一種導電溝道的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種導電溝道的制作方法，其包括提供一基板；在基板上形成一圖案化的第一有機犧牲層；在基板上形成一圖案化的第一有機半導體層；去除圖案化的第一有機犧牲層，使得圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分形成第一導電溝道；在基板上形成一圖案化的第二有機犧牲層；在基板上形成一圖案化的第二有機半導體層；去除圖案化的第二有機犧牲層，使得圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分形成第二導電溝道。本發(fā)明的導電溝道的制作方法可以在目標基板或者其它功能層上，直接定義圖案化的導電溝道，并不需要一些高規(guī)格的真空或者打印設備，減少了設備費用，并且工藝流程較簡單。
【專利說明】
一種導電溝道的制作方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管的制作技術，尤其涉及一種導電溝道的制作方法。
【背景技術】
[0002]目前基于有機薄膜晶體管的導電溝道層的圖案化通常有以下兩種方式:采用高分子材料制作時，通常借助“曝光-顯影-刻蝕”的工藝;采用小分子材料制作時，通常使用直接的“掩膜-蒸鍍”的工藝。但是以上兩種方式需要用到高規(guī)格的真空蒸鍍、曝光設備或精細的金屬蒸鍍模板，從而額外增加了設備費用，并且工藝流程較復雜。
[0003]故，有必要提供一種導電溝道的制作方法，以解決現(xiàn)有技術所存在的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種導電溝道的制作方法，以解決現(xiàn)有的導電溝道制作方法需要使用一些高規(guī)格的設備，從而額外增加了設備費用，并且工藝流程較復雜的技術問題。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術方案如下:
[0006]本發(fā)明實施例提供一種導電溝道的制作方法，其包括:
[0007]提供一基板；
[0008]在基板上形成一圖案化的第一有機犧牲層；
[0009]在基板上形成一圖案化的第一有機半導體層，其中圖案化的第一有機半導體層包括第一溝道部分和第一非溝道部分，第一非溝道部分設置在圖案化的第一有機犧牲層上；
[0010]去除圖案化的第一有機犧牲層，使得圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分形成第一導電溝道；
[0011 ]在基板上形成一圖案化的第二有機犧牲層；
[0012]在基板上形成一圖案化的第二有機半導體層，其中圖案化的第二有機半導體層包括第二溝道部分和第二非溝道部分，第二非溝道部分設置在第一導電溝道上；
[0013]去除圖案化的第二有機犧牲層，使得圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分形成第二導電溝道。
[0014]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，在去除圖案化的第一有機犧牲層及與第一有機犧牲層重疊的第一有機半導體層，以形成第一導電溝道的步驟后，對第一導電溝道進行固化處理。
[0015]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，在去除圖案化的第一有機犧牲層，使得圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分形成第一導電溝道的步驟后，對第一導電溝道進行固化處理。
[0016]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，在去除圖案化的第二有機犧牲層，使得圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分形成第二導電溝道的步驟后，對第二導電溝道進行固化處理。
[0017]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，可通過加熱或者紫外線照射的方式進行固化處理。
[0018]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，去除圖案化的第一有機犧牲層，使得圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分形成第一導電溝道的步驟中，可使用機械剝離的方法或者使用能夠溶解圖案化的第一有機犧牲層的溶劑。
[0019]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，去除圖案化的第二有機犧牲層，使得圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分形成第二導電溝道的步驟中，可使用機械剝離的方法或者使用能夠溶解圖案化的第二有機犧牲層的溶劑。
