專利名稱：光電元件及組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用硅晶片制造光電元件的制造方法以及具有至少一個(gè)硅晶片的光電組件。硅晶片具有預(yù)定的基本摻雜、光接收面、遠(yuǎn)離光接收面的電結(jié)合面、以及排列在電結(jié)合面上至少一個(gè)交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)以及排列在距離n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)預(yù)定距離處的至少一個(gè)p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)中的一個(gè)和硅晶片形成p-n結(jié)。
這種光電元件公開在德國專利申請公開No.195 25 720中。
制造已知的元件包括以下步驟(a)提供硅晶片，具有光接收面和與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面，具有p型摻雜形式的預(yù)定基本摻雜；(b)在電結(jié)合面向硅晶片提供鈍化層；(c)在電結(jié)合面的鈍化層中制成多個(gè)一個(gè)挨一個(gè)排列的槽，槽可以延伸到硅晶片內(nèi)；(d)在硅晶片中槽處形成n型摻雜區(qū)以得到n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)；(e)在鈍化層上相鄰槽之間形成多個(gè)P型厚膜電接觸部，以得到p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)和接觸部分結(jié)構(gòu)；以及(f)在每個(gè)槽中形成薄膜接觸部以得到輔助接觸部分。
光電元件是一種用于將電磁能轉(zhuǎn)變成電能的太陽能電池。元件的中心部分是硅晶片。硅晶片為平坦的單晶硅體，兩個(gè)主要表面的取向相反。硅晶片的厚度通常約160μm(微米)或更多，基本上小于硅晶片的橫向伸展長度(直徑)。硅晶片的橫向伸展長度約10cm。
硅晶片用硅作為它的半導(dǎo)體基底材料。此外，硅晶片具有預(yù)定的基本摻雜(basic doping)。預(yù)定的基本摻雜意味著將預(yù)定的摻雜劑或雜質(zhì)原子引入到基底材料內(nèi)，用于改變基底材料的電性能。摻雜得到兩種導(dǎo)電類型，p型導(dǎo)電類型和n型導(dǎo)電類型。用于硅的合適摻雜劑為用于產(chǎn)生p型導(dǎo)電類型的元素周期表第三主族元素和用于產(chǎn)生n型導(dǎo)電類型的元素周期表第五主族元素。
硅晶片具有光接收面(正面)，可以提供有結(jié)構(gòu)。當(dāng)光電元件工作時(shí)，電磁輻射通過光接收面進(jìn)入硅晶片內(nèi)。為了將電能提供到外部電路，交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)排列在硅晶片的電結(jié)合面(背面)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)由n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)組成。半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)中的一種與硅晶片一起形成p-n結(jié)，該結(jié)對(duì)于產(chǎn)生光電流很必要。
半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)以相距預(yù)定的距離排列。這意味著在交叉指形半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)之間沒有p-n結(jié)。半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)例如為柵格形或指形。它們由多個(gè)金屬薄條(web)組成，其中一個(gè)半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的一個(gè)金屬薄條例如通過槽或間隔與另一個(gè)半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的一個(gè)薄條隔開。以一個(gè)表面盡可能大的方式將半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)相互結(jié)合，該表面由相對(duì)排列的p和n型的半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)形成。
半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)中的一種與硅晶片一起形成光電元件的基底。半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)中的另一個(gè)形成光電元件的發(fā)射極。為了電接觸交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，交叉指形接觸結(jié)構(gòu)安裝在交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上，交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有用于電接觸n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)，以及用于電接觸p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的接觸部分結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種基于硅晶片制備光電元件的電結(jié)合面的簡單方法。
