專利名稱：多負(fù)載保護(hù)和控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由功率控制的電子電路保護(hù)裝置。尤其，本發(fā)明在對(duì)功率控制元件提供高壓隔離和對(duì)負(fù)載提供過電流保護(hù)的同時(shí)，提供了用于同步控制幾個(gè)低或中功率負(fù)載的方法和裝置。
背景技術(shù)：
已經(jīng)存在多個(gè)種類的設(shè)備用來向多個(gè)負(fù)載同時(shí)傳送低或中的功率。所述負(fù)載可以是指示器，傳感器，或諸如小型電動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)或者用來把電能轉(zhuǎn)換成原動(dòng)力的螺線管的傳動(dòng)裝置。在這些設(shè)備中，功率/數(shù)據(jù)/控制電平是由中央控制點(diǎn)經(jīng)由多線總線提供，比如，計(jì)算機(jī)或者基于計(jì)算機(jī)的控制器。好的工程實(shí)踐要求每個(gè)負(fù)載需要在不足/超負(fù)載的故障條件下受到保護(hù)。
通常的保護(hù)方法例如包括金屬連接的保險(xiǎn)絲，電路斷路器和聚合正溫度系數(shù)(PPTC)電阻器裝置，等。當(dāng)過電流條件出現(xiàn)時(shí)，保險(xiǎn)絲連接一定要斷開，斷路器跳閘并且必須手動(dòng)復(fù)位，而且PPTC裝置從幾個(gè)歐姆的小電阻轉(zhuǎn)換或者跳閘到超過一個(gè)莫姆高電阻的高阻抗?fàn)顟B(tài)。轉(zhuǎn)換是由于PPTC裝置的局部加熱導(dǎo)致的結(jié)果。PPTC裝置獨(dú)特的地方在于，當(dāng)過電流條件被糾正并且電路的電源斷開時(shí)，PPTC裝置變冷并且自動(dòng)回位到低電阻狀態(tài)。這種自動(dòng)復(fù)位的功能有顯著的超過金屬連接保險(xiǎn)絲的優(yōu)點(diǎn)，這就是保險(xiǎn)絲裝置必須在保險(xiǎn)絲塊進(jìn)行手工移動(dòng)和替換，斷路器必須由其所保護(hù)的裝置、設(shè)備或儀器的技術(shù)人員或其它用戶進(jìn)行手工復(fù)位。
眾所周知，在絕緣陶瓷襯底上形成薄膜或者厚膜電阻器陣列，并且用標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)比如雙列直插式封裝件(DIP)或者雙列直插式封裝件(SIP)來封裝該陣列。當(dāng)帶有固定阻抗負(fù)載的裝置被廣泛的用于端接計(jì)算機(jī)總線時(shí)，它們完全無源并且未采用等同于金屬連接保險(xiǎn)絲，斷路器或者PPTC裝置的方式提供過電流保護(hù)。
眾所周知也可以提供一種單獨(dú)的集成電路，它整個(gè)包括負(fù)載終端電阻器和一系列由場(chǎng)效晶體管(FET)裝置形成的開關(guān)。該有源FET裝置能夠使負(fù)載響應(yīng)一控制信號(hào)而被一起斷開。此設(shè)備的例子可參見美國(guó)專利號(hào)為5381034，1995年1月10號(hào)授予Thrower等專利權(quán)的，名稱為“SCSI終端負(fù)載”的美國(guó)專利和專利號(hào)為5382841，于1995年1月17號(hào)授予Feldbaumer專利權(quán)的，名稱為“可轉(zhuǎn)換的有源總線終端電路”的美國(guó)專利，上述公開的內(nèi)容在此僅供參考。在這些專利中，電阻是作為集成電路生產(chǎn)過程的一部分來形成并修整的，但所述電阻只是提供了那樣的總線負(fù)載阻抗。
