半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法，半導(dǎo)體制造裝置具備：具有沿著第1方向延伸的第1及第2端部和沿著第2方向延伸且比第1及第2端部長(zhǎng)的第3及第4端部的承載體。上述裝置還具備部件保持部，其具有配置有第1極性的第1磁極部分和第2極性的第2磁極部分的磁體配置面，磁體配置面具備沿著第1方向延伸的第5及第6端部和沿著第2方向延伸且比第5及第6端部長(zhǎng)的第7及第8端部。上述裝置還具備沿第1方向輸送承載體的承載體輸送部。第5及第6端部比第1及第2端部短，第7及第8端部比第3及第4端部長(zhǎng)，承載體輸送部能以使得第3及第4端部通過(guò)磁體配置面的與第2方向平行的中心線之下的方式輸送承載體。
【專利說(shuō)明】
半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0002]本申請(qǐng)以日本專利申請(qǐng)2015-48200號(hào)(申請(qǐng)日:2015年3月11日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)，享受優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用而結(jié)合于此。
【背景技術(shù)】
[0003]由半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的電磁噪聲例如可以通過(guò)用金屬板覆蓋半導(dǎo)體芯片來(lái)遮蔽。但是，在智能電話機(jī)等的薄型器件搭載半導(dǎo)體芯片的情況下，該金屬板可能會(huì)妨礙薄型器件的薄型化。因而，研究通過(guò)在半導(dǎo)體封裝體的表面由濺射法等形成金屬膜來(lái)遮蔽從半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的電磁噪聲。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在該情況下，為了有效遮蔽電磁噪聲，希望不僅在半導(dǎo)體封裝體的頂面、還在半導(dǎo)體封裝體的側(cè)面也均勻地覆蓋良好地形成金屬膜。
[0005]根據(jù)一實(shí)施方式，半導(dǎo)體制造裝置具備:具有沿著第I方向延伸的第I及第2端部和沿著不同于上述第I方向的第2方向延伸且比上述第I及第2端部長(zhǎng)的第3及第4端部，能搭載成膜對(duì)象物的承載體。上述裝置還具備部件保持部，其具有磁體配置面，該磁體配置面配置有具有第I極性的一個(gè)以上的第I磁極部分和具有不同于上述第I極性的第2極性的一個(gè)以上的第2磁極部分，上述磁體配置面具備沿著上述第I方向延伸的第5及第6端部和沿著上述第2方向延伸且比上述第5及第6端部長(zhǎng)的第7及第8端部，能在上述第I及第2磁極部分的附近保持成為在上述成膜對(duì)象物形成膜的材料的部件。上述裝置還具備在上述部件保持部的下方沿上述第I方向輸送上述承載體的承載體輸送部。而且，上述第5及第6端部比上述第I及第2端部短，上述第7及第8端部比上述第3及第4端部長(zhǎng)，上述承載體輸送部能以上述第3及第4端部通過(guò)上述磁體配置面的與上述第2方向平行的中心線之下的方式輸送上述承載體。
【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1是表示第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝體的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0007]圖2是表示第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。
[0008]圖3是表示第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0009]圖4是表示第I實(shí)施方式的標(biāo)靶保持部的結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。
[0010]圖5是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的工作的截面圖。
[0011]圖6是說(shuō)明第I實(shí)施方式的比較例的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)及工作的圖。
[0012]圖7是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0013]圖8是說(shuō)明第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的工作的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下參照?qǐng)D面，說(shuō)明實(shí)施方式。
[0015](第I實(shí)施方式)