為此，本發(fā)明提供一種光電元件的制造方法，方法包括為具有光接收面和與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面的硅晶片提供預(yù)定的基本摻雜，特征在于方法還包括以下步驟(a)在硅晶片的電結(jié)合面上形成摻雜層(doped layer)，其中摻雜層的摻雜與硅晶片的預(yù)定摻雜不同，以在硅晶片中得到p-n結(jié)；(b)以對(duì)應(yīng)于交叉指形半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的形式，在摻雜層上施加用于產(chǎn)生n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的n型摻雜劑和產(chǎn)生p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的p型摻雜劑，使摻雜劑擴(kuò)散到摻雜層內(nèi)，由此形成半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)；以及
(c)通過除去半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)之間間隔中的摻雜層，隔開半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明方法的優(yōu)點(diǎn)在于不必在鈍化層中形成溝槽，因此根據(jù)本發(fā)明的方法可以更簡單和經(jīng)濟(jì)。
硅晶片的層厚度限制到160μm或更多。這可以由所討論類型的光電元件配備有單晶硅晶片的事實(shí)解釋。低于160μm的層厚度不能保證單晶硅晶片的機(jī)械穩(wěn)定性。為了具有較小厚度的硅晶片，合適的硅晶片為三晶體硅晶片，如德國專利申請公開No.43 43 296中介紹的。
根據(jù)本發(fā)明的方法，進(jìn)行所謂的背面結(jié)合硅晶片或光電元件。以此方式，可以用硅晶片防止光電元件的遮蔽，同時(shí)可以確保在160μm以下的層厚度硅晶片的機(jī)械穩(wěn)定性。
硅晶片的預(yù)定基本摻雜為n型或p型基本摻雜，其中n型摻雜主要為負(fù)電荷(電子)，p型主要為正電荷(空穴)。因此n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)或p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)與硅晶片形成p-n結(jié)。這意味著硅晶片和半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)中的一種形成光電元件的基底。通過另一種半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)形成光電元件的發(fā)射極。
硅晶片的光敏材料吸收光子導(dǎo)致發(fā)生電荷分離。摻雜形成某種少數(shù)電荷載流子。對(duì)于p型摻雜，上述少數(shù)帶電載流子為電子，對(duì)于n型摻雜，少數(shù)帶電載流子為“荷正電”的電子空穴。摻雜層具有與硅晶片的預(yù)定基本摻雜相反的摻雜。這意味著對(duì)于n型基本摻雜的硅晶片，摻雜層為p型摻雜，反之亦然。
根據(jù)另一實(shí)施例，光接收面和/或硅晶片的電結(jié)合面提供有鈍化層。鈍化層直接施加在硅晶片的表面上，顯著降低了發(fā)生表面電荷復(fù)合減少光電流的可能性。電結(jié)合面上的鈍化層還起到了使p和n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)相互絕緣的作用。鈍化層位于p和n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)之間的間隔中。鈍化層含有特別選自氧化硅和/或氮化硅組成的組的鈍化劑。
在另一實(shí)施例中，至少一個(gè)密封層施加在鈍化層上，其中密封層包括至少一個(gè)透明材料。特別是光接收面上鈍化層上的密封層由透明材料組成。透明材料確保了電磁輻射能穿過光電有源硅晶片。優(yōu)選透明材料不易感光。這意味著在光電元件的工作期間密封層的透明材料的透射性基本保持不變。例如通過光致(photo-induced)過程不會(huì)減少對(duì)于某個(gè)波長的電磁輻射的透射性。優(yōu)選在300nm(納米)和1200nm之間的區(qū)域中密封透明。在該區(qū)域中，硅吸收了電荷分離需要的電磁輻射。特別是透明材料選自玻璃和/或乙基乙烯乙酸酯(EVA)。除此之外，可以使用在使用光電元件的條件下不易感光的任何其它合成材料。使用條件涉及例如一個(gè)波長區(qū)域和一個(gè)電磁輻射強(qiáng)度。
本發(fā)明還涉及光電組件，具有光接收面和與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面，組件包括具有預(yù)定基本摻雜的至少一個(gè)硅晶片，該至少一個(gè)硅晶片具有光接收面和與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面，設(shè)置晶片以便晶片的光接收面形成光電組件的光接收面，電結(jié)合面形成光電元件的電結(jié)合面，以及結(jié)合面處硅晶片之間的電接頭，特征在于晶片為具有預(yù)定基本摻雜的三晶體硅晶片，并且在于每個(gè)晶片在結(jié)合面提供至少一個(gè)交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)提供有第一接觸部分結(jié)構(gòu)的n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)提供有第二接觸部分結(jié)構(gòu)的p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)，其中n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)或p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)與晶片形成p-n結(jié)。
