計(jì)可依電路設(shè)計(jì)需求而決定。
[0060]薄膜層結(jié)構(gòu)20覆蓋線路層11，薄膜層結(jié)構(gòu)20可包括一薄膜介電層21及至少一個(gè)形成于薄膜介電層21之中的導(dǎo)電盲孔22。薄膜介電層21的加工材料可以干膜(Dry FiIm)或濕膜(Wet FiIm)的形式存在，并經(jīng)由工藝加工完成，且其材料屬性可為低介電常數(shù)(1w-Dk)或高介電常數(shù)(high-Dk)，而導(dǎo)電盲孔22可通過激光鉆孔或微影蝕刻工藝、并配合電鍍工藝或填充導(dǎo)電材料(如導(dǎo)電銀漿)的方式而形成。值得注意的是，每一個(gè)導(dǎo)電盲孔22的底端同時(shí)與相對應(yīng)的導(dǎo)線線頭111及核心基板10的部分表面相接觸，借此，可增加垂直方向上的接合面積，且可通過導(dǎo)電盲孔22中的鍍層來增加層間的結(jié)合力，以增進(jìn)本實(shí)用新型具有多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板I抵御熱沖擊的能力。
[0061]雖然在圖2所示的具有多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板I中，薄膜層結(jié)構(gòu)20的數(shù)量有兩個(gè)，而每一個(gè)薄膜層結(jié)構(gòu)20中的導(dǎo)電盲孔22的數(shù)量有兩個(gè)，但是對于本實(shí)施例的其他實(shí)施態(tài)樣，薄膜層結(jié)構(gòu)20和導(dǎo)電盲孔22的數(shù)量可以有三個(gè)以上。換句話說，圖2所示的薄膜層結(jié)構(gòu)20和導(dǎo)電盲孔22的數(shù)量僅供舉例說明，并不限定本實(shí)用新型。薄膜層結(jié)構(gòu)20和導(dǎo)電盲孔22的數(shù)量可依電路設(shè)計(jì)的需求(如提升布線密度)而決定。
[0062]請一并參閱圖2及圖3，進(jìn)一步說明導(dǎo)電盲孔22、線路層11和核心基板10之間的接觸關(guān)系。導(dǎo)電盲孔22在接觸設(shè)計(jì)上包括一電性接觸部221及一由電性接觸部221延伸所形成的周邊接觸部222，其中電性接觸部221的主要部分用以連接相對應(yīng)的導(dǎo)線線頭111，周邊接觸部222用以連接核心基板10的部分表面。
[0063]更進(jìn)一步來說，電性接觸部221的底面可定義一大小與外形大致與導(dǎo)線線頭111相對應(yīng)的主要區(qū)域2211及一至少部分地圍繞于主要區(qū)域2211的周邊區(qū)域2212，其中主要區(qū)域2211與導(dǎo)線線頭111的頂面相接觸。另外，周邊接觸部222由電性接觸部221的周邊區(qū)域2212延伸所形成且凸伸出電性接觸部221的底面，周邊接觸部222包覆導(dǎo)線線頭111的環(huán)側(cè)面，并同時(shí)與核心基板10的部分表面相接觸。
[0064]請參閱圖4，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的另一種實(shí)施態(tài)樣的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例所提供的具有多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板I也可包括依序迭設(shè)于核心基板10上的多個(gè)薄膜層結(jié)構(gòu)20，例如第一薄膜層結(jié)構(gòu)20’及第二薄膜層結(jié)構(gòu)20”。而值得注意的是，上述導(dǎo)電盲孔22的接觸設(shè)計(jì)也可用于相鄰的第一和第二薄膜層結(jié)構(gòu)20’、20”之間。
[0065]更進(jìn)一步來說，第一薄膜層結(jié)構(gòu)20’具有至少一個(gè)第一導(dǎo)電盲孔22’，且第一薄膜層結(jié)構(gòu)20’的表面上設(shè)有一電性連接第一導(dǎo)電盲孔22’的互連層23，其中互連層23也具有至少一個(gè)導(dǎo)線線頭231。第二薄膜層結(jié)構(gòu)20"具有至少一個(gè)第二導(dǎo)電盲孔22”，且第二導(dǎo)電盲孔22”與相對應(yīng)的第一導(dǎo)電盲孔22’的相對位置偏離一預(yù)定距離。第二薄膜層結(jié)構(gòu)20”覆蓋互連層23，且第二導(dǎo)電盲孔22”的底端同時(shí)與相對應(yīng)的導(dǎo)線線頭231及相鄰的第一薄膜層結(jié)構(gòu)20’的部分表面相接觸，借此，可更增進(jìn)本實(shí)用新型具有多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板I抵御熱沖擊的能力。