[0016]圖1是表示第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝體I的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0017]圖1的半導(dǎo)體封裝體(半導(dǎo)體裝置)I具備電路基板11、多個(gè)半導(dǎo)體芯片12、控制芯片13、密封層14、屏蔽層15、粘接劑16、多個(gè)鍵合線17、多個(gè)焊球18。屏蔽層15是在半導(dǎo)體封裝體I形成的膜的例。
[0018]電路基板11具備絕緣基板11a、在絕緣基板Ila的頂面形成的第I布線層11b、在絕緣基板Ila的底面形成的第2布線層11c、覆蓋第I布線層Ilb的第I絕緣膜lld、覆蓋第2布線層Ilc的第2絕緣膜lie。電路基板11還具備:在第I絕緣膜Ild內(nèi)形成，與第I布線層Ilb電連接的焊盤部Ilf ;和在第2絕緣膜lie內(nèi)形成，與第2布線層Ilc電連接的焊盤部Hg。
[0019]圖1表示了與電路基板11的頂面和/或底面平行且相互垂直的X方向及Y方向和與電路基板11的頂面和/或底面垂直的Z方向。X方向是第I方向的例。Y方向是不同于第I方向的第2方向的例。本說(shuō)明書中，將+Z方向設(shè)為上方向，將-Z方向設(shè)為下方向。例如，第I布線層Ilb和第2布線層Ilc的位置關(guān)系表現(xiàn)為第2布線層Ilc位于第I布線層Ilb的下方。本實(shí)施方式的-Z方向可以與重力方向一致，也可以與重力方向不一致。
[0020]多個(gè)半導(dǎo)體芯片12在電路基板11上層疊。這些半導(dǎo)體芯片12的例是存儲(chǔ)器芯片。各半導(dǎo)體芯片12通過(guò)粘接劑16粘接到電路基板11或下層的半導(dǎo)體芯片12。各半導(dǎo)體芯片12的焊盤部12a通過(guò)鍵合線17，與電路基板11的焊盤部Ilf或其他半導(dǎo)體芯片12的焊盤部12a電連接。
[0021]控制芯片13也在電路基板11上設(shè)置。控制芯片13控制半導(dǎo)體芯片12的工作。控制芯片13通過(guò)粘接劑16粘接到電路基板11?？刂菩酒?3的焊盤部13a通過(guò)鍵合線17與電路基板11的焊盤部Ilf電連接。
[0022]密封層14在電路基板11上以覆蓋半導(dǎo)體芯片12及控制芯片13的方式形成。密封層14的例是樹(shù)脂層。
[0023]屏蔽層15在半導(dǎo)體封裝體I的頂面及側(cè)面形成。符號(hào)31表不形成屏蔽層15前的半導(dǎo)體封裝體I的頂面，符號(hào)&表示形成屏蔽層15前的半導(dǎo)體封裝體I的側(cè)面。頂面Sr^密封層14的頂面相當(dāng)。側(cè)面S2與電路基板11及密封層14的側(cè)面相當(dāng)。本實(shí)施方式中，為了防止屏蔽層15的剝離，在形成屏蔽層15之前對(duì)頂面S1及側(cè)面S 2實(shí)施表面處理。
[0024]本實(shí)施方式的屏蔽層15是具有導(dǎo)電性的金屬膜。本實(shí)施方式的屏蔽層15包括:第I層的例即第I屏蔽層15a ;和第2層的例即第2屏蔽層15b。
[0025]第I屏蔽層15a在頂面S1及側(cè)面S2形成。第I屏蔽層15a的例是Cu (銅)層。第I屏蔽層15a的膜厚是例如2.5 μπι。本實(shí)施方式的第I屏蔽層15a為了遮蔽從半導(dǎo)體芯片12產(chǎn)生的電磁噪聲而形成。
[0026]第2屏蔽層15b隔著第I屏蔽層15a在頂面S1及側(cè)面S 2形成。第2屏蔽層15b的例是SUS(不銹鋼)層，含有Fe(鐵)和/或Cr(鉻)。第2屏蔽層15b的膜厚是例如
0.3 μπι。本實(shí)施方式的第2屏蔽層15b為了防止第I屏蔽層15a的氧化引起的變色，在第I屏蔽層15a的表面形成。
[0027]多個(gè)焊球18與電路基板11的焊盤部Ilg電連接。本實(shí)施方式中，以屏蔽層15不形成在電路基板11的底面的方式，形成屏蔽層15。理由是屏蔽層15若覆蓋焊盤部Hg，則焊盤部Ilg與焊球18無(wú)法電連接。
[0028]圖2是表示第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。圖2的半導(dǎo)體制造裝置用于在成膜對(duì)象物的例即多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I的頂面及側(cè)面形成屏蔽層15。
[0029]圖2的半導(dǎo)體制造裝置具備裝載閉鎖室(load lock room) 21、與裝載閉鎖室21連接的蝕刻室22以及與蝕刻室22連接的濺射室23。圖2的半導(dǎo)體制造裝置還具備:在裝載閉鎖室21的入口、裝載閉鎖室21與蝕刻室22之間的通路以及蝕刻室22與濺射室23之間的通路可開(kāi)閉的分隔板24。在裝載閉鎖室21、蝕刻室22及濺射室23內(nèi)的處理正進(jìn)行期間，分隔板24閉合。在半導(dǎo)體封裝體I的輸送時(shí)，分隔板24開(kāi)啟。
[0030]裝載閉鎖室21具備在大氣區(qū)域與真空區(qū)域之間輸送半導(dǎo)體封裝體I的輸送部和/或加熱半導(dǎo)體封裝體I的燈加熱部。
[0031]蝕刻室22通過(guò)ICP (Inductively Coupled Plasma:電感親合等離子體)對(duì)半導(dǎo)體封裝體I實(shí)施表面處理。具體地說(shuō)，蝕刻室22在半導(dǎo)體封裝體I的頂面及側(cè)面形成屏蔽層15前，進(jìn)行從半導(dǎo)體封裝體I的表面除去氧化膜的處理和/或?qū)Π雽?dǎo)體封裝體I的表面改性的處理。