每個(gè)硅晶片自身形成太陽能電池形式的光電元件。硅晶片鏈(chain)一起形成太陽能組件。這種布局的特別的優(yōu)點(diǎn)在于與p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)和n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的電接觸部設(shè)置在硅晶片的一面上，由此可以容易地自動(dòng)制造。與太陽能電池的兩面上電結(jié)合相比，帶搭疊(lapping)、互連、疊合以及密封太陽能電池或太陽能組件顯著增加了產(chǎn)量。廢棄不用的是將幾個(gè)太陽能電池結(jié)合到一個(gè)太陽能組件內(nèi)的復(fù)雜互連，其中太陽能電池的光接收面和結(jié)合面必須通過折疊或彎曲的金屬接觸帶無張力連接。
下面參考附圖更詳細(xì)地介紹本發(fā)明，其中

圖1a和1b每個(gè)示意性地示出了光電元件的剖面圖；圖2示意性示出了部分光電元件的剖面圖3a和3b每個(gè)示意性地示出了交叉指形結(jié)合結(jié)構(gòu)的平面圖；以及圖4a和4b示意性示出了制造光電元件的各工藝階段。
光電元件1為太陽能電池101，由硅晶片2組成(圖1a)。硅晶片2用硼作為它的摻雜劑，由此預(yù)定基本摻雜為p型摻雜。
硅晶片2具有約100μm的層厚度22。硅晶片具有光接收面3。在光電元件1的工作期間，電磁輻射19進(jìn)入光電有源硅晶片2。在硅晶片2的光接收面3上設(shè)置有氧化硅的鈍化層10。密封11設(shè)置在鈍化層10上。密封11為抗反射層，用于增加光耦合到硅晶片2內(nèi)。硅晶片2還包括在與光接收面3相對(duì)的硅晶片2面上的電結(jié)合面4。在電結(jié)合面4上排列有一個(gè)交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)5。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)5由n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)7組成。
設(shè)置這些半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)以便在它們之間存在中間空間或間隔8(參見圖2)。n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)7不具有公共的p-n結(jié)。相反，n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和p型摻雜的硅晶片2形成p-n結(jié)9。
電結(jié)合面4也具有鈍化層10。鈍化層10排列在交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)6和7之間的電結(jié)合面4的表面上。鈍化層10不僅用于減少分開電荷載流子的光電流減少表面電荷復(fù)合。鈍化層10也將n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)7相互電絕緣。
為了電接觸光電元件1，交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)5被提供有交叉指形接觸結(jié)構(gòu)16，包括用于電連接n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6的第一接觸部分17和用于電連接p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)7的第二接觸部分結(jié)構(gòu)18。交叉指形接觸結(jié)構(gòu)16的金屬薄條寬度基本上對(duì)應(yīng)于交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)5的金屬薄條寬度。
第一可能的交叉指形接觸結(jié)構(gòu)16以及因此交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)5顯示在圖3a中。第一和第二接觸部分結(jié)構(gòu)17和18以及因此n型和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和7由此形成梳形或指形結(jié)構(gòu)。這些部分結(jié)構(gòu)相互接合(interengage)同時(shí)不相互接觸。交叉指形接觸結(jié)構(gòu)16和交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)5的另一實(shí)施例再現(xiàn)在圖3b中。
本發(fā)明還提供一種光電組件102形式的光電元件1，參見圖1b。光電組件102包括以上介紹的多個(gè)硅晶片2(太陽能電池101)。設(shè)置太陽能組件102的硅晶片2以下面的方式形成鏈12硅晶片2的光接收面3形成光電組件102的公共光接收面13，硅晶片2的電結(jié)合面4形成光電組件102的公共結(jié)合面14。硅晶片2取向一致地并排排列。硅晶片2的鏈12為太陽能組件102，由各太陽能電池101或各硅晶片2的容易制造的電串聯(lián)互連接頭15形成。太陽能組件102整體嵌在乙基乙烯乙酸酯的密封材料111中。密封材料111和太陽能組件102一起嵌在玻璃的第二密封材料112中。在另一實(shí)施例中，外部密封由不同透明材料的玻璃組成。
