電路以外的電路變?yōu)檎幼鞯碾娫措?壓為止，使晶體管為通電狀態(tài)，避免最大額定值以上的電流流入到陽 極接地的激光二極管，防止激光二極管的破壞。
JP實開平6-52018號公報公開的技術(shù)可避免最大額定值以上的電 流流入到激光二極管，并防止激光二極管的破壞，但需要向激光二極 管保護電路也提供電力，在無法向光拾取裝置提供電力的狀態(tài)下，存 在無法保護激光二極管等的半導體激光器的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可使半導體激光器不受靜電及泄漏電 流干擾、無需解除短路狀態(tài)的作業(yè)的半導體激光器保護電路、光拾取 裝置、及信息記錄重放裝置。本發(fā)明提供一種半導體激光器保護電路，用于保護半導體激光器， 該半導體激光器具有二個端子，其中一個端子接地，其特征在于，包 括與半導體激光器的另一個端子連接的晶體管，該晶體管在基極被施
加預先確定的電壓以上的電壓時變?yōu)閷顟B(tài)，經(jīng)由該晶體管使半導 體激光器的另一個端子接地，進一步，在基極被施加比預先確定的電 壓小的電壓時變?yōu)榻^緣狀態(tài)，使半導體激光器的上述另一個端子斷開。
并且，本發(fā)明優(yōu)選還包括第1電阻器，與上述基極連接；和第 1外部端子，與上述第1電阻器連接，用于施加使施加到上述基極的電 壓為預先確定的上述第1電壓以上的電壓。
并且，本發(fā)明優(yōu)選，包括第2電阻器，具有二個端子，其中一 個端子與上述半導體激光器的上述另一個端子連接；第2外部端子， 與第2電阻器的另一個端子連接；和第2晶體管，與第2外部端子連 接，上述第2晶體管當在第2外部端子施加了預先確定的第2電壓時， 經(jīng)由該第2晶體管使上述晶體管的基極接地，使施加到基極的電壓為 比上述預先確定的第1電壓小的電壓。
并且，本發(fā)明提供一種光拾取裝置，使用激光對光記錄介質(zhì)進行 信息的記錄或重放，其特征在于，包括上述半導體激光器保護電路； 和半導體激光器，射出上述激光，與上述半導體激光器保護電路連接。
并且，本發(fā)明優(yōu)選，包括導電性的筐體，上述半導體激光器保護 電路接地到上述筐體上。
并且，本發(fā)明優(yōu)選，上述半導體激光器保護電路被集成化。
并且，本發(fā)明優(yōu)選，包括軟性基板，上述半導體激光器保護電路 安裝在上述軟性基板上。并且，本發(fā)明優(yōu)選，包括硬質(zhì)基板，上述半導體激光器保護電路 安裝在上述硬質(zhì)基板上。
并且，本發(fā)明也可提供一種光模塊，包括將上述半導體激光器 保護電路集成化的電路；半導體激光器，射出激光，與上述半導體激 光器保護電路連接；和受光元件，接收激光。
并且，本發(fā)明也可提供一種光拾取裝置，其含有上述光模塊。
并且，本發(fā)明提供一種信息記錄重放裝置，其特征在于，使用上 述光拾取裝置，對光記錄介質(zhì)進行信息的記錄或重放。
根據(jù)本發(fā)明，半導體激光器保護電路用于保護半導體激光器，該 半導體激光器具有二個端子，其中一個端子接地，其包括與半導體激 光器的另一個端子連接的晶體管，該晶體管在基極被施加預先確定的 電壓以上的電壓時變?yōu)閷顟B(tài)，經(jīng)由該晶體管使半導體激光器的上 述另一個端子接地，進一步，在基極被施加比預先確定的電壓小的電 壓時變?yōu)榻^緣狀態(tài)，使半導體激光器的上述另一個端子斷開。
因此，通過使施加到基極的電壓小于預先確定的電壓，可解除短 路狀態(tài)，因此可取消用于解除短路狀態(tài)的作業(yè)。無需為了解除短路狀 態(tài)而使用焊烙鐵，因此也可避免泄漏電流流入。因此，可提高半導體 激光器的成品率，提高搭載的半導體激光器的可靠性，并且由于可取 消用于解除短路狀態(tài)的作業(yè)，而可提高生產(chǎn)效率。
光拾取裝置也可含有上述光模塊，此時，無需另行設(shè)置用于搭載 半導體激光器保護電路的空間，可使光拾取裝置小型化。