[0032]濺射室23在半導(dǎo)體封裝體I的頂面及側(cè)面通過(guò)濺射法形成屏蔽層15。濺射室23具備承載體31、標(biāo)靶保持部32、移動(dòng)臺(tái)33、帶輸送部34、馬達(dá)35以及控制這些的工作的控制部36。標(biāo)靶保持部32是部件保持部的例。移動(dòng)臺(tái)33、帶輸送部34及馬達(dá)35是承載體輸送部的例。
[0033]承載體31是能搭載多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I的部件。本實(shí)施方式中，這些半導(dǎo)體封裝體I按每個(gè)托盤2搭載到承載體31。圖2中，多個(gè)托盤2搭載于承載體31，在各托盤2搭載多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I。本實(shí)施方式的托盤2包含鋁而形成。本實(shí)施方式中，如箭頭A1K示，多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I按每個(gè)承載體31進(jìn)行輸送。
[0034]標(biāo)靶保持部32具有用于保持N個(gè)(N是2以上的整數(shù))的標(biāo)靶3的N個(gè)磁體配置面S。本實(shí)施方式的磁體配置面S的數(shù)目為5個(gè)，也可以是5個(gè)以外的其他數(shù)目。如后述，在各磁體配置面S，配置一個(gè)以上的S極部分和一個(gè)以上的N極部分。標(biāo)靶保持部32在磁體配置面S的S極部分及N極部分的附近保持標(biāo)靶3。
[0035]標(biāo)靶3是成為用于在半導(dǎo)體封裝體I形成屏蔽層15的材料的部件。本實(shí)施方式的標(biāo)靶保持部32保持用于形成第I屏蔽層15a的第I標(biāo)靶3a和用于形成第2屏蔽層15b的第2標(biāo)靶3b。本實(shí)施方式中，第I標(biāo)靶3a包含Cu (銅)而形成，第2標(biāo)靶3b包含SUS (不銹鋼)而形成。圖2中，保持了 4個(gè)第I標(biāo)靶3a和I個(gè)第2標(biāo)靶3b。
[0036]標(biāo)靶保持部32如箭頭A2所示，能以與Y方向平行的軸為中心旋轉(zhuǎn)。本實(shí)施方式的標(biāo)靶保持部32通過(guò)旋轉(zhuǎn)器結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)。標(biāo)靶保持部32用某標(biāo)靶3形成屏蔽層15時(shí)，使得保持該標(biāo)靶3的磁體配置面S朝向下方、與承載體31相向地旋轉(zhuǎn)。然后，標(biāo)靶保持部32通過(guò)從該標(biāo)靶3飛散的濺射微粒，在承載體31上的半導(dǎo)體封裝體I形成屏蔽層15。本實(shí)施方式的標(biāo)靶保持部32通過(guò)采用第I及第2標(biāo)靶3a、3b，可以連續(xù)地形成第I及第2屏蔽層15a、15b。
[0037]移動(dòng)臺(tái)33能以搭載有承載體31的狀態(tài)移動(dòng)。移動(dòng)臺(tái)33在帶輸送部34上設(shè)置。帶輸送部34在標(biāo)靶保持部32的下方設(shè)置，通過(guò)馬達(dá)35的動(dòng)力，可以將移動(dòng)臺(tái)33沿X方向輸送。本實(shí)施方式的帶輸送部34如箭頭A1所示，可以在標(biāo)靶保持部32的下方沿著±X方向使得承載體31往返移動(dòng)。該往返移動(dòng)的移動(dòng)速度和/或移動(dòng)范圍由控制部36控制。
[0038]圖3是表示第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3示出濺射室23內(nèi)的承載體31和標(biāo)靶保持部32。
[0039]本實(shí)施方式的承載體31具有長(zhǎng)方形的平面形狀，具有沿X方向延伸的2條短邊En E2和沿Y方向延伸的2條長(zhǎng)邊E 3、E40短邊Ep E2是第I及第2端部的例。長(zhǎng)邊E 3、E4是第3及第4端部的例。短邊Ep E2的長(zhǎng)度L1是例如400mm。長(zhǎng)邊E 3、E4的長(zhǎng)度L 2是例如600mm。長(zhǎng)度L1'L2的關(guān)系表達(dá)為L(zhǎng) ^L；；。
[0040]本實(shí)施方式的標(biāo)靶保持部32的各磁體配置面S具有長(zhǎng)方形的平面形狀，具有沿X方向延伸的2條短邊E5、E6和沿Y方向延伸的2條長(zhǎng)邊E 7、Es。短邊E5、E6是第5及第6端部的例。長(zhǎng)邊E7、E8是第7及第8端部的例。短邊E 5、E6的長(zhǎng)度L3和長(zhǎng)邊E 7、E8的長(zhǎng)度L4的關(guān)系表達(dá)為L(zhǎng)3〈L4。
[0041]本實(shí)施方式中，各磁體配置面S的短邊E5、E6的長(zhǎng)度L3S定為比承載體31的短邊EnE2的長(zhǎng)度L:短(L XL1)。而且，本實(shí)施方式中，各磁體配置面S的長(zhǎng)邊E7、ES的長(zhǎng)度L 4設(shè)定為比承載體31的長(zhǎng)邊E3、E4的長(zhǎng)度L 2長(zhǎng)(L 4>L2)。
