太陽能電池、太陽能電池模塊及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種太陽能電池，其包括PN結(jié)、基板、透明導電膜以及匯流電極。透明導電膜設置在基板表面上，其內(nèi)設置有開口。匯流電極會填滿開口，致使其底面實質(zhì)上切齊透明導電膜底面。本發(fā)明能夠提升太陽能電池的可靠度，且能有效避免受光面積的減損，從而提升太陽能電池的電流輸出量。
【專利說明】
太陽能電池、太陽能電池模塊及其制作方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池的領域，特別涉及一種具有透明導電膜的太陽能電池、太陽能模塊及其制作方法。【背景技術】
[0002]隨著消耗性能源日益枯竭，太陽能等替代能源的開發(fā)已成為世界各國重要的發(fā)展方向，其中，業(yè)界大多致力于開發(fā)具有高轉(zhuǎn)換效率(convers1n efficiency)和低制作成本的太陽能電池。
[0003]在主流太陽能電池中，一般會在太陽能電池的表面上設置透明導電膜，例如由氧化物所組成的透明導電膜，致使光電流能夠更有效地傳導至金屬電極以及外部負載。由于透明導電膜會電連接至太陽能電池表面的金屬電極，因此產(chǎn)生于電池內(nèi)部的載子不僅可以直接由半導體基板內(nèi)部流動至金屬電極，其也可以先進入透明導電膜，之后再傳導至金屬電極。在這樣的情況下，可以減少載子在半導體基板內(nèi)部的停留時間，因此增加了電流輸出量。
[0004]然而，上述具有透明導電膜的太陽能電池仍存有改進的空間。舉例而言，金屬電極一般設置于透明導電膜之上，由于金屬電極和透明導電膜間具有較差的附著性，此導致金屬電極易在后續(xù)的工藝階段或是使用階段產(chǎn)生剝離，降低了太陽能電池或相應模塊的可靠度。
[0005]有鑒于此，有必要提供一種具有透明導電膜的太陽能電池，以解決存在于現(xiàn)有技術中的缺陷。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一目的在于提供一種太陽能電池，以解決存在于現(xiàn)有技術中的缺陷。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種太陽能電池模塊，其包括改良的太陽能電池，以解決存在于現(xiàn)有技術中的缺陷。
[0008]本發(fā)明的又一目的在于提供一種太陽能電池的制作方法，其可以制得改良的太陽能電池，以解決存在于現(xiàn)有技術中的缺陷。
[0009]根據(jù)上述目的，本發(fā)明的一實施例揭露了一種太陽能電池，至少包括PN結(jié)、基板、 透明導電膜以及匯流電極。透明導電膜設置在基板表面上，其內(nèi)設置有開口。匯流電極會填滿開口，致使其底面切齊透明導電膜底面。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，揭露了一種太陽能電池模塊。太陽能電池模塊至少包括前板、背板、多個太陽能電池以及外框。前板與背板相對設置，而外框會被設置于前板以及背板的周邊。太陽能電池被設置于前板與背板間，且各自包括PN結(jié)、基板、透明導電膜以及匯流電極。透明導電膜設置在基板表面上，其內(nèi)設置有開口。匯流電極會填滿開口，致使其底面切齊透明導電膜底面。[〇〇11]根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，揭露了一種太陽能電池的制造方法。太陽能電池的制造方法包括下列步驟:首先，提供掩模，以覆蓋住基板的部分表面。之后在掩模覆蓋下，于基板表面上形成透明導電膜，并同時于透明導電膜內(nèi)形成開口。之后移除掩模。最后形成匯流電極，以填滿開口，其中匯流電極的底面會切齊透明導電膜底面。【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明第一實施例太陽能電池的俯視圖；
[0013]圖2是沿著圖1A-A’切線所繪制的太陽能電池剖面圖；
[0014]圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實施例對應于圖1A-A’切線所繪制的太陽能電池剖面圖；
[0015]圖4是根據(jù)本發(fā)明又一實施例對應于圖1A-A’切線所繪制的太陽能電池剖面圖；
[0016]圖5是本發(fā)明第二實施例太陽能電池的俯視圖；
[0017]圖6是沿著圖5B-B’切線所繪制的太陽能電池剖面圖；