根據(jù)本發(fā)明，在信息記錄重放裝置中，使用上述光拾取裝置對光 記錄介質(zhì)進行信息的記錄或重放，因此在信息記錄重放裝置一側(cè)無需進行半導體激光器的靜電對策。
本發(fā)明的目的、特色及優(yōu)點通過以下詳細說明及附圖可得以明確。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的電氣開關(guān)電路的構(gòu)成的圖。 圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的光拾取裝置的概觀的一例的圖。
圖3是用于判斷電氣開關(guān)電路處于哪一狀態(tài)的流程圖。
圖4是表示本發(fā)明的其他實施方式的光拾取裝置的概觀的一例的圖。
圖5是表示本發(fā)明的一個實施方式的光模塊的概觀的一例的圖。
具體實施例方式
以下參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的電氣開關(guān)電路1的構(gòu)成的圖。 作為半導體激光器保護電路的電氣開關(guān)電路1包括晶體管ll、數(shù)字 晶體管12、第1電阻器13、第1外部端子14、第2外部端子15、及 第2電阻器16。
半導體激光器10例如由激光二極管構(gòu)成。半導體激光器10的陰 極接地，陽極與晶體管11連接。作為晶體管的晶體管11是npn型的 雙極晶體管，集電極與半導體激光器IO的陰極連接，發(fā)射極接地，基 極通過第1電阻器13與第1外部端子14連接。第1電阻器13例如由 碳質(zhì)電阻構(gòu)成，電阻值例如是10KQ (歐姆)。
作為第2晶體管的數(shù)字晶體管12例如由電阻內(nèi)置型的叩n型晶體 管構(gòu)成。數(shù)字晶體管12中內(nèi)置二個電阻，二個電阻中的一個電阻的電 阻值例如為4.7KQ，與基極連接，其他電阻的電阻值例如為47KQ，連接在基極和發(fā)射極之間。數(shù)字晶體管12的集電極與晶體管11的基
極連接，發(fā)射極接地，基極經(jīng)由電阻與第2外部端子15連接。
第2外部端子15經(jīng)由第2電阻器16與半導體激光器10的陽極連 接。第2電阻器16是用于保護半導體激光器10不受施加到第2外部 端子15的電壓的干擾的電阻器，例如由碳質(zhì)電阻構(gòu)成，電阻值例如為 10Q 。
電壓未施加到晶體管11的基極時，晶體管ll為斷開狀態(tài)、即絕 緣狀態(tài)，半導體激光器10中，經(jīng)由第2電阻器16接地，電流流入到 半導體激光器IO，變?yōu)镺N(打開)。
進一步，電壓施加到第1外部端子14，通過施加到第l外部端子 14的電壓，施加到晶體管11的基極的電壓為預先確定的第1電壓、例 如1.0V(伏)的電壓以上時，晶體管ll變?yōu)閷顟B(tài)，半導體激光器 IO經(jīng)由晶體管ll接地。
半導體激光器IO經(jīng)由晶體管11接地時，來自焊烙鐵的泄漏電流 或靜電所產(chǎn)生電流經(jīng)由晶體管11放電，因此可防止半導體激光器10 被泄漏電流或靜電破壞。
進一步，電壓施加到第2外部端子15，施加到第2外部端子15 的電壓為預先確定的第2電壓、例如3V的電壓以上時，電流流入到數(shù) 字晶體管12的基極，數(shù)字晶體管12變?yōu)閷顟B(tài)。當數(shù)字晶體管12 變?yōu)閷顟B(tài)時，晶體管11的基極經(jīng)由數(shù)字晶體管12接地，晶體管 ll變?yōu)榻^緣狀態(tài)。當晶體管ll變?yōu)榻^緣狀態(tài)時，半導體激光器10打 開，可進行動作。