為了控制或保護(hù)具有PTC或者NTC電阻器的溫度功能的有源裝置，還可以將正溫度系數(shù)(PTC)或者負(fù)溫度系數(shù)(NTC)電阻器耦合到一個(gè)有源裝置，例如晶體管，可控硅整流器(SCR)，半導(dǎo)體閘流管，F(xiàn)ET等等。功率線路保護(hù)裝置和方法的幾個(gè)例子例如在以下專利中被描述，比如本申請(qǐng)的發(fā)明人的在先專利號(hào)為US6072681，于2000年6月6日授予Cogan等，名稱為“功率線路保護(hù)裝置和方法”的美國(guó)專利，其中所公開的內(nèi)容在此全部包括。其中，PPTC裝置通過一般的電絕緣熱傳導(dǎo)層耦合到作為電源開關(guān)的有源元件。如果負(fù)載發(fā)生過電流條件，PPTC裝置就跳閘，使電源開關(guān)打開并且從線路/負(fù)載上斷開電源。所述保護(hù)電路的計(jì)算機(jī)監(jiān)測(cè)復(fù)位由一些已經(jīng)被公開的電路結(jié)構(gòu)提供。PPTC裝置被熱耦合從而控制有源裝置或者電路的其他實(shí)施例可以參見一般指定的專利號(hào)為6331763，在2001年12月18日授予Thomas等(包括本專利的發(fā)明者)名稱為“用來保護(hù)可再充電元件的裝置和方法”，它所公開的內(nèi)容在此僅供參考。
尤其“763”專利的圖45-47里描述了一種三終端裝置，它包括在它上面形成并且被熱耦合到PPTC襯底元件上的FET調(diào)整器。在這些現(xiàn)有技術(shù)中，每個(gè)電路都采用單個(gè)PPTC裝置與一個(gè)有源元件連接，盡管該方法為特定的應(yīng)用運(yùn)行良好，但是當(dāng)它用于或者必須采用單個(gè)開關(guān)同時(shí)控制多線路的條件下，存在造價(jià)高的缺點(diǎn)。
然而，對(duì)某些應(yīng)用和環(huán)境，特別是在苛刻的電環(huán)境下，比如機(jī)動(dòng)車輛，迄今為止還沒有解決的需要就是對(duì)多負(fù)載線路提供各自的過電流保護(hù)并且也能響應(yīng)單獨(dú)的控制信號(hào)而同時(shí)斷開所有的負(fù)載。而單獨(dú)的電路比如保險(xiǎn)絲及其開關(guān)或者繼電器可以串連連接從而運(yùn)行這些單獨(dú)的功能，在一個(gè)具備多個(gè)PPTC裝置的優(yōu)點(diǎn)和特征的裝置里同時(shí)提供這些單獨(dú)的功能，那個(gè)迄今為止還沒有解決的需要就得到了解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總的目的是提供一種電子裝置，它克服了現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)，可以對(duì)幾個(gè)低功率或者中功率負(fù)載提供過電流保護(hù)而同時(shí)控制負(fù)載，并且還可以提供功率控制元件和負(fù)載之間的高壓隔離。
本發(fā)明的另外一個(gè)目的是提供一種用單個(gè)裝置來保護(hù)多功率負(fù)載的方法。該方法包括對(duì)每個(gè)負(fù)載的分別保護(hù)，并且該方法可以響應(yīng)控制或者感應(yīng)條件而同時(shí)斷開所有的負(fù)載。
根據(jù)本發(fā)明原則和方面的電子裝置包括有接點(diǎn)陣列的一個(gè)封裝件。封裝件里有一個(gè)熱傳導(dǎo)的電絕緣層。封裝件里有多個(gè)電阻元件。每個(gè)電阻元件都有一個(gè)預(yù)先設(shè)置好的非零系數(shù)，并且和陣列連不同對(duì)的結(jié)點(diǎn)相連，并且與襯底熱接觸。在封裝件里至少有一個(gè)加熱元件并且與襯底熱接觸。許多的固態(tài)無源和有源的熱元件都可以被成功使用，一個(gè)特別優(yōu)選的具有溫度自動(dòng)調(diào)整能力的熱元件是帶有諸如功率場(chǎng)效晶體管(FET)等這樣一個(gè)控制電極的半導(dǎo)體裝置。加熱元件有和相關(guān)的一個(gè)接點(diǎn)陣列相連的電極，并且通過加熱襯底從而間接加熱電阻元件來改變多個(gè)電阻元件的阻抗，最終響應(yīng)控制電流。