專利名稱:一種復(fù)位保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及到靜電保護(hù),具體地說(shuō)涉及一種復(fù)位保護(hù)電路。
技術(shù)背景復(fù)位電路幾乎涉及每一個(gè)電子產(chǎn)品,尤其是移動(dòng)通訊中的許多終端產(chǎn)品,比如各種ADSL (Asymmetric Digital Subscriber Line,非對(duì)稱數(shù)字 用戶線路)、VDSL MODEM (VDSL: Very-high-bit-rate Digital Subscriber line,高速數(shù)字用戶線路),無(wú)線接入終端,以及USB接口等諸多數(shù)據(jù)卡、 網(wǎng)卡等。當(dāng)某一產(chǎn)品需要復(fù)位時(shí),通過(guò)復(fù)位線將復(fù)位信號(hào)提供到復(fù)位電路 (當(dāng)電路為集成化時(shí),復(fù)位電路可以是復(fù)位芯片),復(fù)位信號(hào)輸入端一般為 復(fù)位開(kāi)關(guān)或類(lèi)似復(fù)位開(kāi)關(guān)的其他開(kāi)關(guān),有時(shí)還有復(fù)位指示燈。由于復(fù)位開(kāi)關(guān)經(jīng)常作為外部的接口器件而為外界所接觸,其很容易成 為ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)放電點(diǎn),且由于復(fù)位的特殊 性,復(fù)位線一般走線較長(zhǎng),這些都使得復(fù)位電路極易受到靜電放電的影響 而產(chǎn)生故障。通常在結(jié)構(gòu)上要求復(fù)位線不能布置在靠近PCB (印刷電路板)邊沿的 地方,且將其安裝孔同電路公地連接在一起,或者將它們隔離開(kāi)來(lái)。然而, 對(duì)于體積狹小的產(chǎn)品而言,其結(jié)構(gòu)空間有限,從結(jié)構(gòu)上隔離靜電并不現(xiàn)實(shí)。因此,需要找到一種既經(jīng)濟(jì)又實(shí)惠地解決靜電放電使復(fù)位電路發(fā)生故障的 問(wèn)題的方法。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此,本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種復(fù)位保護(hù)電路, 可以簡(jiǎn)單而方便地對(duì)復(fù)位電路進(jìn)行靜電放電保護(hù)。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種復(fù)位保護(hù)電路,連接在復(fù)位線和復(fù)位電路之間,復(fù)位線連接到復(fù)位電路的復(fù)位端,該復(fù)位保護(hù)電路包含一靜電高壓泄放單元和一泄流電阻;所述靜電高壓泄放單元一端與復(fù)位線相連,連接處形成為第一節(jié)點(diǎn),另一端與地相連;所述泄流電阻串接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述復(fù)位電路的復(fù)位端 之間。所述的復(fù)位保護(hù)電路,所述靜電高壓泄放單元可以為高頻瓷片電容。 所述高頻瓷片電容為電容值在0. 001到0. 01UF之間的耐壓電容。所述靜電高壓泄放單元還可以為瞬態(tài)抑制二極管,所述瞬態(tài)抑制二極 管正極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連,負(fù)極與地相連。所述的復(fù)位保護(hù)電路,所述泄流電阻為貼片電阻。本實(shí)用新型的有益效果在于在復(fù)位線和復(fù)位電路之間增加一復(fù)位保 護(hù)電路,通過(guò)靜電高壓泄放單元濾除靜電放電時(shí)產(chǎn)生的高電壓,而由泄流 電阻來(lái)抑制靜電放電時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電流,從而可以有效地對(duì)復(fù)位電路實(shí)施靜 電放電保護(hù),同時(shí)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低廉。
圖1是本實(shí)用新型的一種具體實(shí)施方式
的電路結(jié)構(gòu)圖; 圖2是本實(shí)用新型的另一種具體實(shí)施方式
的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)照附圖結(jié)合具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。靜電放電是一種高壓能量泄放。靜電放電測(cè)試時(shí),靜電放電干擾信號(hào) 有就近在低電位導(dǎo)體泄放的特點(diǎn),如果附近沒(méi)有直接導(dǎo)體或接地的導(dǎo)體, 靜電就會(huì)通過(guò)空氣襲擊附近的信號(hào)線,例如復(fù)位線,從而導(dǎo)致與復(fù)位線相 連的復(fù)位電路發(fā)生損壞。如圖l所示,本實(shí)用新型在復(fù)位線和復(fù)位電路之間增加了復(fù)位保護(hù)電 路,復(fù)位線連接到復(fù)位電路的復(fù)位端,該復(fù)位保護(hù)電路包括靜電高壓泄放 單元和泄流電阻R,靜電高壓泄放單元一端與復(fù)位線相連,連接處形成為 第一節(jié)點(diǎn)A,另一端與地相連;泄流電阻R串接在第一節(jié)點(diǎn)A與復(fù)位電路 的復(fù)位端之間。