[0018]圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例對應于圖5B-B’切線所繪制的太陽能電池剖面圖；
[0019]圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實施例對應于圖1A-A’切線所繪制的太陽能電池剖面圖；
[0020]圖9至圖12是本發(fā)明一實施例的太陽能電池制作方法；
[0021]圖13是本發(fā)明一實施例太陽能電池模塊的局部剖面圖。
[0022]附圖標記說明:
[0023]100太陽能電池102基板
[0024]104第一表面106第二表面
[0025]108本征非晶半導體層110非晶半導體層
[0026]112本征非晶半導體層114非晶半導體層
[0027]115導電金屬層116電極層
[0028]117匯流電極(bus bar)118指狀電極
[0029]120電極層122透明導電膜
[0030]124金屬漿料層126導電帶
[0031]128平坦接面130掩模
[0032]132沉積工藝134摻雜區(qū)
[0033]140太陽能電池模塊142前板
[0034]144背板146包覆層
[0035]0開口【具體實施方式】
[0036]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明作進一步的詳細說明。
[0037]為了使本領域普通技術人員能理解并實施本發(fā)明，下文中將配合附圖，詳細說明本發(fā)明的太陽能電池、太陽能電池模塊及太陽能電池的制作方法。需注意的是，本發(fā)明的保護范圍當以后附的權利要求書所界定者為準，而非以揭露于下文的實施例為限。因此，在不違背本發(fā)明的發(fā)明精神和范圍的狀況下，當可對下述實施例作變化與修飾。此外，為了簡潔與清晰起見，相同或類似的元件或裝置以相同的附圖標記表示，且部分現(xiàn)有的結(jié)構和工藝細節(jié)將不會被揭露于下文中。需注意的是，附圖以說明為目的，并未完全依照原尺寸繪制。
[0038]請參照圖1和圖2,其分別顯示了本發(fā)明第一實施例太陽能電池的俯視圖和剖面圖，其中圖2是沿著圖1切線A-A’所繪制的。如圖1和圖2所示，太陽能電池100至少包括基板102、本征(intrinsic)非晶半導體層108、非晶半導體層110、透明導電膜122以及導電金屬層115。其中，基板102具有第一導電型，優(yōu)選為N型，且具有至少一表面，例如第一表面104,以作為接受太陽光的主要受光面。本征非晶半導體層108、非晶半導體層110 以及透明導電膜122依序設置于第一表面104上。透明導電膜122內(nèi)設置有開口 0,其可以暴露出部分的非晶半導體層110。導電金屬層115填滿開口 0并且直接接觸暴露出于開口 〇的非晶半導體層110。其中，導電金屬層115和非晶半導體層110間具有平坦接面()，且導電金屬層115的底面實質(zhì)上會切齊透明導電膜122的底面。需注意的是，全文所指的“實質(zhì)上會切齊”是指匯流電極115的底面會切齊或略深于透明導電膜122的底面。
[0039]具體來說，上述基板102為結(jié)晶半導體基板，例如是單晶硅基板、多晶硅基板或是 II1-V族化合物基板，優(yōu)選為單晶硅基板。本征非晶半導體層108的主體可以是本征半導體，優(yōu)選為本征非晶娃(intrinsic amorphous silicon)，其用以修補存在于第一表面104 上的缺陷。非晶半導體層110具有相異于第一導電型的第二導電型，例如P型，致使非晶半導體層110和基板102間會存有PN結(jié)。非晶半導體層110的主體可以是具有摻雜的半導體，優(yōu)選為具有P型摻雜的非晶硅。另外，透明導電膜122的組成主體可以是氧化物，例如氧化銦錫(indium tin oxide，IT0)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZ0)等透明導電氧化物(transparent conductive oxide，TC0)，但不限于此。導電金屬層115可以包括依序堆疊的電極層116和金屬漿料層124,使得部分電極層116會被設置于基板102和金屬漿料層 124之間，并且被金屬漿料層124完全包覆。其中電極層116可進一步包括匯流電極117及指狀電極118,而呈現(xiàn)如圖1所示的布局，但不限于此。
