一種減少低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅崩邊的舟的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種多晶硅生長工藝中承載硅片用的舟，具體為臥式背封爐低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅工藝中用的能減少多晶硅崩邊的硅片載體裝置一舟。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)集成電路基底材料之一的單晶硅拋光片潔凈度的要求不斷提高，因此外吸雜工藝使用背面生長多晶硅替代潔凈度相對(duì)較差的背面軟/硬損傷也就越來越多。在生長多晶硅工藝過程中，發(fā)現(xiàn)該工藝的收率較低，其中崩邊是損失較高的主要原因之一，如何減少崩邊，提高收率是該工藝人員及廠家需要重點(diǎn)解決的問題。
[0003]在解決生長多晶硅工藝崩邊問題的過程中發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生崩邊的原因主要是因?yàn)樯L多晶的工藝氣體硅烷彌散性較好，在多晶硅的生長過程中硅片與其載體一一舟的接觸處也生長了一定厚度的多晶層，該多晶層把硅片與舟粘結(jié)在一起，當(dāng)粘結(jié)力大到一定程度時(shí)，一旦硅片與舟分離，就有可能把與舟接觸處的硅片粘接掉一塊，從而在硅片上產(chǎn)生崩邊。目前，臥式背封爐的低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅生長工藝中，現(xiàn)有舟與硅片之間接觸面積較大，兩者接觸處生長的多晶層增大了硅片與舟之間的粘結(jié)力，從而增加崩邊的幾率。另外，舟與硅片多為四點(diǎn)接觸并定位，若舟與硅片接觸的四點(diǎn)不在一個(gè)平面內(nèi)，再加上生長的多晶較脆，因變形受力也容易產(chǎn)生崩邊。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種減少低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅崩邊的舟，其能夠減少多晶背封后硅片與舟之間的粘結(jié)力，以及硅片在舟槽內(nèi)的變形，從而減少崩邊的發(fā)生。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種減少低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅崩邊的舟，包括瓦片、設(shè)置在瓦片內(nèi)的上槽棒和下槽棒，以及設(shè)置在瓦片底部的腳棒和舟插管，所述上槽棒設(shè)置為兩個(gè)，下槽棒設(shè)置為一個(gè)并位于瓦片內(nèi)底部的中心位置，在瓦片內(nèi)下槽棒的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)支撐棒，硅片通過上槽棒和下槽棒上開設(shè)的定位槽定位，并支撐在兩個(gè)支撐棒上，兩支撐棒的支撐面均為圓弧面，圓弧支撐面上設(shè)有磨砂層，該磨砂層上均布有顆粒狀的凸起，以使硅片與兩支撐棒之間的接觸為多點(diǎn)接觸。
[0006]有益效果:本實(shí)用新型在瓦片內(nèi)設(shè)置兩個(gè)支撐棒，用于對(duì)硅片進(jìn)行支撐，將支撐棒的支撐面設(shè)置為圓弧形面，并設(shè)置磨砂層，以將硅片與兩支撐棒之間的接觸設(shè)計(jì)為多點(diǎn)接觸，這樣減少了硅片與舟的接觸面積，從而減少了多晶硅生長工藝中硅片與舟之間的粘結(jié)力，進(jìn)而減少了崩邊現(xiàn)象。下槽棒與兩個(gè)上槽棒一起通過其上面開設(shè)的定位槽對(duì)硅片形成三點(diǎn)定位，兩個(gè)支撐棒對(duì)硅片形成多點(diǎn)支撐，這樣減少了硅片變形的現(xiàn)象，降低了崩邊的幾率。
【附圖說明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2為將本實(shí)用新型定位在倒片機(jī)上進(jìn)行倒片的狀態(tài)圖。
[0009]圖中標(biāo)記為:1、上槽棒，2、下槽棒，3、支撐棒，4、腳棒，5、瓦片，6、舟插管，7、硅片，
8、定位棒，9、磨砂層，10、叉子，11、夾子。
【具體實(shí)施方式】