這樣一來，電氣開關(guān)電路1是用于保護半導體激光器10的半導體 激光器保護電路，該半導體激光器具有二個端子， 一個端子接地。該電氣開關(guān)電路1包括晶體管U，該晶體管11與半導體激光器另一個端 子連接，在基極被施加預先確定的電壓以上的電壓時變?yōu)閷顟B(tài)， 使半導體激光器IO的上述另一個端子經(jīng)由該晶體管11接地，進一步， 在基極被施加比預先確定的電壓小的電壓時變?yōu)榻^緣狀態(tài)，打開半導 體激光器10的上述另一個端子。
因此，通過使施加到基極的電壓小于預先確定的電壓，可解除短 路狀態(tài)，因此可取消用于解除短路狀態(tài)的作業(yè)。無需為了解除短路狀 態(tài)而使用焊烙鐵，因此也可避免泄漏電流流入。因此，可提高半導體 激光器的成品率，并提高搭載的半導體激光器的可靠性，并且可取消 用于解除短路狀態(tài)的作業(yè)，從而可提高生產(chǎn)效率。
進一步，電氣開關(guān)電路l還包括第1電阻器13，與上述基極連 接；和第1外部端子14，與第1電阻器13連接，用于施加使施加到上 述基極的電壓為上述預先確定的第1電壓以上的電壓。因此，通過改 變施加到第1外部端子14的電壓，可使半導體激光器10經(jīng)由晶體管 ll接地、或者控制接地的解除。
進一步，電氣開關(guān)電路1包括第2電阻器16，其具有二個端子， 一個端子與半導體激光器10的上述另一個端子連接;第2外部端子15， 與第2電阻器16的另一個端子連接；和第2晶體管12，與第2外部端 子15連接。通過數(shù)字晶體管12，在第2外部端子15被施加預先確定 的第2電壓時，晶體管11的基極經(jīng)由數(shù)字晶體管12接地，施加到基 極的電壓為小于上述預先確定的電壓的電壓。因此，即使電壓施加到 第1外部端子14、半導體激光器IO經(jīng)由晶體管11接地，也可通過施 加到第2外部端子15的電壓來解除接地。
圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的光拾取裝置20的概觀的一例 的圖。光拾取裝置20是使用激光對光記錄介質(zhì)記錄或重放信息的裝置， 包括電氣開關(guān)電路l、半導體激光器IO、筐體21、及軟性基板22。半導體激光器10安裝在筐體21上，電氣開關(guān)電路1安裝在軟性
基板22上。半導體激光器IO的陽極與電氣開關(guān)電路1的晶體管11的 集電極連接。電氣開關(guān)電路1接地到筐體21。
這樣一來，由于電氣開關(guān)電路1安裝到軟性基板22上，因此無需 使用專用的基板，可使光拾取裝置20小型化。
圖3是用于判斷電氣開關(guān)電路1處于哪一狀態(tài)的流程圖。從該流 程圖的步驟Al開始推進，可判斷電氣開關(guān)電路1處于哪個狀態(tài)或?qū)⒁?成為哪個狀態(tài)。
在步驟Al中，判斷光拾取裝置20是否搭載到信息記錄重放裝置。 當光拾取裝置20搭載到信息記錄重放裝置時，前進到步驟A6，當光 拾取裝置20未搭載到信息記錄重放裝置時，前進到步驟A2。在步驟 A2中，光拾取裝置20處于未搭載到信息記錄重放裝置的單體狀態(tài)。
在步驟A3中，判斷電壓是否施加到第2外部端子。當施加到第2 外部端子15的電壓為預先確定的第2電壓以上時，判斷電壓施加到了 第2外部端子，前進到步驟AIO。當施加到第2外部端子15的電壓小 于預先確定的第2電壓時，判斷電壓未施加到第2外部端子，前進到 步驟A4。在步驟A4中半導體激光器10處于經(jīng)由晶體管11接地的狀 態(tài)。在步驟A5中半導體激光器IO處于被保護不受靜電干擾的狀態(tài)。
在步驟A6中，光拾取裝置20處于搭載到信息記錄重放裝置的狀 態(tài)。在步驟A7中，判斷電壓是否施加到第1外部端子。通過施加到第 1外部端子14的電壓，而施加到晶體管11的基極的電壓為預先確定的 第l電壓以上時，判斷電壓施加到了第l外部端子，前進到步驟A8。 通過施加到第1外部端子14的電壓，而施加到晶體管11的基極的電 壓小于預先確定的第1電壓時，判斷電壓未施加到第1外部端子，返回到步驟A7。
