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一種陶瓷散熱高壓硅堆的制作方法

文檔序號:10921951閱讀:228來源:國知局
一種陶瓷散熱高壓硅堆的制作方法
【專利摘要】一種陶瓷散熱高壓硅堆,包括陶瓷散熱片、二極管單芯片、環(huán)氧樹脂、底部電路板,二極管單芯片通過螺釘與陶瓷散熱片緊固連接,二極管單芯片和陶瓷散熱片與之連接的部分封裝在環(huán)氧樹脂中,環(huán)氧樹脂固定在底部電路板上,在底部電路板上設置有電極引出端子與環(huán)氧樹脂中的二極管引線連接。本實用新型的有益效果是:1)每一個二極管單芯片管體上固定一個陶瓷散熱片,二極管單芯片管體與陶瓷散熱片充分接觸,利于單個二極管單芯片管體的散熱。2)陶瓷散熱片的一部分置于環(huán)氧樹脂封裝的外部,陶瓷散熱片的外露部分設有散熱孔,可以實現(xiàn)高壓硅堆的高效散熱。3)采用陶瓷散熱片避免了局部放電對硅堆元件本身及周邊絕緣材料的影響。
【專利說明】
一種陶瓷散熱高壓硅堆
技術領域
[0001]本實用新型涉及高壓硅堆散熱技術,尤其設計一種陶瓷散熱高壓硅堆。
【背景技術】
[0002]對已損壞娃片的檢測分析表明,高壓娃堆損壞多數(shù)是由于結溫過高造成的。一般結溫過高的主要成因有:
[0003 ]反向電壓(或du/dt)超出容許值,反向耗散功率過大,即反向過壓熱擊穿。
[0004]正向電流(或du/dt)超出容許值,通態(tài)損耗過大,即正向過流燒毀。
[0005]故提高高壓硅堆的散熱性能,是保證高壓硅堆正常工作,延長高壓硅堆使用壽命的有效途徑。
[0006]另外為了提高高壓硅堆的散熱性能,現(xiàn)有技術中有的是采用金屬散熱器的結構,但金屬在高壓環(huán)境中易發(fā)生局部放電,改變電場分布,從而導致加速器件和周邊絕緣材料的老化。

【發(fā)明內容】

[0007]為了解決高壓硅堆散熱這一難題,本實用新型提供了一種陶瓷散熱高壓硅堆,將陶瓷散熱片的一部分露于環(huán)氧樹脂封裝的外部進行散熱,同時在陶瓷散熱片的外露部分還設有散熱孔,用以增加散熱面積,可以實現(xiàn)高壓硅堆的高效散熱,保證硅堆的良好工作特性,延長其使用壽命。
[0008]為實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用以下技術方案實現(xiàn):
[0009]—種陶瓷散熱高壓硅堆,包括陶瓷散熱片、二極管單芯片、環(huán)氧樹脂、底部電路板,二極管單芯片通過螺釘與陶瓷散熱片緊固連接,二極管單芯片和陶瓷散熱片與之連接的部分封裝在環(huán)氧樹脂中,環(huán)氧樹脂固定在底部電路板上,在底部電路板上設置有電極引出端子與環(huán)氧樹脂中的二極管引線連接。
[0010]在所述陶瓷散熱片上設有散熱孔。
[0011]在所述底部電路板上設有固定孔。
[0012]與現(xiàn)有技術相比,本實用新型的有益效果是:
[0013]I)在每一個二極管單芯片管體上固定一個陶瓷散熱片,并通過螺釘緊固連接,使二極管單芯片管體與陶瓷散熱片充分接觸,利于單個二極管單芯片管體的散熱。
[0014]2)陶瓷散熱片的一部分置于環(huán)氧樹脂封裝的外部,同時在陶瓷散熱片的外露部分設有散熱孔,用以增加散熱面積,可以實現(xiàn)高壓硅堆的高效散熱。
[0015]3)采用陶瓷散熱片避免了局部放電對硅堆元件本身及周邊絕緣材料的影響。
[0016]4)本實用新型使用壽命長,可以減少設備的維修次數(shù),提高設備運行的安全性和穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0017]圖1是本實用新型一種陶瓷散熱高壓硅堆的主視圖;
[0018]圖2是本實用新型一種陶瓷散熱高壓硅堆的俯視圖;
[0019]圖3是本實用新型一種陶瓷散熱高壓硅堆的側視圖;
[0020]圖4是本實用新型中單支二極管與散熱片的組裝示意圖;
[0021]圖中:1_陶瓷散熱片、2-二極管單芯片、3-二級管引線、4-散熱孔、5-環(huán)氧樹脂、6-固定孔、7-電極引出端子、8-底部電路板、9-螺釘。
【具體實施方式】
[0022]下面結合說明書附圖對本實用新型進行詳細地描述,但是應該指出本實用新型的實施不限于以下的實施方式。
[0023]如圖1-圖4所示,一種陶瓷散熱高壓硅堆,包括陶瓷散熱片1、二極管單芯片2、環(huán)氧樹脂5、底部電路板8,二極管單芯片2通過螺釘9與陶瓷散熱片I緊固連接,二極管單芯片2和陶瓷散熱片I與之連接的部分封裝在環(huán)氧樹脂5中,環(huán)氧樹脂5固定在底部電路板8上,在底部電路板8上設置有電極引出端子7與環(huán)氧樹脂5中的二極管引線3連接。
[0024]在所述陶瓷散熱片I上設有散熱孔4。陶瓷散熱片I上設有散熱孔4的部分裸露于環(huán)氧樹脂5以外,散熱孔4可以增加散熱面積,利于熱量的流失。
[0025]在所述底部電路板8上設有固定孔6。
[0026]根據(jù)耐壓與功率要求,將若干個裝配有陶瓷散熱片I的單個二極管單芯片2按橫縱順序規(guī)則排列,封裝在環(huán)氧樹脂5中并固定于同一塊底部電路板8上,組裝成陶瓷散熱硅堆。
[0027]本實用新型采用陶瓷散熱片,不但可以有效的實現(xiàn)高效率的散熱,而且可以適用于高溫、高壓、高磨損、強腐蝕的惡劣工作環(huán)境。能夠滿足各類高頻高壓電源在各種環(huán)境下的使用要求,從而提高高壓整流設備的安全性和穩(wěn)定性。
【主權項】
1.一種陶瓷散熱高壓硅堆,其特征在于,包括陶瓷散熱片、二極管單芯片、環(huán)氧樹脂、底板電路板,二極管單芯片通過螺釘與陶瓷散熱片緊固連接,二極管單芯片和陶瓷散熱片與之連接的部分封裝在環(huán)氧樹脂中,環(huán)氧樹脂固定在底板電路板上,在底板電路板上設置有電極引出端子與環(huán)氧樹脂中的二極管引線連接。2.根據(jù)權利要求1所述的一種陶瓷散熱高壓硅堆,其特征在于,在所述陶瓷散熱片上設有散熱孔。3.根據(jù)權利要求1所述的一種陶瓷散熱高壓硅堆,其特征在于,在所述底板電路板上設有固定孔。
【文檔編號】H01L23/367GK205609504SQ201620306222
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年4月13日
【發(fā)明人】張裕, 陳崗
【申請人】鞍山雷盛電子有限公司
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