一種功率mosfet器件靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種功率MOSFET器件靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]對于功率MOSFET器件靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計，現(xiàn)有技術(shù)普遍采用的是在芯片周圍一圈或者兩側(cè)的區(qū)域，通過放大源極金屬和柵極引出金屬之間的間距，騰出一個空間出來在源極金屬和柵極引出金屬之間放置靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)整個功率MOSFET器件的抗靜電能力。
[0003]這種設(shè)計無形的增大了源極金屬和柵極金屬之間的間隙，增大了圓胞區(qū)以外區(qū)域的面積，相當(dāng)于有效圓胞面積占整個芯片的面積比重將會下降。這樣就會導(dǎo)致在相同面積尺寸下，如果加入靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，勢必要縮小圓胞區(qū)域的面積，從而導(dǎo)致產(chǎn)品最終的導(dǎo)通電阻、電流能力等下降。如圖1和圖2所示。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的是提供一種功率MOSFET器件靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有的靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致功率MOSFET器件導(dǎo)通電阻和電流能力下降的問題。
[0005]本實用新型的技術(shù)方案是，一種功率MOSFET器件靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)位于柵極打線區(qū)域下方空曠區(qū)域，將該區(qū)域有效的利用起來。
[0006]進(jìn)一步的，所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)依次包括P型注入?yún)^(qū)、N型注入?yún)^(qū)和靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔。
[0007]進(jìn)一步的，所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)依次包括N型注入?yún)^(qū)、P型注入?yún)^(qū)和靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔。
[0008]本實用新型提出一種在柵極打線區(qū)域設(shè)置靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計，這種做法最大的優(yōu)點是增加了靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的同時，不會對圓胞區(qū)產(chǎn)生任何的影響，不會浪費芯片面積。在相同面積尺寸下，加入了靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)后，產(chǎn)品的其他特性，比如導(dǎo)通電阻，電流能力均不會發(fā)生改變。實現(xiàn)了功率MOSFET器件的抗靜電保護(hù)的能力的同時對芯片整體的面積，圓胞區(qū)域等均未有任何影響。
【附圖說明】
[0009]通過參考附圖閱讀下文的詳細(xì)描述，本實用新型示例性實施方式的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點將變得易于理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本實用新型的若干實施方式，其中:
[0010]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中帶ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET器件結(jié)構(gòu)圖。
[0011 ] 圖2是現(xiàn)有的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0012]圖3是本實用新型中帶ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET器件結(jié)構(gòu)圖。
[0013]圖4是本實用新型的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0014]其中，
[0015]I——ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，
[0016]2 源極金屬區(qū)域，
[0017]3一一柵極打線金屬區(qū)域，
[0018]4--棚■極引線，
[0019]5——源極和柵極金屬間隙，
[0020]6——NMOS管的P型注入?yún)^(qū)，PMOS管的N型注入?yún)^(qū)，
[0021]7——NMOS管的N型注入?yún)^(qū)，PMOS管的P型注入?yún)^(qū)，
[0022]8——靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔，
[0023]9——圓胞區(qū)域，
[0024]10——柵極打線區(qū)域下方空曠區(qū)域。
【具體實施方式】
[0025]如圖3和圖4所示，是本實用新型中帶ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET器件結(jié)構(gòu)圖和ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。其中標(biāo)記6區(qū)域為P型注入?yún)^(qū)(對NMOS管而言，如果是PMOS則相反)，標(biāo)記7區(qū)域為N型注入?yún)^(qū)(對NMOS管而言，如果是PMOS則相反)。
[0026]本實用新型的一種功率MOSFET器件靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)位于柵極打線區(qū)域下方空曠區(qū)域。若所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)依次包括P型注入?yún)^(qū)、N型注入?yún)^(qū)和靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔。若所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)依次包括N型注入?yún)^(qū)、P型注入?yún)^(qū)和靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔。
[0027]值得說明的是，雖然前述內(nèi)容已經(jīng)參考若干【具體實施方式】描述了本實用新型創(chuàng)造的精神和原理，但是應(yīng)該理解，本實用新型創(chuàng)造并不限于所公開的【具體實施方式】，對各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合，這種劃分僅是為了表述的方便。本實用新型創(chuàng)造旨在涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)所包括的各種修改和等同布置。
【主權(quán)項】
1.一種功率MOSFET器件靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)位于柵極打線區(qū)域下方空曠區(qū)域，所述功率MOSFET器件是NM0S管，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)依次包括P型注入?yún)^(qū)、N型注入?yún)^(qū)和靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔，或者所述功率MOSFET器件是PM0S管，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)依次包括N型注入?yún)^(qū)、P型注入?yún)^(qū)和靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔。
【專利摘要】本實用新型公開了一種功率MOSFET器件靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)位于柵極打線區(qū)域下方空曠區(qū)域。若所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)依次包括P型注入?yún)^(qū)、N型注入?yún)^(qū)和靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔。若所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)依次包括N型注入?yún)^(qū)、P型注入?yún)^(qū)和靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)引出接觸孔。本實用新型在增加靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的同時，不會對圓胞區(qū)產(chǎn)生任何的影響，在相同面積尺寸下，加入了靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)后，產(chǎn)品的其他特性均不會發(fā)生改變。實現(xiàn)了功率MOSFET器件的抗靜電保護(hù)能力的同時對芯片整體的面積，圓胞區(qū)域等均未有任何影響。
【IPC分類】H01L29/78, H01L23/60
【公開號】CN204927285
【申請?zhí)枴緾N201520646587
【發(fā)明人】陸懷谷
【申請人】深圳市谷峰電子有限公司, 香港谷峰半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月25日