一種適用于50-70GHz的高頻微帶基片式環(huán)行器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種微波通信領域的信號環(huán)形器，尤其是涉及一種適用于50-70GHZ的高頻微帶基片式環(huán)形器。
【背景技術】
[0002]環(huán)形器是一種使電磁波單向環(huán)形傳輸的器件，在近代雷達和微波多路通信系統(tǒng)中都要用單方向環(huán)行特性的器件，其原理是磁場偏置鐵氧體材料各向異性特性，是微波通訊中不可缺少的多端口傳輸器件。現(xiàn)有的微波結構環(huán)行器有微帶式、波導式、帶狀線和同軸式，其中以微帶三端環(huán)行器用的最多，用鐵氧體材料作介質，上置導帶結構，加恒定磁場，就具有環(huán)行特性，但其存在著工作頻率范圍低的缺陷，不能完全滿足更高頻率范圍的需求。
【實用新型內容】
[0003]實用新型針對現(xiàn)有技術的不足，旨在提供一種結構簡單、體積小、適用于表面貼裝和微電路集成、并且滿足更高頻率范圍的工作要求，主要為50-70GHZ頻率段高頻微帶基片式環(huán)行器。
[0004]本實用新型所述的一種適用于50-70GHZ的高頻微帶基片式環(huán)行器，其技術方案如下:包括底座1、飽和磁矩為5000Gs的尖晶石鐵氧體基片2、微帶電路3和永磁體4，所述尖晶石鐵氧體基片2的厚度為0.15-0.20_，所述微帶電路3設置在所述尖晶石鐵氧體基片2上表面，所述永磁體4設置在所述微帶電路3上，所述永磁體4的中心與微帶電路3的圓盤中心保持一致，所述尖晶石鐵氧體基片2的下表面固定在底座1上。
[0005]進一步地，所述微帶電路3通過光刻技術電鍛在所述尖晶石鐵氧體基片2上表面。
[0006]進一步地，所述永磁體4為釤鈷永磁體。所述底座1由磁性金屬材料加工制成，優(yōu)選為鐵或鐵的合金。
[0007]進一步地，所述永磁體4通過環(huán)氧樹脂膠合在所述微帶電路3上。
[0008]進一步地，所述尖晶石鐵氧體基片2通過焊錫膏焊接在底座1上。
[0009]進一步地，所述尖晶石鐵氧體基片2的厚度優(yōu)選為為0.15mm。
[0010]上述技術方案保證了永磁體縱向磁化尖晶石鐵氧體基片，尖晶石鐵氧體基片邊緣磁化均勻，接地良好，并且由于底座與尖晶石鐵氧體基片的熱膨脹系數相當，能夠在焊接時保護尖晶石鐵氧體基片，降低了由于焊接而導致尖晶石鐵氧體基片開裂的風險，提高了產品的可靠性。
[0011]本實用新型與現(xiàn)有技術相比，其有益效果是:結構簡單、體積小、重量輕，適用于表面貼裝和微電路集成，頻率范圍更高。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型的結構示意圖。
[0013]圖2為本實用新型的組裝后的示意圖。
[0014]其中:1、底座，2、尖晶石鐵氧體基片，3、微帶電路，4、永磁體。
【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖，對如何具體實施本實用新型進行詳細說明，但是本實用新型的保護范圍不局限于所述實施例。
[0016]如圖1和2所示，一種適用于50-70GHZ的高頻微帶基片式環(huán)行器，包括鐵鎳合金底座1、飽和磁矩為5000GS的尖晶石鐵氧體基片3、微帶電路2和釤鈷永磁體4，所述尖晶石鐵氧體基片3的厚度為0.15_，所述微帶電路2通過光刻技術電鍍在所述尖晶石鐵氧體基片3上表面，所述釤鈷永磁體4通過環(huán)氧樹脂膠合在所述微帶電路2上，所述釤鈷永磁體4的中心與微帶電路2的圓盤中心軸線相重疊，所述尖晶石鐵氧體基片3通過焊錫膏焊接在鐵鎳合金底座1上。本實施例中，尖晶石鐵氧體基片3的厚度還可以選取0.17mm、0.20mm。
[0017]本實施例中，飽和磁矩為5000GS的尖晶石鐵氧體基片3居里溫度高，溫度穩(wěn)定性好，同時減薄基片的厚度能夠隔離器在更高頻范圍內工作，高頻微帶基片式環(huán)形器適用于表面貼裝技術，并通過金絲鍵合技術與微波電路相連接。
[0018]上述環(huán)形器的主要技術指標如下:
[0019]頻率范圍:50-70GHz
[0020]正向損耗:彡1.2dB
[0021]反向隔離:彡18dB
[0022]駐波系數:< 1.6
[0023]溫度范圍:-30°C?+70°C
[0024]接頭形式:W — W — W
[0025]外形尺寸:3.5X2X3.5mm
[0026]如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實施例已經表示和表述了本實用新型，但其不得解釋為對本實用新型自身的限制。在不脫離所附權利要求定義的本實用新型的精神和范圍前提下，可對其在形式上和細節(jié)上作出各種變化。
【主權項】
1.一種適用于50-70GHZ的高頻微帶基片式環(huán)行器，其特征是:包括底座(1)、尖晶石鐵氧體基片(2)、微帶電路(3)和永磁體(4)，所述尖晶石鐵氧體基片(2)的飽和磁矩為5000Gs，所述尖晶石鐵氧體基片(2)的厚度為0.15-0.20_，所述微帶電路(3)設置在所述尖晶石鐵氧體基片(2)的上表面，所述永磁體(4)設置在所述微帶電路(3)上，所述永磁體(4)的中心軸線與微帶電路(3)的圓盤中心保持一致，所述尖晶石鐵氧體基片(2)的下表面固定在底座(1)上。2.根據權利要求1所述的一種適用于50-70GHZ的高頻微帶基片式環(huán)行器，其特征在于，所述尖晶石鐵氧體基片(2)的厚度為0.15mm。3.根據權利要求1或2所述的一種適用于50-70GHZ的高頻微帶基片式環(huán)行器，其特征在于，所述微帶電路(3)通過光刻技術電鍍在所述尖晶石鐵氧體基片(2)上表面。4.根據權利要求1或2所述的一種適用于50-70GHZ的高頻微帶基片式環(huán)行器，其特征在于，所述永磁體(4)通過環(huán)氧樹脂膠合在所述微帶電路(3)上。5.根據權利要求1或2所述的一種適用于50-70GHZ的高頻微帶基片式環(huán)行器，其特征在于，所述尖晶石鐵氧體基片(2)通過焊錫焊接在底座(1)上。
【專利摘要】本實用新型公開了一種適用于50-70GHz的高頻微帶基片式環(huán)行器，包括底座、飽和磁矩為5000Gs的尖晶石鐵氧體基片、微帶電路和永磁體，尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.15-0.20mm，微帶電路設置在所述尖晶石鐵氧體基片上表面，永磁體設置在所述微帶電路上，永磁體的中心與微帶電路的圓盤中心保持一致，尖晶石鐵氧體基片的下表面固定在金屬底座上。本實用新型具有結構簡單、體積小、重量輕，適用頻率更高，適合表面貼裝和微電路集成等特點。
【IPC分類】H01P1/387
【公開號】CN205081199
【申請?zhí)枴緾N201520757825
【發(fā)明人】劉曠希, 唐正龍
【申請人】南京廣順電子技術研究所
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年9月25日