[0040]本發(fā)明的一特征在于透明導電膜122內(nèi)設置有開口 0,致使導電金屬層115可以被嵌入至透明導電膜122內(nèi)，且導電金屬層115可直接接觸暴露出于開口 0的非晶半導體層 110。由于導電金屬層115被嵌入固定于透明導電膜122,且導電金屬層115與非晶半導體層110間的附著性優(yōu)于其與透明導電膜122間的附著性，因此導電金屬層115不易在后續(xù)的工藝階段或是使用階段剝離，因此可以提升太陽能電池的可靠度。此外，本發(fā)明另一特征在于電極層116優(yōu)選會以開口 0為中心對稱設置，致使應力可以平均分布在開口 0兩側(cè)，而減少破片的發(fā)生。
[0041]上述的太陽能電池100另可包括其他元件。仍參考圖2,舉例來說，低電阻的導電帶(ribbon) 126,例如金屬導電帶，可設置或貼覆在導電金屬層115的頂面上，以進一步將電流傳輸至外部負載?；?02另包括第二表面106,其上依序設置有本征非晶半導體層 112、非晶半導體層114以及電極層120。此外，可選擇性地在第二表面106上設置透明導電層(圖未示)或?qū)щ妿?圖未示)，但不限于此。再者，抗反射層(圖未示)可以選擇性地被設置在第一表面104及/或第二表面106上，以降低光反射率。需注意的是，即便設置抗反射層，仍應滿足導電金屬層115和非晶半導體層110間具有平坦接面128,且導電金屬層 115底面實質(zhì)上會切齊透明導電膜122底面的特征。
[0042]具體來說，本征非晶半導體層112的主體可以是本征半導體，優(yōu)選為本征非晶硅， 其用以修補存在于第二表面106上的缺陷。非晶半導體層114的導電型優(yōu)選相同于基板102 的導電型，亦即第一導電型，其主體可以是具有摻雜的半導體，優(yōu)選為具有N型摻雜的非晶硅。電極層120的組成可包括銀、鋁或其他合適的金屬。
[0043] 本發(fā)明的太陽能電池除了上述實施例外，另可衍生其他變化型。于下文中，將加以描述這些變化型。需注意的是，由于下述變化型的結(jié)構大致類似于上述的實施例，因此以下僅就主要差異處加以描述，且相類似的元件與結(jié)構可以搭配參照。
[0044]圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實施例對應于圖1A-A’切線所顯示的太陽能電池剖面圖。 如圖3所示，圖3實施例為圖2實施例的變化型，兩者主要差異處在于，本實施例太陽能電池100的匯流電極117 (或視為電極層116)和金屬漿料層124均會直接接觸暴露出開口 0 的非晶半導體層110,致使匯流電極117及金屬漿料層124會與非晶半導體層110形成平坦接面128。類似地，匯流電極117優(yōu)選會以開口 0為中心對稱設置，致使應力可以平均分布在開口 〇兩側(cè)，而減少破片的發(fā)生。本實施例的太陽能電池100除了匯流電極117不會完全填滿開口 0外，其余各部件的特征、設置位置以及材料特性均相似于上述實施例，故在此并不再贅述。
[0045]圖4是根據(jù)本發(fā)明又一實施例對應于圖1A-A’切線所顯示的太陽能電池剖面圖。 如圖4所示，圖4實施例為圖2實施例的變化型，兩者主要差異處在于，本實施例太陽能電池100的金屬漿料層124會填滿開口 0并直接接觸暴露出開口 0的非晶半導體層110,致使匯流電極117 (或視為電極層116)完全不會接觸到非晶半導體層110。此外，部分匯流電極 117會突出于金屬漿料層124,但不限于此。需注意的是，即便部分匯流電極117會突出于金屬漿料層124,匯流電極117優(yōu)選仍會以開口 0為中心對稱設置，致使應力可以平均分布在開口 〇兩側(cè)，而減少破片的發(fā)生。本實施例的太陽能電池100除了匯流電極117不會直接接觸非晶半導體層110外，其余各部件的特征、設置位置以及材料特性均相似于上述實施例，故在此并不再贅述。
[0046]以上介紹了本發(fā)明的第一實施例及其變化型，但本發(fā)明不限于此。于下文中，將加以描述本發(fā)明的第二實施例。需注意的是下述第二實施例的結(jié)構大致類似于上述第一實施例，因此以下僅就主要差異處加以描述，且相類似的元件與結(jié)構可以搭配參照。
[0047] 請參照圖5和圖6,其分別顯示了本發(fā)明第二實施例太陽能電池的俯視圖和剖面圖，其中圖6沿著圖5切線B-B’所繪制。第二實施例與第一實施例的主要差異處在于，第二實施例的太陽能電池1〇〇的電極層116為指狀電極118,而不包括匯流電極(圖未示)， 因此可呈現(xiàn)如圖5所示的布局。在此情況下，導電金屬層115內(nèi)的金屬漿料層124會包覆各個指狀電極118的部分區(qū)域。具體來說，如圖6所示，本實施例的透明導電膜122內(nèi)同樣會設置有開口 〇,其可以暴露出部分的非晶半導體層110。指狀電極118填滿開口 0并且直接接觸暴露出于開口 〇的非晶半導體層110。其中，指狀電極118和非晶半導體層110間具有平坦接面128,且指狀電極118底面會切齊透明導電膜122底面。本實施例的太陽能電池 100除了電極層為指狀電極118外，其余各部件的特征、設置位置以及材料特性均相似于上述第一實施例，故在此并不再贅述。