[0066]請一并參閱圖2、圖5及圖6，本實(shí)用新型具有多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板I為了要和測試設(shè)備的印刷電路板或載臺(tái)上的晶圓(圖中未示出)電性連接，以利晶圓制造過程中的階段測試或晶圓封裝后的最終測試進(jìn)行，位于最外層的線路薄膜層結(jié)構(gòu)20上設(shè)有一防焊層30及一外露于防焊層30的電性連接墊40，其中每一個(gè)最表層晶圓測試點(diǎn)41位于相對應(yīng)的一個(gè)導(dǎo)電盲孔22上且彼此電性連接。
[0067]本實(shí)施例中，電性連接墊40可呈矩陣式排列(如圖4所示)或呈環(huán)繞式排列(如圖5所示)，而每一個(gè)最表層晶圓測試點(diǎn)41上可植設(shè)一錫球，以作為晶圓測試所需的電性接點(diǎn)。須說明的是，本實(shí)用新型在實(shí)際實(shí)施時(shí)，電性連接墊40的多個(gè)最表層晶圓測試點(diǎn)41的布排方式以及數(shù)量、形狀和尺寸比例等，可依電路設(shè)計(jì)的需求(如提升布線密度)而決定，本實(shí)用新型并不對此加以限制。
[0068]第二實(shí)施例
[0069]請參閱圖7，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。并請配合參閱圖8所示，本實(shí)施例與上述實(shí)施例的差異在于，薄膜層結(jié)構(gòu)20中，至少一個(gè)導(dǎo)電盲孔22的孔徑D大于相對應(yīng)的線頭結(jié)構(gòu)111的寬度W。
[0070]更進(jìn)一步來說，電性接觸部221的底面定義出一大小與外形大致與導(dǎo)線線頭111相對應(yīng)的主要區(qū)域2211及一完全圍繞主要區(qū)域2211的周邊區(qū)域2212。據(jù)此，導(dǎo)電盲孔22的周邊接觸部222可完全包覆住導(dǎo)線線頭111的環(huán)側(cè)面，并同時(shí)與核心基板10的部分表面相接觸。
[0071]綜上所述，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，至少具有下列的優(yōu)點(diǎn):
[0072]本實(shí)用新型通過“薄膜層結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電盲孔的底端同時(shí)與相對應(yīng)的導(dǎo)線線頭及核心基板的部分表面相接觸”及“任一個(gè)薄膜層結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電盲孔的底端同時(shí)與相對應(yīng)的導(dǎo)線線頭及相鄰的另一個(gè)薄膜層結(jié)構(gòu)的部分表面相接觸”的設(shè)計(jì)，可使得垂直方向上的接合面積大幅增加，并可通過導(dǎo)電盲孔中的鍍層來增加層間的結(jié)合力，以增進(jìn)本實(shí)用新型具有多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板抵御熱沖擊的能力。
[0073]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，其并非用以限定本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神與范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)及潤飾的等效替換，仍落入本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，適用于晶圓測試，其特征在于，該具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板包括: 一核心基板，其表面上設(shè)有一線路層，該線路層具有至少一導(dǎo)線線頭；以及 一薄膜層結(jié)構(gòu)，其迭設(shè)于該核心基板的表面上并覆蓋該線路層，該薄膜層結(jié)構(gòu)具有至少一導(dǎo)電盲孔，且至少一該導(dǎo)電盲孔的底端導(dǎo)體同時(shí)接觸至少一該導(dǎo)線線頭及該核心基板的部分表面。2.如權(quán)利要求1所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，至少一該導(dǎo)電盲孔包含一電性接觸部及一從該電性接觸部延伸所形成的周邊接觸部，該電性接觸部與至少一該導(dǎo)線線頭相互接觸，該周邊接觸部與該薄膜層結(jié)構(gòu)的部分表面相互接觸。3.如權(quán)利要求2所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，至少一該導(dǎo)電盲孔的該電性接觸部具有一相對應(yīng)于該導(dǎo)線線頭的主要區(qū)域及一圍繞于該主要區(qū)域的其中一部分的周邊區(qū)域，而該周邊接觸部從該周邊區(qū)域延伸所形成。4.如權(quán)利要求3所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，該周邊區(qū)域進(jìn)一步圍繞該主要區(qū)域的其余部分。5.