一種apd-tia同軸型光電組件的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發(fā)明涉及光通信領域，尤其涉及一種APD-TIA同軸型光電組件。
【背景技術】
[0002]高速APD-TIA同軸型光電組件，廣泛應用于光通信行業(yè)，如無源光網(wǎng)絡、光同步數(shù)字傳輸網(wǎng)、以太網(wǎng)、光纖傳輸通道或其他長途傳輸系統(tǒng)，傳輸速率可達lOGb/s。現(xiàn)有的APD-TIA同軸型光電組件，使用普通的球透鏡、普通的管座、TIA(trans-1mpedance amplifier,跨阻放大器)、APD(Avalanche Photo D1de，雪崩光電二極管)等元件組成，各元件之間采用金絲引線以實現(xiàn)電連接，但現(xiàn)有技術中，金絲引線的弧度和水平長度沒有嚴格控制，導致寄生電阻電容過大，極大的影響了光電組件的靈敏度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種APD-TIA同軸型光電組件，來解決以上技術問題。
[0004]為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案:
[0005]—種APD-TIA同軸型光電組件，用于提高光電組件的靈敏度，包括管座，所述管座上設置有跨阻放大器、雪崩二極管以及二極管濾波電容；
[0006]所述跨阻放大器的PINA輸入端通過PD+線與所述雪崩二極管的正極電連接;所述跨阻放大器的輸出端通過兩信號線與所述管座的兩輸出端PIN針電連接;所述跨阻放大器的接地端通過地線與管座電連接;所述雪崩二極管的負極電連接所述二極管濾波電容的正極，所述二極管濾波電容的負極接地；
[0007]所述ro+線、所述信號線以及所述地線均為弧形的金絲引線；
[0008]所述ro+線的水平長度小于等于0.3毫米，所述PD+線的弧高小于等于0.15毫米;所述信號線的水平長度小于等于I毫米，所述信號線的弧高小于等于0.2毫米;所述地線的水平長度小于等于0.4毫米，所述地線的弧高小于等于0.15毫米。
[0009]各電器元件間采用金絲引線進行電連接，其中，對性能有關鍵性影響的金絲引線包括ro+線、信號線和地線，嚴格控制其水平長度和弧高，可提高光電組件的靈敏度。
[0010]優(yōu)選的，所述APD-TIA同軸型光電組件還包括二極管匹配電阻；
[0011]所述二極管匹配電阻的一端電連接所述管座的Vapd輸入端PIN針;所述二極管匹配電阻的另一端電連接所述雪崩二極管的負極。
[0012]優(yōu)選的，所述輸出端PIN針的為圓柱形；
[0013]所述輸出端PIN針的直徑為0.2毫米。
[0014]優(yōu)選的，所述二極管濾波電容的擊穿電壓為63伏，IKHz、IVrms條件下，所述二極管濾波電容的電容值小于等于470皮法。
[0015]優(yōu)選的，所述電源濾波電容的擊穿電壓為25伏，lKHz、lVrms條件下電容值小于等于1000皮法。
[0016]優(yōu)選的，所述二極管匹配電阻的擊穿電壓為63伏，lKHz、lVrmS條件下所述二極管匹配電阻的電阻值小于等于100歐姆。
[0017]優(yōu)選的，所述管座為T0-46管座。
[0018]優(yōu)選的，所述APD-TIA同軸型光電組件還包括電源濾波電容；
[0019]所述電源濾波電容70的正極電連接所述管座的Vcc輸入端PIN針，所述電源濾波電容的負極接地。
[0020]優(yōu)選的，所述1'0-46管座的外徑為4.6毫米。
[0021]優(yōu)選的，所述APD-TIA同軸型光電組件還包括管帽，所述管帽上設置有非球面透鏡；
[0022]所述非球面透鏡的中軸與所述管座的中軸在同一直線上；
[0023]所述非球面透鏡的前焦距為2.7毫米，所述非球面透鏡的后物距為1.24毫米。
[0024]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明實施例通過優(yōu)化敏感位置的金絲引線的結(jié)構(gòu)，即對金絲引線的長度和弧高作出定量的限制，從而更好的降低金絲引線的寄生電阻和電感，提高光電組件的靈敏度。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0026]圖1為本發(fā)明實施例提供的APD-TIA同軸型光電組件的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2為本發(fā)明實施例提供的管座的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖3為本發(fā)明實施例提供的管座的俯視圖。
[0029]圖4為本發(fā)明實施例提供的ro+線的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖5為本發(fā)明實施例提供的管帽的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖中:
[0032]10、管帽；11、非球面透鏡；12、帽體;20、管座;21、輸入端PIN針;22、輸出端PIN針；30、跨阻放大器;40、二極管匹配電阻;50、二極管濾波電容;60、雪崩二極管;70、電源濾波電容;81、地線;82、信號線;83、PD+線;90、管腳。
【具體實施方式】
[0033]本發(fā)明實施例提供了一種APD-TIA同軸型光電組件，用于提高光電組件的靈敏度。
[0034]為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，下面所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而非全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0035]下面結(jié)合附圖并通過【具體實施方式】來進一步說明本發(fā)明的技術方案。
[0036]請參考圖1，圖1為本發(fā)明實施例提供的APD-TIA同軸型光電組件的整體結(jié)構(gòu)示意圖。該APD-TIA同軸型光電組件包括管帽10、管座20和管腳90。
[0037]請參考圖2，圖2為本發(fā)明實施例提供的管座的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]管座20上環(huán)氧貼附有多個電器元件，包括跨阻放大器30、雪崩二極管60、二極管匹配電阻40、二極管濾波電容50以及電源濾波電容70，具體的，根據(jù)耦合最好位置，使用環(huán)氧樹脂將多個電器元件貼在管座20上，并通過高溫固化。各電器元件之間采用金絲引線進行電連接。
[0039]請參考圖3，圖3為本發(fā)明實施例提供的管座20的俯視圖。
[0040]其中敏感位置的金絲引線主要包括地線81、信號線82和H)+線83。
[0041 ]跨阻放大器30的輸出端通過兩信號線82與管座20的兩輸出端PIN針22電連接，輸出端PIN針22包括OUTP針和OUTN針，輸出端PIN針22為圓柱形，直徑為0.2毫米?？缱璺糯笃?0的PINA輸入端通過H)+線83與雪崩二極管60的正極電連接。地線81包括多根，跨阻放大器30與管座20連接的線均為地線81，跨阻放大器30的接地端通過地線81與管座20電連接。雪崩二極管60的負極電連接二極管濾波電容50的正極，二極管濾波電容50的負極接地。電源濾波電容70的正極電連接所述管座20的Vcc輸入端PIN針，所述電源濾波電容70的負極接地。二極管匹配電阻40的一端電連接管座20的V