23]在一種【具體實施方式】中，本實用新型實施例提供了一種減少光致衰減的裝置，包括擴散爐，所述擴散爐包括擴散爐管11和石英舟12，所述石英舟12裝載有完成擴散工藝的硅片13，還包括用于檢測所述硅片13溫度的溫度探測器和用于對高于預(yù)定溫度值的所述硅片13進行照射的光源14。需要說明的是，所述的預(yù)定溫度值是一個經(jīng)驗溫度值，一般選在190°C _210°C之間，常用200°C，在光照強度不變時，溫度越高，所述硅片13中的原子活性越強，減少光致衰減值的速度越快，在低于預(yù)定溫度時，由于繼續(xù)光照時，所述硅片13的光致衰減值減少的效果不明顯，一般選擇停止光照，也可以繼續(xù)光照，本實用新型對此不作具體限定。
[0024]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型的一種【具體實施方式】中，所述光源14為LED燈、紅外燈或金屬鹵素?zé)?。不同種類的光源14發(fā)射出的光的波長不同，頻率不同，單個光子的能量不同，消除B-O之間結(jié)合的能力不同，對硅片13的光致衰減的減少的程度不同。而不同種類的光源14的成本不同，發(fā)光功率不同，體積不同，安裝的難易程度不同。需要說明是，在本實用新型中，還可以使用其他類型的燈具作為光源14，只要能夠在所述擴散爐管11內(nèi)正常工作，減少硅片13的光致衰減即可，本實用新型對此不作具體限定。
[0025]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型的一種【具體實施方式】中，所述光源14為照射到所述硅片13的光照強度的范圍是IX 103w/m2-lX 108W/m2的光源14。由于相同的所述光源14在其它條件相同時，發(fā)光的功率越強，即所述硅片13接收到的光照強度越強，對所述硅片13的光致衰減值減少的越快，處理時間越短。需要說明的是，本實用新型對所述硅片13接受到的所述光源14的光照強度不作具體限定，只要能夠減少硅片13的光致衰減即可，只是所述硅片13接收到的同一類光源14發(fā)出的光的光照強度越強，所述硅片13的光致衰減減少的越快，在線處理時間越短，效率越高。
[0026]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型的一種【具體實施方式】中，所述擴散爐為垂直擴散爐或水平擴散爐。垂直擴散爐是石英舟12垂直于水平面，更加有利于機械手傳送硅片13，片內(nèi)工藝參數(shù)一致性更好。水平擴散爐是石英舟12平行于水平面，一臺可以4個或4個以上的工藝爐管，平均爐管的占地面積更小，片間的工藝參數(shù)較垂直擴散爐更好。需要說明的是，所述擴散爐是選擇垂直擴散爐還是水平擴散爐，由實際的工藝要求決定，本實用新型對此不作具體限定。
[0027]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型的一種【具體實施方式】中，所述擴散爐還包括進出舟系統(tǒng)，所述進出舟系統(tǒng)為懸臂槳系統(tǒng)或軟著陸系統(tǒng)。懸臂槳系統(tǒng)結(jié)構(gòu)比較簡單，SiC槳攜帶石英舟12和硅片13進入石英爐管后，就停留在石英爐管內(nèi)，直到工藝程序結(jié)束，SiC槳就攜帶舟和硅片13慢慢回到原位，懸臂槳系統(tǒng)缺點是槳對爐管溫度的均勻性有一定的影響，另外，工藝氣體也會對槳沉積，影響顆粒。
[0028]軟著陸系統(tǒng)較懸臂槳系統(tǒng)更加先進，SiC槳進入石英工藝爐管后，槳自動下沉放下石英舟12和硅片13，然后慢慢運行回原點，最后石英爐管的門自動關(guān)閉。軟著陸系統(tǒng)優(yōu)點是沒有SiC槳對腔體的影響，使得溫度均勻性更好，減少了工藝氣體在SiC槳上的沉積，從而顆粒更少。需要說明的是，在實際操作中應(yīng)根據(jù)工藝精度和使用成本徐澤合適的進出舟系統(tǒng)，本實用新型對此不作具體限定。
[0029]綜上所述，本實用新型實施例提供的所述裝置通過對完成擴散工藝的所述硅片進行在線處理，即所述硅片的溫度高于200°C時，由所述光源對所述硅片進行照射，減少所述硅片中B-O之間的結(jié)合，減少了所述硅片的光致衰減。由于所述裝置采用在線式處理方式，減少了所述硅片的光致衰減，在所述硅片制作成電池片之后，所述電池片的光致衰減減少，不影響正常生產(chǎn)時間，無需額外增加加熱設(shè)備，降低了電池片電極氧化、膜層損傷的風(fēng)險。
[0030]以上對本實用新型所提供的在晶體硅太陽能電池片制備過程中減少光致衰減的裝置進行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個例對本實用新型的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以對本實用新型進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本實用新型權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種減少光致衰減的裝置，包括擴散爐，所述擴散爐包括擴散爐管和石英舟，所述石英舟裝載有完成擴散工藝的硅片，其特征在于，還包括用于檢測所述硅片溫度的溫度探測器和用于對高于預(yù)定溫度值的所述硅片進行照射的光源。
2.如權(quán)利要求1所述的在晶體硅太陽能電池片制備過程中減少光致衰減的裝置，其特征在于，所述光源為LED燈、紅外燈或金屬鹵素?zé)簟?br>3.如權(quán)利要求2所述的在晶體硅太陽能電池片制備過程中減少光致衰減的裝置，其特征在于，所述光源為照射到所述硅片的光照強度的范圍是I X 103w/m2-l X 108W/m2的光源。
4.如權(quán)利要求3所述的在晶體硅太陽能電池片制備過程中減少光致衰減的裝置，其特征在于，所述擴散爐為垂直擴散爐或水平擴散爐。
5.如權(quán)利要求4所述的在晶體硅太陽能電池片制備過程中減少光致衰減的裝置，其特征在于，所述擴散爐還包括進出舟系統(tǒng)，所述進出舟系統(tǒng)為懸臂槳系統(tǒng)或軟著陸系統(tǒng)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種減少光致衰減的裝置，包括擴散爐，所述擴散爐包括擴散爐管和石英舟，所述石英舟裝載有完成擴散工藝的硅片，還包括用于檢測所述硅片溫度的溫度探測器和用于對高于預(yù)定溫度值的所述硅片進行照射的光源。所述裝置利用所述硅片在所述擴散爐管中進行擴散工藝之后溫度較高，冷卻時間較長的機會，由所述光源對所述硅片進行高強度光照，達(dá)到減少光致衰減的目的。由于所述裝置采用在線式處理方式，不影響正常生產(chǎn)時間，無需額外增加加熱設(shè)備，降低了電池片電極氧化、膜層損傷的風(fēng)險。
【IPC分類】H01L21-66, H01L31-18, H01L21-67
【公開號】CN204558429
【申請?zhí)枴緾N201520308961
【發(fā)明人】金井升, 蔣方丹, 金浩
【申請人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年5月13日