技術(shù)編號(hào)：9107232
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)有技術(shù)中，功率MOSFET器件，如圖1所示，其柵電極區(qū)域只是簡(jiǎn)單的將圓胞區(qū)域每個(gè)圓胞的多晶柵引出來通過金屬互連在一起。這樣，在電路中一般都是在功率MOSFET器件驅(qū)動(dòng)端加入一個(gè)柵極電阻來調(diào)整器件開關(guān)過程中的電壓尖峰?，F(xiàn)有功率MOSFET器件柵電極只是作為圓胞區(qū)柵極的引出，在實(shí)際的應(yīng)用電路中一般都是需要在驅(qū)動(dòng)端加一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻來調(diào)節(jié)開關(guān)過程中電壓尖峰問題。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種功率MOSFET器件柵電極結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是，一種功率M...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。