火花塞的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種火花塞。其中，在絕緣體的通孔內(nèi)將中心電極和端子金屬配件之間連接起來的連接部具有：電阻體；以及磁性體構(gòu)造物，其配置在電阻體的前端側(cè)或后端側(cè)的、離開電阻體的位置，且該磁性體構(gòu)造物包括磁性體和導(dǎo)電體。將電阻體和磁性體構(gòu)造物中的配置在前端側(cè)的構(gòu)件設(shè)為第一構(gòu)件，將電阻體和磁性體構(gòu)造物中的配置在后端側(cè)的構(gòu)件設(shè)為第二構(gòu)件。連接部還包括第一導(dǎo)電性密封部、第二導(dǎo)電性密封部、第三導(dǎo)電性密封部。第一導(dǎo)電性密封部配置在第一構(gòu)件的前端側(cè)，并與第一構(gòu)件接觸。第二導(dǎo)電性密封部配置在第一構(gòu)件和第二構(gòu)件之間，并與第一構(gòu)件和第二構(gòu)件接觸。第三導(dǎo)電性密封部配置在第二構(gòu)件的后端側(cè)，并與第二構(gòu)件接觸。磁性體構(gòu)造物包括作為導(dǎo)電體的導(dǎo)電性物質(zhì)、作為磁性體的含鐵氧化物以及含硅、硼、磷中的至少一種的陶瓷。
【專利說明】
火花塞
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種火花塞。
【背景技術(shù)】
[0002] -直W來，火花塞被應(yīng)用于內(nèi)燃機。另外，提出有為了抑制因點火而產(chǎn)生的電波噪 聲，在絕緣體的通孔內(nèi)設(shè)置電阻體的技術(shù)。另外，還提出有在絕緣體的通孔內(nèi)設(shè)置磁性體的 技術(shù)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004] 專利文獻
[0005] 專利文獻1:日本特開平02-284374號公報
[0006] 專利文獻2:日本特開昭62-150681號公報
[0007] 專利文獻3:日本特開昭61-230281號公報 [000引專利文獻4:日本特開昭54-151736號公報
[0009] 專利文獻5:日本特開昭61-135079號公報
[0010] 專利文獻6:日本特開昭61-104580號公報
[0011] 專利文獻7:日本特開昭61-208768號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[00。] 發(fā)明要解決的問題
[0013] 但是，實際上，針對使用電阻體和磁性體運兩者來抑制電波噪聲的運一點而言，并 沒有做到充分的研究。
[0014] 本發(fā)明提供一種能夠使用電阻體和磁性體來抑制電波噪聲的技術(shù)。
[00巧]用于解決問題的方案
[0016] 本發(fā)明公開例如W下的技術(shù)方案。
[0017] [技術(shù)方案1]
[001引一種火花塞，該火花塞包括：
[0019] 絕緣體，其具有沿軸線的方向延伸的通孔；
[0020] 中屯、電極，其至少一部分插入于所述通孔的前端側(cè)；
[0021] 端子金屬配件，其至少一部分插入于所述通孔的后端側(cè)；
[0022] 連接部，其在所述通孔內(nèi)將所述中屯、電極和所述端子金屬配件之間連接起來，
[0023] 其中，
[0024] 所述連接部具有：
[0025] 電阻體；從及
[0026] 磁性體構(gòu)造物，其配置在所述電阻體的前端側(cè)或后端側(cè)的、離開所述電阻體的位 置，且該磁性體構(gòu)造物包括磁性體和導(dǎo)電體，
[0027] 將所述電阻體和所述磁性體構(gòu)造物中的配置在前端側(cè)的構(gòu)件設(shè)為第一構(gòu)件，將所 述電阻體和所述磁性體構(gòu)造物中的配置在后端側(cè)的構(gòu)件設(shè)為第二構(gòu)件，此時，
[00巧]所述連接部還包括：
[0029] 第一導(dǎo)電性密封部，其配置在所述第一構(gòu)件的前端側(cè)，并與所述第一構(gòu)件接觸；
[0030] 第二導(dǎo)電性密封部，其配置在所述第一構(gòu)件和所述第二構(gòu)件之間，并與所述第一 構(gòu)件和所述第二構(gòu)件接觸；
[0031] 第=導(dǎo)電性密封部，其配置在所述第二構(gòu)件的后端側(cè)，并與所述第二構(gòu)件接觸，
[0032] 所述磁性體構(gòu)造物包括：
[0033] 1)作為所述導(dǎo)電體的導(dǎo)電性物質(zhì)；
[0034] 2)作為所述磁性體的含鐵氧化物；W及
[0035] 3)含娃(Si)、棚(B)和憐(P)中的至少一種的陶瓷，
[0036] 在所述磁性體構(gòu)造物的包括所述軸線的截面中，
[0037] 將W所述軸線為中屯、線，且與所述軸線垂直的方向上的大小為1.5mm，所述軸線的 方向上的大小為2. Omm的矩形區(qū)域作為對象區(qū)域，此時，
[0038] 在所述對象區(qū)域中，所述導(dǎo)電性物質(zhì)的區(qū)域包括多個粒狀區(qū)域，
[0039] 在所述多個粒狀區(qū)域中，最大粒徑為20化mW上的粒狀區(qū)域的數(shù)量所占的比例為 40%W 上，
[0040] 在所述對象區(qū)域中，所述導(dǎo)電性物質(zhì)的所述區(qū)域的面積所占的比例為35% W上且 65% W下。
[0041] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠利用第一導(dǎo)電性密封部、第二導(dǎo)電性密封部、第=導(dǎo)電性密封 部，抑制電阻體兩端的電接觸不良和磁性體構(gòu)造物兩端的電接觸不良。由此，能夠利用電阻 體和磁性體構(gòu)造物運兩者來適當(dāng)?shù)匾种齐姴ㄔ肼暋Ａ硗?，通過使磁性體構(gòu)造物具有特定的 結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)?shù)匾种圃肼暋?br>[0042] [技術(shù)方案2]
[0043] 根據(jù)技術(shù)方案1所述的火花塞，其中，
[0044] 所述磁性體構(gòu)造物的從前端到后端的電阻值為化Q W下。
[0045] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠抑制磁性體構(gòu)造物的發(fā)熱。因此，能夠抑制由磁性體構(gòu)造物的發(fā) 熱所引起的不良（例如，磁性體的變質(zhì)等）。
[0046] [技術(shù)方案3]
[0047] 根據(jù)技術(shù)方案2所述的火花塞，其中，
[0048] 所述磁性體構(gòu)造物的從所述前端到所述后端的電阻值為化Q W下。
[0049] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠進一步抑制磁性體構(gòu)造物的發(fā)熱。因此，能夠進一步抑制由磁性 體構(gòu)造物的發(fā)熱所引起的不良（例如，磁性體的變質(zhì)等）。
[0050] [技術(shù)方案4]
[0051] 根據(jù)技術(shù)方案1-3中任一項所述的火花塞，其中，
[0052] 所述導(dǎo)電體包括沿所述軸線的方向貫穿所述磁性體的導(dǎo)電部。
[0053] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠提高耐久性并且適當(dāng)?shù)匾种齐姴ㄔ肼暋?br>[0054] [技術(shù)方案引
[0055] 根據(jù)技術(shù)方案1-4中任一項所述的火花塞，其中，
[0056] 所述磁性體構(gòu)造物配置在所述電阻體的后端側(cè)。
[0057]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)?shù)匾种齐姴ㄔ肼暋?br>[005引[技術(shù)方案6]
[0059] 根據(jù)技術(shù)方案1-5中任一項所述的火花塞，其中，
[0060] 所述連接部還包括覆蓋部，所述覆蓋部覆蓋所述磁性體構(gòu)造物的外表面的至少一 部分，且所述覆蓋部介于所述磁性體構(gòu)造物和所述絕緣體之間。
[0061] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠抑制絕緣體和磁性體構(gòu)造物直接發(fā)生接觸。
[0062] [技術(shù)方案7]
[0063] 根據(jù)技術(shù)方案1-6中任一項所述的火花塞，其中，
[0064] 所述磁性體使用含氧化鐵的強磁性材料而形成。
[0065] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)?shù)匾种齐姴ㄔ肼暋?br>[0066] [技術(shù)方案引
[0067] 根據(jù)技術(shù)方案7所述的火花塞，其中，
[0068] 所述強磁性材料為尖晶石型鐵氧體。
[0069] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠容易地抑制電波噪聲。
[0070] [技術(shù)方案9]
[0071] 根據(jù)技術(shù)方案1-8中任一項所述的火花塞，其中，
[0072] 所述磁性體為Ni化鐵氧體或Mn化鐵氧體。
[0073] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)?shù)匾种齐姴ㄔ肼暋?br>[0074] [技術(shù)方案10]
[0075] 根據(jù)技術(shù)方案1-9中任一項所述的火花塞，其中，
[0076] 所述導(dǎo)電性物質(zhì)包括巧鐵礦型氧化物，所述巧鐵礦型氧化物用一般式AB化來表 示，所述一般式的A位點為La、Nd、Pr、孔、Y中的至少一者。
[0077] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠進一步適當(dāng)?shù)匾种齐姴ㄔ肼暋?br>[0078] [技術(shù)方案11]
[0079] 根據(jù)技術(shù)方案1-10中任一項所述的火花塞，其中，
[0080] 所述導(dǎo)電性物質(zhì)含Ag、化、化、Sn、Fe、化中的至少一種金屬。
[0081 ]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠進一步適當(dāng)?shù)匾种齐姴ㄔ肼暋?br>[0082] [技術(shù)方案12]
[0083] 根據(jù)技術(shù)方案1-11中任一項所述的火花塞，其中，
[0084] 在所述磁性體構(gòu)造物的所述截面上的所述對象區(qū)域中的、除了所述導(dǎo)電性物質(zhì)的 所述區(qū)域之外的剩余的區(qū)域中，氣孔率為5% W下。
[0085] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠提高磁性體構(gòu)造物的耐久性。
【附圖說明】
[0086] 圖1是第一實施方式的火花塞100的剖視圖。
[0087] 圖2是第二實施方式的火花塞10化的剖視圖。
[008引圖3是參考例的火花塞IOOc的剖視圖。
[0089] 圖4是第S實施方式的火花塞IOOd的剖視圖。
[0090] 圖5是磁性體構(gòu)造物200d的說明圖。
【具體實施方式】
[0091] A.第一實施方式：
[0092] A-1.火花塞的結(jié)構(gòu)：
[0093] 圖1是第一實施方式的火花塞100的剖視圖。圖示的線化表示火花塞100的中屯、軸 線。圖示的截面為包括中屯、軸線化的截面。W下，將中屯、軸線化稱為"軸線CL",將平行于中 屯、軸線CL的方向稱為"軸線CL的方向"或者簡單稱為"軸線方陸'。將W中屯、軸線CL為中屯、的 圓的徑向簡單稱為"徑向"，將W中屯、軸線CL為中屯、的圓的圓周方向稱為"周向"。將平行于 中屯、軸線化的方向中的、圖1的下方稱為前端方向Dl，將平行于中屯、軸線化的方向中的、圖1 的上方稱為后端方向D2。前端方向Dl為從后述的端子金屬配件40朝向電極20、30的方向。另 夕h將圖1中的前端方向Dl側(cè)稱為火花塞100的前端側(cè)，將圖1中的后端方向D2側(cè)稱為火花塞 100的后端側(cè)。
[0094] 火花塞100包括絕緣體10(也稱為"絕緣電瓷10")、中屯、電極20、接地電極30、端子 金屬配件40、主體金屬配件50、第一導(dǎo)電性密封部60、電阻體70、第二導(dǎo)電性密封部75、磁性 體構(gòu)造物200、覆蓋部290、第=導(dǎo)電性密封部80、前端側(cè)密封件8、滑石9、第一后端側(cè)密封件 6、第二后端側(cè)密封件7。
[00M]絕緣體10為沿著中屯、軸線化延伸且呈大致圓筒狀的構(gòu)件，并且具有貫穿絕緣體10 的通孔12(也稱為"軸孔12")。絕緣體10是燒制氧化侶而形成的（也可W采用其他絕緣材 料）。絕緣體10從前端側(cè)到后端側(cè)依次具有腿部13、第一縮外徑部15、前端側(cè)主體部17、凸緣 部19、第二縮外徑部11、后端側(cè)主體部18。