本發(fā)明優(yōu)選的一個(gè)方面是，多個(gè)電阻元件包括聚合正溫度系數(shù)(PPTC)電阻。本發(fā)明優(yōu)選的另一方面是，多個(gè)電阻元件包括例如功率二極管、功率場(chǎng)效晶體管、功率雙極三極管、功率半導(dǎo)體閘流管、功率可控硅整流器等這樣至少有一個(gè)連接點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明上述兩個(gè)優(yōu)選方面中的任何一個(gè)，襯底都是由半導(dǎo)體裝置的一個(gè)集成電極提供的，并且該半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括在電阻元件和襯底之間的電子絕緣層。在本發(fā)明另一個(gè)可選的優(yōu)選方面，襯底都包括一個(gè)引線架。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選配置里，電子裝置包括一個(gè)有接點(diǎn)陣列的封裝件，在封裝件里有一個(gè)熱傳導(dǎo)的電絕緣層，在與襯底熱接觸的封裝件里有多個(gè)聚合的正溫度系數(shù)(PPTC)電阻器，其中每個(gè)電阻器都有一個(gè)預(yù)先設(shè)定的正溫度系數(shù)并且和陣列的不同對(duì)接頭相連接，并且在與襯底熱接觸的封裝件里至少有一個(gè)功率場(chǎng)效晶體管，并且具有與相關(guān)的接點(diǎn)陣列相連的柵極、源極和漏極電極，用于響應(yīng)控制電流，加熱襯底并且間接加熱PPTC電阻器從而使PPTC裝置從一個(gè)低阻抗?fàn)顟B(tài)跳閘到一個(gè)高的阻抗?fàn)顟B(tài)。
一種根據(jù)本發(fā)明的原則用來對(duì)多個(gè)電子負(fù)載提供各自的電過負(fù)載保護(hù)，響應(yīng)一個(gè)斷開的控制信號(hào)對(duì)負(fù)載提供同時(shí)斷開的方法包含以下步驟
提供公共加熱襯底，安裝或者形成多個(gè)聚合正溫度系數(shù)(PPTC)電阻器從而與所述公共加熱襯底熱接觸。
將多個(gè)電負(fù)載中的負(fù)載串聯(lián)連接每個(gè)PPTC電阻器來使PPTC電阻器可以響應(yīng)所述一個(gè)負(fù)載上的電過載而跳閘到一個(gè)高阻抗?fàn)顟B(tài)。
提供一個(gè)諸如功率FET這樣的一個(gè)加熱元件與公共加熱層熱接觸，以及將斷開控制信號(hào)施加到功率FET的一個(gè)控制電極上來加熱公共加熱層，并且因此使多個(gè)PPTC電阻跳閘并且同時(shí)斷開電負(fù)載。
通過下文結(jié)合附圖對(duì)最優(yōu)實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述及其其它的目的、優(yōu)點(diǎn)、方面和特征將被更清楚的理解。


圖1是根據(jù)本發(fā)明原則的多負(fù)載保護(hù)和控制裝置的電子電路示意圖。
圖2是體現(xiàn)本發(fā)明原則的裝置頂部放大平面圖。
圖3A是具體體現(xiàn)發(fā)明原則的裝置的第一個(gè)優(yōu)選組裝方法的等角投影圖。
圖3B是具體體現(xiàn)發(fā)明原則的裝置的第二個(gè)優(yōu)選組裝方法的等角投影圖。
圖4A是圖1的裝置中，以平面-平行接線端配置的PPTC電阻器的放大圖解側(cè)面圖，并且圖中表示了內(nèi)部電流流向和加熱元件所施加的熱能。
圖4B是圖2中所表示的實(shí)施例中，以并排接線端配置的PPTC電阻器的放大圖解側(cè)面圖，并且圖中表示了內(nèi)部電流流向和加熱元件所施加的熱能。
圖4C是圖1的裝置中，以倒裝芯片終端實(shí)施例中配置的PPTC電阻器的放大圖解側(cè)面圖，并且圖中表示了內(nèi)部電流流向和加熱元件所施加的熱能。
圖5是依照本發(fā)明原則的裝置中，PPTC裝置跳閘時(shí)間比照FET加熱功率的圖表。