[0020]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，可通過噴墨打印、平版印刷、絲網(wǎng)印刷或靜電紡絲的方式形成圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層以及圖案化的第二有機半導體層。
[0021]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，還可通過一種打印裝置形成圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層以及圖案化的第二有機半導體層。
[0022]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，通過一種打印裝置形成圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層以及圖案化的第二有機半導體層的步驟中，包括:
[0023]將圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層或圖案化的第二有機半導體層采用的材料制成設定黏度的墨水狀打印液；
[0024]將墨水狀打印液放到打印裝置的儲液池中；
[0025]對儲液池提供周期性的壓力，從而對壓印噴口進行供液，使得壓印噴口在基板上印刷出預設的圖案。
[0026]在本發(fā)明的導電溝道的制作方法中，可通過更換不同形狀的壓印噴口，打印出不同形狀的圖案。
[0027]相較于現(xiàn)有的導電溝道的制作方法，本發(fā)明的導電溝道的制作方法可以在目標基板或者其它功能層上，直接定義圖案化的導電溝道，并不需要一些高規(guī)格的真空或打印設備，減少了設備費用，并且工藝流程較簡單。
[0028]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
【附圖說明】
[0029]下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0030]圖1為本發(fā)明實施例的導電溝道的制作方法的工藝流程示意圖；
[0031]圖2A-2F為本發(fā)明實施例的導電溝道的制作方法具體步驟示意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明實施例的一種打印裝置的結構示意圖；
[0033 ]圖4為本發(fā)明實施例的一種打印裝置的使用示意圖。
【具體實施方式】
[0034]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0035]參見圖1，為本發(fā)明實施例的導電溝道的制作方法的工藝流程示意圖。
[0036]步驟SlOl，提供一基板；
[0037]步驟S102，在基板上形成一圖案化的第一有機犧牲層；
[0038]步驟S103，在基板上形成一圖案化的第一有機半導體層，其中圖案化的第一有機半導體層包括第一溝道部分和第一非溝道部分，第一非溝道部分設置在圖案化的第一有機犧牲層上；
[0039]步驟S104，去除圖案化第一有機犧牲層，同時使得覆蓋在圖案化的第一有機犧牲層上的上述第一有機半導體層的非溝道部分被去除，使得圖案化第一有機半導體層的第一溝道部分形成第一導電溝道；
[0040]步驟S105，在基板上形成一圖案化的第二有機犧牲層；
[0041]步驟S106，在基板上形成一圖案化的第二有機半導體層，其中圖案化的第二有機半導體層包括第二溝道部分和第二非溝道部分，第二非溝道部分設置在第一導電溝道上；
[0042]步驟S107，去除圖案化的第二有機犧牲層，同時使得覆蓋在圖案化的第二有機犧牲層上的上述第二有機半導體層的非溝道部分被去除，使得圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分形成第二導電溝道。
[0043]下面詳細說明本優(yōu)選實施例的文件備份方法的各步驟的詳細流程。
[0044]在步驟S10US102中，如圖2A所示，提供一基板201，基板201可為玻璃基板或塑料基板，在基板201上形成一圖案化的第一有機犧牲層202，其中，圖案化的第一有機犧牲層202可為全氟環(huán)聚合物或亞克力材料。
[0045]在步驟S103中，如圖2B所示，在基板201上形成一圖案化的第一有機半導體層，其中圖案化的第一有機半導體層包括第一溝道部分203A和第一非溝道部分203B，第一溝道部分203A位于圖案化的第一有機犧牲層202左、右兩側，第一非溝道部分203B位于圖案化的第一有機犧牲層202上。本發(fā)明實施例通過第一有機犧牲層202使得第一有機犧牲層202左、右兩側的第一溝道部分203A更加精細。
[0046]在步驟S104中，如圖2C所示，去除圖案化的第一有機犧牲層202，使得圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分203A形成第一導電溝道。