在步驟A8中晶體管11變?yōu)閷顟B(tài)。在步驟A9中半導體激光 器IO經(jīng)由晶體管11接地，成為被保護不受靜電干擾的狀態(tài)。在步驟 A10中，判斷電壓是否施加到第2外部端子。當施加到第2外部端子 15的電壓為預先確定的第2電壓以上時，判斷電壓施加到了第2外部 端子，前進到步驟All。當施加到第2外部端子15的電壓小于預先確 定的第2電壓時，判斷電壓未施加到第2外部端子，返回到步驟AIO。
在步驟All中，通過數(shù)字晶體管12，使晶體管11的基極經(jīng)由數(shù) 字晶體管12接地，晶體管ll變?yōu)榻^緣狀態(tài)。在步驟A12中，半導體 激光器10的經(jīng)由晶體管11的接地被解除。在步驟A13中，半導體激 光器IO變?yōu)榭蛇M行動作的狀態(tài)。
圖4是表示本發(fā)明的其他實施方式的光拾取裝置30的概觀的一例 的圖。光拾取裝置30是使用激光對光記錄介質(zhì)記錄或重放信息的裝置， 包括電氣開關(guān)電路l、半導體激光器IO、筐體31、及硬質(zhì)基板32。硬 質(zhì)基板32不是軟性基板那樣具有柔軟性的材料，而是由不具有柔軟性 的基材構(gòu)成的硬質(zhì)基板。
半導體激光器10安裝在筐體31上，電氣開關(guān)電路l安裝在硬質(zhì) 基板32上。半導體激光器10的陽極與電氣開關(guān)電路1的晶體管11的 集電極連接。電氣開關(guān)電路1接地到筐體31。
這樣一來，由于電氣開關(guān)電路1安裝在硬質(zhì)基板32上，因此無需 使用專用的基板，可使光拾取裝置30小型化。
進一步，電氣開關(guān)電路l接地到導電性筐體21、 31，因此可使用 光拾取裝置20、 30—側(cè)的電壓，控制晶體管11的導通或絕緣。在上述實施方式中，分別連接單體的電阻器、晶體管、及數(shù)字晶 體管而構(gòu)成電氣開關(guān)電路1，但也可用集成了電阻器、晶體管、及數(shù)字 晶體管的集成電路來構(gòu)成。
這樣一來，電氣開關(guān)電路l集成化，因此可使光拾取裝置20、 30 小型化。
圖5是表示本發(fā)明的一個實施方式的光模塊40的概觀的一例的 圖。光模塊40包括電氣開關(guān)電路la、射出激光的半導體激光器10、 及接收激光的受光元件41。電氣開關(guān)電路la是將圖l所示的電氣開關(guān) 電路1集成化的裝置，電氣開關(guān)電路la的電路構(gòu)成與電氣開關(guān)電路1 的電路構(gòu)成相同，為了避免重復而省略其說明。半導體激光器10的陽 極與電氣開關(guān)電路la的晶體管11的集電極連接。
這樣一來，光模塊40包括使電氣開關(guān)電路1集成化的電氣開關(guān)電 路la，通過與電氣開關(guān)電路la連接的半導體激光器10，射出激光，通 過受光元件41，激光被接收。
上述光拾取裝置20、 30將電氣開關(guān)電路1安裝到軟性基板22或 硬質(zhì)基板32，但也可通過安裝搭載了電氣開關(guān)電路la的光模塊40， 使用電氣開關(guān)電路la來替代電氣開關(guān)電路1。
這樣一來，光拾取裝置由于含有光模塊40，因此無需另行設(shè)置搭 載電氣開關(guān)電路la的空間，可使光拾取裝置小型化。
光拾取裝置20、 30、及使用了光模塊40的光拾取裝置可適用于 對致密光碟(Compact Disk:簡稱CD)或數(shù)字多用盤(Digital Versatile Disk:簡稱DVD)等光記錄介質(zhì)進行信息記錄重放的信息記錄重放裝 置。這樣一來，在信息記錄重放裝置中，使用光拾取裝置20、 30、或 利用了光模塊40的光拾取裝置，信息記錄或重放到光記錄介質(zhì)，因此 在信息記錄重放裝置一側(cè)無需進行半導體激光器10的靜電對策。