[0042]本實(shí)施方式的各托盤2具有長(zhǎng)方形的平面形狀，具有2條長(zhǎng)邊BjP 2條短邊B 2。圖3的各托盤2以長(zhǎng)邊匕與X方向平行、短邊B^Y方向平行的方式搭載于承載體31。圖3中，多個(gè)托盤2在Y方向并排搭載于承載體31。另外，這些托盤2也可以在X方向并排搭載于承載體31 (參照?qǐng)D2)。另外，在要搭載托盤2的承載體31的頂面，也可以與托盤2的外形對(duì)應(yīng)地設(shè)置凹陷和/或凸?fàn)畹木壊俊?br>[0043]本實(shí)施方式的各托盤2是JEDEC規(guī)格托盤，能搭載144個(gè)(9 X 16個(gè))半導(dǎo)體封裝體I。該情況下，可在400_X600_的本實(shí)施方式的承載體31搭載4個(gè)托盤2，能搭載576個(gè)(144X4個(gè))半導(dǎo)體封裝體I。但是，圖3為了方便作圖，示出了搭載了 3個(gè)托盤2的承載體31。
[0044]本實(shí)施方式的各標(biāo)靶3具有長(zhǎng)方形的平面形狀，具有2條長(zhǎng)邊(^和2條短邊C 2。長(zhǎng)邊C1的長(zhǎng)度是例如771mm。短邊C 2的長(zhǎng)度是例如94mm。另外，各標(biāo)靶3的厚度是例如17.5mm。各標(biāo)靶3的短邊(:2的長(zhǎng)度設(shè)定為比承載體31的短邊E p E2的長(zhǎng)度L i短。各標(biāo)靶3的長(zhǎng)邊(^的長(zhǎng)度設(shè)定為比承載體31的長(zhǎng)邊E 3、E4的長(zhǎng)度L 2長(zhǎng)。圖3的標(biāo)革El 3以長(zhǎng)邊C ι與Y方向平行、短邊0；與X方向平行的方式，由標(biāo)革El保持部32保持。
[0045]符號(hào)L表示圖3的磁體配置面S的與Y方向平行的中心線。中心線L位于磁體配置面S的2條長(zhǎng)邊匕、&的中央。圖3的標(biāo)靶3保持為:標(biāo)靶3的中心線與磁體配置面S的中心線L重合。因此，中心線L位于標(biāo)靶3的2條長(zhǎng)邊(^的中央。
[0046]符號(hào)R表示使承載體31往返移動(dòng)時(shí)的移動(dòng)范圍。本實(shí)施方式的移動(dòng)范圍R的長(zhǎng)度是比承載體31的短邊Ep E2的長(zhǎng)度L ! (400mm)的2倍長(zhǎng)的840mm。因此，承載體31從移動(dòng)范圍R的一端向另一端每移動(dòng)一次，承載體31全體通過(guò)中心線L之下。S卩，承載體31從移動(dòng)范圍R的一端向另一端每移動(dòng)一次，承載體31的兩方的長(zhǎng)邊E3、E4通過(guò)中心線L之下。
[0047]圖3表示承載體31從左端移動(dòng)到右端的狀態(tài)。在該移動(dòng)時(shí)，承載體31的兩方的長(zhǎng)邊E3、E4從左側(cè)向右側(cè)通過(guò)中心線L之下。符號(hào)W表示承載體31移動(dòng)到左端或右端時(shí)的中心線L與承載體31的距離。本實(shí)施方式的距離W是例如20mm(840/2-400mm)。
[0048]另外，請(qǐng)留意圖3的承載體31的長(zhǎng)邊E3隱藏在磁體配置面S之下。本實(shí)施方式的承載體31往返移動(dòng)時(shí)，僅僅長(zhǎng)邊E3、匕中的長(zhǎng)邊E 4通過(guò)磁體配置面S的長(zhǎng)邊E s之下，且僅僅長(zhǎng)邊E3、匕中的長(zhǎng)邊E 3通過(guò)磁體配置面S的長(zhǎng)邊E 7之下。這是因?yàn)榫嚯xW設(shè)定為比長(zhǎng)度1^的一半短(W〈L3/2)。
[0049]本實(shí)施方式的承載體31在從標(biāo)靶保持部32的標(biāo)靶3飛散濺射微粒時(shí)往返移動(dòng)。從而，可以在承載體31上的半導(dǎo)體封裝體I的頂面及側(cè)面均勻地覆蓋良好地形成屏蔽層
15。本實(shí)施方式的承載體31往返移動(dòng)時(shí)的移動(dòng)速度是例如44mm/s。另外，本實(shí)施方式的一次濺射處理的實(shí)施時(shí)間是例如350秒。
[0050]圖4是表示第I實(shí)施方式的標(biāo)靶保持部32的結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。
[0051]圖4(a)是表示朝向下方的磁體配置面S和在該磁體配置面S保持的標(biāo)靶3的俯視圖。如圖4(a)所示，在標(biāo)靶保持部32的各磁體配置面S，配置多個(gè)S極部分32a和多個(gè)N極部分32b。S極部分32a是具有第I極性的第I磁極部分的例。N極部分32b是具有不同于第I極性的第2極性的第2磁極部分的例。
[0052]S極部分32a配置為形成第I環(huán)狀。各S極部分32a具有長(zhǎng)方形的平面形狀，各S極部分32a的長(zhǎng)邊配置為朝向沿著該第I環(huán)狀的方向。即，各S極部分32a的長(zhǎng)邊在磁體配置面S的長(zhǎng)邊^(qū)、&的附近與Y方向平行，在磁體配置面S的短邊E 5、^的附近與X方向平行。
