mm。在其他實(shí)施方式中，在環(huán)境溫度下，間隙137可小于約3mm或大于約7mm。在約400°C的處理溫度下，間隙137可在約6mm與約12mm之間，如在約8mm與約1mm之間，如約9mm。在其他實(shí)施方式中，在約400°C的處理溫度下，間隙137可大于約12mm或小于約6mm。氣體限制器135和間隙137測量值和尺寸可以基于正流動(dòng)的氣體和期望補(bǔ)償氣流速率來選擇。
[0045]雖然本公開案是相關(guān)于氣體限制組件來描述的，但應(yīng)預(yù)見到其他阻擋層構(gòu)造可延伸至工藝腔室硬件。例如，可以采用以下措施:增加或減小遮蔽結(jié)構(gòu)的厚度，或?qū)⒑穸忍荻纫氍F(xiàn)有遮蔽結(jié)構(gòu)以補(bǔ)償使用遮蔽結(jié)構(gòu)造成的影響。
[0046]前述實(shí)施方式已經(jīng)表明使用遮罩143時(shí)在1mm的邊緣去除區(qū)域處的沉積均勻性提高。本文所公開的實(shí)施方式還適用于除沉積工藝外的工藝。沉積均勻性的代表實(shí)例如下所述。
[0047]非晶硅:使用常規(guī)遮蔽結(jié)構(gòu)時(shí)非晶硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約93.5%。使用氣體限制器135和罩框133時(shí)非晶硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約96.6%。7X7矩陣的沉積均勻性為約2.5%。使用罩框133但未使用氣體限制器135時(shí)非晶硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率也為約96.6%。
[0048]基底氮化硅:使用常規(guī)遮蔽結(jié)構(gòu)時(shí)基底氮化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約104.6%。使用氣體限制器135和罩框133時(shí)基底氮化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約97.9%。7X7矩陣的沉積均勻性為約3.5%。使用氣體限制器135但未使用罩框133時(shí)的基底氮化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率也為約 97.9% ο
[0049]基底氧化硅:使用常規(guī)遮蔽結(jié)構(gòu)時(shí)基底氧化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約115.7%。使用氣體限制器135和罩框133時(shí)基底氧化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約98.7%。7X7矩陣的沉積均勻性為約2.7%。使用氣體限制器135但未使用罩框133時(shí)基底氧化硅的1mm的邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率也為約 98.7% ο
[0050]柵極氮化硅:使用常規(guī)遮蔽結(jié)構(gòu)時(shí)柵極氮化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約94.0%。使用氣體限制器135和罩框133時(shí)柵極氮化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約99.4%。7X7矩陣的沉積均勻性為約3.2%。使用罩框133但未使用氣體限制器135時(shí)柵極氮化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率也為約94.
[0051]柵極氧化硅:使用常規(guī)遮蔽結(jié)構(gòu)時(shí)柵極氧化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約98.0%。使用氣體限制器135和罩框133時(shí)柵極氧化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率為約98.5%。7X7矩陣的沉積均勻性為約2.3%。使用氣體限制器135但未使用罩框133時(shí)柵極氧化硅的1mm邊緣去除區(qū)域處的歸一化沉積速率也為約98.