[0048]上述第二實施例亦可衍生其他變化型。如圖7所示，其是根據(jù)本發(fā)明第二實施例變化型對應于圖5B-B’切線所繪制的太陽能電池剖面圖。本變化型與上述第二實施例的主要差異在于，太陽能電池100的金屬漿料層124會填滿開口 0并直接接觸暴露出開口 0的非晶半導體層110,致使指狀電極118完全不會接觸到非晶半導體層110。本實施例的太陽能電池100除了指狀電極118不會直接接觸非晶半導體層110外，其余各部件的特征、設置位置以及材料特性均相似于上述第二實施例，故在此并不再贅述。
[0049]在上述實施例中，以異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池作為本發(fā)明的應用標的，然而本發(fā)明并不以此為限。具體而言，在不違背本發(fā)明的范疇以及精神下，太陽能電池亦可以是同質(zhì)結(jié) (homo junct1n)太陽能電池，例如具有摻雜區(qū)的單晶娃太陽能電池。于下文中，將加以描述同質(zhì)結(jié)太陽能電池。需注意的是下述實施例的結(jié)構大致類似于上述第一實施例，因此以下僅就主要差異處加以描述，且相類似的元件與結(jié)構可以搭配參照。
[0050]圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實施例對應于圖1A-A’切線所繪制的太陽能電池剖面圖。 如圖8所示，太陽能電池100至少包括基板102、摻雜區(qū)134、透明導電膜122以及導電金屬層115,其亦可選擇性地另包括導電帶126、電極層120以及抗反射層(圖未示)。其中，基板102為結(jié)晶半導體基板，例如是單晶硅基板、多晶硅基板或是II1-V族化合物基板，優(yōu)選為單晶硅基板。基板102具有至少一表面，例如第一表面104,以作為接受太陽光的主要受光面。摻雜區(qū)134被設置于基板102內(nèi)，且兩者優(yōu)選具有相異的導電型，以于其間形成PN 結(jié)。類似上述第一實施例，透明導電膜122內(nèi)設置有開口 0,其可以暴露出部分基板102 (或視為暴露出部分摻雜區(qū)134)。導電金屬層115填滿開口 0并且直接接觸暴露出于開口 0的基板102(或視為摻雜區(qū)134)。其中，導電金屬層115和基板102間具有平坦接面128,且導電金屬層115的底面會切齊透明導電膜122的底面。本實施例的太陽能電池100除了設置有摻雜區(qū)134外，其余各部件的特征、設置位置以及材料特性均相似于上述第一實施例， 故在此并不再贅述。
[0051]為了使本領域普通技術人員能實施本發(fā)明，下文中將配合附圖，詳細說明本發(fā)明太陽能電池的制作方法。
[0052]圖9至圖12是本發(fā)明一實施例的太陽能電池制作方法。首先如圖9和圖10所示， 其中圖10是沿著圖9中C-C’切線所繪制的剖面圖。首先提供基板102,其具有至少一表面。具體而言，基板102具有兩相對的第一表面104和第二表面106。第一表面104和第二表面106上分別依序堆疊有本征非晶半導體層108、112以及非晶半導體層110、114。本征非晶半導體層108、112以及非晶半導體層110、114可以分別是本征非晶硅層和摻雜非晶硅層。具體而言，非晶半導體層11〇、114其中一者的導電型會相同于基板102的導電型，而另一者則會相異。優(yōu)選來說，基板102和非晶半導體層110具有第一導電型，例如N型，而非晶半導體層114具有第二導電型，例如P型。接著，提供掩模130,例如硬板或光阻，以覆蓋住部分第一表面104。具體來說，掩模130呈現(xiàn)條狀，并且直接接觸部分非晶半導體層110， 但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他需求，掩模130亦可呈現(xiàn)彎曲狀或非連續(xù)狀，而且掩模130可以不直接接觸非晶半導體層110,致使兩者間具有間隙(圖未示)。
[0053]如圖11所示，進行沉積工藝132,同時于非晶半導體層110上以及掩模130頂面上形成透明導電膜122。需注意的是，由于部分非晶半導體層110會被掩模130覆蓋住，因此透明導電膜122不會被沉積至被覆蓋住的非晶半導體層110。