[0096] 凸緣部19是絕緣體10的最大外徑部分。比凸緣部19靠前端側(cè)的第一縮外徑部15的 外徑隨著從后端側(cè)朝向前端側(cè)去而逐漸變小。在絕緣體10的第一縮外徑部15的附近(圖1的 例中，前端側(cè)主體部17)，形成有隨著從后端側(cè)朝向前端側(cè)去而內(nèi)徑逐漸變小的縮內(nèi)徑部 16。比凸緣部19靠后端側(cè)的第二縮外徑部11的外徑隨著從前端側(cè)朝向后端側(cè)去而逐漸變 小。
[0097] 在絕緣體10的通孔12的前端側(cè)插入有中屯噸極20。中屯噸極20為沿著中屯、軸線化 延伸的棒狀的構(gòu)件。中屯、電極20具有電極母材21和埋設(shè)在電極母材21的內(nèi)部的忍材22。電 極母材21例如通過使用W儀為主要成分的合金即因科儀合金（"INCO肥L"為注冊商標)而形 成。忍材22由熱導(dǎo)率比電極母材21高的材料(例如，含銅的合金)形成。
[0098] 另外，若著眼于中屯、電極20的外觀形狀的話，中屯、電極20具有形成前端方向Dl側(cè) 的端部的腿部25、設(shè)在腿部25的后端側(cè)的凸緣部24、設(shè)在凸緣部24的后端側(cè)的頭部23。頭部 23和凸緣部24配置在通孔12內(nèi)，凸緣部24的前端方向Dl側(cè)的面支承于絕緣體10的縮內(nèi)徑部 16。腿部25的前端側(cè)的部分在絕緣體10的前端側(cè)露出于通孔12之外。
[0099] 在絕緣體10的通孔12的后端側(cè)插入有端子金屬配件40。端子金屬配件40通過使用 導(dǎo)電材料(例如，低碳鋼等金屬）而形成。在端子金屬配件40的表面可W形成用于防腐蝕的 金屬層。例如，通過鍛敷處理形成Ni層。端子金屬配件40具有凸緣部42、形成比凸緣部42靠 后端側(cè)的部分的罩安裝部41、形成比凸緣部42靠前端側(cè)的部分的腿部43。罩安裝部41在絕 緣體10的后端側(cè)露出于通孔12之外。腿部43插入在絕緣體10的通孔12。
[0100] 在絕緣體10的通孔12內(nèi)，在端子金屬配件40和中屯、電極20之間配置有用于抑制電 噪聲的電阻體70。電阻體70由包括作為主要成分的玻璃粒子(例如，B2〇3-Si化系的玻璃）、玻 璃W外的陶瓷粒子(例如，Zr〇2)、導(dǎo)電性材料(例如，碳粒子)的組合物所形成。
[0101] 在絕緣體10的通孔12內(nèi)，在電阻體70和端子金屬配件40之間配置有用于抑制電噪 聲的磁性體構(gòu)造物200。在圖1的右側(cè)部分，示出了被覆蓋部290所覆蓋的狀態(tài)的磁性體構(gòu)造 物200的立體圖和去除了覆蓋部290的狀態(tài)的磁性體構(gòu)造物200的立體圖。磁性體構(gòu)造物200 具有磁性體210、導(dǎo)電體220。
[0102] 磁性體210是將中屯、軸線化作為中屯、的大致圓柱狀的構(gòu)件。磁性體210例如通過使 用包含氧化鐵的強磁性材料而形成。作為包含氧化鐵的強磁性材料，例如可采用尖晶石型 鐵氧體、六方晶鐵氧體等。另外，作為尖晶石型鐵氧體，例如可采用NiZn(儀-鋒）鐵氧體、 Mn化(儘-鋒)鐵氧體、化化(銅-鋒)鐵氧體等。
[0103] 導(dǎo)電體220是包圍磁性體210的外周的螺旋狀的線圈。導(dǎo)電體220使用金屬線形成， 例如使用主要包含儀和銘的合金的線材來形成。導(dǎo)電體220卷繞在從磁性體210的前端方向 Dl側(cè)的端部附近到后端方向D2側(cè)的端部附近為止的整個范圍內(nèi)。
[0104] 在通孔12內(nèi)，在電阻體70和中屯、電極20之間配置有與電阻體70及中屯、電極20接觸 的第一密封部60。在電阻體70和磁性體構(gòu)造物200之間配置有與電阻體70及磁性體構(gòu)造物 200接觸的第二導(dǎo)電性密封部75。在磁性體構(gòu)造物200和端子金屬配件40之間配置有與磁性 體構(gòu)造物200及端子金屬配件40接觸的第=導(dǎo)電性密封部80。密封部60、75、80例如包含金 屬粒子(化、Fe等）、與電阻體70所包含的玻璃粒子相同的玻璃粒子。
[0105] 中屯、電極20和端子金屬配件40借助電阻體70、磁性體構(gòu)造物200 W及密封部60、 75、80而電連接。即，第一導(dǎo)電性密封部60、電阻體70、第二導(dǎo)電性密封部75、磁性體構(gòu)造物 200、第=導(dǎo)電性密封部80形成了將中屯、電極20和端子金屬配件40電連接的導(dǎo)電路徑。通過 使用導(dǎo)電性密封部60、75、80，使層疊起來的構(gòu)件20、60、70、75、200、80、40之間的接觸電阻 穩(wěn)定，也能夠使中屯、電極20和端子金屬配件40之間的電阻值穩(wěn)定。W下，將在通孔12內(nèi)將中 屯、電極20和端子金屬配件40連接起來的多個構(gòu)件60、70、75、200、290、80的整體稱為"連接 部300"。
[0106] 圖1示出了電阻體70的后端方向D2側(cè)端部的位置72(稱為"后端位置72")。絕緣體 10的通孔12的、自后端位置72靠后端方向D2側(cè)的部分的內(nèi)徑，略微大于絕緣體10的通孔12 的、自后端位置72靠前端方向Dl側(cè)的部分(特別是，收容第一導(dǎo)電性密封部60和電阻體70的 部分）的內(nèi)徑。但是，兩者的內(nèi)徑也可W相同。
[0107] 磁性體構(gòu)造物200的外周面被覆蓋部290所覆蓋。覆蓋部290是覆蓋磁性體構(gòu)造物 200的外周的圓筒狀的構(gòu)件。覆蓋部290介于絕緣體10的內(nèi)周面10 i和磁性體構(gòu)造物200的外 周面之間。覆蓋部290使用玻璃(例如，棚娃玻璃)來形成。當(dāng)安裝了火花塞100的內(nèi)燃機(省 略圖示)工作時，從內(nèi)燃機向火花塞100傳遞振動。該振動會引起絕緣體10和磁性體構(gòu)造物 200之間的位置偏移。但是，在第一實施方式的火花塞100中，配置在絕緣體10和磁性體構(gòu)造 物200之間的覆蓋部290吸收振動，由此能夠抑制絕緣體10和磁性體構(gòu)造物200之間的位置 偏移。
[0108] 主體金屬配件50為沿著中屯、軸線化延伸并成大致圓筒狀的構(gòu)件，并且具有貫穿主 體金屬配件50的通孔59。主體金屬配件50通過使用低碳鋼材而形成(也可W采用其他導(dǎo)電 材料(例如，金屬材料））。在主體金屬配件50的表面可W形成用于防腐蝕的金屬層。例如通 過鍛敷處理形成Ni層。將絕緣體10插入到主體金屬配件50的通孔59,主體金屬配件50固定 在絕緣體10的外周。在主體金屬配件50的前端側(cè)，絕緣體10的前端(在本實施方式中，是腿 部13的前端側(cè)的部分)露出于通孔59之外。在主體金屬配件50的后端側(cè)，絕緣體10的后端 (在本實施方式中，是后端側(cè)主體部18的后端側(cè)的部分)露出于通孔59之外。
[0109] 主體金屬配件50從前端側(cè)朝向后端側(cè)依次具有主體部55、座部54、變形部58、工具 卡合部51、彎邊部53。座部54為凸緣狀的部分。比座部54靠前端方向Dl側(cè)的主體部55的外徑 小于座部54的外徑。在主體部55的外周面形成有用于螺紋結(jié)合于內(nèi)燃機(例如，汽油發(fā)動 機)的安裝孔的螺紋部52。在座部54和螺紋部52之間嵌入有彎曲金屬板而形成的環(huán)狀的墊 圈5。
[0110] 主體金屬配件50具有配置在比變形部58靠前端方向Dl側(cè)的縮內(nèi)徑部56。縮內(nèi)徑部 56的內(nèi)徑隨著從后端側(cè)朝向前端側(cè)去而逐漸變小。在主體金屬配件50的縮內(nèi)徑部56和絕緣 體10的第一縮外徑部15之間夾持有前端側(cè)密封件8。前端側(cè)密封件8為鐵制的0型環(huán)(也可W 采用其他材料(例如，銅等金屬材料)）。
[0111] 主體金屬配件50的變形部58 W其中央部朝向徑向的外側(cè)(遠離中屯、軸線化的方 向）突出的方式變形。在變形部58的后端側(cè)設(shè)有工具卡合部51。工具卡合部51的形狀為能夠 與火花塞扳手相卡合的形狀(例如，六棱柱）。在工具卡合部51的后端側(cè)設(shè)有壁厚比工具卡 合部51薄的彎邊部53。彎邊部53配置在比絕緣體10的第二縮外徑部11靠后端側(cè)的位置，形 成主體金屬配件50的后端(即，后端方向D2側(cè)的端部）。彎邊部53朝向徑向的內(nèi)側(cè)彎曲。
[0112] 在主體金屬配件50的后端側(cè)，且是在主體金屬配件50的內(nèi)周面和絕緣體10的外周 面之間形成有環(huán)狀的空間SP。在本實施方式中，該空間SP為由主體金屬配件50的彎邊部53 和工具卡合部51W及絕緣體10的第二縮外徑部11和后端側(cè)主體部18所包圍的空間。在該空 間SP內(nèi)的后端側(cè)配置有第一后端側(cè)密封件6,在該空間SP內(nèi)的前端側(cè)配置有第二后端側(cè)密 封件7。本實施方式中，上述后端側(cè)密封件6、7為鐵制的C型環(huán)(也可W采用其他材料）。在空 間SP內(nèi)的兩個后端側(cè)密封件6、7之間填充有滑石(talc)9的粉末。
[0113] 在制造火花塞100時，彎邊部53 W向內(nèi)側(cè)彎曲的形式進行彎邊。然后，彎邊部53向 前端方向Dl側(cè)進行按壓。由此，變形部58變形，絕緣體10借助密封件6、7和滑石9在主體金屬 配件50內(nèi)被朝向前端側(cè)按壓。前端側(cè)密封件8在第一縮外徑部15和縮內(nèi)徑部56之間被按壓， 從而將主體金屬配件50和絕緣體10之間密封。通過W上的方式，能夠抑制內(nèi)燃機的燃燒室 內(nèi)的氣體經(jīng)過主體金屬配件50和絕緣體10之間而向外泄漏。另外，能夠使主體金屬配件50 固定在絕緣體10。
[0114] 接地電極30接合在主體金屬配件50的前端（即，前端方向Dl側(cè)的端部）。在本實施 方式中，接地電極30為棒狀的電極。接地電極30從主體金屬配件50朝向前端方向Dl延伸，并 朝向中屯、軸線化彎曲，直至前端部31。在前端部31與中屯、電極20的前端面20sl(前端方向Dl 側(cè)的表面20sl)之間形成間隙g。另外，接地電極30W電導(dǎo)通的方式接合在主體金屬配件50 (例如，激光焊接）。接地電極30具有形成接地電極30的表面的母材35、埋設(shè)在母材35內(nèi)的忍 部36。母材35例如使用因科儀合金而形成。忍部36使用熱導(dǎo)率比母材35高的材料(例如，純 銅)而形成。
[0115] 如上述那樣，在第一實施方式中，在連結(jié)中屯、電極20和端子金屬配件40的導(dǎo)電路 徑的中途部位配置有磁性體210。因此，能夠抑制因放電而產(chǎn)生的電波噪聲。另外，導(dǎo)電體 220與磁性體210的至少一部分并聯(lián)連接。因此，能夠抑制中屯、電極20和端子金屬配件40之 間的電阻值變大。另外，導(dǎo)電體220為螺旋狀的線圈，能夠進一步抑制電波噪聲。
[0116] A-2.制造方法：
[0117] 作為第一實施方式的火花塞100的制造方法，可W采用任意的方法。例如，可采用 W下的制造方法。首先，準備絕緣體10、中屯、電極20、端子金屬配件40、導(dǎo)電性密封部60、75、 80各自的材料粉末、電阻體70的材料粉末、磁性體構(gòu)造物200。通過在W公知的方法形成的 磁性體210纏繞導(dǎo)電體220,從而形成磁性體構(gòu)造物200。
[0118] 接著，將中屯、電極20從絕緣體10的通孔12的后端方向D2側(cè)的開口（ W下，稱為"后 部開口 14")插入。如圖1中說明那樣，中屯、電極20被絕緣體10的縮內(nèi)徑部16支承，從而將中 屯、電極20配置在通孔12內(nèi)的規(guī)定位置。
[0119] 接著，W構(gòu)件60、70、75的順序進行對第一導(dǎo)電性密封部60、電阻體70、第二導(dǎo)電性 密封部75各自的材料粉末的投放和對投放后的粉末材料的成形。從通孔12的后部開口 14進 行粉末材料的投放。使用從后部開口 14插入的棒來進行對投放后的粉末材料的成形。材料 粉末被成形為與對應(yīng)的構(gòu)件的形狀大致相同的形狀。
[0120] 接著，將磁性體構(gòu)造物200經(jīng)通孔12的后部開口 14配置在第二導(dǎo)電性密封部75的 后端方向D2側(cè)。然后，在磁性體構(gòu)造物200和絕緣體10的內(nèi)周面IOi之間的間隙填充覆蓋部 290的材料粉末。接著，從通孔12的后部開口 14投放第=導(dǎo)電性密封部80的材料粉末。然后， 將絕緣體10加熱至高于各材料粉末所包含的玻璃成分的軟化點的規(guī)定溫度，在加熱至規(guī)定 溫度的狀態(tài)下，將端子金屬配件40從通孔12的后部開口 14插入到通孔12。其結(jié)果，各材料粉 末被壓縮及燒結(jié)，從而分別形成導(dǎo)電性密封部60、75、80、電阻體70、覆蓋部290。
[0121] 接著，在絕緣體10的外周裝配主體金屬配件50,將接地電極30固定在主體金屬配 件50。接著，使接地電極30彎曲從而完成火花塞。
[0122] B.第二實施方式
[0123] 圖2是第二實施方式的火花塞10化的剖視圖。與圖1所示的第一實施方式的火花塞 100差別僅在于將磁性體構(gòu)造物200替換為磁性體構(gòu)造物20化。火花塞10化的其他結(jié)構(gòu)與圖 1的火花塞100的結(jié)構(gòu)相同。對圖2的要素中的與圖1的要素相同的要素標記相同的附圖標 記，并省略其說明。