圖6是根據(jù)圖1所表示的裝置中，PPTC裝置阻抗比照由于FET加熱所導(dǎo)致的襯底的溫度的圖表。
圖7是包括根據(jù)本發(fā)明原則的裝置的電路的電路示意圖。
圖8是包括符合本發(fā)明原則裝置的電路和一個(gè)附加有源元件的另外一個(gè)電路示意圖，該附加元件在圖1所示的電路中襯底溫度上升時(shí)將會(huì)斷開。
圖9是包括符合本發(fā)明原則裝置的電路和多個(gè)附加有源元件的另一個(gè)電路示意圖，在這些有源元件中當(dāng)圖1所示的電路中襯底溫度上升時(shí)一輸出有源元件將會(huì)打開。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1，單個(gè)裝置10包括一個(gè)熱傳導(dǎo)襯底12，在正熱傳導(dǎo)裝置中形成或附加在所述襯底12上的一列PPTC電阻元件14，以及在所述襯底12上或形成所述襯底的FET功率晶體管16。六個(gè)PPTC元件14-1、14-2、14-3、14-4、14-5和14-n如圖1所示，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，依據(jù)特殊應(yīng)用的需要，PPTC元件14的陣列可以包含兩個(gè)或者更多的這樣的元件。每個(gè)PPTC元件14可以連接在電源和負(fù)載之間從而對(duì)所形成的電路提供過電流保護(hù)。而且，控制信號(hào)可以由外部控制電路17施加到功率FET16上。當(dāng)足夠的電壓從外部電源19施加到功率FET16時(shí)，所產(chǎn)生的熱量就通過襯底12傳到陣列的每個(gè)PPTC元件14上，使得每個(gè)PPTC電阻元件14都跳閘到一個(gè)非常高的阻抗?fàn)顟B(tài)。然后當(dāng)電源與FET16斷開時(shí)，所產(chǎn)生的熱量消失，每個(gè)PPTC元件14就返回到它的低阻抗?fàn)顟B(tài)。
諸如圖1中所示的電阻14-n的PPTC元件可以串聯(lián)FET16的控制電極(門)和外部控制電路17之間，以便將裝置10的PPTC元件14保持在降低的FET功率損耗水平的跳閘狀態(tài)，所形成的電路裝置就可以根據(jù)自動(dòng)熱調(diào)整對(duì)正在的加熱襯底12提供熱過載保護(hù)，同時(shí)提供使PPTC元件14跳閘的非常高的內(nèi)部電壓。當(dāng)控制電壓從FET16的柵極上去除時(shí)(假設(shè)一個(gè)增加-模式的FET裝置作為FET16的電源)，加熱消失。在此之后，當(dāng)PPTC元件14降溫到低于預(yù)先設(shè)定的跳閘溫度之下(例如圖6所示)，他們會(huì)返回到一個(gè)低的阻抗?fàn)顟B(tài)，并且恢復(fù)在每個(gè)電源及其負(fù)載之間電流通路。
絕緣的柵極功率MOSFET16被作為優(yōu)選的熱能產(chǎn)生有源元件，也可以使用其他類型的加熱元件，包括諸如二極管、雙極型晶體管、可控硅整流器、半導(dǎo)體閘流管或功率集成電路這樣的有源元件。還可以是諸如纏繞金屬線、合成物或者薄膜電阻等這樣的無源加熱裝置也可以用來做加熱元件。
圖2所示的是依照本發(fā)明原則的裝置10的頂部放大平面圖，在圖2的實(shí)施例中，裝置10被覆蓋在適當(dāng)?shù)姆庋b件20里。功率絕緣柵極MOSFET16包括形成FET漏極16D的硅片襯底，形成FET源極16S的一個(gè)平面層，和一個(gè)絕緣柵極16G。四個(gè)PPTC裝置14-1，14-2，14-3和14-4都被直接組裝在與之直接熱接觸的平面層16S上。封裝件20包括連接或形成外部連接引腳或焊接墊的內(nèi)部焊接墊陣列22。
