用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型具體涉及改善濕法刻蝕晶硅太陽電池效果的裝置，尤其是一種用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池是將太陽能直接轉(zhuǎn)化成電能，并且在使用過程中不會(huì)產(chǎn)生任何有害物質(zhì)，是一種環(huán)保無污染產(chǎn)品，因此，太陽能電池在解決能源與環(huán)境問題方面倍受青睞，有著極好的市場前景。在太陽能電池生產(chǎn)工藝中刻蝕能有效地去除擴(kuò)散后硅片四周的N型硅，防止漏電，從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。目前，晶體硅太陽電池一般采用干法和濕法兩種刻蝕方法，而濕法刻蝕能明顯提高電池轉(zhuǎn)換效率提高產(chǎn)品質(zhì)量?，F(xiàn)在濕法刻蝕的生產(chǎn)設(shè)備主要有:KUTTLER和RENA。但KUTTLER工藝步驟中，第一步是去除硅片表面磷硅玻璃(PSG)，然后是對(duì)背面以及周邊進(jìn)行腐蝕去除PN結(jié)，后續(xù)還需要堿洗以及酸洗，在刻蝕過程中由于硅片表面沒有磷硅玻璃(PSG)的保護(hù)，這就使酸霧對(duì)硅片表面的PN結(jié)進(jìn)行腐蝕造成方阻的提升。而RENA刻蝕設(shè)備雖然在對(duì)背面以及周邊進(jìn)行腐蝕過程中磷硅玻璃(PSG)仍然存在，但是PSG很容易吸附酸氣到上表面造成過刻易出現(xiàn)“黑邊”，影響電池外觀。
[0003]針對(duì)上述問題，專利號(hào)為201320884387.2的實(shí)用新型專利公開了一種濕法刻蝕絕緣清洗機(jī)水膜保護(hù)裝置。其技術(shù)方案是:包括快速接頭、水刀管路、水刀、水刀支架、單向閥，所述的水刀管路的一側(cè)連接快速接頭，快速接頭外側(cè)連接單向閥，水刀管路的另一側(cè)連接水刀，所述水刀管路的端部設(shè)有水刀支架，通過水刀支架固定水刀管路的位置。有益效果是:在入料時(shí)通過水刀加裝一層水膜，形成保護(hù)層，隔絕了酸霧與硅片表面的接觸，從而保護(hù)了硅片表面的磷硅玻璃，保證了硅片出料后的方阻提升在一個(gè)可控的范圍之內(nèi)，有效的控制了方阻的提升，對(duì)于硅片的質(zhì)量進(jìn)行了有力的保障，而且隔絕了酸霧對(duì)硅片表面的影響，使整個(gè)硅片出料后的外觀得到了極大地改善。但是該保護(hù)裝置結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，制作成本相對(duì)較高，無形中提高了太陽能硅片的制作成本；且水刀本身較為鋒利，在使用過程中控制不當(dāng)易對(duì)硅片表面造成損害，不利于成品率的提高，因此，在改善濕法刻蝕效果上還有待提尚O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實(shí)用新型目的:針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單，且噴水膜效果好不會(huì)對(duì)硅片造成損害的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置。
[0005]技術(shù)方案:本實(shí)用新型公開了一種用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，包括控制電機(jī)、進(jìn)水口、噴嘴，控制電機(jī)與進(jìn)水口、噴嘴相連接；所述噴嘴底部交叉均勻分布有大噴水孔、小噴水孔；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，通過采用控制電機(jī)控制噴嘴噴灑水，可有效在硅片上表面加一層水膜，通過水膜的保護(hù)，使硅片上表面不受酸霧腐蝕，從而解決刻蝕過程中出現(xiàn)的“過度腐蝕”以及“黑邊”問題，有效改善濕法刻蝕的效果。
[0006]所述的大噴水孔孔徑為1.5-3_。
[0007]所述的小噴水孔孔徑為0.1-1.5mm。
[0008]本實(shí)用新型通過將大噴水孔、小噴水孔設(shè)為交叉分布，可保證噴灑水的均勻性及全面性，保證水膜可全部將硅片覆蓋，提高噴嘴噴灑效果。
[0009]所述的噴嘴上設(shè)有噴水感應(yīng)器，感應(yīng)時(shí)間為5-15s。
[0010]所述的噴水感應(yīng)器控制噴嘴上的大噴水孔、小噴水孔噴水，噴水時(shí)間為l_4s。
[0011]所述噴水采用的溶液為去離子水，水溫為20-25°C。
[0012]所述的控制電機(jī)帶速為0.1-2.5m/min。
[0013]有益效果:本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0014]1.結(jié)構(gòu)簡單成本低:本實(shí)用新型通過采用通用的控制電機(jī)控制噴嘴噴灑水，可有效在娃片上表面加一層水膜，無需特殊部件，結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉；
[0015]2.水膜均勻:本實(shí)用新型通過將大噴水孔、小噴水孔設(shè)為交叉分布，可保證噴灑水的均勻性及全面性，保證水膜可全部將硅片覆蓋，提高噴嘴噴灑效果。