[0124] 如圖所示，磁性體構(gòu)造物20化配置在絕緣體10的通孔12內(nèi)的處于電阻體70和端子 金屬配件40之間的部位。在圖2的右部，示出了被覆蓋部29化所覆蓋的狀態(tài)的磁性體構(gòu)造物 200b的立體圖（稱為"第一立體圖Pr)和去除了覆蓋部29化的狀態(tài)的磁性體構(gòu)造物200b的 立體圖（稱為"第二立體圖P2")。為了表示磁性體構(gòu)造物200b的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，第二立體圖P2表 示的是將磁性體構(gòu)造物20化的一部分切除后的狀態(tài)。
[0125] 如圖所示，磁性體構(gòu)造物200b具有磁性體21化、導(dǎo)電體220b。在第二立體圖P2中， 在導(dǎo)電體220b標有剖面線。磁性體2IOb為W中屯、軸線化為中屯、的圓筒狀的構(gòu)件。磁性體 210b的材料可W與圖1的磁性體210的材料同樣地，采用各種磁性材料(例如，含氧化鐵的強 磁性的材料）。
[0126] 導(dǎo)電體22化沿著中屯、軸線化貫穿磁性體21化。導(dǎo)電體22化從磁性體21化的前端方 向D1側(cè)的端部延伸到后端方向D2側(cè)的端部。作為導(dǎo)電體2 20b的材料，可W與圖1的導(dǎo)電體 220的材料同樣地，采用各種導(dǎo)電性材料(例如，主要含儀和銘的合金）。
[0127] 磁性體構(gòu)造物2(K)b的外周面被覆蓋部29化覆蓋。與圖I的覆蓋部290同樣地，覆蓋 部290b為覆蓋磁性體構(gòu)造物20化的圓筒狀的構(gòu)件。覆蓋部29化介于絕緣體10的內(nèi)周面IOi 和磁性體構(gòu)造物20化的外周面之間，由此抑制絕緣體10和磁性體構(gòu)造物20化之間的位置偏 移。作為覆蓋部29化的材料可W與圖1的覆蓋部290的材料同樣地，采用各種材料(例如，棚 娃玻璃等玻璃）。
[0128] 在通孔12內(nèi)，在磁性體構(gòu)造物20化和電阻體70之間配置有與磁性體構(gòu)造物20化及 電阻體70接觸的第二導(dǎo)電性密封部75b。另外，在磁性體構(gòu)造物20化和端子金屬配件40之間 配置有與磁性體構(gòu)造物200b及端子金屬配件40接觸的第S導(dǎo)電性密封部80b。作為導(dǎo)電性 密封部75b、80b各自的材料可W與圖1的導(dǎo)電性密封部75、80各自的材料同樣地，采用各種 導(dǎo)電性材料(例如，包含金屬粒子(化、Fe等）、與電阻體70所包含的玻璃粒子相同的玻璃粒 子的材料）。
[0129] 磁性體構(gòu)造物20化的前端方向Dl側(cè)的端部，即磁性體21化和導(dǎo)電體22化各自的前 端方向Dl側(cè)的端部，借助第二導(dǎo)電性密封部7f5b與電阻體70電連接。另外，磁性體構(gòu)造物 200b的后端方向D2側(cè)的端部，即磁性體2 IOb和導(dǎo)電體22化各自的后端方向D2側(cè)的端部，借 助第立導(dǎo)電性密封部80b與端子金屬配件40電連接。第一導(dǎo)電性密封部60、電阻體70、第二 導(dǎo)電性密封部75b、磁性體構(gòu)造物20化、第立導(dǎo)電性密封部80b形成了將中屯、電極20與端子 金屬配件40電連接的導(dǎo)電路徑。通過使用導(dǎo)電性密封部60、75b、8化，能夠使層疊起來的構(gòu) 件20、60、70、7化、200b、80b、40之間的接觸電阻穩(wěn)定，也能夠使中屯、電極20和端子金屬配件 40之間的電阻值穩(wěn)定。W下，將在通孔12內(nèi)將中屯、電極20與端子金屬配件40連接起來的多 個構(gòu)件60、70、75b、200b、290b、80b整體還被稱為"連接部300b"。
[0130] 如上所述，第二實施方式中，在連結(jié)中屯、電極20和端子金屬配件40的導(dǎo)電路徑的 中途部位配置有磁性體2IOb。因此，能夠抑制因放電而產(chǎn)生的電波噪聲。另外，導(dǎo)電體22化 與磁性體21化并聯(lián)連接。因此，能夠抑制中屯、電極20和端子金屬配件40之間的電阻值變大。 另外，導(dǎo)電體22化埋入于磁性體21化中。即，導(dǎo)電體22化除了兩端外整體被磁性體21化所覆 蓋。因此，能夠抑制導(dǎo)電體22化的破損。例如，能夠抑制振動導(dǎo)致導(dǎo)電體22化斷路。
[0131] 此外，第二實施方式的火花塞IOOb能夠使用與第一實施方式的火花塞100相同的 方法來制造。磁性體構(gòu)造物20化通過將導(dǎo)電體22化插入于W公知的方法形成的磁性體21化 的通孔從而形成。
[0132] C.參考例
[0133] 圖3是參考例的火花塞IOOc的剖視圖。該火花塞IOOc在后述的評價試驗中作為參 考例被使用。與圖1、圖2所示的實施方式的火花塞100、10化的差別在于，省略了磁性體構(gòu)造 物200、200b和第S導(dǎo)電性密封部80、8化。在參考例中，端子金屬配件40c的腿部43c的長度 大于實施方式的腿部43的長度，使得腿部43c的前端方向Dl側(cè)的端部到達電阻體70的附近。 在腿部43c和電阻體70之間配置有與腿部43c及電阻體70接觸的第二導(dǎo)電性密封部75c。作 為第二導(dǎo)電性密封部75c的材料可W采用與上述實施方式的第二導(dǎo)電性密封部75的材料相 同的材料。
[0134] 另外，在圖3中示出有絕緣體IOc的通孔12c中的、收容腿部43c的部分的中途的位 置44(稱為"中途位置44")。通孔12c中的、從中途位置44到后端方向D2側(cè)的部分的內(nèi)徑，略 微大于通孔12c中的、從中途位置44到前端方向Dl側(cè)的部分(特別是，將腿部43的一部分、第 一導(dǎo)電性密封部60、電阻體70和第二導(dǎo)電性密封部75c收容的部分)的內(nèi)徑。但是，兩者的內(nèi) 徑也可W相同。
[0135] 參考例的火花塞IOOc的其他部分的結(jié)構(gòu)與圖1、圖2所示的火花塞100、10化的結(jié)構(gòu) 相同。第一導(dǎo)電性密封部60、電阻體70、第二導(dǎo)電性密封部75c的整體形成在通孔12c內(nèi)將中 屯、電極20和端子金屬配件40c連接起來的連接部300c。運種參考例的火花塞IOOc能夠使用 與實施方式的火花塞100、1〇化相同的方法來制造。
[0136] D.評價試驗：
[0137] D-1.火花塞的樣品的結(jié)構(gòu)：
[0138] 說明采用了火花塞的多種樣品的評價試驗。W下示出的表1表示各樣品各自的結(jié) 構(gòu)和在四個評價試驗中的各評價結(jié)果。
[0139] [表 1]
[0140]
[0141] 在該評價試驗中，評價了結(jié)構(gòu)互不相同的13種樣品。在表中示出了樣品的種類的 編號、表示結(jié)構(gòu)的種類的符號、覆蓋部的有無、電波噪聲特性的評價結(jié)果、耐沖擊特性的評 價結(jié)果、電阻值穩(wěn)定性的評價結(jié)果、耐久性的評價結(jié)果。
[0142] 表示結(jié)構(gòu)的種類的符號和火花塞的結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系如下。
[01創(chuàng) A:圖1的結(jié)構(gòu)
[0144] B:圖2的結(jié)構(gòu)
[0145] C:圖3的結(jié)構(gòu)
[0146] D:在圖1的結(jié)構(gòu)中，將電阻體70和磁性體構(gòu)造物200的配置調(diào)換而成的結(jié)構(gòu)
[0147] E:在圖2的結(jié)構(gòu)中，將電阻體70和磁性體構(gòu)造物20化的配置調(diào)換而成的結(jié)構(gòu)
[0148] F:在圖1的結(jié)構(gòu)中，將磁性體210替換為氧化侶制的同形狀的構(gòu)件而成的結(jié)構(gòu)
[0149] G:在圖2的結(jié)構(gòu)中，將導(dǎo)電體22化替換為化Q的導(dǎo)電體而成的結(jié)構(gòu)
[0150] H:在圖2的結(jié)構(gòu)中，將導(dǎo)電體22化替換為化Q的導(dǎo)電體而成的結(jié)構(gòu)
[0151] I:在圖1的結(jié)構(gòu)中，省略了第S導(dǎo)電性密封部80而成的結(jié)構(gòu)
[0152] J:在圖1的結(jié)構(gòu)中，省略了第二導(dǎo)電性密封部75而成的結(jié)構(gòu)
[0153] K:在圖2的結(jié)構(gòu)中，將導(dǎo)電體22化替換為200 Q的導(dǎo)電體而成的結(jié)構(gòu)
[0154] 此外，如表1所示，覆蓋部290、29化的有無相對于上述的結(jié)構(gòu)A~K獨立地被決定。
[0155] 各結(jié)構(gòu)A~K中共同的結(jié)構(gòu)是如下的結(jié)構(gòu)。
[0156] 1)電阻體70的材料:B203-S i化系的玻璃、作為陶瓷粒子的化化與作為導(dǎo)電性材料 的C的混合物
[0157] 2)磁性體210、21化的材料:Mn化鐵氧體
[0158] 3)導(dǎo)電體220、22化的材料:主要含儀和銘的合金
[0159] 4)導(dǎo)電性密封部60、75、756、80、8化、80(3的材料:82〇3-51〇2系的玻璃與作為金屬粒 子的化的混合物
[0160] 此處，導(dǎo)電體的電阻值為前端方向Dl側(cè)的端部和后端方向D2側(cè)的端部之間的電阻 值。W下，將前端方向Dl側(cè)的端部和后端方向D2側(cè)的端部之間的電阻值稱為"兩端之間的電 阻值"。接著，說明各評價試驗的內(nèi)容和結(jié)果。
[0161] D-2.電波噪聲特性的評價試驗：
[0162] 使用根據(jù)JASO D002-2所規(guī)定的方法測量得到的插入損耗來評價電波噪聲特性。 具體而言，采用在將3號的樣品作為基準的情況下，在300MHz的頻率下的插入損耗的改善值 (單位為地)作為評價結(jié)果。"m(m為OW上且IOW下的整數(shù))"的評價結(jié)果表示，從3號樣品為 基準的插入損耗的改善值為m(地）W上且小于m+1(地）。例如，"5"的評價結(jié)果表示，改善值 為5dBW上且小于6地。改善值為10地W上時，將評價結(jié)果定為"10"。此外，在該評價試驗中， 使用結(jié)構(gòu)相同的五根樣品的插入損耗的平均值來作為各種樣品的插入損耗。作為該五根樣 品采用的是，中屯、電極20和端子金屬配件40、40c之間的電阻值在W化Q為中屯、且幅度在 0.化Q的范圍內(nèi)的五根樣品，即在4.化Q W上且5.3kQ W下的范圍內(nèi)的五根樣品。對于11 號樣品和12號樣品，由于電阻值的偏差較大，無法確保五根樣品的電阻值在上述范圍內(nèi)，因 此省略其評價。
[0163] 如表1所示，將1號樣品和8號樣品進行比較的話，與省略了磁性體210的8號樣品相 比，具有磁性體210的1號樣品評價結(jié)果良好。由此可知，通過設(shè)置磁性體210能夠抑制電波 噪聲。
[0164] 另外，具有線圈狀的導(dǎo)電體220的1號樣品和6號樣品的評價結(jié)果為最優(yōu)良的"10"， 而具有直線狀的導(dǎo)電體22化的2號樣品和7號樣品的評價結(jié)果為低于"10"的"護。由此可知， 通過設(shè)置線圈狀的導(dǎo)電體220能夠大幅度抑制電波噪聲。
[0165] 另外，將1號樣品和4號樣品進行比較的話，與磁性體構(gòu)造物200配置在比電阻體70 靠前端方向Dl側(cè)的4號樣品相比，磁性體構(gòu)造物200配置在比電阻體70靠后端方向D2側(cè)的1 號樣品的評價結(jié)果良好。同樣地，將2號樣品和5號樣品進行比較的話，與磁性體構(gòu)造物20化 配置在比電阻體70靠前端方向Dl側(cè)的5號樣品相比，磁性體構(gòu)造物200b配置在比電阻體70 靠后端方向D2側(cè)的2號樣品的評價結(jié)果良好。由此可知，無論磁性體構(gòu)造物的結(jié)構(gòu)如何，通 過將磁性體構(gòu)造物配置在電阻體的后端方向D2側(cè)，就能夠抑制電波噪聲。
[0166] 另外，如果省略了將磁性體構(gòu)造物200夾住的第二導(dǎo)電性密封部75和第=導(dǎo)電性 密封部80中的至少一者（11號樣品、12號樣品），則難W使中屯、電極20和端子金屬配件40之 間的電阻值穩(wěn)定。另一方面，通過設(shè)置第二導(dǎo)電性密封部75和第=導(dǎo)電性密封部80能夠使 電阻值穩(wěn)定。
[0167] D-3.耐沖擊特性的評價試驗：
[0168] 基于JISB8031:2006的7.4所規(guī)定的耐沖擊性試驗來評價耐沖擊特性的評價 結(jié)果表示，因耐沖擊性試驗而發(fā)生了異常。在沒有因耐沖擊性試驗而發(fā)生異常時，還進行了 追加的30分鐘的振動試驗。然后，算出進行評價試驗之前的電阻值的測量值和進行評價試 驗之后的電阻值的測量值之間的差值。在此，電阻值為中屯、電極20和端子金屬配件40、40c 之間的電阻值。"5"的評價結(jié)果表示，電阻值的差值的絕對值超過了試驗前的電阻值的 10%。"10"的評價結(jié)果表示，電阻值的差值的絕對值為試驗前的電阻值的10% W下。