圖2示例了從焊接的焊接墊22延伸到功率MOSFET16電極和PPTC元件14的電子內(nèi)部連接金屬線24。PPTC元件14-1的焊接墊14A和14B被分別連接到連接焊接墊22A和22B。PPTC元件14-2的焊接墊14C和14D被分別連接到連接焊接墊22C和22D。PPTC元件14-3的焊接墊14E和14F被分別連接到連接焊接墊22E和22F。PPTC元件14-4的焊接墊14G和14H被分別連接到連接焊接墊22G和22H。
FET16的漏極連接三個(gè)連接焊接墊22J，22K，和22L；FET16的源極為了傳送需要產(chǎn)生期望熱量值的電流也連接三個(gè)連接焊接墊22M，22N，和22O。FET16的所述絕緣柵極16G連接一個(gè)連接焊接墊22I。
圖2所示的裝置10的PPRT元件14與FET16的源極16S直接熱接觸，，它們最好通過圖2未示出的熱傳導(dǎo)絕緣層電絕緣，以便在每個(gè)PPTC元件14和FET16之間提供電隔離。
圖2所示的裝置可以被封裝或者密封從而防止FET16芯片在周圍環(huán)境中不希望的暴露。適當(dāng)?shù)耐獠糠庋b引腳或者焊接墊(未示出)被連接到或者延伸到內(nèi)部連接點(diǎn)22的每個(gè)上，并且使裝置10可被插入一個(gè)插座或者直接被焊接到一個(gè)電路板上，這樣就可以被應(yīng)用到一個(gè)特別的裝置里。
圖3A表示的是依照本發(fā)明原則的裝置10A的一種組裝配置，其中，F(xiàn)ET芯片16被安裝到金屬引線架封裝件18上，PPTC元件芯片14-n被安裝到由FET芯片16形成的襯底12A上。圖3B表示的是依照本發(fā)明原則的的裝置10B的另一種組裝配置。其中，引線架封裝件18提供了公共熱襯底12B。所述PPTC裝置14-n和FET芯片16被直接安裝到引線架封裝件18上。
圖4A，4B和4C表示的是PPTC元件14的幾種組裝和連接選擇。在圖4A里，PPTC元件14有兩個(gè)平行的平面電極。一個(gè)電極14A和連接焊接墊22相連，另一個(gè)電極14B直接和電傳導(dǎo)襯底12C相連。在這種配置里，通常所有的PPTC元件14都被連接到公共電路接點(diǎn)，比如由襯底12C所提供的電路接點(diǎn)。在圖4A的示例里，電流的流向被表示成單向的，從電極14A流向電極14B。(或者由于極性相反，電流流向相反)如圖4B所示，一個(gè)PPTC元件14-1，具有兩個(gè)隔開、與相應(yīng)的焊接墊相連的處于同一平面并排的端子14A和14B和一個(gè)向襯底12提供熱連接的傳導(dǎo)層21。絕緣層(未示來)可以在PPTC元件14-1和襯底12之間形成從而在二者之間提供所需電絕緣。圖4B的裝置里，PPTC元件14-1里的電流流向是雙向的，從電極14A流向電極21，和從電極21流向電極14B。(或者由于極性相反，電流流向相反)圖4C表示的是布置在倒置或者倒裝芯片結(jié)構(gòu)里的PPTC元件14-7，這樣可以使它的端部電極14X和14Y直接熱連接于以電方式形成圖案的襯底12D上的導(dǎo)電跡線。電流的方向是雙向的，如圖4B的示例。
圖5表示的是對(duì)應(yīng)于由FET16產(chǎn)生并且施加到襯底12和PPTC元件14上的瞬間加熱而引起PPTC元件14跳閘(轉(zhuǎn)換到一個(gè)非常高的阻抗?fàn)顟B(tài))所需的單位為千分之一秒的時(shí)間的圖表。
圖6表示的是作為溫度的函數(shù)的PPTC元件14的阻抗圖。圖6圖表中表示的數(shù)據(jù)來自被直接安裝到SO8傳統(tǒng)封裝件里的10A通用功率MOSFET上的PPTC電阻器。
圖7表示的是裝置10的一個(gè)電路應(yīng)用，其中外部的電阻器30和電源相連，可控硅整流器和外部負(fù)載電阻器32和電源的接地回路相連。電阻30和32和裝置10的第一電阻PPTC元件14-1串聯(lián)。電阻30，14-1和32形成了一個(gè)電壓分配器網(wǎng)絡(luò)。如電阻32所表示的負(fù)載，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以用其他諸如馬達(dá)、螺線管、白熾或者固狀燈等等負(fù)載來代替。當(dāng)襯底12的溫度上升(導(dǎo)致PPTC電阻14-1的電阻增大)時(shí)，電阻14-1和32之間的接點(diǎn)上的輸出電壓將會(huì)降低。圖7只表示了一個(gè)單獨(dú)的輸出電阻，但是人們可以理解輸出電阻或者負(fù)載在某一個(gè)應(yīng)用/裝置里可以是提供給裝置10的PPTC電阻14的其他元件。