[0053]N極部分32b配置為形成包圍S極部分32a的第2環(huán)狀。各N極部分32b具有長(zhǎng)方形的平面形狀，各N極部分32b的長(zhǎng)邊配置為朝向沿著該第2環(huán)狀的方向。S卩，各N極部分32b的長(zhǎng)邊在磁體配置面S的長(zhǎng)邊E7、&的附近與Y方向平行，在磁體配置面S的短邊E5、附近與X方向平行。
[0054]符號(hào)E表示標(biāo)革E 3的侵蝕(eros1n)區(qū)域。本實(shí)施方式的侵蝕區(qū)域E在S極部分32a和N極部分32b之間環(huán)狀產(chǎn)生。
[0055]圖4(b)是沿著圖4(a)的1_1’線的截面圖。符號(hào)32c表示標(biāo)靶保持部32的本體部。標(biāo)靶保持部32的本體部32c具有磁體配置面S。符號(hào)B表示在S極部分32a和N極部分32b之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)。本實(shí)施方式中，由于該磁場(chǎng)B的影響，在S極部分32a和N極部分32b之間的區(qū)域附近，產(chǎn)生等離子體密度高的區(qū)域P。結(jié)果，在該區(qū)域P附近，在標(biāo)靶3產(chǎn)生侵蝕區(qū)域E。侵蝕區(qū)域E中，由于標(biāo)靶3的侵蝕，標(biāo)靶3變得容易被削除。因此，本實(shí)施方式的濺射微粒從該侵蝕區(qū)域E附近較多地產(chǎn)生。標(biāo)靶3的侵蝕伴隨標(biāo)靶3的使用而逐漸變深。
[0056]圖5是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的工作的截面圖。
[0057]圖5表示從朝向下方的磁體配置面S的標(biāo)靶3向承載體31上的半導(dǎo)體封裝體I飛散濺射微粒的情形。箭頭K表示從標(biāo)靶3的侵蝕區(qū)域E飛散的濺射微粒的飛行軌跡。圖5中，為了方便作圖，S極部分32a及N極部分32b的圖示被省略。
[0058]如圖5所示，濺射微粒包括從侵蝕區(qū)域E向垂直方向(-Z方向)飛散的微粒和從侵蝕區(qū)域E向斜向飛散的微粒。因此，某半導(dǎo)體封裝體I在侵蝕區(qū)域E的正下方的情況下，容易在該半導(dǎo)體封裝體I的頂面形成屏蔽層15。另一方面，某半導(dǎo)體封裝體I處于侵蝕區(qū)域E的斜下方的情況下，容易在該半導(dǎo)體封裝體I的側(cè)面形成屏蔽層15。
[0059]因此，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置，在從標(biāo)靶3飛散濺射微粒時(shí)，使承載體31往返移動(dòng)。從而，可以在承載體31上的半導(dǎo)體封裝體I的頂面及側(cè)面均勻地覆蓋良好地形成屏蔽層15。
[0060]以下，再次參照?qǐng)D3，說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)及工作的詳細(xì)情況。
[0061]本實(shí)施方式的承載體31在±X方向往返移動(dòng)。另外，承載體31的短邊EpE2配置為與X方向平行。這樣的配置中，與長(zhǎng)邊E3、匕與X方向平行的配置相比，具有縮短用于承載體31全體通過(guò)中心線L之下的承載體31的移動(dòng)范圍R的優(yōu)點(diǎn)。
[0062]另外，圖3的磁體配置面S的短邊E5、Ef^置為與X方向平行。同樣，圖3的標(biāo)靶3的短邊(:2配置為與X方向平行。這樣的配置中，與長(zhǎng)邊E 7、EjP/或長(zhǎng)邊C 1與X方向平行的配置相比，具有可以使磁體配置面S和/或標(biāo)靶3的面積小型化的優(yōu)點(diǎn)。
[0063]另外，磁體配置面S的長(zhǎng)邊匕』8設(shè)定為比承載體31的長(zhǎng)邊E3、E4長(zhǎng)。同樣，標(biāo)靶3的長(zhǎng)邊(^設(shè)定為比承載體31的長(zhǎng)邊E 3、E4長(zhǎng)。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，在承載體31的+Y方向的短邊E1附近的半導(dǎo)體封裝體I和承載體31的-Y方向的短邊E 2附近的半導(dǎo)體封裝體I都可以均勻地覆蓋良好地形成屏蔽層15。
[0064]另外，磁體配置面S的短邊E5、E6S定為比承載體31的短邊EpE2短。同樣，標(biāo)靶3的短邊(:2設(shè)定為比承載體31的短邊E pE2短。這樣的設(shè)定具有可以使磁體配置面S和/或標(biāo)靶3的面積小型化的優(yōu)點(diǎn)。
[0065]另外，如果承載體31從移動(dòng)范圍R的一端向另一端為止移動(dòng)一次，則承載體31的兩方的長(zhǎng)邊E3、E4通過(guò)中心線L之下。S卩，承載體31若從移動(dòng)范圍R的一端移動(dòng)到另一端，則承載體31全體通過(guò)中心線L之下。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，承載體31的+X方向的長(zhǎng)邊E4附近的半導(dǎo)體封裝體I和承載體31的-X方向的長(zhǎng)邊E 3附近的半導(dǎo)體封裝體I都可以均勻地覆蓋良好地形成屏蔽層15。