[0169] 如表1所示，省略了將磁性體構(gòu)造物200夾住的第二導(dǎo)電性密封部75和第=導(dǎo)電性 密封部80中的至少一者的11號樣品和12號樣品的評價結(jié)果為"0"。另一方面，具有將磁性體 構(gòu)造物200、20化夾住的兩個導(dǎo)電性密封部(例如，圖1的導(dǎo)電性密封部75、80)的1號樣品~ 10號樣品W及13號樣品的評價結(jié)果為比11號樣品和12號樣品的評價結(jié)果良好的"5"或 "10"。由此可知，通過利用兩個導(dǎo)電性密封部將磁性體構(gòu)造物200、20化夾住，能夠提高耐沖 擊性。
[0170] 另外，雖然磁性體構(gòu)造物200、20化被兩個導(dǎo)電性密封部所夾住，但不具有覆蓋部 290、29化的6號樣品和7號樣品的評價結(jié)果為可'。另一方面，具有覆蓋部290、29化和夾住磁 性體構(gòu)造物200、20化的兩個導(dǎo)電性密封部的1號樣品~5號樣品、8號樣品~10號樣品、13號 樣品的評價結(jié)果為"10"。由此可知，通過設(shè)置覆蓋部290、290b，能夠大幅度地提高耐沖擊 性。但是，也可W省略覆蓋部290、29化。
[0171] D-4.電阻值穩(wěn)定性的評價試驗：
[0172] 基于中屯、電極20和端子金屬配件40、40c之間的電阻值的標準偏差來評價電阻值 穩(wěn)定性。如上所述地，在連接部(例如，圖1的連接部300)的材料配置在通孔12、12c內(nèi)的狀態(tài) 下加熱絕緣體10，從而制造出在評價試驗中使用的火花塞。通過該加熱，導(dǎo)電性密封部60、 75、75b、75c、80、8化的粉末材料能夠流動。通過該流動，電阻值會發(fā)生偏差。對該偏差的大 小進行評價。具體而言，針對各種樣品中的每一種，制造了結(jié)構(gòu)相同的100根火花塞。然后， 測量中屯、電極20和端子金屬配件40、40c之間的電阻值，并算出測量的電阻值的標準偏差。 "0"的評價結(jié)果表示，標準偏差大于0.8，"5"的評價結(jié)果表示標準偏差大于0.5且為0.8 W 下，"10"的評價結(jié)果表示標準偏差為0.5 W下。
[0173] 如表1所示，省略了將磁性體構(gòu)造物200夾住的第二導(dǎo)電性密封部75和第=導(dǎo)電性 密封部80中的至少一者的11號樣品和12號樣品的評價結(jié)果為"0"。另一方面，具有夾住磁性 體構(gòu)造物200、20化的兩個導(dǎo)電性密封部(例如，圖1的導(dǎo)電性密封部75、80)的1號樣品~10 號樣品、13號樣品的評價結(jié)果為比11號樣品和12號樣品的評價結(jié)果良好的"10"。由此可知， 通過利用兩個導(dǎo)電性密封部將磁性體構(gòu)造物200、200b夾住，能夠大幅度地使電阻值穩(wěn)定 化。
[0174] D-5.耐久性的評價試驗：
[0175] 耐久性表示對放電的耐久性。為了評價該耐久性，將火花塞的樣品連接在汽車用 的晶體管點火裝置，并在W下的條件下進行反復(fù)放電的運轉(zhuǎn)。
[0176] 溫度:攝氏350度
[0177] 施加于火花塞的電壓:20kV
[017引放電周期:3600回/分鐘
[0179] 運轉(zhuǎn)小時：100小時
[0180] 在評價試驗中，進行上述條件下的運轉(zhuǎn)，之后測量中屯、電極20和端子金屬配件40、 40c之間的常溫下的電阻值。并且，在評價試驗后的電阻值小于評價試驗前的電阻值的1.5 倍時，將評價結(jié)果設(shè)為"10"。在評價試驗后的電阻值為評價試驗前的電阻值的1.5倍W上 時，將評價結(jié)果設(shè)為"1"。
[0181] 如表1所示，具有導(dǎo)電體22化的2號樣品的評價結(jié)果為"10"。另外，替代導(dǎo)電體22化 而具有200 Q的導(dǎo)電體的13號樣品的評價結(jié)果為"10"。另外，替代導(dǎo)電體22化而具有化Q的 導(dǎo)電體的10號樣品的評價結(jié)果為"10"。另外，替代導(dǎo)電體22化而具有化Q的導(dǎo)電體的9號樣 品的評價結(jié)果為"1"。此外，導(dǎo)電體22化的兩端之間的電阻值大致為50 0。由此可知，能夠通 過減小磁性體構(gòu)造物的導(dǎo)電體(具體而言，連接在磁性體21化的導(dǎo)電體)的兩端之間的電阻 值，來提高對放電的耐久性。
[0182] 對于能夠通過減小磁性體構(gòu)造物的導(dǎo)電體的兩端之間的電阻值來提高對放電的 耐久性的理由，能夠通過W下方式推測。即，在放電時，由于在連接于磁性體210b的導(dǎo)電體 中流通有電流，因此導(dǎo)電體發(fā)熱。放電時的電流的大小W如下方式被調(diào)整，即：不論火花塞 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如何，實現(xiàn)在間隙g產(chǎn)生適當(dāng)?shù)幕鸹?。因此，?dǎo)電體的兩端之間的電阻值越大，導(dǎo) 電體的溫度變得越高。如果導(dǎo)電體的溫度變高，則導(dǎo)電體的斷路的可能性變大。如果導(dǎo)電體 斷路，則中屯、電極20和端子金屬配件40之間的電阻值會增大。另外，如果導(dǎo)電體的溫度變 高，則磁性體21化的溫度也變高。針對磁性體210b而言，與溫度低的情況相比，在溫度高的 情況下容易損傷(例如，在磁性體21化產(chǎn)生裂紋）。如果磁性體21化受到損傷，則磁性體21化 的兩端之間的電阻值增大，運樣會導(dǎo)致中屯、電極20和端子金屬配件40之間的電阻值增大。 由此，導(dǎo)電體的兩端之間的電阻值越小，越能夠抑制磁性體210b的損傷、導(dǎo)電體的斷路。其 結(jié)果，可W推測為能夠提高對放電的耐久性。另外，在導(dǎo)電體的兩端之間的電阻值較大的情 況下，會產(chǎn)生如下情況，即，由于電流如放電那樣沿著導(dǎo)電體的表面流動，從而產(chǎn)生電波噪 聲。由此可知，優(yōu)選地，磁性體構(gòu)造物的導(dǎo)電體的兩端之間的電阻值較小。
[0183] 得到了耐久性良好的評價結(jié)果"10"的2號樣品、13號樣品、10號樣品各自的導(dǎo)電體 220b的兩端之間的電阻值分別為50 Q、200 Q、lkQ?？蒞將運些值中的任意的值用作導(dǎo)電 體220b的兩端之間的電阻值的優(yōu)選范圍（下限W上且上限W下的范圍）的上限。另外，可W 將運些值中的上限W下的任意的值用作下限。例如，作為導(dǎo)電體22化的兩端之間的電阻值， 可W采用IkQ W下的值。另外，更優(yōu)選地，作為導(dǎo)電體22化的兩端之間的電阻值，可W采用 200 Q W下的值。此外，作為導(dǎo)電體22化的兩端之間的電阻值的優(yōu)選范圍的下限，除了上述 的值之外，可W采用OQ。
[0184] W上使用具有圖2的結(jié)構(gòu)的2號樣品、10號樣品、11號樣品、13號樣品的評價結(jié)果來 進行了說明，由此推測導(dǎo)電體的發(fā)熱和不良情況(導(dǎo)電體的斷路和磁性體的損傷）的產(chǎn)生容 易度之間的關(guān)系不論磁性體構(gòu)造物的結(jié)構(gòu)如何，都是能夠適用的。因此，能夠推測，在具有 圖1的結(jié)構(gòu)的火花塞中，也是線圈狀的導(dǎo)電體220的兩端之間的電阻值越小，越能夠抑制導(dǎo) 電體220的斷路和磁性體210的損傷，其結(jié)果，能夠提高對放電的耐久性。此外，作為線圈狀 的導(dǎo)電體220的材料，優(yōu)選采用鐵系材料、銅等導(dǎo)電性金屬。另外，在考慮耐熱性和成本時， 特別優(yōu)選采用不誘鋼或儀系合金。
[0185] 此外，在放電時，電流不僅流通于導(dǎo)電體220、220b，還流通于磁性體210、210。因 此，為了抑制磁性體210、21化的損傷，優(yōu)選地，作為磁性體210、21化和導(dǎo)電體220、22化的整 體的磁性體構(gòu)造物200、20化的兩端之間的電阻值較小。作為磁性體構(gòu)造物200、20化的兩端 之間的電阻值的優(yōu)選范圍，例如可W采用OQ W上且3kQ W下的范圍。但是，也可W采用大 于3kQ的值。另外，得到了耐久性良好的評價結(jié)果的2號樣品、13號樣品、10號樣品的導(dǎo)電體 的兩端之間的電阻值分別為50Q、200Q、lkQ?？紤]到采用運樣的導(dǎo)電體，從而可W將運些 兩端之間的電阻值中的任意的值用作磁性體構(gòu)造物200、200b的兩端之間的電阻值的優(yōu)選 范圍（下限W上、上限W下的范圍）的上限。另外，可W將運些值中的上限W下的任意的值用 作下限。例如，作為磁性體構(gòu)造物200、200b的兩端之間的電阻值，可W采用IkQ W下的值。 另外，更優(yōu)選地，作為磁性體構(gòu)造物200、200b的兩端之間的電阻值，可W采用200 Q W下的 值。此外，作為磁性體構(gòu)造物200、20化的兩端之間的電阻值的優(yōu)選范圍的下限，除了上述的 值之外，可W采用OQ。
[0186] 另外，為了抑制磁性體構(gòu)造物200、20化的發(fā)熱，優(yōu)選地，導(dǎo)電體220、22化的兩端之 間的電阻值低于磁性體210、210b的兩端之間的電阻值。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過在磁性體210、 21化連接導(dǎo)電體220、22化，能夠減小磁性體構(gòu)造物200、20化的兩端之間的電阻值。其結(jié)果， 能夠抑制磁性體構(gòu)造物200、200b的發(fā)熱。此外，在上述的1號樣品~13號樣品的各樣品中， 磁性體210、21化的兩端之間的電阻值均是數(shù)kQ，大于導(dǎo)電體(例如，導(dǎo)電體220、22化)的兩 端之間的電阻值。并且，如表1所示，1號樣品~8號樣品、10號樣品、13號樣品示出了耐久性 的良好的評價結(jié)果。
[0187] 另外，如表1所示，省略了將磁性體構(gòu)造物200夾住的第二導(dǎo)電性密封部75和第= 導(dǎo)電性密封部80中至少一者的11號樣品和12號樣品的評價結(jié)果為"1"。得到了良好的"10" 的評價結(jié)果的1號樣品至8號樣品、10號樣品、13號樣品均具有夾住磁性體構(gòu)造物200、20化 的兩個導(dǎo)電性密封部(例如，圖1的導(dǎo)電性密封部75、80)。由此可知，通過利用兩個導(dǎo)電性密 封部將磁性體構(gòu)造物200、20化夾住，能夠提高對放電的耐久性。
[0188] 此外，作為測量設(shè)在火花塞的磁性體構(gòu)造物的兩端之間的電阻值的方法，可W采 用W下的方法。W下，W圖1及圖2的火花塞lOOaOOb為例進行說明。首先，從絕緣體10取下 主體金屬配件50,然后，利用金剛石刀片等切削工具來切斷絕緣體10,并取出配置在通孔12 內(nèi)的連接部300、30化。接著，利用錯子等切削工具，將與磁性體構(gòu)造物200、20化接觸的導(dǎo)電 性密封部從磁性體構(gòu)造物200、200b取下。接著，在通過CT掃描觀察與磁性體構(gòu)造物200、 20化接觸的覆蓋部290、29化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)后，利用切斷、研磨將該部分磨削掉，從而將覆蓋部 290、29化從磁性體構(gòu)造物200、20化取下。通過使電阻值測量器的測量頭與通過上述方式得 到的磁性體構(gòu)造物200、20化的前端方向Dl側(cè)的端部和后端方向D2側(cè)的端部接觸，來測量兩 端之間的電阻值。
[0189] 另外，作為測量磁性體構(gòu)造物的導(dǎo)電體的兩端之間的電阻值的方法，可W采用W 下的方法。即，使用錯子等切削工具，從通過上述的方法得到的磁性體構(gòu)造物200、20化取出 磁性體210、21化，從而取得導(dǎo)電體220、22化。通過使電阻值測量器的測量頭與得到的導(dǎo)電 體220、220b的前端方向Dl側(cè)的端部和后端方向D2側(cè)的端部接觸，來測量兩端之間的電阻 值。
[0190]另外，作為測量磁性體構(gòu)造物的磁性體的兩端之間的電阻值的方法，可W采用W 下的方法。即，通過CT掃描觀察通過上述的方法得到的磁性體構(gòu)造物200、20化的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 后，利用切斷、研磨對該部分進行磨削，通過使電阻值測量器的測量頭與通過上述方式得到 的磁性體210、21化的前端方向Dl側(cè)的端部和后端方向D2側(cè)的端部接觸，從而測量兩端之間 的電阻值。
[0191 ]存在磁性體構(gòu)造物、導(dǎo)電體、磁性體各自的前端方向D1側(cè)的端部和后端方向D2側(cè) 的端部中的至少一個端部為面的情況。此時，采用使測量頭接觸于該面上的任意的位置而 得到的最小的兩端之間的電阻值。
[0192] E.第S實施方式：
[0193] E-1.火花塞的結(jié)構(gòu)：
