薄膜晶體管、陣列基板及相關(guān)制作方法和顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：形成所述薄膜晶體管的有源層；對所述有源層進(jìn)行處理，提高所述有源層的載流子遷移率。本發(fā)明通過對GOA區(qū)域的薄膜晶體管的有源層的載流子遷移率進(jìn)行提高，以降低GOA區(qū)域的薄膜晶體管對有源層尺寸的要求，即在制作過程中，可以形成更小面積的有源層，進(jìn)而降低了薄膜晶體管的整體體積，使GOA區(qū)域占用陣列基板的邊框區(qū)域的面積也得減小，利于顯示裝置向窄邊框趨勢發(fā)展。
【專利說明】
薄膜晶體管、陣列基板及相關(guān)制作方法和顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及相關(guān)制作方法和顯不面板。
【背景技術(shù)】
[0002]GOA技術(shù)是一種將柵極驅(qū)動(dòng)電路(Gate Driver IC)集成在陣列(Array)基板上的技術(shù)，具有以下優(yōu)點(diǎn):α)將柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在陣列基板上，能有效降低生產(chǎn)成本和功耗；
[2]省去綁定(bonding)良率工藝，能使產(chǎn)品良率和產(chǎn)能得到提升；(3)省去柵極驅(qū)動(dòng)電路綁定(gate IC bonding)區(qū)域，使顯示面板(panel)具有對稱結(jié)構(gòu)。
[0003]但是，現(xiàn)有的GOA區(qū)域是位于顯示區(qū)域外側(cè)，S卩GOA區(qū)域占據(jù)著陣列基板一部分邊框區(qū)域，顯然邊框區(qū)域需要排布走線，GOA區(qū)域會(huì)影響邊框區(qū)域的尺寸。
[0004]而在目前薄膜晶體管中，有源層的尺寸越大，才能保證載流子迀移率越高。為使薄膜晶體管的有源層具有較高的載流子迀移率，現(xiàn)有的有源層需要被制成較大的面積，這導(dǎo)致了薄膜晶體管的整體體積過大。特別是GOA區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管，其體積越大則GOA區(qū)域越大，進(jìn)而占用了陣列基板更多的邊框區(qū)域。
[0005]顯然現(xiàn)有的GOA技術(shù)不利于顯示裝置向窄邊框趨勢進(jìn)行發(fā)展。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的是減小GOA區(qū)域的薄膜晶體管的體積，使得GOA區(qū)域的占用面積得到有效縮減。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供一種陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管的制作方法，包括:
[0008]形成所述薄膜晶體管的有源層；
[0009]對所述有源層進(jìn)行處理，提高所述有源層的載流子迀移率。
[0010]可選地，所述有源層為透明的金屬氧化物形成。
[0011 ]可選地，上述金屬氧化物包括:銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氮氧化鋅中的一種或多種。
[0012]可選地，所述對所述有源層進(jìn)行處理包括:
[0013]對所述有源層進(jìn)行等離子體轟擊;或
[0014]對所述有源層進(jìn)行離子注入。
[0015]可選地，若進(jìn)行等離子體轟擊，則轟擊的等離子體為N20、N2、NF中的任一種；若進(jìn)行離子注入，則注入的離子為錫離子或銦離子。
[0016]另一方面，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0017]通過一次構(gòu)圖工藝形成顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管的有源層和GOA區(qū)域的第二薄膜晶體管的有源層；
[0018]對所述第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行處理，提高所述第二薄膜晶體管的有源層的載流子迀移率。
[0019]可選地，所述第二薄膜晶體管的有源層的面積小于所述第一薄膜晶體管的有源層的面積。
[0020]可選地，所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層采用相同的材料制成。
[0021]可選地，所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層的材料為銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氮氧化鋅中的一種或多種。
[0022]可選地，所述對所述第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行處理包括:
[0023]對所述第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行等離子體處理;或
[0024]對所述第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行離子注入。
[0025]可選地，若進(jìn)行等離子體轟擊，則轟擊的等離子體為N20、N2、NF中的任一種;若進(jìn)行離子注入，則注入的離子為錫離子或銦離子。
[0026]此外，本發(fā)明還提供一種陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管，該薄膜晶體管由上述薄膜晶體管的制作方法得到。
[0027]此外，本發(fā)明還提供一種陣列基板，該陣列基板由上述的陣列基板的制作方法得到。
[0028]此外，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述陣列基板和彩膜基板，所述彩膜基板形成有黑矩陣，所述黑矩陣在陣列基板中的襯底基板上的投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板上的投影。