[0066]另外，本實(shí)施方式的承載體31、磁體配置面S(標(biāo)靶保持部32的本體部32c)及標(biāo)靶3具有沿Y方向延伸的長(zhǎng)方形的平面形狀。這樣的結(jié)構(gòu)通過(guò)與承載體31在±X方向往返移動(dòng)的工作組合，可以在承載體31上的多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I效率良好地形成屏蔽層15。另外，這樣的結(jié)構(gòu)具有:可以增加標(biāo)靶3中所占的侵蝕區(qū)域E的面積的比例，可以提高標(biāo)靶3的利用效率的優(yōu)點(diǎn)。
[0067]另外，本實(shí)施方式中，承載體31移動(dòng)到移動(dòng)范圍R的一端或另一端時(shí)的距離W設(shè)定為比磁體配置面S的短邊E5、E6的長(zhǎng)度1^的一半短(W〈L3/2)。因此，承載體31往返移動(dòng)時(shí)，僅僅長(zhǎng)邊Ε3、Ε4ψ的長(zhǎng)邊E 4通過(guò)磁體配置面S的長(zhǎng)邊E 8之下且僅僅長(zhǎng)邊E 3、E4中的長(zhǎng)邊^(qū)通過(guò)磁體配置面S的長(zhǎng)邊E 7之下。這樣的工作具有:可以縮短用于承載體31全體通過(guò)中心線L之下的承載體31的移動(dòng)范圍R的優(yōu)點(diǎn)。另外，通過(guò)縮短承載體31的移動(dòng)范圍R，相對(duì)于從標(biāo)靶3飛散的所有濺射微粒的飛行軌跡，可使承載體31通過(guò)這些飛行軌跡中的時(shí)間較長(zhǎng)，因此，可以提高對(duì)承載體31上的半導(dǎo)體封裝體I的濺射效率。
[0068]另外，本實(shí)施方式的各托盤2的長(zhǎng)邊匕配置為與X方向平行。這樣的配置與短邊82與X方向平行的配置相比，由于多個(gè)托盤2同時(shí)通過(guò)中心線L之下，因此具有可以抑制承載體31上的半導(dǎo)體封裝體I間的溫度差的優(yōu)點(diǎn)。
[0069]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體制造裝置應(yīng)用這樣的結(jié)構(gòu)及工作，可以在承載體31上的多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I的頂面及側(cè)面形成均勻性高的屏蔽層15。
[0070]根據(jù)實(shí)驗(yàn)，由本實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置在承載體31上的多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I形成屏蔽層15時(shí)，這些半導(dǎo)體封裝體I的屏蔽層15的膜厚的變動(dòng)可以抑制在10%程度。
[0071]圖6是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式的比較例的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)及工作的圖。
[0072]圖6 (a)表示本比較例的承載體31和標(biāo)靶3。本比較例的承載體31和標(biāo)靶3具有圓形的平面形狀。同樣，本比較例的未圖示的磁體配置面S具有圓形的平面形狀。因此，在本比較例的標(biāo)靶3產(chǎn)生圓環(huán)狀的侵蝕區(qū)域E。
[0073]圖6(b)示意表示從標(biāo)靶3向承載體31上的半導(dǎo)體封裝體I飛散濺射微粒的情形。本比較例中，在承載體31靜止的狀態(tài)下實(shí)施濺射處理。
[0074]符號(hào)G1表示在標(biāo)靶3的中心的附近配置的半導(dǎo)體封裝體I。符號(hào)G 2表示遠(yuǎn)離標(biāo)靶3的中心而配置的半導(dǎo)體封裝體I。本比較例中，可以在符號(hào)匕的半導(dǎo)體封裝體I的頂面SJP/或側(cè)面S 2A、S2b均勻地形成屏蔽層15。但是，難以在符號(hào)G 2的半導(dǎo)體封裝體I的遠(yuǎn)方側(cè)的側(cè)面S2a形成屏蔽層15，因此，無(wú)法在符號(hào)G 2的半導(dǎo)體封裝體I均勻地形成屏蔽層15ο
[0075]另外，半導(dǎo)體封裝體I的平面形狀一般是正方形和/或長(zhǎng)方形。因此，如本比較例，在標(biāo)靶3的平面形狀為圓形的情況下，難以將多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I相對(duì)于標(biāo)靶3以使得濺射效率佳的方式進(jìn)行排列。
[0076]另一方面，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體制造裝置應(yīng)用上述的結(jié)構(gòu)及工作，可以在承載體31上的多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I的頂面及側(cè)面均勻地覆蓋良好地形成屏蔽層15和/或可將多個(gè)半導(dǎo)體封裝體I相對(duì)于標(biāo)靶3以使得濺射效率佳的方式進(jìn)行排列。