[0194] 圖4是第S實施方式的火花塞IOOd的剖視圖。在第S實施方式中，替代圖1、圖2所 示的實施方式的磁性體構(gòu)造物200、200b，設(shè)置了磁性體構(gòu)造物200d。在圖4的右部，示出了 磁性體構(gòu)造物200d的立體圖。磁性體構(gòu)造物200d為將中屯、軸線化作為中屯、的大致圓柱狀的 構(gòu)件。在絕緣體1 Od的通孔12d內(nèi)，從前端方向D1側(cè)朝向后端方向D2去依次配置有中屯、電極 20的后端方向D2側(cè)的部分、第一導(dǎo)電性密封部60d、電阻體70d、第二導(dǎo)電性密封部75d、磁性 體構(gòu)造物200d、第=導(dǎo)電性密封部80d、端子金屬配件40d的腿部43d。磁性體構(gòu)造物200d配 置在電阻體70d的后端方向D2側(cè)。而且，構(gòu)件60(1、70(1、75(1、200(1、80(1的整體形成了在通孔 12d內(nèi)將中屯、電極20和端子金屬配件40d連接起來的連接部300d。第S實施方式的火花塞 1 OOd的其他部分的結(jié)構(gòu)與圖1、圖2所示的火花塞100、10化的結(jié)構(gòu)大致相同。在圖4中，對于 第S實施方式的火花塞IOOd的其他部分，標記了與圖1、圖2的火花塞100、10化的相應(yīng)部分 的同樣附圖標記，并省略其說明。
[01M]圖5是磁性體構(gòu)造物200d的說明圖。在圖5的左上部示出了磁性體構(gòu)造物200d的立 體圖。該立體圖示出了一部分被切斷了的磁性體構(gòu)造物200d。圖中的截面900是磁性體構(gòu)造 物200d被包括中屯、軸線化的平面剖切所形成的截面。在圖5的中央上部示出了將截面900上 的局部800放大后的示意圖（W下，稱為"對象區(qū)域800")。對象區(qū)域800為W中屯、軸線化為中 屯、線的矩形區(qū)域，其矩形形狀由平行于中屯、軸線化的兩邊和垂直于中屯、軸線化的兩邊所構(gòu) 成。對象區(qū)域800的形狀為W中屯、軸線化為對稱軸的線對稱的形狀。圖中的第一長度La為垂 直于對象區(qū)域800的中屯、軸線化的方向上的長度，第二長度化為平行于對象區(qū)域800的中屯、 軸線化的方向上的長度。在此，第一長度La為1.5mm，第二長度化為2.0mm。
[0196] 如圖所示，對象區(qū)域800(即，磁性體構(gòu)造物200d的截面)包括陶瓷區(qū)域810和導(dǎo)電 區(qū)域820。導(dǎo)電區(qū)域820由多個粒狀區(qū)域825構(gòu)成（W下，稱為"導(dǎo)電粒子區(qū)域825"，或者，也簡 單稱為"粒子區(qū)域825")。
[0197] 導(dǎo)電區(qū)域820由導(dǎo)電性物質(zhì)所形成。作為導(dǎo)電性物質(zhì)，例如，可W采用碳、含碳化合 物（例如，TiC)、巧鐵礦型氧化物(例如，LaMn化）、金屬（例如，Cu)等。如圖所示，通過使多個 導(dǎo)電粒子區(qū)域825彼此相接，從而形成從后端方向D2側(cè)向前端方向Dl側(cè)延伸的電流的路徑。 運樣的多個導(dǎo)電粒子區(qū)域825可W通過使用作為磁性體構(gòu)造物200d的材料的導(dǎo)電性物質(zhì)的 粉末來形成。例如，材料的粉末所含有的導(dǎo)電性物質(zhì)的一個粒子能夠形成一個導(dǎo)電粒子區(qū) 域825。另外，材料的粉末所含有的導(dǎo)電性物質(zhì)的多個粒子能夠通過彼此粘結(jié)在一起，從而 形成一個導(dǎo)電粒子區(qū)域825。
[0198] 一個導(dǎo)電粒子區(qū)域825表示導(dǎo)電性物質(zhì)的一個立體的粒子狀的部分的截面。另外， 在對象區(qū)域800(即，截面900)上可W將兩個導(dǎo)電粒子區(qū)域825分開地配置，對此省略了圖 示。像運樣，有時在對象區(qū)域800上彼此分開的兩個導(dǎo)電粒子區(qū)域825表示在比對象區(qū)域800 靠里側(cè)或靠跟前側(cè)的位置彼此相接的兩個立體的粒子狀的部分的截面。像運樣，在對象區(qū) 域800上，彼此相接的或彼此分開的多個導(dǎo)電粒子區(qū)域825能夠形成從后端方向D2側(cè)向前端 方向Dl側(cè)延伸的電流的路徑。在放電時，電流經(jīng)由多個導(dǎo)電粒子區(qū)域825而流通于磁性體構(gòu) 造物200d。
[0199] 陶瓷區(qū)域810由包含磁性體和陶瓷的混合材料形成。作為磁性體，例如可W采用含 鐵氧化物(例如，F(xiàn)e2〇3)。另外，作為陶瓷，例如可W采用含娃(Si)、棚(B)、憐(P)中的至少一 種的陶瓷。作為運樣的陶瓷，例如可W采用第一實施方式中說明的玻璃。作為玻璃，例如可 W采用含有從二氧化娃(Si〇2)、棚酸(B205)、憐酸(P2〇5)中任意選擇的一個W上的氧化物的 物質(zhì)。
[0200] 如圖所示，多個導(dǎo)電粒子區(qū)域825被含有磁性體的陶瓷區(qū)域810所包圍。即，電流的 路徑被磁性體所包圍。當(dāng)磁性體配置在導(dǎo)電路徑的附近時，會抑制因放電而產(chǎn)生的電波噪 聲。例如，通過使導(dǎo)電路徑發(fā)揮電感元件的功能，從而能夠抑制電波噪聲。另外，由于導(dǎo)電路 徑的阻抗變大，因此能夠抑制電波噪聲。
[0201] 在圖5的中央下部示出了一個粒子區(qū)域825。距離Lm為粒子區(qū)域825的最大粒徑(稱 為"最大粒徑Lm")。一個粒子區(qū)域825的最大粒徑Lm為，未自粒子區(qū)域825突出的情況下將粒 子區(qū)域825的邊緣和邊緣之間連結(jié)的線段中最長線段的長度。多個粒子區(qū)域825各自的最大 粒徑Lm較大意味著電流的路徑較粗。電流路徑越粗，電流路徑的耐久性越良好。因此，對象 區(qū)域800所包含的多個粒子區(qū)域825中，具有較大的最大粒徑Lm(例如，200wiiW上的最大粒 徑Lm)的導(dǎo)電粒子區(qū)域825的數(shù)量的比例越大，越能夠提高電流路徑甚至磁性體構(gòu)造物200d 的耐久性。
[0202] 此外，在對象區(qū)域800上，兩個粒子區(qū)域825相接時會存在兩個粒子區(qū)域825的界線 不清楚的時候。在運種情況下，可W W如下方式特定界線。在圖5的右下部示出了彼此相接 的兩個粒子區(qū)域825的接觸部分830的放大圖。在界線不清楚時，接觸部分830由陶瓷區(qū)域 810的彼此相對的兩個突出部812a、812b所形成。將連接該兩個突出部812a、812b的最短的 直線化用作界線即可。然后，能夠利用界線化特定上述的最大粒徑Lm。
[0203] 另外，陶瓷區(qū)域810可W通過使用作為磁性體構(gòu)造物200d的材料的磁性體的粉末 和陶瓷的粉末來形成。因此，在對象區(qū)域800上，且是在陶瓷區(qū)域810內(nèi)會形成氣孔。在圖5的 左下部，示出了陶瓷區(qū)域810的放大圖。如圖所示，在陶瓷區(qū)域810內(nèi)產(chǎn)生了氣孔812。在火花 塞IOOd的放電時，在氣孔812內(nèi)也會產(chǎn)生局部的放電。由于在氣孔812內(nèi)產(chǎn)生局部放電，因此 可能會導(dǎo)致磁性體構(gòu)造物200d劣化，另外，還可能會產(chǎn)生電波噪聲。因此，優(yōu)選地，氣孔812 相對于磁性體構(gòu)造物200d的比例(例如，氣孔812的面積相對于從對象區(qū)域800去除導(dǎo)電區(qū) 域820后剩余的區(qū)域的面積的比例)較小。
[0204] E-2.制造方法：
[0205] 具有磁性體構(gòu)造物200d的火花塞IOOd可W通過與第一實施方式中說明的制造方 法相同的順序來進行制造。絕緣體IOd的通孔12d內(nèi)的構(gòu)件如下。準備導(dǎo)電性密封部60d、 75d、80d各自的材料粉末、電阻體70d的材料粉末、磁性體構(gòu)造物200d的材料粉末。作為導(dǎo)電 性密封部60d、75d、80d和電阻體70d各自的材料粉末，可W采用與第一實施方式中說明的導(dǎo) 電性密封部60、75、80 W及電阻體70各自的材料粉末相同的材料粉末。例如W如下方式準備 磁性體構(gòu)造物200d的材料粉末。通過混合磁性體的粉末和陶瓷的粉末而準備混合物。通過 將導(dǎo)電性物質(zhì)的粉末混合于該混合物，從而準備磁性體構(gòu)造物200d的材料粉末。
[0206] 接著，與第一實施方式的制造方法同樣地，在通孔12d內(nèi)的、被縮內(nèi)徑部16支承的 規(guī)定位置配置中屯、電極20。然后，W構(gòu)件60(1、70(1、75(1、200(1、80(1運樣的順序，進行對第一導(dǎo) 電性密封部60d、電阻體70d、第二導(dǎo)電性密封部75d、磁性體構(gòu)造物200d、第S導(dǎo)電性密封部 80d各自的材料粉末的向通孔12d的投放W及對投放后的粉末材料的成形。從通孔12d的后 部開口 14進行粉末材料的投放。使用從后部開口 14插入的棒來進行對投放后的粉末材料的 成形。材料粉末被成形為與對應(yīng)構(gòu)件大致相同的形狀。
[0207] 然后，將絕緣體IOd加熱至高于各材料粉末所含有的玻璃成分的軟化點的規(guī)定溫 度，并在加熱至規(guī)定溫度的狀態(tài)下，將端子金屬配件40d從通孔12d的后部開口 14插入到通 孔12d。其結(jié)果，各材料粉末被壓縮、燒結(jié)，從而分別形成了導(dǎo)電性密封部60(1、75(1、80(1、電阻 體70d、磁性體構(gòu)造物200d。此外，本實施方式中，絕緣體IOd被加熱至磁性體構(gòu)造物200d的 材料中所含有的導(dǎo)電性物質(zhì)的材料粉末不會烙融的程度的溫度。因此，多個導(dǎo)電粒子區(qū)域 825(圖5)大致是點接觸。
[020引F.評價試驗：
[0209] F-1.概要
[0210] 對于使用了第=實施方式的火花塞IOOd的多種樣品的評價試驗進行說明。W下示 出的表2、表3表示各樣品各自的結(jié)構(gòu)、評價試驗的結(jié)果。
[0211] [表 2]
[0212]
[0別；3][表 3]
[0214]
[0215] 在該評價試驗中，對磁性體構(gòu)造物200d的內(nèi)部結(jié)構(gòu)彼此不同的A-I號樣品~A-30 號樣品、B-I號樣品~B-5號樣品等35種樣品進行了評價。表2、表3表示樣品的編號、磁性體 構(gòu)造物200d的內(nèi)部結(jié)構(gòu)（在此為導(dǎo)電性物質(zhì)的結(jié)構(gòu)、含鐵氧化物的組成、陶瓷所含有的元 素、氣孔率）、耐久性試驗前后的噪聲試驗的結(jié)果。此外，就各火花塞IOOd的結(jié)構(gòu)中的、除了 磁性體構(gòu)造物200d的內(nèi)部結(jié)構(gòu)W外的部分的結(jié)構(gòu)而言，35種樣品之間是相同的。例如，磁性 體構(gòu)造物200d的形狀在35種樣品之間大致相同。磁性體構(gòu)造物200d的外徑（即，通孔12d的、 收容磁性體構(gòu)造物200d的部分的內(nèi)徑)為3.9mm。
[0216] 作為導(dǎo)電性物質(zhì)的結(jié)構(gòu)，示出了導(dǎo)電性物質(zhì)的組成、占有率、大粒子率。導(dǎo)電性物 質(zhì)的組成是由導(dǎo)電性物質(zhì)的材料所特定的。占有率為對象區(qū)域800內(nèi)的導(dǎo)電區(qū)域820的整個 面積相對于圖5所示的對象區(qū)域800的整個面積的比例。占有率通過W下的方式算出。利用 包括中屯、軸化的平面切斷樣品的磁性體構(gòu)造物200d，對磁性體構(gòu)造物200d的截面進行了鏡 面研磨。然后，通過電子探針顯微分析儀化PMA)，對包括與截面上的對象區(qū)域800(圖5)對應(yīng) 的1.5mm X 2 . Omm的區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域進行了分析。EPMA分析的條件如下。即，加速電壓為 15.OkV,工作距離(working dis化nce)為11.0mm，光束直徑為50皿。利用將通過該EPMA分析 檢測出的導(dǎo)電性物質(zhì)的元素的部分用作導(dǎo)電區(qū)域820的圖像處理，從而特定導(dǎo)電區(qū)域820。 通過該圖像處理，得到了圖5的中央上部的對象區(qū)域800所示那樣的表示導(dǎo)電區(qū)域820的圖 像。通過分析該圖像來算出了占有率。
[0217] 大粒子率為，具有200皿W上的最大粒徑Lm的粒子區(qū)域825的總數(shù)相對于對象區(qū)域 800(圖5)內(nèi)的粒子區(qū)域825的總數(shù)的比例。利用由上述的EPMA分析及圖像處理而特定的導(dǎo) 電區(qū)域820,來特定對象區(qū)域800內(nèi)的多個粒子區(qū)域825。此外，在一個粒子區(qū)域825只有一部 分位于對象區(qū)域800內(nèi)時，即，一個粒子區(qū)域825的一部分伸出到對象區(qū)域800之外時，將該 粒子區(qū)域825作為對象區(qū)域800內(nèi)的粒子區(qū)域825,從而對粒子區(qū)域825的數(shù)量進行計算。
[0218] 含鐵氧化物的組成是由磁性體構(gòu)造物200d的材料所特定的。
[0219] 陶瓷所含有的元素是由陶瓷材料(在本評價試驗中，非晶質(zhì)的玻璃的材料)所含有 的元素所特定的。表2、表3中示出了氧W外的其他元素。例如，在將"Si〇2"用作陶瓷材料時， 省略對氧(0)的表記而是示出了 "Si"。另外，在陶瓷材料可W追加各種添加成分。表2、表3中 還示出了運樣的添加成分的元素(例如，化、化）。此外，陶瓷區(qū)域810所含有的元素也能夠通 過EPM分析來特定。