[0029]本發(fā)明的上述方案具有如下有益效果:
[0030]本發(fā)明通過對GOA區(qū)域的薄膜晶體管的有源層的載流子迀移率進(jìn)行提高，以降低GOA區(qū)域的薄膜晶體管對有源層尺寸的要求，即在制作過程中，可以形成更小面積的有源層，進(jìn)而降低了薄膜晶體管的整體體積，使GOA區(qū)域占用陣列基板的邊框區(qū)域的面積也得減小，利于顯示裝置向窄邊框趨勢發(fā)展。
【附圖說明】
[0031]圖1為本發(fā)明的陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管的制作方法的示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的示意圖；
[0033]圖3A-圖3E為本發(fā)明的陣列基板的制作方法在具體應(yīng)用中的流程示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0036]針對現(xiàn)有技術(shù)中，GOA區(qū)域占用了陣列基板較大面積的邊框區(qū)域的問題，本發(fā)明提供一種解決方案。
[0037 ] 一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管的制作方法，如圖1所示，包括:
[0038]步驟Sll，形成薄膜晶體管的有源層；
[0039]步驟S12，對有源層進(jìn)行處理，提高所述有源層的載流子迀移率。
[0040]本實(shí)施例的制作方法通過對GOA區(qū)域的薄膜晶體管的有源層的載流子迀移率進(jìn)行提高，以降低GOA區(qū)域的薄膜晶體管對有源層尺寸的要求，即在制作過程中，可以形成更小面積的有源層，進(jìn)而降低了薄膜晶體管的整體體積，使GOA區(qū)域占用陣列基板的邊框區(qū)域的面積也得減小，利于顯示裝置向窄邊框趨勢發(fā)展。
[0041]在實(shí)際應(yīng)用中，本實(shí)施例的有源層可以由銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氮氧化鋅中的一種或多種材料制成。
[0042]針對上述材料，本實(shí)施例可以采用離子注入工藝，以提高有源層的載流子迀移率。其中，注入的離子為錫離子或銦離子等能夠提高有源層載流子迀移率的離子。
[0043]當(dāng)然，作為其他可行方案，本實(shí)施例還可以對有源層進(jìn)行等離子體轟擊，以提高有源層的載流子迀移率，其中轟擊所用的等離子體可以是n20、n2、nf中的任一種。
[0044]對應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種由上述制作方法得到的陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管，基于本發(fā)明的制作方法，該GOA區(qū)域的薄膜晶體管的有源層不僅具有較高的載流子迀移率，且尺寸得到減小，進(jìn)而使薄膜晶體管的整體體積得到減小，使GOA區(qū)域占據(jù)更小的陣列基板的邊框空間。
[0045]另一方面，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，如圖2所示，包括:
[0046]步驟S21，通過一次構(gòu)圖工藝形成顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管的有源層和GOA區(qū)域的第二薄膜晶體管的有源層；
[0047]步驟S22，對第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行處理，提高第二薄膜晶體管的有源層的載流子迀移率。
[0048]通過上述描述可以知道，現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的有源層一般采用透明的金屬氧化材料制成(如銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氮氧化鋅中的一種或多種)，由于該金屬氧化材料本身特性的一些問題，載流子迀移率越高，則對光照的穩(wěn)定性越差(受到光照后會(huì)影響薄膜晶體管的閾值電壓)。為此，針對目前有源層的特性，本實(shí)施例的制作方法只對GOA區(qū)域的薄膜晶體管的有源層進(jìn)行處理，以提高其載流子迀移率，使得GOA區(qū)域的占用陣列基板的邊框面積得到減小。而顯示區(qū)域的薄膜晶體管的有源層則不進(jìn)行處理，是為了讓其對光照具有更高的穩(wěn)定性，使顯示區(qū)域的薄膜晶體管的閾值電壓維持在正常范圍，避免影響到畫面的顯不O
[0049]下面結(jié)合一個(gè)實(shí)際應(yīng)用，對本實(shí)施例的陣列基板制作流程進(jìn)行介紹。
[0050]以底柵型結(jié)構(gòu)為例(本實(shí)施例的技術(shù)同樣適用于頂柵結(jié)構(gòu)，本文不在舉例贅述)，作為示例性介紹，本實(shí)施例的陣列基板的制作流程包括:
[0051]步驟S31，參考圖3A，通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板I上形成顯示區(qū)域的薄膜晶體管的柵極21，以及GOA區(qū)域的薄膜晶體管的柵極22;其中，在本實(shí)際應(yīng)用中，示例性將襯底基板I左半邊區(qū)域作為顯示區(qū)域，右半邊作為GOA區(qū)域；
[0052]步驟S32，參考圖3B，沉積柵絕緣層3;
[0053]步驟S33，參考圖3C，通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成顯示區(qū)域的薄膜晶體管的有源層41，以及GOA區(qū)域的薄膜晶體管的有源層42;其中，有源層41和有源層42可以由同一種半導(dǎo)體材料層刻蝕得到；
[0054]這里需要給予說明的是，由于后續(xù)有源層42還需要進(jìn)行提高載流子迀移率的處理，因此其制作后的尺寸要小于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的有源層41的尺寸；