如權(quán)利要求1所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，該薄膜層結(jié)構(gòu)上設(shè)有一電性連接墊。6.如權(quán)利要求5所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，由該電性連接墊所延伸的多個(gè)最表層晶圓測試點(diǎn)呈矩陣式排列或環(huán)繞式排列。7.—種具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，適用于晶圓測試，該具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板包括依序迭設(shè)而成的多個(gè)線路薄膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于，任一該薄膜層結(jié)構(gòu)具有至少一第一導(dǎo)電盲孔，任一該薄膜層結(jié)構(gòu)的表面上設(shè)有一電性連接至少一該第一導(dǎo)電盲孔的互連層，且該互連層包含至少一導(dǎo)線線頭，而另一該薄膜層結(jié)構(gòu)具有至少一第二導(dǎo)電盲孔，且至少一該第二導(dǎo)電盲孔的底端導(dǎo)體同時(shí)接觸相對應(yīng)的至少一該導(dǎo)線線頭及任一該薄膜層結(jié)構(gòu)的部分表面。8.如權(quán)利要求7所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，至少一該第一導(dǎo)電盲孔及至少一該第二導(dǎo)電盲孔各包含一電性接觸部及一從該電性接觸部延伸所形成的周邊接觸部，該電性接觸部用以與相對應(yīng)的至少一該導(dǎo)線線頭相接觸，該周邊接觸部用以與任一該薄膜層結(jié)構(gòu)的部分表面相接觸。9.如權(quán)利要求8所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，至少一該第一導(dǎo)電盲孔及至少一該第二導(dǎo)電盲孔的該電性接觸部具有一相對應(yīng)于該導(dǎo)線線頭的主要區(qū)域及一圍繞于該主要區(qū)域的其中一部分的周邊區(qū)域，而該周邊接觸部從該周邊區(qū)域延伸所形成。10.如權(quán)利要求9所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，該周邊區(qū)域進(jìn)一步圍繞該主要區(qū)域的其余部分。11.如權(quán)利要求7所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，位于最外層的該薄膜層結(jié)構(gòu)上設(shè)有一電性連接墊。12.如權(quán)利要求11所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，由該電性連接墊所延伸的多個(gè)最表層晶圓測試點(diǎn)呈矩陣式排列或環(huán)繞式排列。13.如權(quán)利要求12所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，每一個(gè)該最表層晶圓測試點(diǎn)上均設(shè)有一導(dǎo)電凸塊。14.如權(quán)利要求7所述的具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其特征在于，至少一該第一導(dǎo)電盲孔與相對應(yīng)的至少一該第二導(dǎo)電盲孔的相對位置偏離一預(yù)定距離。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種具有高接合強(qiáng)度的多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接介面板，其適用于晶圓測試，并包括依序迭設(shè)而成的多個(gè)薄膜層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的特點(diǎn)在于，任一該薄膜層結(jié)構(gòu)具有至少一第一導(dǎo)電盲孔，任一該薄膜層結(jié)構(gòu)的表面上設(shè)有一電性連接至少一該第一導(dǎo)電盲孔的互連層，且該互連層包含至少一導(dǎo)線線頭，而另一該薄膜層結(jié)構(gòu)具有至少一第二導(dǎo)電盲孔，且至少一該第二導(dǎo)電盲孔的底端導(dǎo)體同時(shí)接觸相對應(yīng)的至少一該導(dǎo)線線頭及任一該薄膜層結(jié)構(gòu)的部分表面。借此，可大幅提升層間結(jié)合力，進(jìn)而增進(jìn)熱沖擊的抵抗能力。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號(hào)】CN205376474
【申請?zhí)枴緾N201620080751
【發(fā)明人】李文聰, 謝開杰, 鄧元玱
【申請人】中華精測科技股份有限公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2016年1月27日