[0054]之后移除該掩模130,而形成如圖12所示的結(jié)構。此時，開口 0會暴露出部分非晶半導體層110。在此需注意的是，本實施例是利用掩模的方式，使得開口 〇在沉積工藝132 中同步形成，因此不必另行施加額外開孔工藝。
[0055]最后，類似如圖1和圖2所不，形成導電金屬層115以填滿開口 0,其中導電金屬層 115底面會切齊透明導電膜122底面。具體來說，形成導電金屬層115可包括下列步驟。首先，利用網(wǎng)板印刷或其他合適的工藝，于第一表面104上形成導電漿料(圖未示)，例如銀漿料，以覆蓋部分透明導電膜122。之后進行燒結(jié)，形成如圖1所示的固狀的電極層116。然后，網(wǎng)印另一導電漿料于第一表面104上，以覆蓋部分電極層116,繼以進行燒結(jié)，以形成金屬漿料層124。需注意的是，形成金屬漿料層124所使用的導電漿料優(yōu)選為低溫導電漿料， 其燒結(jié)溫度優(yōu)選可以低于230°C。
[0056] 相較于在激光開孔工藝中，部分非晶半導體層110或基板102容易被激光去除或是喪失原有電性，本實施例的一特征在于開口 0會在沉積工藝132中與透明導電膜122同時形成，因此可有效避免受光面積的減損，而提升了太陽能電池的電流輸出量。
[0057] 在此需注意的是，上述太陽能電池制作方法的概念亦適用于制作如圖8所示的同質(zhì)結(jié)太陽能電池。具體來說，本征非晶半導體層和非晶半導體層不會被設置在基板上。取而代之的是會在提供掩模前先施行摻雜工藝，以于鄰近表面的基板內(nèi)形成摻雜區(qū)，且摻雜區(qū)的導電型相異于基板的導電型。因此，在形成導電金屬層后，摻雜區(qū)會直接接觸導電金屬層，且摻雜區(qū)和導電金屬層間具有平坦接面。
[0058] 本發(fā)明亦提供一種太陽能電池模塊，其包括上述改良后的太陽能電池。在以下的實施例中，針對太陽能電池模塊的結(jié)構加以描述。
[0059] 請參照圖13,其是本發(fā)明一實施例太陽能電池模塊的局部剖面圖。太陽能電池模塊140包括前板142、背板144、多個太陽能電池100以及外框(圖未示)。前板142與背板 144相對設置，且太陽能電池100設置于前板142和背板144之間。外框設置于前板142以及背板144的周邊。
[0060]具體而言，各太陽能電池100通過導電帶126互相串聯(lián)及/或并聯(lián)。前板142和背板144間亦設置有包覆層146,使得前板142黏合至背板144。包覆層146亦可固定住太陽能電池100和導電帶126,避免太陽能電池100和導電帶126與外界直接接觸。上述包覆層 146的材質(zhì)可為高分子共聚物，例如聚乙稀醋酸乙稀酯(ethylene vinyl acetate，EVA)或是離子聚合物(1nomer)，但不限于此。類似地，太陽能電池模塊140內(nèi)的太陽能電池100具有與上述第一實施例相同的結(jié)構。具體而言，各太陽能電池100至少包括基板102、本征非晶半導體層108、112、非晶半導體層110、114、透明導電膜122以及導電金屬層(圖未示)， 其亦可選擇性地另包括抗反射層(圖未示)。此外，為了提供不同的輸出電壓及電流，太陽能電池模塊140內(nèi)的各太陽能電池100可以適當?shù)卮?lián)、并聯(lián)或上述兩者的結(jié)合。[0061 ]綜上所述，本發(fā)明提供一種太陽能電池、太陽能電池模塊及太陽能電池的制作方法。太陽能電池的導電金屬層可以被嵌入至透明導電膜內(nèi)，且導電金屬層可以直接接觸暴露出于開口的非晶半導體層或基板，因此導電金屬層不易在后續(xù)的工藝階段或是使用階段剝離，進而提升了太陽能電池的可靠度。此外，電極層優(yōu)選會以開口為中心對稱設置，致使應力可以平均分布在開口兩側(cè)，而減少破片的發(fā)生。再者，由于開口在沉積工藝中與透明導電層同時形成，因此可以舍棄激光開孔工藝，有效避免受光面積的減損，而提升了太陽能電池的電流輸出量。
[0062]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種太陽能電池，具有一 PN結(jié)，且包括:一基板，具有一表面；一透明導電膜，設置于該表面上，其中該透明導電膜內(nèi)設置有一開口；以及一匯流電極，填滿該開口，其中該匯流電極的底面實質(zhì)上切齊該透明導電膜的底面。2.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，部分該基板會直接接觸該匯流電極。3.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該匯流電極包括一電極層和一金屬 漿料層。4.