圖8所示的電路圖除包括與圖7的裝置10以外，還包括輸出FET裝置36和與電源相連的適當(dāng)源極電阻器34。在FET裝置36源極上的輸出電壓在裝置10的襯底12溫度上升時(shí)將會(huì)降低。所述輸出有源裝置36可以由電磁式繼電器、白熾燈、發(fā)光二極管指示器、激光二極管、比較器、儀表或者其他電平-感應(yīng)或者電平-指示裝置來替換。
在圖9的裝置中，在負(fù)載電阻器32和輸出FET36之間放入了一個(gè)附加的諸如帶有源極電阻38的FET40這樣的有源裝置。在此電路中，輸出FET裝置36的源極輸出電平在裝置10的襯底12溫度升高時(shí)將會(huì)上升，輸出電平因此可以提供與之相連的PPTC裝置14的“跳閘”狀態(tài)的正指示。
這些電路配置可以用來連接和/或者斷開電負(fù)載而同時(shí)保持驅(qū)動(dòng)電路和負(fù)載之間的電隔離(分開)。這些配置為功率控制以及電路保護(hù)提供有效的方式。此外，加熱襯底12也可以用來做為一個(gè)被保護(hù)的元件，如圖1電路的示例。
以上描述的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，就可以很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下可對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行相異于本發(fā)明實(shí)施例和應(yīng)用的改變。因此，所公開的內(nèi)容和描述只是單純的說明并不意味著在任何意義上的限制。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置包括具有接點(diǎn)陣列的封裝件，在封裝件中具有熱傳導(dǎo)電絕緣襯底，在封裝件里有多個(gè)電阻元件并且與襯底熱接觸，每個(gè)電阻元件都有預(yù)先設(shè)定的非零溫度系數(shù)并且與陣列的一對(duì)不同的接點(diǎn)相連，在封裝件中至少有一個(gè)加熱元件并且與襯底熱接觸，并且?guī)в泻拖嚓P(guān)的接點(diǎn)陣列相連的電極，用來響應(yīng)外部施加的控制電流以便加熱襯底并且間接加熱電阻元件從而來改變多個(gè)電阻元件的阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，多個(gè)電阻元件包含聚合正溫度系數(shù)(PPTC)電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少一個(gè)加熱元件包括帶有至少一個(gè)連接點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置。
4.如權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于，半導(dǎo)體裝置包括功率二極管、功率場(chǎng)效晶體管、功率雙極型晶體管、功率半導(dǎo)體閘流管和功率可控硅整流器。
5.如權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于，襯底包括半導(dǎo)體裝置的集成電極。
6.如權(quán)利要求5所述的電子裝置，其特征在于，還包括在電阻元件和襯底之間的電絕緣層。
7.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，襯底包括形成圖案的電跡線陣列，其中每個(gè)電阻元件包括兩個(gè)處于同一平面的、隔開的、連接墊，所述墊直接和襯底的所述電跡線各自相連。
