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圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

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圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)包括表面聲濾波芯片晶圓(1),所述表面聲濾波芯片晶圓(1)表面包括電極區(qū)域(1.1)和感應(yīng)區(qū)域(1.2),所述電極區(qū)域(1.1)表面設(shè)置有第一金屬層(2),所述表面聲濾波芯片晶圓(1)表面設(shè)置有絕緣層(3),所述絕緣層(3)上方設(shè)置有貼合晶圓(4),所述貼合晶圓(4)與感應(yīng)區(qū)域(1.2)之間形成空腔(7),所述貼合晶圓(4)在電極區(qū)域(1.1)位置處設(shè)置有開(kāi)孔(8),所述開(kāi)孔(8)內(nèi)設(shè)置有金屬球(6)。本實(shí)用新型一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),它能提供一種更小面積和體積的表面聲濾波器件,并且具有更低的制造成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]表面聲濾波設(shè)備廣泛用于RF和IF應(yīng)用,其中包括便攜式電話機(jī)、無(wú)線電話機(jī)、以及各種無(wú)線電裝置。通過(guò)使用表面聲濾波,對(duì)這些電子設(shè)備進(jìn)行電信號(hào)的濾波、延時(shí)等處理。因表面聲濾器產(chǎn)品性能和設(shè)計(jì)功能需求,需要保證濾波芯片功能區(qū)域不能接觸任何物質(zhì),即空腔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
[0003]現(xiàn)有的表面聲濾波器件封裝結(jié)構(gòu)是將濾波芯片通過(guò)導(dǎo)電凸塊倒裝焊與陶瓷基板相連并完全嵌于基材腔體內(nèi),基板表面加金屬蓋保護(hù)。但是此種結(jié)構(gòu)金屬蓋的成本較高,而且陶瓷基板與金屬蓋的平整度要求比較高,容易有封閉不良的情況。另外其他表面聲濾波器件的制作方法是使用頂部密封或包膜工藝對(duì)模塊加以密封,形成空腔結(jié)構(gòu)。
[0004]現(xiàn)有的表面聲濾波器件的封裝方法,流程較長(zhǎng),成本較高,且結(jié)構(gòu)尺寸還是比較大,在目前電子設(shè)備越做越小的潮流趨勢(shì)下,需要不斷減小電子裝置及其中所使用的表面聲濾波器件的重量和尺寸。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),它能提供一種更小面積和體積的表面聲濾波器件,并且具有更低的制造成本。
[0006]本實(shí)用新型解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為:一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),它包括表面聲濾波芯片晶圓,所述表面聲濾波芯片晶圓表面包括電極區(qū)域和感應(yīng)區(qū)域,所述電極區(qū)域表面設(shè)置有第一金屬層,所述表面聲濾波芯片晶圓除電極區(qū)域和感應(yīng)區(qū)域外的區(qū)域設(shè)置有絕緣層,所述絕緣層上方設(shè)置有貼合晶圓,所述貼合晶圓與感應(yīng)區(qū)域之間形成空腔,所述貼合晶圓在電極區(qū)域位置處設(shè)置有開(kāi)孔,所述開(kāi)孔內(nèi)設(shè)置有金屬球,所述金屬球與第一金屬層相接觸。
[0007]所述貼合晶圓通過(guò)粘合膠設(shè)置于絕緣層上。
[0008]所述貼合晶圓背面開(kāi)設(shè)有凹槽,所述凹槽位于感應(yīng)區(qū)域上方。
[0009]所述絕緣層采用粘合膠替代。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0011]1、與傳統(tǒng)的工藝相比,整體生產(chǎn)流程是晶圓級(jí)的,能形成小尺寸的封裝結(jié)構(gòu),而且工藝簡(jiǎn)單,能保證芯片感應(yīng)區(qū)的空腔結(jié)構(gòu),能形成可靠性較高的圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu);
[0012]2、本實(shí)用新型的圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)可以直接使用,也可以將整個(gè)結(jié)構(gòu)和其他封裝結(jié)構(gòu)在基板上形成二次封裝,形成系統(tǒng)級(jí)封裝。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0014]圖2?圖9為本實(shí)用新型一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的工藝流程圖。
[0015]其中:
[0016]表面聲濾波芯片晶圓I
[0017]電極區(qū)域1.1
[0018]感應(yīng)區(qū)域1.2
[0019]第一金屬層2
[0020]絕緣層3