[0047]具體地，可通過機械剝離的方法去除圖案化的第一有機犧牲層202，同時位于圖案化的第一有機犧牲層202上的圖案化第一有機半導體層的第一非溝道部分203B也被去掉，剩下的圖案化第一有機半導體層的第一溝道部分203A就形成第一導電溝道;還可以使用能夠溶解圖案化的第一有機犧牲層202的溶劑，將第一有機犧牲層202去掉，同時位于圖案化的第一有機犧牲層202上的圖案化的第一有機半導體層的第一非溝道部分203B也被去掉，剩下的圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分203A就形成第一導電溝道。
[0048]形成第一導電溝道后，應對第一導電溝道進行固化處理，具體地，可通過加熱或者紫外線照射的方式進行固化處理。
[0049]在步驟S105中，如圖2D所示，在基板201上形成一圖案化的第二有機犧牲層204，其中，圖案化的第二有機犧牲層204可為全氟環(huán)聚合物或亞克力材料。
[0050]在步驟S106中，如圖2E所示，在基板201上形成一圖案化的第二有機半導體層，其中圖案化的第二有機半導體層包205括第二溝道部分205A和第二非溝道部分205B，第二溝道部分205A位于第一導電溝道左、右兩側，第二非溝道部分205B設置在圖案化的第二有機犧牲層204上。
[0051]在步驟S107中，如圖2F所示，去除圖案化的第二有機犧牲層204，使得圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分205A形成第二導電溝道。
[0052]具體地，可通過機械剝離的方法去除圖案化的第二有機犧牲層204，同時位于圖案化的第二有機犧牲層204上的圖案化的第二有機半導體層的第二非溝道部分205B也被去掉，剩下的圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分205A就形成第二導電溝道;還可以使用能夠溶解圖案化的第二有機犧牲層204的溶劑，將第二有機犧牲層204去掉，同時位于圖案化的第二有機犧牲層204上的圖案化的第二有機半導體層的第二非溝道部分205B也被去掉，剩下的圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分205A就形成第二導電溝道。
[0053]形成第二導電溝道后，應對第二導電溝道進行固化處理，具體地，可通過加熱或者紫外線照射的方式進行固化處理。
[0054]在步驟S102、S103、S105、S106中，可通過噴墨打印、平版印刷、絲網(wǎng)印刷或靜電紡絲的方式形成圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層以及圖案化的第二有機半導體層。
[0055]本發(fā)明實施例還可以通過一種打印裝置形成圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層以及圖案化的第二有機半導體層。
[0056]如圖3所示，為本發(fā)明實施例的一種打印裝置的結構示意圖；
[0057]本發(fā)明的打印裝置包括:蓋板301、儲液池302、第一彈簧303、第二彈簧304、第一支撐部件305、第二支撐部件306以及壓印噴口307;其中，蓋板301位于儲液池302上方，蓋板301與儲液池302滑動連接;第一彈簧303的一端與儲液池302的一端連接，第一彈簧303的另一端與第一支撐部件305連接；第二彈簧304的一端與儲液池302的另一端連接，第二彈簧304的另一端與第二支撐部件306連接;儲液池302下方設有一開口，壓印噴口 307與開口連接。
[0058]打印裝置使用時，首先，將圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層或圖案化的第二有機半導體層采用的材料制成設定黏度的墨水狀打印液;然后，將墨水狀打印液放到打印裝置的儲液池302中；最后，對儲液池302提供周期性的壓力，從而對壓印噴口 307進行供液，使得壓印噴口 307在基板308上印刷出預設的圖案。
[0059]具體地，打印裝置為非打印狀態(tài)時，第一彈簧303和第二彈簧304支撐著儲液池302處于最高位置，此時第一支撐部305件和第二支撐部件306不與儲液池302下方開口處側壁接觸，儲液池302不對壓印噴口 307供液，打印裝置不對外打印圖案;如圖4所示，打印裝置為打印狀態(tài)時，可通過一主動輪309對蓋板施加壓力，此時第一彈簧303和第二彈簧304壓縮，處于最低位置，第一支撐部，305和第二支撐部件306與儲液池302側壁接觸，并以一定的壓力擠壓儲液池302下方開口處側壁，從而對壓印噴口 307供液，打印裝置對外打印圖案。
[0060]本發(fā)明實施例可通過主動輪309的轉動在上述兩種狀態(tài)間循環(huán)切換，配合基板308的水平移動，打印出規(guī)則的周期性圖案。進一步地，可通過更換不同形狀的壓印噴口 307，打印出不同形狀的圖案。
[0061]本發(fā)明的導電溝道的制作方法可以在目標基板或者其它功能層上，直接定義圖案化的導電溝道，并不需要一些高規(guī)格的設備，減少了設備費用，并且工藝流程較簡單。