本發(fā)明不脫離其精神及主要特征時，可以各種方式實施。因此， 上述實施方式從各方面而言僅是單純的示例，本發(fā)明的范圍如權(quán)利要 求范圍所示，不受說明書正文的任何約束。進一步，屬于權(quán)利要求范 圍的變形、變更全部在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種半導體激光器保護電路，用于保護半導體激光器，該半導體激光器具有二個端子，其中一個端子接地，所述半導體激光器保護電路的特征在于，包括與半導體激光器的另一個端子連接的晶體管，該晶體管在基極被施加預先確定的電壓以上的電壓時變?yōu)閷顟B(tài)，經(jīng)由該晶體管使半導體激光器的上述另一個端子接地，進一步，在基極被施加比預先確定的電壓小的電壓時變?yōu)榻^緣狀態(tài)，使半導體激光器的上述另一個端子斷開。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導體激光器保護電路，其特征在于， 還包括第1電阻器，與上述基極連接；和第1外部端子，與上述第1電阻器連接，用于施加使施加到上述 基極的電壓為上述預先確定的第1電壓以上的電壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體激光器保護電路，其特征在于， 包括第2電阻器，具有二個端子，其中一個端子與上述半導體激光器的上述另一個端子連接；第2外部端子，與第2電阻器的另一個端子連接；和 第2晶體管，與第2外部端子連接，上述第2晶體管，當在第2外部端子施加了預先確定的第2電壓 時，經(jīng)由該第2晶體管使上述晶體管的基極接地，使施加到基極的電 壓為比上述預先確定的第1電壓小的電壓。
4. 一種光拾取裝置，使用激光對光記錄介質(zhì)進行信息的記錄或重 放，其特征在于，包括權(quán)利要求l所述的半導體激光器保護電路；和半導體激光器，射出上述激光，與上述半導體激光器保護電路連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光拾取裝置，其特征在于，包括導電性的筐體，上述半導體激光器保護電路接地到上述筐體上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光拾取裝置，其特征在于，上述半導體 激光器保護電路被集成化。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光拾取裝置，其特征在于， 包括軟性基板，上述半導體激光器保護電路安裝在上述軟性基板上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光拾取裝置，其特征在于， 包括硬質(zhì)基板，上述半導體激光器保護電路安裝在上述硬質(zhì)基板上。
9. 一種信息記錄重放裝置，其特征在于，使用權(quán)利要求4所述的 光拾取裝置，對光記錄介質(zhì)進行信息的記錄或重放。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體激光器保護電路、光拾取裝置、及信息記錄重放裝置。半導體激光器(10)的陰極接地，陽極與晶體管(11)的集電極連接。晶體管(11)的發(fā)射極接地，基極經(jīng)由第1電阻器(13)與第1外部端子連接。數(shù)字晶體管(12)的集電極與晶體管(11)的基極連接，發(fā)射極接地，基極經(jīng)由電阻與第2外部端子(15)連接。在晶體管(11)的基極施加預先確定的第1電壓以上的電壓時，晶體管(11)變?yōu)閷顟B(tài)，半導體激光器(10)經(jīng)由晶體管(11)接地，保護其不受靜電、泄漏電流干擾。
文檔編號H02H7/20GK101420102SQ200810169100
公開日2009年4月29日 申請日期2008年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月25日
發(fā)明者鈴木弘文 申請人:夏普株式會社