現(xiàn)在參考示出了根據(jù)本發(fā)明方法的幾個(gè)階段的圖4a和4b。
在本發(fā)明的方法中，首先提供具有光接收面和與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面的硅晶片2，其具有預(yù)定的基本摻雜。為此，從p型摻雜的硅(硼摻雜)的晶體上切割下硅晶片。通過常規(guī)的方法清潔硅晶片，并通過腐蝕除去任何表面不平整之處。切割期間，微裂紋可能出現(xiàn)在硅晶片的表面上，可以通過腐蝕工藝除去。這樣增加了硅晶片的機(jī)械穩(wěn)定性。
含液態(tài)磷的組合物拋射(flung)到要制備的硅晶片2的電結(jié)合面4上(工藝階段401)。合適的組合物為Merck公司的phosphorous(磷)-Silodop B-430，其含有磷離子和四乙基硅酸鹽、乙醇、乙酸乙酯以及乙酸(phosphorous-Silodop B-430為商標(biāo))的混合物。施加組合物產(chǎn)生硅晶片和施加其上的含磷層24的組合層23。磷層24為幾μm厚。在約200℃加熱10分鐘組合層23，使含磷層硬化(工藝階段402)。
然后磷從硬化的含磷層擴(kuò)散到p型硅晶片2內(nèi)(工藝階段403)。用n型摻雜制備摻雜層25。在約850℃的溫度同時(shí)退火30分鐘可以實(shí)現(xiàn)。所得摻雜層25生成光電元件1工作需要的p-n結(jié)9。摻雜層25為幾十μm厚。
在硬化含磷層期間或磷擴(kuò)散期間，形成磷玻璃層26。制造摻雜的層25之后，用氫氟酸水溶液腐蝕該磷玻璃層26(工藝階段404)。
現(xiàn)在在摻雜層25之上或之中形成交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)5。為此，p和n型摻雜劑施加到在摻雜層25。(工藝階段405)。這可以借助絲網(wǎng)印刷法實(shí)現(xiàn)，其中以對(duì)應(yīng)于要制備的交叉指形半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和7的形式印刷含n型摻雜劑27的n膏30和含p型摻雜劑28的p膏31(金屬薄條的寬度29在40和100μm之間)。膏30和31作為n和p型摻雜劑27和28的源。
摻雜劑27和28在連續(xù)式加熱爐中被燒上。燒上(burning-in)期間，含在p膏31中的摻雜劑(鋁)穿過(燒過(rired through))n型摻雜層25。在該工藝期間，在p膏31下?lián)诫s層25的n型摻雜被過度補(bǔ)償。這導(dǎo)致p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)7與p型硅晶片2電接觸。燒上期間在n膏30下產(chǎn)生n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6。n膏30的燒上期間，摻雜層25的n型特性保持不變。
此外，燒上期間形成了交叉指形接觸結(jié)構(gòu)。由p膏31產(chǎn)生用于p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)7的電接觸的第二接觸部分結(jié)構(gòu)18，由n膏30下產(chǎn)生用于電結(jié)合n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6的第一接觸部分結(jié)構(gòu)17。
為了在p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)7之間進(jìn)行電絕緣，等離子腐蝕電結(jié)合面4，其中的交叉指形接觸結(jié)構(gòu)16被用做腐蝕掩模(工藝階段407)。由此n和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和7之間沒有被接觸部分結(jié)構(gòu)17和18覆蓋的摻雜層25的空閑空間被腐蝕到硅晶片2。形成n和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和7相互隔開的腐蝕溝槽。
p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)7和硅晶片2一起形成光電元件1的基底32。n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6形成光電元件1的發(fā)射極33。
為防止表面電荷復(fù)合和額外絕緣n和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和7，在n和p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)6和7之間的硅晶片2的表面上形成氧化硅的鈍化層10上(工藝階段408)。
合適的硅晶片為三晶體晶片，從p型摻雜(摻硼)的三晶體硅上切下。
在以上介紹的例子中，硅晶片2被提供有p型摻雜，摻雜層為n型。然而，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，硅晶片被提供有n型摻雜，摻雜層為p型。用于硅的合適摻雜劑為用于產(chǎn)生p型摻雜的元素周期表第三主族元素和用于產(chǎn)生n型摻雜的元素周期表第五主族元素。
根據(jù)本發(fā)明的方法容易通過自動(dòng)的方式制造元件，因此是更經(jīng)濟(jì)的方法。本發(fā)明還涉及太陽能組件形式的元件的互連。由此可以獲得20％的元件的額定效率。