[0062]綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種導電溝道的制作方法，其特征在于，包括: 提供一基板； 在所述基板上形成一圖案化的第一有機犧牲層； 在所述基板上形成一圖案化的第一有機半導體層，其中所述圖案化的第一有機半導體層包括第一溝道部分和第一非溝道部分，所述第一非溝道部分設置在所述圖案化的第一有機犧牲層上； 去除所述圖案化的第一有機犧牲層，使得所述圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分形成第一導電溝道； 在所述基板上形成一圖案化的第二有機犧牲層； 在所述基板上形成一圖案化的第二有機半導體層，其中所述圖案化的第二有機半導體層包括第二溝道部分和第二非溝道部分，所述第二非溝道部分設置在所述第一導電溝道上； 去除所述圖案化的第二有機犧牲層，使得所述圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分形成第二導電溝道。2.根據(jù)權利要求1所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，在所述去除所述圖案化的第一有機犧牲層，使得所述圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分形成第一導電溝道的步驟后，對所述第一導電溝道進行固化處理。3.根據(jù)權利要求1所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，在所述去除所述圖案化的第二有機犧牲層，使得所述圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分形成第二導電溝道的步驟后，對所述第二導電溝道進行固化處理。4.根據(jù)權利要求2或3所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，可通過加熱或者紫外線照射的方式進行固化處理。5.根據(jù)權利要求1所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，所述去除所述圖案化的第一有機犧牲層，使得所述圖案化的第一有機半導體層的第一溝道部分形成第一導電溝道的步驟中，可使用機械剝離的方法或者使用能夠溶解所述圖案化的第一有機犧牲層的溶劑。6.根據(jù)權利要求1所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，所述去除所述圖案化的第二有機犧牲層，使得所述圖案化的第二有機半導體層的第二溝道部分形成第二導電溝道的步驟中，可使用機械剝離的方法或者使用能夠溶解所述圖案化的第二有機犧牲層的溶劑。7.根據(jù)權利要求1所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，可通過噴墨打印、平版印刷、絲網(wǎng)印刷或靜電紡絲的方式形成所述圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層以及圖案化的第二有機半導體層。8.根據(jù)權利要求1所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，還可通過一種打印裝置形成所述圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層以及圖案化的第二有機半導體層。9.根據(jù)權利要求8所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，所述通過一種打印裝置形成所述圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層以及圖案化的第二有機半導體層的步驟中，包括: 將所述圖案化的第一有機犧牲層、圖案化的第二有機半導體層、圖案化的第二有機犧牲層或圖案化的第二有機半導體層采用的材料制成設定黏度的墨水狀打印液； 將墨水狀打印液放到所述打印裝置的儲液池中； 對儲液池提供周期性的壓力，從而對壓印噴口進行供液，使得壓印噴口在所述基板上印刷出預設的圖案。10.根據(jù)權利要求9所述的導電溝道的制作方法，其特征在于，可通過更換不同形狀的壓印噴口，打印出不同形狀的所述圖案。
【文檔編號】H01L51/40GK106058050SQ201610663451
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月12日 公開號201610663451.2, CN 106058050 A, CN 106058050A, CN 201610663451, CN-A-106058050, CN106058050 A, CN106058050A, CN201610663451, CN201610663451.2
【發(fā)明人】劉哲
【申請人】武漢華星光電技術有限公司