8.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，襯底包括引線架。
9.一種電子裝置包括具有接點(diǎn)陣列的封裝件，在封裝件中具有熱傳導(dǎo)電絕緣襯底，在與襯底熱接觸的封裝件中有多個(gè)聚合正溫度系數(shù)(PPTC)電阻，每個(gè)PPTC電阻都具有預(yù)先設(shè)定的正溫度系數(shù)，并且與陣列的一對(duì)不同的接點(diǎn)相連。在與襯底熱接觸的封裝件中至少有一個(gè)功率場(chǎng)效晶體管并且它帶有連接于相關(guān)陣列的柵極、源極和漏極，用來加熱襯底并且響應(yīng)控制電流以便間接加熱PPTC電阻，從而使PPTC電阻從低阻抗?fàn)顟B(tài)跳閘到非常高的阻抗?fàn)顟B(tài)。
10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置，其特征在于，包括電子電路配置，其中多個(gè)PPTC電阻之一串聯(lián)在場(chǎng)效晶體管的柵極和外部控制信號(hào)源之間。
11.一種用來為多個(gè)電子負(fù)載提供單獨(dú)的電子過負(fù)載保護(hù)并且響應(yīng)斷開控制信號(hào)同時(shí)斷開負(fù)載的方法，包括以下步驟提供公共加熱襯底，提供多個(gè)與公共加熱襯底熱接觸的多個(gè)聚合正溫度系數(shù)(PPTC)電阻，每個(gè)PPTC電阻都和多個(gè)電子負(fù)載中的一個(gè)負(fù)載串聯(lián)，使得PPTC元件可以響應(yīng)一個(gè)負(fù)載上的電子過負(fù)載而跳閘到一個(gè)高阻抗?fàn)顟B(tài)，提供與公共加熱襯底熱接觸的加熱元件；把斷開控制信號(hào)施加到加熱元件上來加熱公共加熱襯底，從而使多個(gè)PPTC電阻跳閘并同時(shí)斷開電子負(fù)載。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，提供加熱元件的步驟包括提供帶有控制電極的半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換裝置，其中把斷開控制信號(hào)施加到加熱元件的步驟包括給控制電極施加斷開控制信號(hào)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，提供半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換裝置的步驟包括提供具有柵極的場(chǎng)效晶體管的步驟；其中把斷開控制信號(hào)施加到控制電極的步驟包括把斷開控制信號(hào)施加到柵極。
全文摘要
一種電子裝置(10)包括一個(gè)帶有接點(diǎn)陣列的封裝件(20)，在封裝件里有一個(gè)熱傳導(dǎo)電子絕緣襯底(12)，在與襯底熱接觸的封裝件里有多個(gè)聚合正溫度系數(shù)(PPTC)電阻(14)，并且至少有一個(gè)諸如功率場(chǎng)效晶體管(16)這樣的加熱元件與襯底熱接觸，來響應(yīng)于控制電流間接對(duì)PPTC元件加熱，從而使PPTC元件從一個(gè)低阻抗?fàn)顟B(tài)跳閘到一個(gè)非常高的阻抗?fàn)顟B(tài)。同時(shí)也公開了一種控制多個(gè)電子負(fù)載的方法。
文檔編號(hào)H02M1/08GK1663092SQ03814046
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2003年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月19日
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