[0052]前述優(yōu)點(diǎn)是說明性而非限制性的。并非所有實(shí)施方式都必須具有前述優(yōu)點(diǎn)。盡管上述內(nèi)容是針對(duì)本公開案的實(shí)施方式，但也可在不脫離本公開案的基本范圍的情況下設(shè)計(jì)本公開案的其他和進(jìn)一步實(shí)施方式，并且本公開案的范圍由以上權(quán)利要求書來確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于處理基板的罩框，其特征在于，所述罩框包括: 連續(xù)的基部，所述基部具有形成在基部中的連續(xù)的突出部分，所述突出部分從所述基部的內(nèi)表面向外延伸，所述突出部分包括: 第一表面，所述第一表面從所述基部的所述內(nèi)表面而向外延伸小于所述基部的整個(gè)最大寬度的距離；以及 第二表面，所述第二表面與所述第一表面相鄰且位于所述第一表面外部，其中所述第二表面形成第一周緣；以及 連續(xù)的遮罩，所述遮罩具有形成第二周緣的內(nèi)表面，其中所述遮罩安置在所述突出部分的上方，并且其中所述遮罩具有小于約1mm的厚度； 其中所述遮罩包含介電常數(shù)大于約3.6的玻璃或陶瓷材料；以及 其中所述第二周緣小于所述第一周緣。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩框，其特征在于，所述遮罩和所述基部是共軸的。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩框，其特征在于，所述基部和所述遮罩是直接接觸的。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩框，其特征在于，所述突出部分的所述第二表面垂直于所述突出部分的所述第一表面，并且其中所述遮罩的外表面與所述突出部分的所述第二表面連續(xù)地接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩框，其特征在于，所述罩框還包括緊固件，所述緊固件將所述基部耦接至所述遮罩。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩框，其特征在于，所述罩框還包括一或多個(gè)定位銷，所述一或多個(gè)定位銷從所述基部與所述遮罩相對(duì)的表面突出。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩框，其特征在于，所述罩框還包括氣體限制器，所述氣體限制器安置在所述遮罩和所述基部的上方。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩框，其特征在于，所述遮罩具有在約Imm與約5_之間的厚度。9.一種基板支撐組件，其特征在于，所述基板支撐組件包括: 基板支撐件，所述基板支撐件包括基板支撐表面，所述基板支撐表面包括: 第一突出部分，所述第一突出部分包括: 第一表面，所述第一表面平行于所述基板支撐表面；以及 第二表面，所述第二表面垂直于所述第一表面；以及 第二突出部分，所述第二突出部分從所述第一突出部分的所述第二表面向內(nèi)延伸，所述第二突出部分包括: 第三表面，所述第三表面平行于所述基板支撐表面；以及 第四表面，所述第四表面垂直于所述第三表面； 連續(xù)的基部，所述基部具有內(nèi)表面，所述基部形成第一周緣，并且所述基部安置在所述第一表面的上方； 連續(xù)的第三突出部分，所述第三突出部分形成在所述基部的所述內(nèi)表面中，所述第三突出部分包括: 第五表面，所述第五表面從所述基部的所述內(nèi)表面而向外延伸小于所述基部的整個(gè)最大寬度的距離；以及 第六表面，所述第六表面與所述第五表面相鄰且位于所述第五表面外部；以及連續(xù)的遮罩，所述遮罩具有形成第二周緣的內(nèi)表面，其中所述遮罩安置在所述第三突出部分的上方，并且其中所述遮罩具有小于約7mm的厚度； 其中所述基板支撐表面從所述第四表面向內(nèi)延伸。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐組件，其特征在于，所述基部和所述遮罩包含陶瓷材料，并且其中所述第二周緣小于所述第一周緣。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐組件，其特征在于，所述基板支撐組件還包括氣體限制器，所述氣體限制器安置在所述遮罩和所述基部的上方。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐組件，其特征在于，所述基部和所述遮罩是直接接觸的。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐組件，其特征在于，所述遮罩和所述基部是共軸的。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐組件，其特征在于，所述基板支撐組件還包括氣體限制器，所述氣體限制器安置在所述遮罩和所述基部的上方； 其中所述基部和所述遮罩包含陶瓷材料，并且其中所述第二周緣小于所述第一周緣； 其中所述基部與所述遮罩是直接接觸的；以及 其中所述遮罩和所述基部是共軸的。15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐組件，其特征在于，所述遮罩具有在約Imm與約5mm之間的厚度。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于處理基板的罩框和一種基板支撐組件，所述罩框被設(shè)計(jì)成降低基板邊緣區(qū)域上的高沉積速率。所述罩框可與無遮蔽結(jié)構(gòu)式基板支撐件一起使用，并且可與氣體限制器一起使用或者不與氣體限制器一起使用。所述罩框包括基部和遮罩。所述遮罩可以具有低阻抗。所述遮罩的一部分可在處理期間在所述基板的下方延伸。雖然不受理論限制，但據(jù)信所述低阻抗遮罩通過降低基板支撐件的邊緣處的阻抗失配來提高膜沉積均勻性。
【IPC分類】H01L21/683, H01L21/67
【公開號(hào)】CN204696086
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520400947
【發(fā)明人】趙來, R·L·蒂納, 崔壽永, J·M·懷特, 樸范洙, S·安瓦爾
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年6月11日