[0220] 氣孔率為氣孔812(圖5)的面積在從對象區(qū)域800中去掉導(dǎo)電區(qū)域820后剩余的區(qū) 域的面積中的比例。氣孔率通過W下的方式算出。關(guān)于與在EPMA分析中使用的研磨面相同 研磨面，利用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝出與在EPMA分析中使用的對象區(qū)域800(圖5)相同 的區(qū)域的圖像。使用圖像分析軟件（Soft Imaging System GmbH公司制造的Analysis Five)將得到的SEM圖像二值化。二值化的闊值設(shè)定為如下。
[0221] (1)確認SEM圖像中的二次電子像及背散射電子像，在背散射電子像的濃顏色的邊 界(相當(dāng)于晶粒界面)劃線，明確晶粒界面的位置。
[0222] (2)為了改善背散射電子像的圖像，在保持晶粒界面的邊緣的同時使背散射電子 像的圖像變得平滑。
[0223] (3)從背散射電子像的圖像，制作出了橫軸表示亮度且縱軸表示頻度的圖表。得到 的圖表為雙峰狀的圖表。將該兩個峰的中間點的亮度設(shè)定為二值化的闊值。
[0224] 通過運樣的二值化，使得陶瓷區(qū)域810內(nèi)的氣孔812被特定。另外，通過EPMA分析進 行對沈M圖像的陶瓷區(qū)域810和導(dǎo)電區(qū)域820的區(qū)分。然后，算出氣孔812的面積相對于從對 象區(qū)域800去掉導(dǎo)電區(qū)域820后剩余的區(qū)域的面積的比例，作為氣孔率。
[0225]此外，作為分析磁性體構(gòu)造物200d的截面的圖像而得到數(shù)值(例如，占有率、大粒 子率、氣孔率），采用從10張截面圖像中得到的10個值的平均值。通過利用在相同條件下制 造的相同種類的10個樣品的10個截面，拍攝了一個種樣品的10張截面圖像。
[0。6] 在噪聲試驗中，根據(jù)JAS0D002-2(日本汽車標準組織D-002-2)的"汽車-電波噪聲 特性-第二部:防止器的測量方法電流法"測量了噪聲的強度。具體而言，將火花塞的樣品的 間隙g的距離調(diào)整為0.9mm ± 0.0 Imm，對樣品施加從13kV到16kV的范圍內(nèi)的電壓并使其放 電。然后，在放電時，利用電流測量頭測量在端子金屬配件40d流通的電流，并且為了作比較 而將測量得到的值換算為地。作為噪聲，測量出30MHz、100MHz、300MHz、500MHz運四種頻率 的噪聲。表中的數(shù)值表示噪聲相對于規(guī)定的基準而言的強度。數(shù)值越大，噪聲越強。"耐久 前"表示進行后述的耐久性試驗之前的噪聲試驗的結(jié)果，"耐久后"表示進行耐久性試驗后 的噪聲試驗的結(jié)果。耐久性試驗在攝氏200度的環(huán)境下W20kV的放電電壓使火花塞的樣品 放電400小時的試驗。通過運樣的耐久性試驗，會使磁性體構(gòu)造物200d劣化。由于磁性體構(gòu) 造物200d發(fā)生劣化，因而能夠使"耐久后"噪聲變得比"耐久前"的噪聲強。
[0227]此外，如表2、表3所示，無論耐久前還是耐久后，頻率越高，噪聲強度越小。
[022引F-2.關(guān)于導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率：
[0229] 在表2的A-I號樣品~A-6號樣品中，導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率在35% W上且65% W下 的范圍內(nèi)。對于運樣的A-I號樣品~A-6號樣品而言，在耐久前能夠?qū)崿F(xiàn)針對所有的頻率均 為76地W下運樣的足夠小的噪聲強度。另外，即使在耐久后，針對所有的頻率，噪聲強度也 均為86地W下，能夠抑制噪聲的增大。即，能夠?qū)崿F(xiàn)磁性體構(gòu)造物200d的良好的耐久性。另 夕h針對所有的頻率而言，因耐久性試驗而導(dǎo)致的噪聲強度的增大量在9地W上且IldBW下 的范圍內(nèi)。
[0230] 表3的B-I號樣品的導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率為小于A-I號樣品~A-6號樣品的占有率 的34% (大粒子率為55%)。無論是耐久前還是耐久后，在頻率相同的情況下，B-I號樣品的 噪聲強度均大于A-I號樣品~A-6號樣品中的任意的樣品的噪聲強度。此外，在頻率相同的 情況下，B-I號樣品和A-I號樣品~A-6號樣品中的任意的樣品之間的噪聲強度的差值，在耐 久自Ll是3dBW上，在耐久后是7dBW上。
[0231] 另外，在B-I號樣品中，因耐久性試驗而導(dǎo)致的噪聲強度的增大量為15地(30MHZ， 100MHZ)、16地(300MHZ、500MHZ)。在頻率相同的情況下，與B-I號樣品的增大量（15地、16地） 相比，A-I號樣品~A-6號樣品的增大量(9地、10地、11地)小了大致5地。即，與具有比較小的 占有率的B-I號樣品相比，具有比較大的占有率的A-I號樣品~A-6號樣品能夠?qū)崿F(xiàn)良好的 耐久性。推測其理由如下：與占有率較小時相比，占有率較大時利用導(dǎo)電區(qū)域820(圖5)形成 的電流的路徑較粗，另外，利用導(dǎo)電區(qū)域820形成的電流的路徑變多。
[0232] 表3的B-2號樣品的導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率為大于A-I號樣品~A-6號樣品的占有率 的67% (大粒子率為52%)。耐久前，在頻率相同的情況下，B-2號樣品的噪聲強度大于B-I號 樣品、A-I號樣品至A-6號樣品的任意的樣品的噪聲強度。耐久后，在頻率相同的情況下，B-2 號樣品的噪聲強度與B-I號樣品的噪聲強度大致相同，并且，大于A-I號樣品~A-6號樣品的 任意的樣品的噪聲強度。像運樣，與具有比較大的占有率的B-2號樣品相比，具有比較小的 占有率的A-巧樣品~A-6號樣品能夠抑制噪聲。推測其理由為，導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率越小， 導(dǎo)電路徑的周圍的磁性體(此處，含鐵氧化物)的分布區(qū)域變得越大。
[0233] 能夠抑制噪聲且實現(xiàn)了良好的耐久性的A-I號樣品~A-6號樣品的導(dǎo)電性物質(zhì)的 占有率為35、48、52、58、61、65(%)?？蒦將運6個值中的任意值用作占有率的優(yōu)選范圍（下 限W上且上限W下的范圍）的上限。另外，可W將運些值中的上限W下的任意值用作下限。 例如，作為占有率可W采用35% W上且65% W下的值。
[0234] 作為調(diào)整占有率的方法可W采用任意的方法。例如，可通過增大磁性體構(gòu)造物 200d的材料中的導(dǎo)電性物質(zhì)的比例(重量百分比）來增大占有率。
[0235] F-3.關(guān)于大粒子率：
[0236] 在表2的A-I號樣品~A-6號樣品中，導(dǎo)電性物質(zhì)的大粒子率為40% W上。并且，如 上所述地，A-I號樣品~A-6號樣品能夠抑制噪聲且能夠?qū)崿F(xiàn)良好的耐久性。表3的B-4號樣 品的導(dǎo)電性物質(zhì)的大粒子率為小于A-I號樣品~A-6號樣品的大粒子率的39% (占有率為 61% )。無論是耐久前還是耐久后，在頻率相同的情況下，B-2號樣品的噪聲強度大于A-I號 樣品~A-6號樣品中的任意的樣品的噪聲強度。此外，無論是耐久前還是耐久后，在頻率相 同的情況下，在A-I號樣品~A-6號樣品中的任意的樣品和B-4號樣品之間，噪聲強度的差值 為9dBW上。
[0237] 另外，在B-4號樣品中，因耐久性試驗而導(dǎo)致的噪聲強度的增大量分別為15dB (30MHz )、11 地（IOOMHz )、12地（300MHz )、13地巧OOMHz)。在30MHz、300MHz、500MHz 中，在頻率 相同的情況下，A-I號樣品~A-6號樣品中的任意的樣品的增大量小于B-4號樣品的增大量。 在IOOMHz的情況下，A-3號樣品和A-6號樣品的增大量（11地)與B-4號樣品的增大量相同，A-1號樣品、A-2號樣品、A-4號樣品、A-5號樣品中的任意的樣品的增大量小于B-4號樣品的增 大量（11地）。像運樣，與具有比較小的大粒子率的B-4號樣品相比，具有比較大的大粒子率 的A-I號樣品~A-6號樣品能夠?qū)崿F(xiàn)良好的耐久性。推測其理由如下：與大粒子率較小時相 比，在大粒子率較大時，由導(dǎo)電區(qū)域820(圖5)所形成的電流的路徑會變粗。
[0238] 能夠抑制噪聲且實現(xiàn)了良好的耐久性的A-I號樣品~A-6號樣品的導(dǎo)電性物質(zhì)的 大粒子率分別為40、45、51、55、77、92( % )?？蒞將運6個值中的任意的值用作大粒子率的優(yōu) 選范圍（下限W上且上限W下的范圍）的上限。另外，可W將運些值中的上限W下的任意的 值用作下限。例如，作為大粒子率可W采用40% W上且92% W下的值。此外，可W推測為，即 使在大粒子率為更大的值(例如，100%)時，也能夠通過將導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率設(shè)定在上述 優(yōu)選的范圍內(nèi)，從而抑制噪聲。因此，作為大粒子率的優(yōu)選范圍的上限，也可W采用100%。 例如，作為大粒子率可W采用40% W上的任意的值。
[0239] 作為調(diào)整大粒子率的方法，可W采用任意的方法。例如，能夠通過使導(dǎo)電性物質(zhì)的 材料粉末的粒徑變大，從而增大大粒子率。另外，在將導(dǎo)電性物質(zhì)的材料粉末與其他材料混 合之前，可W在導(dǎo)電性物質(zhì)的材料粉末中添加并混合粘合劑。運樣的話，導(dǎo)電性物質(zhì)的多個 粒子借助粘合劑互相粘合，由此能夠形成具有較大直徑的粒子狀的部分。其結(jié)果，能夠使大 粒子率增大。
[0240] F-4.關(guān)于導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率、大粒子率、磁性體構(gòu)造物200d的材料：
[0241] 能夠抑制噪聲且實現(xiàn)了良好的耐久性的A-I號樣品~A-6號樣品采用了 W下的材 料。作為磁性體構(gòu)造物200d的導(dǎo)電性物質(zhì)，能夠使用從碳(C)、作為碳化合物的化3C2、TiC、作 為巧鐵礦型氧化物的SrTi化，SrCr〇3、作為金屬的鐵(Ti)中選擇的材料。作為磁性體構(gòu)造物 200d的磁性體，能夠使用從作為氧化鐵的Fe2〇3Je3化、FeO、作為尖晶石型鐵氧體的(NiJn) 化2〇4W及作為六方晶鐵氧體的BaFei2〇i9、Sr化12化9中選擇的材料。磁性體構(gòu)造物200d的陶 瓷含有娃(Si)、棚(B)和憐(P)中的至少一種。
[0242] -般而言，大多數(shù)情況下，與第一材料種類相同的第二材料具有與第一材料相同 的特性。因此，可W推測為，在替代磁性體構(gòu)造物200d的上述的材料而使用相同種類的其他 材料時，也能夠應(yīng)用導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率的上述的優(yōu)選范圍和大粒子率的上述的優(yōu)選范 圍。例如，可W推測為，在磁性體構(gòu)造物200d具有W下的結(jié)構(gòu)Zl~結(jié)構(gòu)Z3時，能夠應(yīng)用占有 率的優(yōu)選范圍和大粒子率的優(yōu)選范圍。
[0243] [結(jié)構(gòu)Zl]磁性體構(gòu)造物200d包括作為導(dǎo)電體的導(dǎo)電性物質(zhì)。
[0244] [結(jié)構(gòu)Z2]磁性體構(gòu)造物200d包括作為磁性體的含鐵氧化物。
[0245] [結(jié)構(gòu)Z3]磁性體構(gòu)造物200d包括含娃(Si)、棚(B)和憐(P)中的至少一種的陶瓷。
[0246] 在此，優(yōu)選的是，磁性體構(gòu)造物200d所含有的導(dǎo)電性物質(zhì)包括碳、碳化合物、巧鐵 礦型氧化物、金屬中的至少一種。但是，也可W采用其他導(dǎo)電性物質(zhì)。
[0247] F-5.關(guān)于巧鐵礦型氧化物的種類：
[0248] 表2的A-7號樣品~A-14號樣品為使用各種巧鐵礦型氧化物作為導(dǎo)電性物質(zhì)的樣 品。具體而言，W從A-7號樣品到A-14號樣品的順序，導(dǎo)電性物質(zhì)為LaMn〇3、La化〇3、LaCo化、 LaFe化、NdMn化、PrMn化、孔Mn化、YMn化。運些氧化物用一般式AB化來表示。開頭的元素 A (例 如，LaMn化的"La")表示A位點的元素，接著的元素 B (例如，LaMn化的"Mn")表示B位點的元素。 在結(jié)晶構(gòu)造沒有變形的立方晶的情況下，B位點為6配位的位點，被由氧構(gòu)成的八面體所包 圍，A位點為12配位的位點。
[0249] 此外，A-7號樣品~A-14號樣品的導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率為39% W上且64% W下。另 夕h大粒子率為40%^上。按照樣品編號的順序，磁性體為（化、211作62〇4、化。62〇4少62〇3、 (化、化炸62〇4、（]?11、211炸62〇4、8日2(：02尸612〇22、（化、211)化2〇4、加化2〇4。并且，磁性體構(gòu)造物200(1 的陶瓷含Si、B、P中的至少一種。