如權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，該電極層被設置于該金屬漿料層和 該基板之間。5.如權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，部分該基板會直接接觸該電極層及/ 或金屬漿料層。6.如權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，該電極層及/或金屬漿料層會填滿該 開口。7.如權利要求3所述的太陽能電池，其中另包括一導電帶，設置于該金屬漿料層的頂 面上。8.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，還包括一非晶半導體層，設置于該表 面上，其中暴露出于該開口的該非晶半導體層會直接接觸該匯流電極，該非晶半導體層和 該匯流電極間有一平坦接面。9.如權利要求8所述的太陽能電池，其中該非晶半導體層的導電型相異于該基板的導 電型。10.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，還包括一摻雜區(qū)，設置于鄰近該表 面的該基板內(nèi)，其中暴露出于該開口的該摻雜區(qū)會直接接觸該匯流電極，該摻雜區(qū)和該匯 流電極間有一平坦接面。11.一種太陽能電池1?塊，包括:一前板；一背板，與該前板相對設置；多個太陽能電池，設置于該前板和該背板之間，其中各該太陽能電池具有一 PN結(jié)，且 各該太陽能電池包括:一基板，具有一表面；一透明導電膜，設置于該表面上，其中該透明導電膜內(nèi)設置有一開口；以及一匯流電極，填滿該開口，其中該匯流電極的底面實質(zhì)上切齊該透明導電膜的底面；以 及一外框，設置于該前板以及該背板的周邊。12.如權利要求11所述的太陽能電池模塊，其特征在于，該匯流電極包括一電極層和 一金屬漿料層，其中該電極層被設置于該金屬漿料層和該基板之間。13.如權利要求11所述的太陽能電池模塊，其特征在于，還包括一非晶半導體層，設置 于該表面上，其中暴露出于該開口的該非晶半導體層會直接接觸該匯流電極，該非晶半導 體層和該匯流電極間有一平坦接面。14.如權利要求11所述的太陽能電池模塊，其特征在于，還包括一摻雜區(qū)，設置于鄰近該表面的該基板內(nèi)，其中暴露出于該開口該摻雜區(qū)會直接接觸該匯流電極，該摻雜區(qū)和該 匯流電極間有一平坦接面。15.—種太陽能電池制造方法，包括:提供一基板，具有一表面；提供一掩模，以覆蓋住部分該表面；在該掩模的覆蓋下，于該表面上形成一透明導電膜，同時于該透明導電膜內(nèi)形成一開 P ;移除該掩模；以及形成一匯流電極，以填滿該開口，其中該匯流電極的底面實質(zhì)上切齊該透明導電膜的 底面。16.如權利要求15所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，在形成該透明導電膜時， 該透明導電膜時會同時形成在該掩模的頂面。17.如權利要求15所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，形成該匯流電極的步驟 包括:形成一電極層于該表面上，以覆蓋部分該透明導電膜；形成一低溫導電漿料于該表面上，以覆蓋部分該電極層；以及燒結(jié)該低溫導電漿料，其中該燒結(jié)的溫度低于230°C。18.如權利要求15所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，在提供該掩模之前，另包 括于該表面上依序形成一本征非晶半導體層以及一非晶半導體層，該非晶半導體層的導電 型相異于該基板的導電型。19.如權利要求18所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，在形成該匯流電極后，部 分該非晶半導體層會暴露出該開口以及直接接觸該匯流電極，該非晶半導體層和該匯流電 極間有一平坦接面。20.如權利要求19所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，在形成該匯流電極后，部 分該摻雜區(qū)會會暴露出該開口以及直接接觸該匯流電極，該摻雜區(qū)和該匯流電極間有一平 坦接面。
【文檔編號】H01L31/0224GK106033782SQ201510106224
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月11日
【發(fā)明人】李曉菁, 吳建樹, 詹逸民
【申請人】英屬開曼群島商精曜有限公司