[0077](第2實(shí)施方式)
[0078]圖7是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0079]第I實(shí)施方式中，多個(gè)托盤2在Y方向并排搭載于承載體31 (圖3)。另一方面，第2實(shí)施方式中，多個(gè)托盤2在X方向及Y方向并排搭載于承載體31 (圖7)。
[0080]這樣，第I實(shí)施方式中，托盤2在一個(gè)方向并排配置。這樣的配置中，例如具有容易通過(guò)自動(dòng)輸送而在承載體31上設(shè)置托盤2的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，第2實(shí)施方式中，托盤2在2個(gè)方向并排配置。這樣的配置中，例如具有可以采用各種形狀的托盤2和/或承載體31的優(yōu)點(diǎn)。
[0081]另外，這些實(shí)施方式中，多個(gè)托盤2也可以僅僅在X方向并排而搭載到承載體31。
[0082](第3實(shí)施方式)
[0083]圖8是用于說(shuō)明第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的工作的截面圖。
[0084]第I實(shí)施方式中，承載體31移動(dòng)到移動(dòng)范圍R的一端或另一端時(shí)的距離W設(shè)定為比磁體配置面S的短邊E5、E6的長(zhǎng)度L 3的一半短(W〈L3/2:圖5)。第I實(shí)施方式的距離W是例如20mm。
[0085]另一方面，第3實(shí)施方式中，承載體31移動(dòng)到移動(dòng)范圍R的一端或另一端時(shí)的距離W設(shè)定為比長(zhǎng)度1^的一半長(zhǎng)(W>L3/2:圖8)。第3實(shí)施方式的距離W是例如50mm。因此，承載體31往返移動(dòng)時(shí)，長(zhǎng)邊E3、E4都通過(guò)磁體配置面S的長(zhǎng)邊E s之下，且通過(guò)磁體配置面S的長(zhǎng)邊E7之下(參照?qǐng)D3)。
[0086]根據(jù)第I實(shí)施方式的距離W，可以縮短用于承載體31全體通過(guò)中心線L之下的承載體31的移動(dòng)范圍R。另一方面，根據(jù)第3實(shí)施方式的距離W，在承載體31的長(zhǎng)邊E3、E4B近的半導(dǎo)體封裝體I的側(cè)面，可形成覆蓋更佳的屏蔽層15。
[0087]另外，最好考慮半導(dǎo)體封裝體I的面積和/或厚度，將距離W設(shè)定成合適值。
[0088]雖然說(shuō)明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式只是例示，而不是用于限定發(fā)明的范圍。這些新實(shí)施方式能以其他各種形態(tài)實(shí)施，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍中，可以進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式和/或其變形包括于發(fā)明的范圍和/或要旨中，也包括于技術(shù)方案記載的發(fā)明及其均等的范圍中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 具備: 承載體，其具有沿著第I方向延伸的第I及第2端部和沿著不同于上述第I方向的第2方向延伸且比上述第I及第2端部長(zhǎng)的第3及第4端部，能搭載成膜對(duì)象物； 部件保持部，其具有磁體配置面，該磁體配置面配置有:具有第I極性的一個(gè)以上的第I磁極部分和具有不同于上述第I極性的第2極性的一個(gè)以上的第2磁極部分，上述磁體配置面具有沿著上述第I方向延伸的第5及第6端部和沿著上述第2方向延伸且比上述第5及第6端部長(zhǎng)的第7及第8端部，能在上述第I及第2磁極部分的附近保持部件，該部件成為在上述成膜對(duì)象物形成膜的材料；以及 承載體輸送部，其在上述部件保持部的下方，沿上述第I方向輸送上述承載體， 上述第5及第6端部比上述第I及第2端部短， 上述第7及第8端部比上述第3及第4端部長(zhǎng)， 上述承載體輸送部，能以使得上述第3及第4端部通過(guò)上述磁體配置面的與上述第2方向平行的中心線之下的方式，輸送上述承載體。2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述第I磁極部分以形成第I環(huán)狀的方式配置，上述第2磁極部分以形成包圍上述第I磁極部分的第2環(huán)狀的方式配置。3.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述部件保持部，具有能保持N個(gè)部件的N個(gè)磁體配置面來(lái)作為上述磁體配置面，其中，N是2以上的整數(shù)。4.權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述部件保持部，以使得上述N個(gè)磁體配置面的某一個(gè)與上述承載體相向的方式旋轉(zhuǎn)。5.權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述部件保持部以與上述第2方向平行的軸為中心而旋轉(zhuǎn)。