[0055]步驟S34，參考圖3D，通過掩膜板5，僅對GOA區(qū)域上的有源層42進(jìn)行離子注入或等離子轟擊，提高該有源層42的載流子迀移率；
[0056]步驟S35，參考圖3E，形成顯示區(qū)域的薄膜晶體管以及GOA區(qū)域薄膜晶體管的其他圖層(如源極和漏極)，顯然，從圖3E可以看出，GOA區(qū)域上的薄膜晶體管的體積B要小于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的體積A。
[0057]對應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種由上述陣列基板得制作方法所得到的陣列基板。顯然，陣列基板具有較小的邊框區(qū)域，因此特別適用于制作窄邊框的顯示裝置。
[0058]此外，如圖4所示，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括有彩膜基板CF和本發(fā)明上述的陣列基板Array。其中，彩膜基板CF上形成有正對陣列基板Array上的GOA區(qū)域的黑矩陣BM，即該黑矩陣BM在陣列基板Array中的襯底基板I上的投影Tl覆蓋黑矩陣BM在該襯底基板I上的投影T2。
[0059]顯然，通過上述描述可以知道，本實(shí)施例陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管的有源層42經(jīng)過處理后，具有很高的載流子迀移率，由于材料特性，該有源層42也同樣具有較差的光照穩(wěn)定性。有鑒于此，本實(shí)施例中，在彩膜基板上設(shè)置了能夠?qū)τ性磳?2起到遮光作用的黑矩陣，避免該有源層42受到光照后影響到薄膜晶體管的閾值電壓，使顯示裝置能夠更穩(wěn)定輸出顯示畫面。
[0060]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括: 形成所述薄膜晶體管的有源層； 對所述有源層進(jìn)行處理，提高所述有源層的載流子迀移率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于， 所述有源層為透明的金屬氧化物形成。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于， 所述金屬氧化物包括:銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氮氧化鋅中的一種或多種。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述對所述有源層進(jìn)行處理包括: 對所述有源層進(jìn)行等離子體轟擊;或 對所述有源層進(jìn)行離子注入。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于， 若進(jìn)行等離子體轟擊，則轟擊的等離子體為N20、N2、NF中的任一種； 若進(jìn)行離子注入，則注入的離子為錫離子或銦離子。6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 通過一次構(gòu)圖工藝形成顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管的有源層和GOA區(qū)域的第二薄膜晶體管的有源層； 對所述第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行處理，提高所述第二薄膜晶體管的有源層的載流子迀移率。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于， 所述第二薄膜晶體管的有源層的面積小于所述第一薄膜晶體管的有源層的面積。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制作方法，其特征在于， 所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層的材料為銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氮氧化鋅中的一種或多種。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述對所述第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行處理包括: 對所述第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行等離子體處理;或 對所述第二薄膜晶體管的有源層進(jìn)行離子注入。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于， 若進(jìn)行等離子體轟擊，則轟擊的等離子體為N20、N2、NF中的任一種； 若進(jìn)行離子注入，則注入的離子為錫離子或銦離子。11.一種陣列基板GOA區(qū)域的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管由權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制作方法得到。12.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板由權(quán)利要求6-10任一項(xiàng)所述的制作方法得到。13.一種顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求12所述的陣列基板，所述彩膜基板形成有黑矩陣，所述黑矩陣在陣列基板中的襯底基板上的投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板上的投影。
【文檔編號】H01L21/77GK105870059SQ201610473904
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年6月24日
【發(fā)明人】楊維
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司