[0021]貼合晶圓4
[0022]粘合膠5
[0023]金屬球6
[0024]空腔7
[0025]開(kāi)孔8。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0027]如圖1所不,本實(shí)施例中的一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),它包括表面聲濾波芯片晶圓I,所述表面聲濾波芯片晶圓I表面包括電極區(qū)域1.1和感應(yīng)區(qū)域1.2,所述電極區(qū)域1.1表面設(shè)置有第一金屬層2,所述表面聲濾波芯片晶圓I除電極區(qū)域1.1和感應(yīng)區(qū)域
1.2外的區(qū)域設(shè)置有絕緣層3,所述第一金屬層2與絕緣層3齊平,所述絕緣層3上方通過(guò)粘合膠5設(shè)置有貼合晶圓4,所述貼合晶圓4與感應(yīng)區(qū)域1.2之間形成空腔7,所述貼合晶圓4在電極區(qū)域1.1位置處設(shè)置有開(kāi)孔8,所述開(kāi)孔8內(nèi)設(shè)置有金屬球6,所述金屬球6與第一金屬層2相接觸。
[0028]所述貼合晶圓4背面開(kāi)設(shè)有凹槽,所述凹槽位于感應(yīng)區(qū)域1.2上方。
[0029]所述絕緣層3也可采用粘合膠5替代。
[0030]其制造方法包括以下工藝步驟:
[0031 ]步驟一、參見(jiàn)圖2,取一片表面聲濾波芯片晶圓;
[0032]步驟二、參見(jiàn)圖3,在表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域制備第一金屬層;
[0033]表面聲濾波芯片晶圓通過(guò)清洗,烘烤,濺射,涂光刻膠,光刻,顯影,電鍍銅層,去光刻膠,蝕刻的方法在電極區(qū)域制備第一金屬層;
[0034]步驟三、制備絕緣層
[0035]參見(jiàn)圖4,用涂膠工藝在表面聲濾波芯片晶圓上涂一層一定厚度的絕緣膠,如PI(聚酰亞胺)、PA(尼龍,聚酰胺),用光刻,顯影的方法將電極區(qū)域和芯片感應(yīng)區(qū)域位置的絕緣膠去除;
[0036]步驟四、貼合晶圓貼合
[0037]參見(jiàn)圖5,取一片貼合晶圓,在貼合晶圓上涂上一層粘合膠,與步驟三制備好絕緣層的表面聲濾波芯片晶圓貼合在一起,從而在芯片感應(yīng)區(qū)域上方形成空腔;
[0038]步驟五、減薄
[0039]參見(jiàn)圖6,將貼合晶圓進(jìn)行研磨、減薄;
[0040]步驟六、蝕刻
[0041]參見(jiàn)圖7,在貼合晶圓表面涂光刻膠,并進(jìn)行曝光,顯影,蝕刻,把后續(xù)需要植球的表面聲濾波晶圓第一金屬層暴露出來(lái),形成開(kāi)孔;
[0042]步驟七、植球
[0043 ]參見(jiàn)圖8,在暴露出來(lái)的第一金屬層位置進(jìn)行植球;
[0044]步驟八、切割
[0045]參見(jiàn)圖9,切割分成單顆產(chǎn)品。
[0046]上述步驟中,所述步驟五可省略;
[0047]所述絕緣層可以是B-stage膠,膠體加熱后熔融,此時(shí)可以不需要在貼合晶圓上涂粘合膠,直接進(jìn)行貼合;
[0048]所述貼合晶圓為玻璃材料或其他絕緣材料。
[0049]除上述實(shí)施例外,本實(shí)用新型還包括有其他實(shí)施方式,凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案,均應(yīng)落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:它包括表面聲濾波芯片晶圓(I),所述表面聲濾波芯片晶圓(I)表面包括電極區(qū)域(1.1)和感應(yīng)區(qū)域(1.2),所述電極區(qū)域(1.1)表面設(shè)置有第一金屬層(2),所述表面聲濾波芯片晶圓(I)除電極區(qū)域(1.1)和感應(yīng)區(qū)域(1.2)外的區(qū)域設(shè)置有絕緣層(3),所述絕緣層(3)上方設(shè)置有貼合晶圓(4),所述貼合晶圓(4)與感應(yīng)區(qū)域(1.2)之間形成空腔(7),所述貼合晶圓(4)在電極區(qū)域(1.1)位置處設(shè)置有開(kāi)孔(8),所述開(kāi)孔(8)內(nèi)設(shè)置有金屬球(6),所述金屬球(6)與第一金屬層(2)相接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述貼合晶圓(4)通過(guò)粘合膠(5)設(shè)置于絕緣層(3)上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述貼合晶圓(4)背面開(kāi)設(shè)有凹槽,所述凹槽位于感應(yīng)區(qū)域(1.2)上方。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述絕緣層(3)采用粘合膠(5)替代。
【文檔編號(hào)】H01L23/52GK205609499SQ201620271910
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年4月1日
【發(fā)明人】張江華
【申請(qǐng)人】江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
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