6.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述承載體輸送部在微粒從上述部件向上述成膜對(duì)象物飛散時(shí)，以使得僅僅上述第3及第4端部中的一方通過(guò)上述第7端部之下且僅僅上述第3及第4端部中的另一方通過(guò)上述第8端部之下的方式，使上述承載體往返移動(dòng)。7.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述承載體輸送部在微粒從上述部件向上述成膜對(duì)象物飛散時(shí)，以使得上述第3及第4端部通過(guò)上述第7端部之下且上述第3及第4端部通過(guò)上述第8端部之下的方式，使上述承載體往返移動(dòng)。8.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述承載體能搭載多個(gè)托盤，該多個(gè)托盤搭載有作為上述成膜對(duì)象物的多個(gè)半導(dǎo)體封裝體。9.權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述托盤的平面形狀是長(zhǎng)方形。10.權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述托盤以上述托盤的長(zhǎng)邊與上述第I方向平行的方式搭載于上述承載體。11.權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 上述托盤以上述托盤的長(zhǎng)邊與上述第2方向平行的方式搭載于上述承載體。12.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于， 還具備: 包括上述部件保持部及上述承載體輸送部的濺射室；和 連接于上述濺射室的蝕刻室。13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括下述工序: 在承載體搭載多個(gè)半導(dǎo)體封裝體，該承載體具有:沿著第I方向延伸的第I及第2端部和沿著不同于上述第I方向的第2方向延伸且比上述第I及第2端部長(zhǎng)的第3及第4端部， 在部件保持部的第I及第2磁極部分的附近，保持成為在上述半導(dǎo)體封裝體形成導(dǎo)電膜的材料的部件，上述部件保持部具有磁體配置面，該磁體配置面配置有:具有第I極性的一個(gè)以上的上述第I磁極部分和具有不同于上述第I極性的第2極性的一個(gè)以上的上述第2磁極部分，上述磁體配置面具有沿著上述第I方向延伸的第5及第6端部和沿著上述第2方向延伸且比上述第5及第6端部長(zhǎng)的第7及第8端部，上述第5及第6端部比上述第I及第2端部短，上述第7及第8端部比上述第3及第4端部長(zhǎng)， 以使得上述第3及第4端部通過(guò)上述磁體配置面的與上述第2方向平行的中心線之下的方式，沿著上述第I方向來(lái)輸送上述承載體，由此在上述半導(dǎo)體封裝體的頂面及側(cè)面形成上述導(dǎo)電膜。14.權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述導(dǎo)電膜包括第I層和設(shè)置在上述第I層的表面的第2層。15.權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述第I層含有銅，上述第2層含有鐵。16.權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述承載體在微粒從上述部件向上述半導(dǎo)體封裝體飛散時(shí)，以使得僅僅上述第3及第4端部中的一方通過(guò)上述第7端部之下且僅僅上述第3及第4端部中的另一方通過(guò)上述第8端部之下的方式，往返移動(dòng)。17.權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述承載體在微粒從上述部件向上述半導(dǎo)體封裝體飛散時(shí)，以使得上述第3及第4端部通過(guò)上述第7端部之下且上述第3及第4端部通過(guò)上述第8端部之下的方式，往返移動(dòng)。18.權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述承載體搭載多個(gè)托盤，該多個(gè)托盤搭載有上述多個(gè)半導(dǎo)體封裝體。19.權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述托盤含有鋁。20.權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述部件的平面形狀是長(zhǎng)方形，上述部件具有比上述第I及第2端部短的短邊和比上述第3及第4端部長(zhǎng)的長(zhǎng)邊。
【文檔編號(hào)】H01L25/16GK105977247SQ201510425277
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2015年7月17日
【發(fā)明人】三浦辰彥, 村上和博
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