[0250] 如表2所示，無論是耐久前還是耐久后，在頻率相同的情況下，A-7號樣品~A-14號 樣品的噪聲強度小于A-I號樣品~A-6號樣品中的任意的樣品的噪聲強度。像運樣，通過使 用A-7號樣品~A-14號樣品的巧鐵礦型氧化物作為導(dǎo)電性物質(zhì)，能夠進一步抑制噪聲。
[0251] 另外，A-7號樣品~A-14號樣品中，因耐久性試驗而導(dǎo)致的噪聲的增大量為6dB或 7dB。另一方面，上述的A-I號樣品~A-6號樣品中，因耐久性試驗而導(dǎo)致的噪聲的增大量為 9地W上且11地W下，大于A-7號樣品~A-14號樣品的增大量。像運樣，通過使用A-7號樣品 ~A-14號樣品的巧鐵礦型氧化物作為導(dǎo)電性物質(zhì)，能夠提高磁性體構(gòu)造物200d的耐久性。 推測其理由為，A-7號樣品~A-14號樣品的巧鐵礦型氧化物為電阻較小且穩(wěn)定的氧化物。
[0252] 此外，在A-4號樣品和A-5號樣品之間，巧鐵礦型氧化物的A位點的元素同樣為Sr,B 位點的元素彼此不同（Ti和Cr)。在運樣的A-4號樣品和A-5號樣品之間，在頻率相同的情況 下，耐久前的噪聲強度的差較小(2dBW下），而且，在頻率相同的情況下，耐久后的噪聲強度 的差也較小（2dBW下）。即，A位點的元素相同的A-4號樣品和A-5號樣品能夠?qū)崿F(xiàn)相同程度 的噪聲抑制的能力和相同程度的耐久性。
[025引另外，在A-7號樣品~A-IO號樣品之間，A位點的元素都是La,B位點的元素彼此不 同(Mn、化、Co、Fe)。在運樣的A-7號樣品~A-IO號樣品之間，在頻率相同的情況下，耐久前的 噪聲強度的差較?。?dBW下），而且，在頻率相同的情況下，耐久后的噪聲強度的差也較小 (2地W下）。即，A位點的元素相同的A-7號樣品~A-IO號樣品能夠?qū)崿F(xiàn)相同程度的噪聲抑制 的能力和相同程度的耐久性。
[0254] 根據(jù)W上內(nèi)容可W推測為，即使在B位點的元素不同時，A位點的元素相同的多種 巧鐵礦型氧化物也能夠?qū)崿F(xiàn)相同程度的噪聲抑制的能力和相同程度的耐久性。例如，A-7號 樣品~A-14號樣品的A位點的元素可W自La、Nd、Pr、Yb、Y中選擇。因此，可W推測為，在磁性 體構(gòu)造物200d的導(dǎo)電性物質(zhì)包括A位點為La、Nd、Pr、Yb、Y中的至少一種的巧鐵礦型氧化物 時，能夠與A-7號樣品~A-14號樣品同樣地，抑制噪聲且能夠?qū)崿F(xiàn)良好的耐久性。此外，作為 巧鐵礦型氧化物，可W采用具有多種元素作為A位點的元素的氧化物。另外，導(dǎo)電性物質(zhì)可 W含多種巧鐵礦型氧化物。
[0255] 即使在磁性體構(gòu)造物200d的導(dǎo)電性物質(zhì)的材料不明確時，樣品的磁性體構(gòu)造物 200d所含有的巧鐵礦型氧化物的A位點的元素也能夠通過如下方式特定。例如，通過微小X 射線衍射法分析磁性體構(gòu)造物200d，從而特定巧鐵礦型氧化物的結(jié)晶相，然后對特定的結(jié) 晶相的結(jié)晶構(gòu)造和元素進行特定即可。
[0256] F-6.關(guān)于金屬的種類：
[0257] 表2的A-15號樣品~A-23號樣品為使用了各種金屬(含合金)作為導(dǎo)電性物質(zhì)的樣 品。具體而言，W從A-15號樣品到A-23號樣品的順序，導(dǎo)電性物質(zhì)為4旨、〇1、化、511、化、吐、因 科儀合金、鐵娃侶合金、坡莫合金。
[0258] 此外，A-15號樣品~A-23號樣品的導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率為40% W上且65% W下。 另外，大粒子率為44%^上。按照樣品編號的順序，磁性體為(：證日2〇4、8日。日12〇19、5'。日12〇19、 化尸62〇4、（化、211)化2〇4、化化2〇4、8曰2(：02化12〇22、￥3。65〇12、（]?11、211處62〇4。另夕1'，磁性體構(gòu)造物 200d的陶瓷含Si、B、P中的至少一種。
[0259] 如表2所示，無論是耐久前還是耐久后，在頻率相同的情況下，A-15號樣品~A-23 號樣品的噪聲強度小于A-I號樣品~A-6號樣品中的任意的樣品的噪聲強度。像運樣，通過 使用A-15號樣品~A-23號樣品的金屬作為導(dǎo)電性物質(zhì)，能夠進一步抑制噪聲。
[0260] 另外，在A-15號樣品~A-23號樣品中，因耐久性試驗而導(dǎo)致的噪聲的增大量為6地 或7dB。另一方面，上述的A-I號樣品~A-6號樣品中，因耐久性試驗而導(dǎo)致的噪聲的增大量 為9地W上且11地W下，大于A-15號樣品~A-23號樣品的增大量。像運樣，通過使用A-15號 樣品~A-23號樣品的金屬作為導(dǎo)電性物質(zhì)，能夠提高磁性體構(gòu)造物200d的耐久性。推測其 理由為，A-15號樣品~A-23號樣品的金屬的耐氧化性良好。
[0261] 此外，在采用金屬作為導(dǎo)電性物質(zhì)時，優(yōu)選采用A-15號樣品~A-23號樣品的金屬 中的至少一種。例如，優(yōu)選的是，導(dǎo)電性物質(zhì)含有包括4旨、加、化、511少6、吐中的至少一種的 金屬。此外，磁性體構(gòu)造物200d的導(dǎo)電區(qū)域820所含有的金屬可W通過EPMA分析進行特定。 [0%2] F-7.關(guān)于氣孔率：
[0263] 表2的A-I號樣品~A-6號樣品的氣孔率處于5.3% W上且6.1% W下的范圍內(nèi)。并 且，如上所述地，A-I號樣品~A-6號樣品能夠抑制噪聲，而且，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的耐久性。另 外，A-7號樣品~A-23號樣品的氣孔率處于5.1% W上且6% W下的范圍內(nèi)。而且，如上所述 地，A-7號樣品~A-23號樣品能夠進一步抑制噪聲，而且，能夠?qū)崿F(xiàn)更加良好的耐久性。
[0264] A-24號樣品~A-30號樣品的氣孔率小于A-I號樣品~A-23號樣品的氣孔率。具體 而言，A-24號樣品~A-30號樣品的氣孔率處于3.2% W上且5% W下的范圍內(nèi)。此外，按照樣 品編號的順序，A-24號樣品~A-30號樣品的導(dǎo)電性物質(zhì)分別為NdMn化、PrMn〇3、化Mn化、 YMn化、Fe、化、因科儀合金。導(dǎo)電性物質(zhì)的占有率為46 % W上且64 % W下。大粒子率為52 % W上。按照樣品編號的順序，磁性體分別為(Ni、Zn)Fe2〇4、（Mn、Zn)!^2〇4、Ba2C〇2Fei2〇22、（Ni、 Zn)Fe2〇4、BaFei2〇i9、Sr化i2〇i9、NiFe2〇4。另夕h磁性體構(gòu)造物200d的陶瓷含有Si、B、P中的至 少一種。
[0265] 如表2所示，無論是耐久前還是耐久后，在頻率相同的情況下，A-24號樣品~A-30 號樣品中的任意的樣品的噪聲強度小于A-I號樣品~A-23號樣品中的任意的樣品的噪聲強 度。像運樣，與具有比較大的氣孔率的A-I號樣品~A-6號樣品W及A-7號樣品~A-23號樣品 相比，具有比較小的氣孔率的A-24號樣品~A-30號樣品能夠抑制噪聲。推測其理由為，與氣 孔率較大時相比，在氣孔率較小時能夠抑制氣孔812(圖5)內(nèi)的局部放電。
[0266] 另外，在A-24號樣品~A-30號樣品中，因耐久性試驗而導(dǎo)致的噪聲強度的增大量 處于2地W上且4地W下的范圍內(nèi)。另一方面，A-I號樣品~A-6號樣品的增大量處于9地W上 且11地W下的范圍內(nèi)，A-7號樣品~A-23號樣品的增大量為6地或7地。像運樣，與具有比較 大的氣孔率的A-I號樣品~A-6號樣品W及A-7號樣品~A-23號樣品相比，具有比較小的氣 孔率的A-24號樣品~A-30號樣品能夠?qū)崿F(xiàn)良好的耐久性。推測其理由為，與氣孔率較大時 相比，在氣孔率較小時能夠抑制氣孔812(圖5)內(nèi)的局部放電。
[0267] 能夠抑制噪聲且實現(xiàn)了良好的耐久性的A-I號樣品~A-30號樣品的氣孔率分別為 3.2、3.3、3.5、3.8、4.3、4.4、5、5.1、5.2、5.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.8、6、6.1(%)?？蒦將運 17個的值中的任意值用作氣孔率的優(yōu)選范圍（下限W上且上限W下的范圍）的上限。另外， 可W將運些值中的上限W下的任意的值用作下限。例如，作為氣孔率可W采用3.2% W上且 6.1 % W下的值。
[0%引另外，如上所述，與A-I號樣品~A-23號樣品相比，A-24號樣品~A-30號樣品能夠 抑制噪聲，而且能夠提高耐久性。A-24號樣品~A-30號樣品的氣孔率分別為3.2、3.3、3.5、 3.8、4.3、4.4、5 ( % )。若從運7個值中選擇氣孔率的優(yōu)選范圍的上限和下限，則能夠進一步 提高噪聲抑制的能力和耐久性。例如，作為氣孔率可W采用3.2% W上且5% W下的值。
[0269] 另外，可W推測為，氣孔率越小，噪聲抑制的能力和耐久性越是良好。因此，作為氣 孔率的下限也可W采用0%。例如，氣孔率優(yōu)選為0% W上且6.1% W下，特別優(yōu)選為0% W上 且5%W下。
[0270] 此外，A-I號樣品~A-6號樣品的噪聲抑制的能力與一般的火花塞(例如，省略了磁 性體構(gòu)造物200d的火花塞）的能力相比較為良好。因此，可W推測為，即使在氣孔率更大的 情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)能夠?qū)嵱玫脑肼曇种频哪芰?。因此，可W推測為，作為氣孔率的上限可 W采用更大的值(例如，10%)。
[0271] 作為調(diào)整氣孔率的方法可W采用任意的方法。例如，通過增加磁性體構(gòu)造物200d 的燒制溫度(例如，在通孔12d內(nèi)收容連接部300d的材料的絕緣體1 Od的加熱溫度），使磁性 體構(gòu)造物200d的陶瓷材料變得容易烙融，從而能夠使氣孔率變小。另外，能夠通過強化在將 端子金屬配件40d插入于通孔12d內(nèi)時施加在端子金屬配件40d的力，來壓潰氣孔812,從而 能夠減小氣孔率。另外，能夠通過減小磁性體構(gòu)造物200d的陶瓷材料的粒徑，來減小氣孔 率。
[0272] F-8.關(guān)于導(dǎo)電性物質(zhì)：
[0273] 表3的B-5號樣品為從磁性體構(gòu)造物200d中省略了導(dǎo)電性物質(zhì)的樣品。在該B-5號 樣品中，由于電波噪聲過強，導(dǎo)致無法測量正確的值。推測其理由為，電流無法順楊地流通 于磁性體構(gòu)造物200d，在磁性體構(gòu)造物200d內(nèi)產(chǎn)生了局部放電。另一方面，A-I號樣品~A-30號樣品能夠抑制噪聲。像運樣，通過使磁性體構(gòu)造物200d含有導(dǎo)電性物質(zhì)，能夠抑制噪 聲。此外，可W推測為，作為能夠抑制電波噪聲的導(dǎo)電性物質(zhì)，不限于表2的樣品中所含有的 導(dǎo)電性物質(zhì)，可W采用其他各種導(dǎo)電性物質(zhì)。另外，為了實現(xiàn)磁性體構(gòu)造物200d的良好的耐 久性，優(yōu)選采用具有良好的耐氧化性的導(dǎo)電性物質(zhì)。另外，若采用電阻率為50Q -mW下的 導(dǎo)電性物質(zhì)，則能夠抑制由流通有較大電流時的發(fā)熱引起的劣化。
[0274] F-9.關(guān)于含鐵氧化物：
[0275] 表3的B-3號樣品為從磁性體構(gòu)造物200d省略了含鐵氧化物（即，磁性體)的樣品。 如表2、表3所示，在頻率相同的情況下，具有含鐵氧化物的A-I號樣品~A-30號樣品的噪聲 強度小于B-3號樣品的噪聲強度。像運樣，通過使磁性體構(gòu)造物200d含有含鐵氧化物，能夠 抑制噪聲。推測其理由為，配置在電流路徑附近的磁性體能夠抑制電波噪聲。此外，作為含 鐵氧化物，例如，可W采用含F(xiàn)eO、Fe2〇3Je3〇4、Ni、Mn、Cu、Sr、Ba、Zn、Y中的至少一種的含鐵 氧化物，來作為A-I號樣品~A-30號樣品的含鐵氧化物。另外，可W推測為，作為能夠抑制電 波噪聲的含鐵氧化物，不限于表2的樣品中所含有的含鐵氧化物，可W采用其他各種含鐵氧 化物(例如，各種鐵氧體）。
[0276] F-10.關(guān)于陶瓷：
[0277] 磁性體構(gòu)造物200d所含有的陶瓷支承導(dǎo)電性物質(zhì)和磁性體（在此，為含鐵氧化 物）。作為運樣地支承導(dǎo)電性物質(zhì)和磁性體的陶瓷可W采用各種陶瓷。例如，可W采用非晶 質(zhì)的陶瓷。作為非晶質(zhì)的陶瓷，例如可W采用含有從Si化、B203、P205中任意選擇的一種W上 的成分的玻璃。取而代之，也可W采用結(jié)晶性的陶瓷。作為結(jié)晶性的陶瓷，也可W采用例如 Li2〇-AL2〇3-Si〇2系玻璃等的結(jié)晶化玻璃化稱為玻璃陶瓷）?？蒞推測為，在任何情況下，像 表2的A-巧樣品~A-30號樣品那樣，能夠通過采用含娃(Si)、棚(B)、憐(P)中的至少一種的 陶瓷，來實現(xiàn)適當(dāng)?shù)脑肼曇种频哪芰瓦m當(dāng)?shù)哪途眯浴?br>[027引 E.變形例