在圖1所示的實(shí)施例中,靜電高壓泄放單元為T(mén)VS (瞬態(tài)抑制二極管)VD,于第一節(jié)點(diǎn)A,負(fù)極接地。瞬態(tài)抑制二極管VD用來(lái)濾除靜電放電時(shí)產(chǎn)生的高電壓,泄流電阻R 用來(lái)抑制靜電放電時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電流。而在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)上,泄流電阻R 和瞬態(tài)抑制二極管VD —起盡量緊靠復(fù)位線的復(fù)位信號(hào)輸入端,即復(fù)位開(kāi)關(guān) 或復(fù)位接口所在處。同時(shí),復(fù)位線的印刷線應(yīng)盡可能粗短。在上述電路中,可以采用下述器件,但是并不限于此。瞬態(tài)抑制二極 管VD可采用ON Semiconductor公司的SD12,泄流電阻R可以選取50歐 姆O. 5W的貼片電阻。在圖2示出的另一種實(shí)施例中,靜電高壓泄放單元為高頻瓷片電容, 其可選用電容值在0. 001到0. 01UF之間,耐壓2KV的電容。本實(shí)用新型提供了一種簡(jiǎn)單易行的復(fù)位保護(hù)電路,可以提供對(duì)復(fù)位電 路的靜電防護(hù),普遍適用于各種電子通訊產(chǎn)品。在實(shí)際測(cè)試中,如果在復(fù) 位開(kāi)關(guān)、或復(fù)位線附近,或復(fù)位指示燈打靜電,可以抵抗空氣放電高達(dá)15KV 的靜電干擾,因而有效地對(duì)復(fù)位電路進(jìn)行了靜電防護(hù),同時(shí)電路成本低廉。顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 可以對(duì)本發(fā)明做出各種改進(jìn)和變型。這些改進(jìn)和變形均屬于本實(shí)用新型的 保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種復(fù)位保護(hù)電路,連接在復(fù)位線和復(fù)位電路之間,復(fù)位線連接到復(fù)位電路的復(fù)位端,其特征在于,該復(fù)位保護(hù)電路包含一靜電高壓泄放單元和一泄流電阻;所述靜電高壓泄放單元一端與復(fù)位線相連,連接處形成為第一節(jié)點(diǎn),另一端與地相連;所述泄流電阻串接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述復(fù)位電路的復(fù)位端之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的復(fù)位保護(hù)電路,其特征在于,所述靜電高壓 泄放單元為高頻瓷片電容。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)位保護(hù)電路,其特征在于,所述高頻瓷片 電容為電容值在0. 001到0. 01UF之間的耐壓電容。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的復(fù)位保護(hù)電路,其特征在于,所述靜電高壓 泄放單元為瞬態(tài)抑制二極管,所述瞬態(tài)抑制二極管正極與所述第一節(jié)點(diǎn)相 連,負(fù)極與地相連。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的復(fù)位保護(hù)電路,其特征在于,所 述泄流電阻為貼片電阻。
專利摘要本實(shí)用新型披露了一種復(fù)位保護(hù)電路,連接在復(fù)位線和復(fù)位電路之間,復(fù)位線連接到復(fù)位電路的復(fù)位端,該復(fù)位保護(hù)電路包含一靜電高壓泄放單元和一泄流電阻;所述靜電高壓泄放單元一端與復(fù)位線相連,連接處形成為第一節(jié)點(diǎn),另一端與地相連;所述泄流電阻串接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述復(fù)位電路的復(fù)位端之間。本實(shí)用新型在復(fù)位線和復(fù)位電路之間增加一復(fù)位保護(hù)電路,通過(guò)靜電高壓泄放單元濾除靜電放電時(shí)產(chǎn)生的高電壓,而由泄流電阻來(lái)抑制靜電放電時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電流,從而可以有效地對(duì)復(fù)位電路實(shí)施靜電放電保護(hù),同時(shí)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低廉。
文檔編號(hào)H02H9/00GK201113417SQ20072017225
公開(kāi)日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2007年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月30日
發(fā)明者張學(xué)淵, 曹慧海 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司