[0010]如圖所示，一種減少低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅崩邊的舟，包括瓦片5、設(shè)置在瓦片5內(nèi)的上槽棒1和下槽棒2，以及設(shè)置在瓦片5底部的腳棒4和舟插管6，所述上槽棒1設(shè)置為兩個(gè)，下槽棒2設(shè)置為一個(gè)并位于瓦片5內(nèi)底部的中心位置，在瓦片5內(nèi)下槽棒2的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)支撐棒3，娃片7通過上槽棒1和下槽棒2上開設(shè)的定位槽定位，并支撐在兩個(gè)支撐棒3上，上槽棒1和下槽棒2對(duì)硅片7形成三點(diǎn)定位，以避免舟中相鄰硅片傾斜接觸，兩個(gè)支撐棒3對(duì)硅片進(jìn)行支撐。兩支撐棒3的支撐面均為圓弧面，可將支撐棒3設(shè)為圓柱形棒，圓弧支撐面上設(shè)有磨砂層9，該磨砂層9上均布有顆粒狀的凸起，以使硅片7與兩支撐棒3之間的接觸為多點(diǎn)接觸，磨砂層9的設(shè)置明顯降低了硅片與舟之間的接觸面積，減少了多晶背封后硅片與舟之間的粘結(jié)力，進(jìn)而減少了崩邊現(xiàn)象。
[0011]所述瓦片5的底部設(shè)有兩個(gè)定位棒8，用于在倒片過程中將舟整體定位在倒片機(jī)的叉子10上，自動(dòng)倒片機(jī)的夾子11夾起硅片7將其放置在舟內(nèi)，避免人工操作動(dòng)作不一致造成的崩邊風(fēng)險(xiǎn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種減少低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅崩邊的舟，包括瓦片(5)、設(shè)置在瓦片(5)內(nèi)的上槽棒(1)和下槽棒(2)，以及設(shè)置在瓦片(5)底部的腳棒(4)和舟插管(6)，其特征在于:所述上槽棒(1)設(shè)置為兩個(gè)，下槽棒(2)設(shè)置為一個(gè)并位于瓦片(5)內(nèi)底部的中心位置，在瓦片(5 )內(nèi)下槽棒(2 )的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)支撐棒(3 )，硅片(7 )通過上槽棒(1)和下槽棒(2 )上開設(shè)的定位槽定位，并支撐在兩個(gè)支撐棒(3)上，兩支撐棒(3)的支撐面均為圓弧面，圓弧支撐面上設(shè)有磨砂層(9)，該磨砂層(9)上均布有顆粒狀的凸起，以使硅片(7)與兩支撐棒(3)之間的接觸為多點(diǎn)接觸。2.如權(quán)利要求1所述的一種減少低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅崩邊的舟，其特征在于:所述兩支撐棒(3)為圓柱形棒。3.如權(quán)利要求1所述的一種減少低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅崩邊的舟，其特征在于:所述瓦片(5)的底部設(shè)有兩個(gè)定位棒(8)，用于在倒片過程中將舟整體定位在倒片機(jī)的叉子(10)上。
【專利摘要】一種減少低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅崩邊的舟，涉及一種多晶硅生長工藝中承載硅片用的舟，包括瓦片、設(shè)置在瓦片內(nèi)的上槽棒和下槽棒，以及設(shè)置在瓦片底部的腳棒和舟插管，所述上槽棒設(shè)置為兩個(gè)，下槽棒設(shè)置為一個(gè)并位于瓦片內(nèi)底部的中心位置，在瓦片內(nèi)下槽棒的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)支撐棒，硅片通過上槽棒和下槽棒上開設(shè)的定位槽定位，并支撐在兩個(gè)支撐棒上，兩支撐棒的支撐面均為圓弧面，圓弧支撐面上設(shè)有磨砂層，該磨砂層上均布有顆粒狀的凸起，以使硅片與兩支撐棒之間的接觸為多點(diǎn)接觸。本實(shí)用新型能夠減少多晶背封后硅片與舟之間的粘結(jié)力，以及硅片在舟槽內(nèi)的變形，從而減少崩邊的發(fā)生。
【IPC分類】H01L21/673
【公開號(hào)】CN204991668
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520529734
【發(fā)明人】苗利剛, 史舸, 魏海霞, 李戰(zhàn)國, 李海濤, 寇文輝, 孟娟峰
【申請(qǐng)人】麥斯克電子材料有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請(qǐng)日】2015年7月21日