【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]1.控制電機(jī)、2.進(jìn)水口、3.噴嘴、31.大噴水孔、32.小噴水孔、4.噴水感應(yīng)器。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明，但同時(shí)說明本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于本實(shí)施例的具體范圍，基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0019]需要說明的是，在本實(shí)用新型的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上；術(shù)語“上”、“下”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“前端”、“后端”、“頭部”、“尾部”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。
[0020]如圖1所示的一種用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，包括控制電機(jī)1、進(jìn)水口 2、噴嘴3，控制電機(jī)I與進(jìn)水口 2、噴嘴3相連接；所述噴嘴3底部交叉均勻分布有大噴水孔31、小噴水孔32 ;所述的大噴水孔31孔徑為1.5-3mm ;所述的小噴水孔32孔徑為0.1-1.5mm ;所述的噴嘴3上設(shè)有噴水感應(yīng)器4，感應(yīng)時(shí)間為5_15s ;所述的噴水感應(yīng)器4控制噴嘴3上的大噴水孔31、小噴水孔32噴水，噴水時(shí)間為l_4s ;所述噴水采用的溶液為去離子水，水溫為20-25°C ;所述的控制電機(jī)I帶速為0.1-2.5m/min。
實(shí)施例
[0021]以156X156mm多晶硅片為例，將多晶硅片設(shè)于噴水膜裝置的噴嘴3下，所述噴嘴3的大噴水孔31孔徑為1.5mm,小噴水孔32孔徑為0.1mm ;控制電機(jī)I帶速1.7m/min ;噴水感應(yīng)器4的感應(yīng)時(shí)間為10S，感應(yīng)到噴嘴3下的多晶硅片后，噴嘴3噴灑去離子水，水溫為25°C，噴淋時(shí)間為2s50//，從而使水膜硅片上表面而不溢出；被水膜保護(hù)的硅片不受酸霧腐蝕，解決刻蝕中出現(xiàn)的“過度腐蝕”以及“黑邊”問題。提高太陽能電池的外觀。
[0022]本實(shí)用新型的實(shí)施例是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本實(shí)用新型限于所公開的形式。很多修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。選擇和描述實(shí)施例是為了更好說明本實(shí)用新型的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本實(shí)用新型從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于:包括控制電機(jī)(1)、進(jìn)水口(2)、噴嘴(3)，控制電機(jī)(I)與進(jìn)水口(2)、噴嘴(3)相連接；所述噴嘴(3)底部交叉均勻分布有大噴水孔(31)、小噴水孔(32)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于:所述的大噴水孔(31)孔徑為1.5-3mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于:所述的小噴水孔(32)孔徑為0.1-1.5_。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于:所述的噴嘴(3)上設(shè)有噴水感應(yīng)器(4)，感應(yīng)時(shí)間為5-15s。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于:所述的噴水感應(yīng)器(4)控制噴嘴(3)上的大噴水孔(31)、小噴水孔(32)噴水，噴水時(shí)間為l_4s。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于:所述噴水采用的溶液為去離子水，水溫為20-25°C。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，其特征在于:所述的控制電機(jī)(I)帶速為0.1-2.5m/min。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于改善濕法刻蝕效果的噴水膜裝置，包括控制電機(jī)、進(jìn)水口、噴嘴，控制電機(jī)與進(jìn)水口、噴嘴相連接；所述噴嘴底部交叉均勻分布有大噴水孔、小噴水孔；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，通過采用控制電機(jī)控制噴嘴噴灑水，可有效在硅片上表面加一層水膜，通過水膜的保護(hù)，使硅片上表面不受酸霧腐蝕，從而解決刻蝕過程中出現(xiàn)的“過度腐蝕”以及“黑邊”問題，有效改善濕法刻蝕的效果。
【IPC分類】H01L21/67
【公開號(hào)】CN204857672
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520472530
【發(fā)明人】靜福印, 孫海平, 夏正月
【申請(qǐng)人】奧特斯維能源（太倉）有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年6月30日