一種功率mosfet器件柵電極結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，功率MOSFET器件，如圖1所示，其柵電極區(qū)域只是簡(jiǎn)單的將圓胞區(qū)域每個(gè)圓胞的多晶柵引出來(lái)通過(guò)金屬互連在一起。這樣，在電路中一般都是在功率MOSFET器件驅(qū)動(dòng)端加入一個(gè)柵極電阻來(lái)調(diào)整器件開關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰?，F(xiàn)有功率MOSFET器件柵電極只是作為圓胞區(qū)柵極的引出，在實(shí)際的應(yīng)用電路中一般都是需要在驅(qū)動(dòng)端加一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻來(lái)調(diào)節(jié)開關(guān)過(guò)程中電壓尖峰問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是，一種功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)，所述功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)具有長(zhǎng)條狀多晶，該長(zhǎng)條狀多晶將所述功率MOSFET器件柵電極引線區(qū)域和該功率MOSFET器件柵電極的打線區(qū)域連接在一起，所述長(zhǎng)條狀多晶的電阻作為柵極電阻。
[0005]所述長(zhǎng)條狀多晶與所述功率MOSFET器件柵極多晶同時(shí)工藝。
[0006]本實(shí)用新型提出一種集成有柵極電阻的功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)。利用長(zhǎng)條狀的多晶電阻來(lái)作為柵極電阻。因?yàn)楦拈L(zhǎng)條狀的多晶是和柵極多晶同時(shí)工藝的，故不會(huì)增加功率MOSFET器件的制造成本，只是設(shè)計(jì)上的改動(dòng)。有了這種結(jié)構(gòu)，功率MOSFET器件中就能在不增加成本的前提下集成一個(gè)特定阻值的柵極電阻，從而在電路應(yīng)用中就可以省略掉功率MOSFET器件驅(qū)動(dòng)端的柵極電阻，節(jié)省電路成本。該柵極電阻可以有效的降低器件在開通過(guò)程中的柵極電壓尖峰，從而起到很好的保護(hù)器件柵極的作用。
【附圖說(shuō)明】
[0007]通過(guò)參考附圖閱讀下文的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型示例性實(shí)施方式的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得易于理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本實(shí)用新型的若干實(shí)施方式，其中:
[0008]圖1是現(xiàn)有的功率MOSFET器件結(jié)構(gòu)圖
[0009]圖2是本實(shí)用新型專利的工藝流程剖面圖，
[0010]其中，I——功率MOSFET器件柵電極區(qū)域，
[0011 ] 2——功率MOSFET器件源極區(qū)域，
[0012]3——功率MOSFET器件外圍終端區(qū)域，
[0013]4——圓胞區(qū)域的多晶柵，
[0014]5——功率MOSFET器件柵電極引線區(qū)域，
[0015]6--長(zhǎng)條狀多晶，
[0016]7——功率MOSFET器件柵電極打線區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0017]如圖2所示，集成有柵極電阻的功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)，通過(guò)長(zhǎng)條狀多晶將功率MOSFET器件柵電極引線區(qū)域和功率MOSFET器件柵電極打線區(qū)域連接在一起。利用這個(gè)長(zhǎng)條狀多晶電阻作為柵極電阻，長(zhǎng)條狀多晶是和圓胞區(qū)域的多晶柵極同時(shí)工藝制制造的，故不會(huì)增加工藝步驟，也不會(huì)增加工藝成本。
[0018]現(xiàn)有功率MOSFET器件柵電極只是作為圓胞區(qū)柵極的引出，在實(shí)際的應(yīng)用電路中一般都是需要在驅(qū)動(dòng)端加一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻來(lái)調(diào)節(jié)開關(guān)過(guò)程中電壓尖峰問(wèn)題。本實(shí)用新型在不增加功率MOSFET器件制造成本的前提下，利用長(zhǎng)條狀的多晶電阻作為柵極電阻。
[0019]值得說(shuō)明的是，雖然前述內(nèi)容已經(jīng)參考若干【具體實(shí)施方式】描述了本實(shí)用新型創(chuàng)造的精神和原理，但是應(yīng)該理解，本實(shí)用新型創(chuàng)造并不限于所公開的【具體實(shí)施方式】，對(duì)各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合，這種劃分僅是為了表述的方便。本實(shí)用新型創(chuàng)造旨在涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)所包括的各種修改和等同布置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)具有長(zhǎng)條狀多晶，該長(zhǎng)條狀多晶將所述功率MOSFET器件柵電極引線區(qū)域和該功率MOSFET器件柵電極的打線區(qū)域連接在一起，所述長(zhǎng)條狀多晶的電阻作為柵極電阻。2.如權(quán)利要求1所述的功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述長(zhǎng)條狀多晶與所述功率MOSFET器件柵極多晶同時(shí)工藝。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)，所述功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)具有長(zhǎng)條狀多晶，該長(zhǎng)條狀多晶將所述功率MOSFET器件柵電極引線區(qū)域和該功率MOSFET器件柵電極的打線區(qū)域連接在一起，所述長(zhǎng)條狀多晶的電阻作為柵極電阻。所述長(zhǎng)條狀多晶與所述功率MOSFET器件柵極多晶同時(shí)工藝。
【IPC分類】H01L29/423
【公開號(hào)】CN204760387
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520541311
【發(fā)明人】陸懷谷
【申請(qǐng)人】深圳市谷峰電子有限公司, 香港谷峰半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年7月23日