技術(shù)編號：10081741
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，對集成電路基底材料之一的單晶硅拋光片潔凈度的要求不斷提高，因此外吸雜工藝使用背面生長多晶硅替代潔凈度相對較差的背面軟/硬損傷也就越來越多。在生長多晶硅工藝過程中，發(fā)現(xiàn)該工藝的收率較低，其中崩邊是損失較高的主要原因之一，如何減少崩邊，提高收率是該工藝人員及廠家需要重點解決的問題。在解決生長多晶硅工藝崩邊問題的過程中發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生崩邊的原因主要是因為生長多晶的工藝氣體硅烷彌散性較好，在多晶硅的生長過程中硅片與其載體一一舟的接觸處也生長了一...
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