一種減少光致衰減的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種減少光致衰減的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體硅太陽(yáng)能電池片已經(jīng)占據(jù)并將長(zhǎng)期占據(jù)光伏市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，其中大部分晶體硅太陽(yáng)能電池片是基于摻B的P型硅片設(shè)計(jì)開發(fā)，而在目前的硅片制作工藝過(guò)程中，娃片會(huì)引入O、C等其它雜質(zhì)。晶體娃太陽(yáng)能電池片在光照下會(huì)出現(xiàn)LID(Light InducedDegradat1n:光致衰減)，轉(zhuǎn)換效率顯著下降，衰減比例可以達(dá)到10%，這限制了晶體娃太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的提高，也減少了戶外運(yùn)用時(shí)的功率輸出，因此，需要采用技術(shù)手段解決光致衰減。
[0003]目前研宄的成果表明，光致衰減主要是由于B和O在光照下結(jié)合，形成B-O復(fù)合中心造成的，所用減少B或0，消除B-O之間的結(jié)合都能有效降低光致衰減現(xiàn)象。對(duì)于硅片而言，降低光致衰減的技術(shù)手段主要是從減少B或O考慮:采用Ga或In取代B作為p型摻雜劑，采用區(qū)熔或者磁場(chǎng)直拉方式制備單晶硅減少O含量，采用更高純度的輔料制備多晶硅減少O含量等。但這些方法提高了生產(chǎn)成本，不利于產(chǎn)業(yè)化。對(duì)于成品電池而言，降低光致衰減的方式主要是從消除B-O之間的結(jié)合考慮:采用在光照下長(zhǎng)時(shí)間加熱，但是該方式是一種離線式處理方式，需要滯留電池片進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間處理，在處理過(guò)程中很有可能造成電池片電極氧化，膜層損傷等。因此，在晶體硅太陽(yáng)能電池片制備過(guò)程中減少光致衰減，是一種更為合適的處理方式。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供了一種減少光致衰減的裝置，采用在線式處理方式，不影響正常生產(chǎn)時(shí)間，無(wú)需額外加熱設(shè)備，降低了電池片電極氧化，膜層損傷等風(fēng)險(xiǎn)，滿足產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)需求。
[0005]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種減少光致衰減的裝置，包括擴(kuò)散爐，所述擴(kuò)散爐包括擴(kuò)散爐管和石英舟，所述石英舟裝載有完成擴(kuò)散工藝的硅片，還包括用于檢測(cè)所述硅片溫度的溫度探測(cè)器和用于對(duì)高于預(yù)定溫度值的所述硅片進(jìn)行照射的光源。
[0006]優(yōu)選的，所述光源為L(zhǎng)ED燈、紅外燈或金屬齒素?zé)簟?br>[0007]優(yōu)選的，所述光源為照射到所述硅片的光照強(qiáng)度的范圍是I X 103w/m2-l X 108W/m2的光源。
[0008]優(yōu)選的，所述擴(kuò)散爐為垂直擴(kuò)散爐或水平擴(kuò)散爐。
[0009]優(yōu)選的，所述擴(kuò)散爐還包括進(jìn)出舟系統(tǒng)，所述進(jìn)出舟系統(tǒng)為懸臂槳系統(tǒng)或軟著陸系統(tǒng)。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的所述在晶體硅太陽(yáng)能電池片制備過(guò)程中減少光致衰減的裝置具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0011]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種減少光致衰減的裝置，包括擴(kuò)散爐，所述擴(kuò)散爐包括擴(kuò)散爐管和石英舟，所述石英舟裝載有完成擴(kuò)散工藝的硅片，還包括用于檢測(cè)所述硅片溫度的溫度探測(cè)器和用于對(duì)高于預(yù)定溫度值的所述硅片進(jìn)行照射的光源。所述裝置通過(guò)對(duì)完成擴(kuò)散工藝的所述硅片進(jìn)行在線處理，即所述硅片的溫度高于所述預(yù)定溫度值時(shí)，由所述光源對(duì)所述硅片進(jìn)行照射，減少所述硅片中B-O之間的結(jié)合，減少了所述硅片的光致衰減。由于所述裝置采用在線式處理方式，利用所述硅片在所述擴(kuò)散爐管中進(jìn)行擴(kuò)散工藝之后溫度較高，冷卻時(shí)間較長(zhǎng)的機(jī)會(huì)，由所述光源對(duì)所述硅片進(jìn)行高強(qiáng)度光照，達(dá)到減少光致衰減的目的。由于所述裝置采用在線式處理方式，不影響正常生產(chǎn)時(shí)間，無(wú)需額外增加加熱設(shè)備，降低了電池片電極氧化、膜層損傷的風(fēng)險(xiǎn)減少了所述硅片的光致衰減，在所述硅片制作成電池片之后，所述電池片的光致衰減減少，不影響正常生產(chǎn)時(shí)間，無(wú)需額外增加加熱設(shè)備，降低了電池片電極氧化，膜層損傷的風(fēng)險(xiǎn)。
[0012]綜上所述，所述在晶體硅太陽(yáng)能電池片制備過(guò)程中減少光致衰減的裝置，采用在線式處理方式，減少所述電池片的光致衰減，不影響正常生產(chǎn)時(shí)間，無(wú)需額外增加加熱設(shè)備，降低了電池片電極氧化，膜層損傷的風(fēng)險(xiǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0013]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為在晶體硅太陽(yáng)能電池片制備過(guò)程中減少光致衰減的裝置示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中的減少電池片的光致衰減的方式，采用離線方式處理，需要滯留電池片進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間處理，在處理過(guò)程中很有可能造成電池片電極氧化，膜層損傷等。
[0016]所述的離線方式處理是指在硅片離開擴(kuò)散爐管后，降到常溫，再進(jìn)行光照和加熱處理。
[0017]本文所述的在線方式處理是指在硅片離開擴(kuò)散爐后，由于硅片本身的溫度較高，在進(jìn)行冷卻的過(guò)程中直接進(jìn)行光照處理。相對(duì)于離線處理，既減少了處理時(shí)間，即冷卻后再次加熱和光照處理的時(shí)間，又減少了額外增加加熱設(shè)備，減少了處理時(shí)間，減少了處理成本。
[0018]基于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種減少光致衰減的裝置，包括擴(kuò)散爐，所述擴(kuò)散爐包括擴(kuò)散爐管和石英舟，所述石英舟裝載有完成擴(kuò)散工藝的硅片，還包括用于檢測(cè)所述硅片溫度的溫度探測(cè)器和用于對(duì)高于預(yù)定溫度值的所述硅片進(jìn)行照射的光源。
[0019]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的所述裝置通過(guò)對(duì)完成擴(kuò)散工藝的所述硅片進(jìn)行在線處理，即所述硅片的溫度高于所述預(yù)定溫度值時(shí)，由所述光源對(duì)所述硅片進(jìn)行照射，減少所述硅片中B-O之間的結(jié)合，減少了所述硅片的光致衰減。由于所述裝置采用在線式處理方式，減少了所述硅片的光致衰減，在所述硅片制作成電池片之后，所述電池片的光致衰減減少，不影響正常生產(chǎn)時(shí)間，無(wú)需額外增加加熱設(shè)備，降低了電池片電極氧化、膜層損傷的風(fēng)險(xiǎn)。
[0020]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0021]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0022]如參考圖1，圖1為在晶體硅太陽(yáng)能電池片制備過(guò)程中減少光致衰減的裝置示意圖。
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