權(quán)利要求
1.一種光電元件的制造方法，方法包括為具有光接收面和與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面的硅晶片提供預(yù)定的基本摻雜，特征在于方法還包括以下步驟(a)在硅晶片的電結(jié)合面上制成摻雜層，其中摻雜層的摻雜與硅晶片的預(yù)定摻雜不同，以在硅晶片中得到p-n結(jié)；(b)以對(duì)應(yīng)于交叉指形半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的形式，在摻雜層上施加用于產(chǎn)生n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的n型摻雜劑和產(chǎn)生p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的p型摻雜劑，使摻雜劑擴(kuò)散到摻雜層內(nèi)，由此形成半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)；以及(c)通過除去半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)之間間隔中的摻雜層，隔開半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中硅晶片為三晶體硅晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中步驟(b)包括以對(duì)應(yīng)于交叉指形半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)的形式，在摻雜層上施加含n型摻雜劑的金屬膏和含p型摻雜劑的金屬膏，以及燒上摻雜劑形成半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)和交叉指形接觸結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一個(gè)的方法，其中使用p摻雜對(duì)硅晶片進(jìn)行基本摻雜，使用磷作為摻雜劑制備摻雜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中含液體磷的溶液被施加在硅晶片上以得到要加熱的組合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任何一個(gè)的方法，還包括在硅晶片的光接收面上和/或電結(jié)合面上施加鈍化層。
7.據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中施加鈍化層包括施加一層二氧化硅或氮化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的方法，還包括在鈍化層上施加至少一個(gè)密封層，其中密封層包括至少一種透明材料。
9.一種光電組件，具有光接收面和與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面，組件包括具有預(yù)定基本摻雜的至少一個(gè)硅晶片，該至少一個(gè)硅晶片具有光接收面和與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面，設(shè)置該晶片以便晶片的光接收面形成光電組件的光接收面，電結(jié)合面形成光電元件的電結(jié)合面，以及結(jié)合面處硅晶片之間的電連接，特征在于該晶片為具有預(yù)定基本摻雜的三晶體硅晶片，并且在于每個(gè)晶片在結(jié)合面提供有至少一個(gè)交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)提供有第一接觸部分結(jié)構(gòu)的n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)提供有第二接觸部分結(jié)構(gòu)的p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)，其中n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)或p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)與該晶片形成一個(gè)p-n結(jié)。
全文摘要
一種光電元件，帶有至少一個(gè)具有某種基本摻雜的三晶體晶片(2)、光接收面(3)、與光接收面相對(duì)的電結(jié)合面(4)、以及設(shè)置在電結(jié)合位置(4)上的至少一個(gè)交叉指形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(5)，具有至少一個(gè)n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)(6)和與n型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)(6)具有預(yù)定間隔(8)排列的至少一個(gè)p型半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)(7)。半導(dǎo)體部分結(jié)構(gòu)之一和硅晶片(2)由此形成一個(gè)p－n結(jié)(9)。
文檔編號(hào)H02N6/00GK1455959SQ01815552
公開日2003年11月12日 申請日期2001年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月13日
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