[0279] (1)作為磁性體210、210b的材料不限于MnZn鐵氧體，可W采用各種磁性材料。例 如，可W采用各種強磁性材料。在此，強磁性材料為可W自發(fā)磁化的材料。作為強磁性材料， 例如，可W采用含鐵氧體(含尖晶石型）等氧化鐵的材料、磁鋼(Al-Ni-Co)等的鐵合金等各 種材料。若采用運樣的強磁性材料，則能夠適當(dāng)?shù)匾种齐姴ㄔ肼暋Ａ硗?，不限于強磁性材料?也可W采用順磁性材料。此時也能夠抑制電波噪聲。
[0280] (2)作為磁性體構(gòu)造物的結(jié)構(gòu)，不限于圖1、圖2所示的結(jié)構(gòu)，可W采用具有磁性體 和導(dǎo)電體的各種結(jié)構(gòu)。例如，也可W在磁性體的內(nèi)部埋設(shè)線圈狀的導(dǎo)電體。一般而言，優(yōu)選 采用在連結(jié)磁性體構(gòu)造物的前端方向Dl側(cè)的端部和后端方向D2側(cè)的端部的導(dǎo)電路徑上，導(dǎo) 電體與磁性體的至少一部分并聯(lián)連接運樣的結(jié)構(gòu)。若采用運樣的結(jié)構(gòu)，則能夠利用磁性體 抑制電波噪聲。而且，由于能夠利用導(dǎo)電體來減小磁性體構(gòu)造物的兩端之間的電阻值，因而 能夠抑制磁性體構(gòu)造物的溫度變高。其結(jié)果，能夠抑制磁性體構(gòu)造物的損傷。
[0281] 另外，作為磁性體構(gòu)造物的結(jié)構(gòu)，如圖4、圖5中說明的那樣，也可W采用磁性體、陶 瓷、作為導(dǎo)電體的導(dǎo)電性物質(zhì)混合而成的構(gòu)件。在此，導(dǎo)電性物質(zhì)也可W含有多種導(dǎo)電性物 質(zhì)(例如，金屬和巧鐵礦型氧化物運兩者）。另外，磁性體也可W含有多種含鐵氧化物(例如， Fe2〇3和作為六方晶型鐵氧體的BaFeisOi堀兩者）。另外，陶瓷也可W含有多種成分（例如， Si化和B2化運兩者）。在任何情況下，導(dǎo)電性物質(zhì)、陶瓷W及作為磁性體的含鐵氧化物的組合 都不限于表2、表3的樣品的組合，可W采用其他各種組合。在任何情況下，都可W W各種方 法特定導(dǎo)電性物質(zhì)的組成和含鐵氧化物的組成。例如，也可W用微小X射線衍射法來特定組 成。
[0282] (3)作為在圖4、圖5中說明的磁性體構(gòu)造物200d的制造方法，可W采用其他任意的 方法來代替在絕緣體IOd的通孔12d的內(nèi)配置磁性體構(gòu)造物200d的材料并燒制的方法。例 如，也可W利用成形模具將磁性體構(gòu)造物200d的材料成形為圓柱狀，并對成形體進行燒制， 從而形成圓柱狀的燒制完的磁性體構(gòu)造物200d。并且，只要在絕緣體IOd的通孔12d內(nèi)投放 其他構(gòu)件60(1、70(1、75(1、80(1的材料粉末時，在通孔12(1內(nèi)插入燒制完的磁性體構(gòu)造物200(1來 代替磁性體構(gòu)造物200d的材料粉末即可。然后，在將絕緣體IOd加熱了的狀態(tài)下將端子金屬 配件40d從后部開口 14插入于通孔12d，從而能夠分別形成導(dǎo)電性密封部60d、75d、80d、電阻 體 70d。
[0283] (4)磁性體構(gòu)造物的結(jié)構(gòu)不限于圖1、圖2、圖4、圖5示出的結(jié)構(gòu)，可W采用其他各種 結(jié)構(gòu)。例如，也可W將圖4、圖5中說明的磁性體構(gòu)造物200d的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于圖1、圖2的磁性體 構(gòu)造物200、20化中。例如，作為圖1、圖2的磁性體210、21化也可W采用與圖4、圖5中說明的 磁性體構(gòu)造物200d相同的結(jié)構(gòu)的構(gòu)件。另外，也可W將圖1、圖2中說明的火花塞100、10化的 結(jié)構(gòu)應(yīng)用于圖4、圖5的火花塞IOOd中。例如，也可W用與圖1、圖2的覆蓋部290、29化同樣的 覆蓋部覆蓋圖4的磁性體構(gòu)造物20化的外周面。另外，還可W W使磁性體構(gòu)造物200d的兩端 之間的電阻值在磁性體構(gòu)造物200、20化的兩端之間的電阻值的上述優(yōu)選范圍內(nèi)的方式，形 成磁性體構(gòu)造物200d(例如，OQ W上且3kQ W下的范圍內(nèi)，或者OQ W上且IkQ W下的范圍 內(nèi)）。但是，磁性體構(gòu)造物200d的兩端之間的電阻值也可W是上述的優(yōu)選范圍之外。另外，也 可W是，電阻體7〇、7〇d和密封部60、60(1、75、7513、75(1、80、8化、80(1中的至少一者含有結(jié)晶性 的陶瓷。另外，磁性體構(gòu)造物200d也可W配置在比電阻體70d靠前端方向Dl側(cè)的位置。
[0284] (5)作為火花塞的結(jié)構(gòu)不限于圖1、圖2、表1、圖4、圖5、表2、表3中說明的結(jié)構(gòu)，可W 采用各種結(jié)構(gòu)。例如，也可W在中屯、電極20中的形成間隙g的部分設(shè)置貴金屬頭。另外，也可 W在接地電極30中的形成間隙g的部分設(shè)置貴金屬頭。作為貴金屬片的材料可W采用含銀 或銷等貴金屬的合金。
[0285] 另外，在上述的各實施方式中，接地電極30的前端部31與中屯、電極20的朝向前端 方向Dl側(cè)的面即前端面20sl相對，并形成間隙g。作為代替，也可W是，接地電極30的前端部 與中屯、電極20的外周面相對并形成間隙。
[0286] W上，基于實施方式、變形例說明了本發(fā)明，上述的發(fā)明的實施方式是用于容易理 解本發(fā)明的方式，并不限定本發(fā)明。本發(fā)明在不脫離其主旨和技術(shù)方案的范圍的情況下可 進行各種變更和改良，并且本發(fā)明也包括其等價物。
[0巧7] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0288] 本發(fā)明能夠適當(dāng)?shù)乩糜谠趦?nèi)燃機等中使用的火花塞。
[0289] 附圖標記說明
[0290] 5...墊圈，6...第一后端側(cè)密封件，7 ...第二后端側(cè)密封件，8...前端側(cè)密封件， 9.. .滑石，10、10。、10(1...絕緣體(絕緣電瓷），101...內(nèi)周面，11...第二縮外徑部，12、12(3， 12d...通孔（軸孔），13...腿部，14...后部開口，15...第一縮外徑部，16...縮內(nèi)徑部， 17 ...自U端側(cè)王體部，18...后端側(cè)王體部，19...凸緣部，20...中心電極,20sl...自U端面， 21.. .電極母材，22...忍材，23...頭部，24...凸緣部，25...腿部，30...接地電極，31...前 端部，35...母材，36...忍部，40、40c、40d...端子金屬配件，41...罩安裝部，42...凸緣部， 43、43c、43d...腿部，50...主體金屬配件，51...工具卡合部，52...螺紋部，53...彎邊部， 54.. .座部，55...主體部，56...縮內(nèi)徑部，58...變形部，59...通孔，60、60d...第一導(dǎo)電性 密封部，70、70d...電阻體，75、756、75。、75(1...第二導(dǎo)電性密封部，80、8013、80(1...第^導(dǎo) 電性密封部，100UOObUOOc、IOOd...火花塞，200、200b、200d...磁性體構(gòu)造物，210、 210b...磁性體，220、220b...導(dǎo)電體，290、290b...覆蓋部，300、3006、300(：、300(1...連接 部，800...對象區(qū)域，810...陶瓷區(qū)域，812...氣孔，812a、812b...突出部，820...導(dǎo)電區(qū) 域，825...導(dǎo)電粒子區(qū)域，g...間隙，CL...中屯、軸線巧由線）。
【主權(quán)項】
1. 一種火花塞，該火花塞包括： 絕緣體，其具有沿軸線的方向延伸的通孔； 中心電極，其至少一部分插入于所述通孔的前端側(cè)； 端子金屬配件，其至少一部分插入于所述通孔的后端側(cè)； 連接部，其在所述通孔內(nèi)將所述中心電極和所述端子金屬配件之間連接起來， 其中， 所述連接部具有： 電阻體；以及 磁性體構(gòu)造物，其配置在所述電阻體的前端側(cè)或后端側(cè)的、離開所述電阻體的位置，且 該磁性體構(gòu)造物包括磁性體和導(dǎo)電體， 將所述電阻體和所述磁性體構(gòu)造物中的配置在前端側(cè)的構(gòu)件設(shè)為第一構(gòu)件，將所述電 阻體和所述磁性體構(gòu)造物中的配置在后端側(cè)的構(gòu)件設(shè)為第二構(gòu)件，此時， 所述連接部還包括： 第一導(dǎo)電性密封部，其配置在所述第一構(gòu)件的前端側(cè)，并與所述第一構(gòu)件接觸； 第二導(dǎo)電性密封部，其配置在所述第一構(gòu)件和所述第二構(gòu)件之間，并與所述第一構(gòu)件 和所述第二構(gòu)件接觸； 第三導(dǎo)電性密封部，其配置在所述第二構(gòu)件的后端側(cè)，并與所述第二構(gòu)件接觸， 所述磁性體構(gòu)造物包括： 1) 作為所述導(dǎo)電體的導(dǎo)電性物質(zhì)； 2) 作為所述磁性體的含鐵氧化物；以及 3) 含硅(Si)、硼(B)和磷(P)中的至少一種的陶瓷， 在所述磁性體構(gòu)造物的包括所述軸線的截面中， 將以所述軸線為中心線，且與所述軸線垂直的方向上的大小為1.5mm，所述軸線的方向 上的大小為2.0_的矩形區(qū)域作為對象區(qū)域，此時， 在所述對象區(qū)域中，所述導(dǎo)電性物質(zhì)的區(qū)域包括多個粒狀區(qū)域， 在所述多個粒狀區(qū)域中，最大粒徑為200μπι以上的粒狀區(qū)域的數(shù)量所占的比例為40% 以上， 在所述對象區(qū)域中，所述導(dǎo)電性物質(zhì)的所述區(qū)域的面積所占的比例為35%以上且65% 以下。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的火花塞，其中， 所述磁性體構(gòu)造物的從前端到后端的電阻值為3kQ以下。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的火花塞，其中， 所述磁性體構(gòu)造物的從所述前端到所述后端的電阻值為lkQ以下。4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的火花塞，其中， 所述導(dǎo)電體包括沿所述軸線的方向貫穿所述磁性體的導(dǎo)電部。5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的火花塞，其中， 所述磁性體構(gòu)造物配置在所述電阻體的后端側(cè)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的火花塞，其中， 所述連接部還包括覆蓋部，所述覆蓋部覆蓋所述磁性體構(gòu)造物的外表面的至少一部 分，且所述覆蓋部介于所述磁性體構(gòu)造物和所述絕緣體之間。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的火花塞，其中， 所述磁性體使用含氧化鐵的強磁性材料而形成。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的火花塞，其中， 所述強磁性材料為尖晶石型鐵氧體。9. 根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的火花塞，其中， 所述磁性體為NiZn鐵氧體或MnZn鐵氧體。10. 根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的火花塞，其中， 所述導(dǎo)電性物質(zhì)包括鈣鈦礦型氧化物，所述鈣鈦礦型氧化物用一般式ab〇3來表示，所述 一般式的A位點為1^、陽、？^￥13、￥中的至少一者。11. 根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的火花塞，其中， 所述導(dǎo)電性物質(zhì)含48、(^11、附、511、？6、0中的至少一種金屬。12. 根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項所述的火花塞，其中， 在所述磁性體構(gòu)造物的所述截面上的所述對象區(qū)域中的、除了所述導(dǎo)電性物質(zhì)的所述 區(qū)域之外的剩余的區(qū)域中，氣孔率為5%以下。
【文檔編號】H01T13/20GK105849991SQ201480071112
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年12月25日
【發(fā)明人】笠島崇, 高岡勝哉, 黑澤和浩, 田中邦治, 本田稔貴, 黑野啟, 黑野啟一, 吉田治樹, 上垣裕則
【申請人】日本特殊陶業(yè)株式會社